JP4137826B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
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Description
2 バッファ層
3 光吸収層
4 加速層
4a 高濃度構成層
5 電界緩和層
6 増倍層
7 ブロック層
8 コンタクト層
9 保護膜
10 p電極
11a、11b n電極
100 半導体受光素子
d3 光吸収層の厚さ
d4 加速層の厚さ
d5 電界緩和層の厚さ
d6 増倍層の厚さ
d7 ブロック層の厚さ
Claims (4)
- 入射された光を吸収してキャリアを生成する光吸収層(3)と、前記光吸収層(3)が生成したキャリアのうちの少なくとも一方のキャリアであるメインキャリアを増倍する増倍層(6)と、前記増倍層(6)と前記光吸収層(3)との間に設けられ、前記増倍層(6)から前記光吸収層(3)方向への電界強度を低下させる電界緩和層(5)とを含む複数の半導体層が半導体基板(1)上に積層されている半導体受光素子(100)において、
前記複数の半導体層は、前記光吸収層(3)と前記電界緩和層(5)との間に設けられる層であって、前記電界緩和層(5)から前記光吸収層(3)に向かうに伴ってエネルギーギャップが減少し、また、前記増倍層(6)から前記光吸収層(3)方向への前記電界強度をさらに低下させるために少なくとも一部の領域に不純物がドープされている加速層(4)を備え、
前記半導体受光素子(100)の動作時に、前記加速層(4)内で前記増倍層(6)に移動するメインキャリアが加速されるようにしたことを特徴とする半導体受光素子。 - 前記加速層(4)は、エネルギーギャップが略一定の複数の加速構成層に分割され、階段状に変化するエネルギーギャップを有し、いずれか1つ以上の前記加速構成層が他の前記加速構成層よりも高濃度に不純物がドープされている高濃度構成層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体受光素子。
- 前記増倍層(6)は、前記光吸収層(3)が生成したキャリアのうちの正孔をメインキャリアとするようにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体受光素子。
- 前記加速層(4)にドープする不純物の濃度は、前記加速層(4)のエネルギーギャップの増大に応じて増大または減少するようにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体受光素子。
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