JP2005268590A - 異方性導電膜、それを用いた実装構造および表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＡＣＦ３１を介して半導体ＩＣチップを回路基板に実装する際におけるＡＣＦ３１での気泡の発生を抑えることにより、ＡＣＦ３１に確実に遮光機能を持たせ、半導体ＩＣチップへの光の入射を抑制してその誤動作を回避する。
【解決手段】 ＡＣＦ３１を、導電粒子３２ｂを含有する粒子層３２と、導電粒子を含まない樹脂層３３とで構成する。そして、この樹脂層３３を、粒子層３２よりも流動性の低い遮光層で形成する。遮光層の流動性が低いので、ＡＣＦ３１を介して半導体ＩＣチップを回路基板に加熱圧着して実装する際に、遮光層にて気泡が発生するのを抑制することができ、ＡＣＦ３１に確実に遮光機能を持たせることができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えばカラー表示を行うために微細化された端子をそれぞれ有する半導体ＩＣチップと透光性の配線基板とを接続する際に用いられる異方性導電膜と、その異方性導電膜を用いて上記両者を接続した実装構造と、その実装構造を採用した液晶表示装置等の表示装置とに関するものである。

一対の基板間に液晶層を配置した液晶パネルと偏光板との組み合わせによって構成される液晶表示装置においては、液晶層に電圧を印加して液晶分子の配向状態を変化させることによって表示が行われる。すなわち、液晶層を透過する光の透過率を制御して、透過率差による明暗によって表示が行われる。このような液晶表示装置は、テレビジョンなどの表示手段として用いられているＣＲＴ（陰極線管）と比較して、軽量、薄型であり、かつ消費電力が少ない。このため、液晶表示装置は、特に携帯電話、携行用テレビジョン、モバイル機器、パーソナルコンピュータ、電子手帳および電子ゲーム機器またはその他の電子機器の表示手段として多く利用されている。

ところで、液晶表示装置のファインピッチ（微細端子間隔）における対向する端子間の接続には、例えばＡＣＦ（異方性導電膜）が利用されている。図５は、例えば、特許文献１に開示されたＡＣＦ１０１の概略の構成を示す断面図である。ＡＣＦ１０１は、樹脂１０２ａ中に導電粒子１０２ｂを含む導電層１０２と、導電粒子を含まない非導電層１０３との２層で構成されている。そして、非導電層１０３の流動性は、導電層の流動性よりも高く設定されている。その理由については後述する。

このようなＡＣＦ１０１を用いた端子間接続としては、例えばＣＯＧ（チップオングラス）、ＣＯＦ（チップオンフィルム）、ＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング）などがある。以下、ＡＣＦ１０１を用いた従来の接続構造について説明する。

図６は、従来のＣＯＧ方式の液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。この液晶表示装置では、液晶パネル２０１と半導体ＩＣチップ３０１とがＡＣＦ１０１を介して接続されている。より詳しくは、液晶パネル２０１の液晶層２０２を挟持する一対の基板２０３・２０４のうちの一方の基板２０４上の端子２０４ａと、半導体ＩＣチップ３０１の端子３０１ａとが、互いに対向するようにＡＣＦ１０１を介して接続されている。また、半導体ＩＣチップ３０１に入力信号を伝達するためのフレキシブル配線基板４０１が、基板２０４上の端子２０４ａと接続されている。

液晶パネル２０１の端子２０４ａと半導体ＩＣチップ３０１の端子３０１ａとの間にＡＣＦ１０１を介在させて熱および圧力を加えると、ＡＣＦ１０１が融解して流れ出す。そして、ＡＣＦ１０１中の導電粒子１０２ｂが、端子２０４ａ・３０１ａの表面とそれぞれ接するようになる。これによって、端子２０４ａ・３０１ａ間が電気的に導通するようになる。

一方、図７は、従来のＣＯＦ方式の液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。この液晶表示装置では、半導体ＩＣチップ３０１とフレキシブル配線基板４０１とが、互いの端子同士が対向するようにＡＣＦ１０１を介して接続されており、半導体ＩＣチップ３０１の端子３０１ａがフレキシブル配線基板４０１を介して液晶パネル２０１の端子２０４ａに接続された構造となっている。

