JP2005268710A - 半導体受光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 バッファ層2、光吸収層3、加速層4、電界緩和層5、増倍層6、ブロック層7、および、コンタクト層8が半導体基板上に積層されている半導体受光素子において、加速層4は、光吸収層3と電界緩和層との間に設けられ、電界緩和層から光吸収層に向かうに伴ってエネルギーギャップが減少し、少なくとも一部の領域に不純物がドープされている層であり、半導体受光素子の動作時に、メインキャリアを加速して増倍層に移動するようにした構成を有している。加速層4は、エネルギーギャップが、例えば、階段状に変化するように複数の層で構成されるのでもよい。
【選択図】 図2
Description
2 バッファ層
3 光吸収層
4 加速層
4a 高濃度構成層
5 電界緩和層
6 増倍層
7 ブロック層
8 コンタクト層
9 保護膜
10 p電極
11a、11b n電極
100 半導体受光素子
d3 光吸収層の厚さ
d4 加速層の厚さ
d5 電界緩和層の厚さ
d6 増倍層の厚さ
d7 ブロック層の厚さ
Claims (4)
- 入射された光を吸収してキャリアを生成する光吸収層3と、前記光吸収層3が生成したキャリアのうちの少なくとも一方のキャリアであるメインキャリアを増倍する増倍層6と、前記増倍層6と前記光吸収層3との間に設けられ、前記増倍層6から前記光吸収層3方向への電界強度を低下させる電界緩和層5とを含む複数の半導体層2〜8が半導体基板1上に積層されている半導体受光素子100において、
前記光吸収層3と前記電界緩和層5との間に設けられる層であって、前記電界緩和層5から前記光吸収層3に向かうに伴ってエネルギーギャップが減少し、少なくとも一部の領域に不純物がドープされている加速層4を備え、
前記半導体受光素子100の動作時に、前記加速層4内で前記増倍層6に移動するメインキャリアが加速されるようにしたことを特徴とする半導体受光素子。 - 前記加速層4は、エネルギーギャップが略一定の複数の加速構成層に分割され、階段状に変化するエネルギーギャップを有し、いずれか1つ以上の前記加速構成層が他の前記加速構成層よりも高濃度に不純物がドープされている高濃度構成層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体受光素子。
- 前記増倍層6は、前記光吸収層3が生成したキャリアのうちの正孔をメインキャリアとするようにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体受光素子。
- 前記加速層4にドープする不純物の濃度は、前記加速層4のエネルギーギャップの増大に応じて増大または減少するようにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体受光素子。
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JP2019201091A (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体および受光素子 |
CN112018211A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-01 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 | 一种雪崩光电探测器及其制备方法 |
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