半導体ＩＣチップ３０１の端子３０１ａとフレキシブル配線基板４０１との間にＡＣＦ１０１を介在させて熱および圧力を加えると、ＡＣＦ１０１が融解して流れ出し、ＡＣＦ１０１中の導電粒子１０２ｂを介して、半導体ＩＣチップ３０１とフレキシブル配線基板４０１とが電気的に導通するようになる。

ここで、ＡＣＦ１０１において、導電層１０２の流動性を非導電層１０３よりも低くすることにより、例えば図６のＣＯＧ方式において、ＡＣＦ１０１を介して基板２０４に半導体ＩＣチップ３０１を熱圧着する際に、半導体ＩＣチップ３０１と基板２０４との間から導電粒子１０２ｂが流出することを防ぐことが可能となる。これにより、半導体ＩＣチップ３０１の端子３０１ａと基板２０４の端子２０４ａとの間に介在する導電粒子１０２ｂの数を増やすことができる。

一方、非導電層１０３の流動性を導電層１０２よりも高くすることにより、例えばＣＯＧ方式において、基板２０４に半導体ＩＣチップ３０１を熱圧着する際に、半導体ＩＣチップ３０１と基板２０４との間から非導電層１０３の樹脂が流出しやすくなり、半導体ＩＣチップ３０１の端子３０１ａと基板２０４の端子２０４ａとの電気的接続を妨げずに、半導体ＩＣチップ３０１の側面に樹脂を付着させてフィレットを形成させることが可能となる。

その結果、半導体ＩＣチップ３０１と基板２０４との機械的接続を十分に確保しつつ、電気的接続の信頼性を高めることができるとともに、例えば半導体ＩＣチップ３０１側の加熱圧着ツール（図示せず）へのＡＣＦ１０１の付着を防止して、半導体ＩＣチップ３０１と基板２０４との接続工程の管理を容易にすることができる。

ところで、従来のＣＯＧ方式の液晶表示装置では、図示しないバックライトからの光が、液晶パネル２０１の端子２０４ａが形成されている基板２０４を介して、半導体ＩＣチップ３０１の能動面に入射する可能性がある。半導体ＩＣチップ３０１の能動面に光が入射すると、半導体ＩＣチップ３０１が誤動作を起こして正常な液晶表示ができなくなるおそれがある。なお、光の進入による半導体ＩＣチップ３０１の誤動作は、ＣＯＦ方式においても同様に起こり得る。

このような半導体ＩＣチップ３０１の誤動作を防止するため、従来は、図６および図７に示すように、実装した半導体ＩＣチップ３０１の能動面と対向する基板２０４やフレキシブル配線基板４０１の裏面に黒色テープ等の遮光部材５０１を貼り、遮光を行っていた。

一方、例えば特許文献２の液晶表示装置では、単層構造のＡＣＦ自体を着色したり、ＡＣＦに光吸収材料を混入して、ＡＣＦ自体に遮光の機能を持たせることにより、光の入射による半導体ＩＣチップ３０１の誤動作を回避するようにしている。
再表００−３３３７５号公報 特開平１０−１６８４１１号公報

ところが、光の進入による半導体ＩＣチップ３０１の誤動作を回避するために、遮光部材５０１を用いる方法では、遮光部材５０１の貼付工程が必要となって液晶表示装置の製造工程が複雑になる、遮光部材５０１が必要なために部品コストが高くつくなどの不都合がある。そこで、特許文献１と特許文献２とを組み合わせる、つまり、ＡＣＦ１０１の非導電層１０３を着色したり、非導電層１０３に光吸収材料を混入させる方法が考えられる。

しかし、特許文献１のＡＣＦ１０１は、非導電層１０３の流動性が導電層１０２よりも高いため、ＡＣＦ１０１の非導電層１０３を着色したり、非導電層１０３に光吸収材料を混入させても、加熱圧着による実装時には、流動性の高い非導電層１０３にて気泡が発生するおそれがある。その気泡部分を透過する光の透過量は、気泡が小さければ小さく、気泡が大きければ大きくなるが、いずれにしても、非導電層１０３にて気泡が発生することによって、ＡＣＦ１０１の遮光効率が低下することに変わりはない。つまり、特許文献１の構成と特許文献２の構成とを組み合わせたとしても、加熱圧着時に発生する気泡により、ＡＣＦ１０１における遮光の効果が低減し、光の入射による半導体ＩＣチップ３０１の誤動作を確実に回避することができないという問題が生ずる。

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、回路基板と半導体ＩＣチップとの接続に用いられる異方性導電膜において、半導体ＩＣチップの回路基板への実装時における気泡の発生を抑えて遮光効果の低減を確実に回避することができ、これによって半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避することができる異方性導電膜と、それを用いた実装構造と、その異方性導電膜を用いた表示装置とを提供することにある。

（１）本発明の異方性導電膜は、導電粒子を含有する粒子層と、少なくとも１層の樹脂層とを積層した異方性導電膜であって、前記樹脂層の少なくとも１層は、前記粒子層よりも流動性の低い遮光層で形成されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、異方性導電膜を構成する樹脂層の少なくとも１層が、遮光機能を有する遮光層で形成されている。この遮光層の流動性が、粒子層の流動性よりも低いので、例えば本発明の異方性導電膜を介して半導体ＩＣチップを回路基板に加熱圧着して実装する際でも、遮光層にて気泡が発生するのを抑制することができる。これにより、遮光層での遮光効果が低減するのを確実に回避することができ、従来のような遮光テープを用いることなく、光の進入による半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避することができる。

なお、樹脂層は、１層のみの単層であってもよいし、２層以上の複数層であってもよい。また、樹脂層が２層以上の複数層で形成される場合は、そのうちの２以上の層を遮光層で形成してもよい。

（２）本発明の異方性導電膜において、前記遮光層は、カーボン、セラミック、光吸収材の少なくともいずれかを含んでいる構成が望ましい。なお、上記の光吸収材としては、例えば樹脂の固体や、光吸収性のある官能基を持つ樹脂などの光吸収性樹脂が考えられる。遮光層が上記のいずれかを含んでいることにより、遮光層での遮光効果を確実に発揮させることができる。

（３）本発明の異方性導電膜において、前記遮光層は、着色された樹脂を含んでいてもよい。樹脂が着色されていれば、光が遮光層に確実に吸収され、確実に遮光される。つまり、遮光層での遮光効果を確実に発揮させることができる。

（４）本発明の液晶表示装置において、前記異方性導電膜の前記樹脂層が複数の層からなり、前記遮光層は、前記粒子層とは反対側の最外層に位置している構成であってもよい。

例えば、異方性導電膜が、粒子層と、２層構造の樹脂層とを積層してなり、上記の樹脂層が遮光層と非遮光層とからなっているものとする。この場合に、遮光層が最外層よりも内側に位置しており、最外層に非遮光層が位置していると、半導体ＩＣチップを異方性導電膜を介して回路基板に実装する際に、遮光層と半導体ＩＣチップとの間に、遮光効果のない層（非遮光層）が位置しているために、外部からの光が非遮光層を介して半導体ＩＣチップの能動面に入射する可能性がある。

しかし、遮光層が粒子層とは反対側の最外層に位置している場合には、半導体ＩＣチップを異方性導電膜を介して回路基板に実装しても、遮光層が最も半導体ＩＣチップ側に位置するため、遮光層と半導体ＩＣチップとの間から、外部光が半導体ＩＣチップの能動面に入射することはない。したがって、樹脂層が複数層からなっている場合であっても、遮光層が最外層に位置していることにより、光の進入による半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避することができる。

（５）本発明の実装構造は、上述した（１）から（４）のいずれかに記載の異方性導電膜を介して、半導体ＩＣチップを回路基板上に実装してなることを特徴としている。

このような実装構造によれば、上記異方性導電膜を介して半導体ＩＣチップを回路基板に加熱圧着して実装する際でも、異方性導電膜の遮光層にて気泡が発生するのを抑制することができ、遮光層にて遮光効果が低減するのを確実に回避することができる。したがって、従来のような遮光テープを用いることなく、光の進入による半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避することができる。

（６）本発明の実装構造において、前記回路基板は、透光性基板で構成されていてもよい。これにより、例えば液晶表示装置の液晶層を挟持する一対の透光性基板の一方を、本発明の実装構造における上記の回路基板として適用することができる。したがって、本発明の実装構造を液晶表示装置にも適用することができ、液晶表示装置にて、光の進入による半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避できるという効果を得ることができる。

（７）本発明の表示装置は、表示パネルを構成する透光性基板上の接続端子と半導体ＩＣチップの出力端子とが互いに対向するように、前記表示パネルと前記半導体ＩＣチップとを異方性導電膜を介して接続した表示装置であって、前記異方性導電膜は、上述した（１）から（４）のいずれかに記載の異方性導電膜で構成されていることを特徴としている。

いわゆるＣＯＧ方式の表示装置において、表示パネルと半導体ＩＣチップとが、本発明の異方性導電膜を介して接続されることにより、半導体ＩＣチップを回路基板に加熱圧着して実装する際でも、異方性導電膜の遮光層にて気泡が発生するのを抑制することができ、遮光層にて遮光効果が低減するのを確実に回避することができる。したがって、ＣＯＧ方式の表示装置において、従来のような遮光テープを用いることなく、光の進入による半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避することができる。

（８）本発明の表示装置は、半導体ＩＣチップとフレキシブル配線基板とを、互いの端子同士が対向するように異方性導電膜を介して接続し、前記半導体ＩＣチップの出力端子が前記フレキシブル配線基板を介して表示パネルに接続された表示装置であって、前記異方性導電膜は、上述した（１）から（４）のいずれかに記載の異方性導電膜で構成されていることを特徴としている。

いわゆるＣＯＦ方式の表示装置において、半導体ＩＣチップとフレキシブル配線基板とが、本発明の異方性導電膜を介して接続されることにより、半導体ＩＣチップをフレキシブル配線基板に加熱圧着して実装する際でも、異方性導電膜の遮光層にて気泡が発生するのを抑制することができ、遮光層にて遮光効果が低減するのを確実に回避することができる。したがって、ＣＯＦ方式の表示装置において、従来のような遮光テープを用いることなく、光の進入による半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避することができる。

本発明によれば、異方性導電膜を構成する樹脂層の少なくとも１層が遮光層で形成され、この遮光層の流動性が、粒子層の流動性よりも低いので、この異方性導電膜を介して半導体ＩＣチップを回路基板に加熱圧着して実装する際でも、遮光層にて気泡が発生するのを抑制することができる。これにより、遮光層にて遮光効果が低減するのを確実に回避することができ、従来のような遮光テープを用いることなく、光の進入による半導体ＩＣチップの誤動作を確実に回避することができる。

本発明の実施の一形態について、図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。

図２は、本実施形態の表示装置である液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。この液晶表示装置は、液晶パネル１と半導体ＩＣチップ２１とがＡＣＦ３１を介して接続された、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）タイプのものである。なお、同図中、液晶パネル１の配向膜、偏光板等は、説明を簡略化するため、その図示を省略している。また、半導体ＩＣチップ２１を駆動するために必要な電源回路や制御信号発生回路等を液晶表示装置に組み込むことも可能である。

液晶パネル１は、例えばガラスからなる透光性基板２・３で液晶層４を挟持してなっている。液晶層４は、透光性基板２・３間ではシール材５によりシールされている。透光性基板２・３上の液晶層４側には、透光性を有する複数の帯状の電極６・７が、それぞれに設けられている。電極６・７は、互いに直交する２方向（Ｘ方向およびＹ方向）にそれぞれ帯状に配列されている。

電極７の一方の端部には、電極６・７間に電圧を印加可能とするための端子７ａが設けられている。一方、電極６は、いわゆるコモン転移により、透光性基板３上の端子７ａにつながっている（図示せず）。また、Ｘ方向に配置された電極６とＹ方向に配置された電極７とが対向して交差する部分に、表示画面の１画素が設定されている。

ここで、液晶層４の液晶分子は、電圧を印加することによって分子の配列を変える特性を有している。光が液晶分子の配列に沿って進むことから、光の振動方向が直交する２枚の偏光板の間に液晶層４を配置し、この液晶層４に印加する電圧を変えることによって、電気的に動作するシャッタ効果を得ることができる。液晶パネル１は、そのシャッタ効果を利用して、例えば画面を多数の微細な画素で構成し、画像を画素単位の点の集合として表示する表示パネルである。

半導体ＩＣチップ２１は、時分割された信号電圧を電極６・７間に印加して液晶層４を駆動し、液晶パネル１に画像を表示させるためのドライバーＬＳＩ（大規模集積回路）チップであり、その駆動電圧の制御も行っている。半導体ＩＣチップ２１の能動面側には、端子（バンプ）２１ａが形成されており、この端子２１ａと液晶パネル１の端子７ａとが、ＡＣＦ３１を介して電気的に接続される。

このとき、液晶パネル１の端子７ａのそれぞれの端子ピッチと、半導体ＩＣチップ２１上に形成された端子２１ａのそれぞれの端子ピッチとは等しく、対応する端子２１ａと端子７ａとがＡＣＦ３１を介して電気的にそれぞれ接続される。

以上のことから、本実施形態の液晶表示装置は、液晶パネル１と半導体ＩＣチップ２１とを、互いの端子７ａ・２１ａ同士が対向するようにＡＣＦ３１を介して接続した液晶表示装置であるということができる。

また、本実施形態の液晶表示装置では、電子部品を搭載したフレキシブル配線基板４１を液晶パネル１と接続している。この場合において、フレキシブル配線基板４１と液晶パネル１との接続も、液晶パネル１と半導体ＩＣチップ２１との接続と同様に、液晶パネル１上に形成された端子７ａとフレキシブル配線基板４１上に形成された端子４１ａとを重ね合わせて接続することができる。端子７ａおよび端子４１ａのそれぞれの端子ピッチは互いに等しく、それゆえ、対応する信号・電源の端子７ａと端子４１ａとがそれぞれ接続される。

次に、本発明の最も特徴的な部分であるＡＣＦ３１について、図１および図２に基づいて説明する。図１は、ＡＣＦ３１の詳細な構成を示す断面図である。

上述したように、液晶パネル１の端子７ａと半導体ＩＣチップ２１の端子２１ａとの接続は、異方性導電膜３１を介して行われる。異方性導電膜３１は、粒子層３２と、樹脂層３３とを積層して構成されている。

粒子層３２は、合成樹脂３２ａ中に導電粒子３２ｂを混入して形成されている。合成樹脂３２ａは、エポキシ、ウレタンなどの熱硬化性樹脂、もしくはＳＥＢＳ（スチレンエチレンブチレンスチレンブロック共重合体）、スチレン−ブタジエン、ポリエステルなどの熱可塑性樹脂、またはこれらを混合した樹脂からなる合成樹脂膜で形成されており、半導体ＩＣチップ２１との接続に適した材料が選ばれる。

導電粒子３２ｂは、少なくとも外周面に導電性を有する粒子であり、その粒径は例えば３〜３５μｍ程度に選定されている。この導電粒子３２ｂは、半田などの金属の球体状もしくはフレーク状に形成するか、あるいはポリイミド系樹脂やポリスチレン系樹脂などの高分子材料からなる球体状の表面に導電性を有するニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）などの金属を被膜して形成されている。導電粒子３２ｂの合成樹脂３２ａに対する充填量は、端子の接続ピッチや接続面積により最適値に選ばれる。また、異方性導電膜３１の厚み（粒子層３１の層厚と樹脂層３２の層厚との和）は、端子２１ａの高さや導電粒子３２ｂの充填量などにより最適値に選ばれる。

樹脂層３３は、導電粒子を含まない少なくとも１層の樹脂からなっており、本実施形態では、１層で構成されている。この樹脂層３３は、粒子層３２よりも流動性の低い遮光層で形成されている。

ここで、遮光層としては、光吸収性材料や遮光性材料によって形成することができる。光吸収性材料としては、例えば、樹脂中にカーボンやセラミックを含むものや、樹脂の固体、光吸収性のある官能基を持つ樹脂などの光吸収材を考えることができる。なお、光吸収性材料としては、上記材料の少なくともいずれかを含んでいればよい。また、遮光性材料としては、例えば、着色された樹脂や、硬化することによって不透明になる樹脂などを想定することができる。このような材料で遮光層を形成することにより、遮光層に遮光機能を確実に持たせることができる。

また、遮光層（樹脂層３３）の流動性は、粒子層３２の流動性よりも低くなるように設定されている。これは、粒子層３２や遮光層を構成する樹脂の配合比率を変えることで実現することが可能である。例えば、粒子層３２および遮光層を、固形エポキシ系樹脂と液状エポキシ系樹脂とを配合して構成するならば、それらの配合比率を変えればよい（例えば遮光層における液状エポキシ系樹脂の配合比率を、粒子層３２における液状エポキシ系樹脂の配合比率よりも低くすればよい）。また、粒子層３２を分子量の小さい樹脂で構成し、遮光層を分子量の大きい樹脂で構成することにより、遮光層の流動性を粒子層３２の流動性よりも低く抑えることも可能である。

対向配置された被着体である半導体ＩＣチップ２１と液晶パネル１との間に、粒子層３２を液晶パネル１側にしてＡＣＦ３１を介在させ、熱および圧力を加えると、ＡＣＦ３１は、融解して流れ出し、粒子層３２の導電粒子３２ｂが対向する被着体表面に形成された端子２１ａ・７ａの表面に付着し、それぞれが互いに接続される。これによって、端子２１ａ・７ａ間が電気的に導通するようになる。

このとき、遮光層の流動性が粒子層３２の流動性よりも低いので、ＡＣＦ３１を介して半導体ＩＣチップ２１を液晶パネル１の回路基板である透光性基板３に加熱圧着する際に、遮光層は、気泡が発生しにくい状態で硬化し、遮光層にて気泡が発生するのが抑制される。これにより、遮光層での遮光効果が低減するのを確実に回避することができ、従来のような遮光テープを用いることなく、光の進入による半導体ＩＣチップ２１の誤動作を確実に回避することができる。

ところで、以上では、本発明のＡＣＦ３１をＣＯＧ方式の液晶表示装置に適用した場合について説明したが、ＣＯＦ方式の液晶表示装置に適用することも可能である。図３は、ＡＣＦ３１を適用したＣＯＦ方式の液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。

この液晶表示装置では、半導体ＩＣチップ２１とフレキシブル配線基板４１とが、互いの端子２１ａ・４１ａ同士が対向するようにＡＣＦ３１を介して接続されており、半導体ＩＣチップ２１の端子２１ａがフレキシブル配線基板４１を介して液晶パネル１の端子７ａに接続された構造となっている。

半導体ＩＣチップ２１の端子２１ａとフレキシブル配線基板４１との間にＡＣＦ３１を介在させて熱および圧力を加えると、ＡＣＦ３１が融解して流れ出し、ＡＣＦ３１中の導電粒子３２ｂを介して、半導体ＩＣチップ２１とフレキシブル配線基板４１とが電気的に接続される。

このようなＣＯＦ方式の液晶表示装置においても、遮光層の流動性が粒子層３２の流動性よりも低いので、ＡＣＦ３１を介して半導体ＩＣチップ２１をフレキシブル配線基板４１に加熱圧着する際に、遮光層は、気泡が発生しにくい状態で硬化し、遮光層にて気泡が発生するのが抑制される。これにより、遮光層での遮光効果が低減するのを確実に回避することができ、従来のような遮光テープを用いることなく、光の進入による半導体ＩＣチップ２１の誤動作を確実に回避することができる。

以上では、ＡＣＦ３１を２層（１層の粒子層３２と１層の樹脂層３３との積層）で構成した例について説明したが、樹脂層３３を２層以上の複数層で構成することにより、ＡＣＦ３１を３層以上の複数層で構成してもよい。

例えば図４は、樹脂層３３を２層で構成したＡＣＦ３１’を用いて半導体ＩＣチップ２１を液晶パネル１に実装した場合を示している。このＡＣＦ３１’では、樹脂層３３は、遮光性を有さない非遮光層３３ａと、粒子層３２よりも流動性の低い遮光層３３ｂとを積層してなっている。そして、粒子層３２上に非遮光層３３ａおよび遮光層３３ｂがこの順で積層されてＡＣＦ３１’が構成されている。そして、ＡＣＦ３１’の粒子層３２が基板３側に位置し、遮光層３３ｂが半導体ＩＣチップ２１側に位置している。

ここで、例えば、遮光層３３ｂが最外層よりも内側に位置し、非遮光層３３ａが最外層に位置していると、ＡＣＦ３１’を介して半導体ＩＣチップ２１を液晶パネル１に実装すると、半導体ＩＣチップ２１と遮光層３３ｂとの間の非遮光層３３ａを介して、外部からの光が半導体ＩＣチップ２１の能動面に入射する可能性がある。

そこで、樹脂層３３が複数層からなる場合は、図４のように、遮光層３３ｂを粒子層３２とは反対側の最外層に配置する構成が望ましい。この場合、遮光層３３ｂが最も半導体ＩＣチップ２１側に位置するため、遮光層３３ｂと半導体ＩＣチップ２１との間から、外部光が半導体ＩＣチップ２１の能動面に入射することはない。したがって、樹脂層３３が複数層からなる場合でも、光の進入による半導体ＩＣチップ２１の誤動作を確実に回避することができる。

なお、樹脂層３３を複数層で構成する場合は、その少なくとも１層が遮光層で形成されればよく、また、樹脂層３３を構成する全部の層を遮光層としてもよい。

なお、本発明のＡＣＦ３１・３１’は、液晶表示装置への適用に限定されるわけではなく、有機ＥＬやＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）等の表示装置に適用できる。また、端子の厚み、接続ピッチ、半導体ＩＣの特性に合わせて、ＡＣＦ３１・３１’の層構成、厚み、導電粒子径を、好ましい接続性および光吸収特性が得られるように適宜選択すれば、遮光が必要な半導体ＩＣチップと回路基板（透光性基板）との接続、実装に本発明のＡＣＦ３１・３１’を用いることができる。

本発明は、例えば携帯電話、モバイル機器、パーソナルコンピュータ、携行用テレビジョン、電子手帳および電子ゲーム機器などの電子機器の表示装置に利用可能である。

本発明の実施の一形態に係る液晶表示装置の液晶パネルと半導体ＩＣチップとを接続する際に用いるＡＣＦの概略の構成を示す断面図である。 上記液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。 上記液晶表示装置の他の構成を示す断面図である。 上記ＡＣＦの他の構成を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の液晶パネルと半導体ＩＣチップとを接続する際に用いるＡＣＦの概略の構成を示す断面図である。 上記液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。 上記液晶表示装置の他の構成を示す断面図である。

符号の説明

１ 液晶パネル
７ 透光性基板（回路基板）
７ａ 端子
２１ 半導体ＩＣチップ
２１ａ 端子
３１ ＡＣＦ（異方性導電膜）
３１’ ＡＣＦ（異方性導電膜）
３２ 粒子層
３３ 樹脂層（遮光層）
３３ｂ 遮光層
４１ フレキシブル配線基板

Claims (8)

1. 導電粒子を含有する粒子層と、少なくとも１層の樹脂層とを積層した異方性導電膜であって、
   前記樹脂層の少なくとも１層は、前記粒子層よりも流動性の低い遮光層で形成されていることを特徴とする異方性導電膜。
2. 前記遮光層は、カーボン、セラミック、光吸収材の少なくともいずれかを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電膜。
3. 前記遮光層は、着色された樹脂を含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の異方性導電膜。
4. 前記樹脂層は、複数の層からなり、
   前記遮光層は、前記粒子層とは反対側の最外層に位置していることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の異方性導電膜。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の異方性導電膜を介して、半導体ＩＣチップを回路基板上に実装してなることを特徴とする実装構造。
6. 前記回路基板は、透光性基板で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の実装構造。
7. 表示パネルを構成する透光性基板上の接続端子と半導体ＩＣチップの出力端子とが互いに対向するように、前記表示パネルと前記半導体ＩＣチップとを異方性導電膜を介して接続した表示装置であって、
   前記異方性導電膜は、請求項１から４のいずれかに記載の異方性導電膜で構成されていることを特徴とする表示装置。
8. 半導体ＩＣチップとフレキシブル配線基板とを、互いの端子同士が対向するように異方性導電膜を介して接続し、前記半導体ＩＣチップの出力端子が前記フレキシブル配線基板を介して表示パネルに接続された表示装置であって、
   前記異方性導電膜は、請求項１から４のいずれかに記載の異方性導電膜で構成されていることを特徴とする表示装置。

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