JP2005260227A5 - - Google Patents

Claims (49)

1. 対向する第１及び第２の端部と、側面とを有するワイヤーと；
   前記ワイヤーに電気的に接続されると共に、前記第２の端部及びワイヤー側面の一部を被覆する導電性粉部材と；
   少なくとも前記導電性粉部材の一部及び前記ワイヤー側面の一部を囲む絶縁性物質と；
   前記ワイヤーの第１の端部及び前記導電性粉部材の第１の端部に隣接する前記絶縁性物質の外側面の上の導電性物質の層と；
   前記ワイヤーの第１の端部及び前記絶縁性物質の一部の上に配置された導電性物質の第１の部材により形成された第１の端子と；
   前記導電性粉部材の第２の端部上に配置され、この第２の端部と電気的に接続された導電性物質の第２の部材により形成された第２の端子と；
   を具備してなることを特徴とする表面実装型チップコンデンサー。
2. 前記第１の端子は陽極であり、前記第２の端子は陰極末端である請求項１記載の表面実装型チップコンデンサー。
3. 前記導電性粉部材は粉体からなる請求項１記載の表面実装型チップコンデンサー。
4. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項３記載の表面実装型チップコンデンサー。
5. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項３記載の表面実装型チップコンデンサー。
6. 前記粉体は、前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積された請求項３記載の表面実装型チップコンデンサー。
7. 前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項１記載の表面実装型チップコンデンサー。
8. 前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項１記載の表面実装型チップコンデンサー。
9. 対向する第１及び第２の端部と、側面とを有するワイヤーと；
   前記第２の端部と前記ワイヤーの側面の一部とを被覆するワイヤー上で、陰極末端、陽極末端を有し、前記陽極末端と陰極末端との間に延出する導電性粉部材と；
   前記陽極末端および前記導電性粉部材上に、前記陽極末端および前記導電性粉部材の外に、かつ、これらを被覆する絶縁物質層を形成するものであって、それにより前記ワイヤーが前記絶縁物質層を貫通して延出し、前記絶縁物質層の外面から突出するワイヤー突出部を有する絶縁性物質と；
   前記導電性物質の陽極層が前記ワイヤーの第１の端部と電気的に接触して被覆するようにした、前記ワイヤーの第１の端部および前記導電性粉部材の陽極末端近傍の前記絶縁性物質の外面上の導電性物質の陽極層と；
   導電性物質の陽極層を被覆し且つ電気的に接触し、それにより電気的連続性が前記導電性粉部材の陽極末端から、前記ワイヤーおよび導電性物質の陽極層を介して、導電性陽極端子キャップまで達成される導電性陽極端子キャップと；
   前記導電性粉部材の陰極末端の少なくとも一部の上の導電性物質の陰極層と；
   前記導電性粉部材の陰極末端を被覆し且つ電気的に接触する導電性陰極端子キャップと；
   を具備してなることを特徴とする表面実装型チップコンデンサー。
10. 前記導電性粉部材は、粉体からなる請求項９記載の表面実装型チップコンデンサー。
11. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項１０記載の表面実装型チップコンデンサー。
12. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項１０記載の表面実装型チップコンデンサー。
13. 前記粉体は、前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積された請求項１０記載の表面実装型チップコンデンサー。
14. 前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項９記載の表面実装型チップコンデンサー。
15. 前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項９記載の表面実装型チップコンデンサー。
16. 前記ワイヤーは、ホイルをプレスして形成される請求項９記載の表面実装型チップコンデンサー。
17. 前記ホイルは、リール・ツー・リールプロセスに適用される請求項１６記載の表面実装型チップコンデンサー。
18. 対向する第１及び第２の端部と、側面とを有するワイヤーと；
    前記ワイヤーに電気的に接続されると共に、前記第２の端部及びワイヤー側面の一部を被覆する導電性粉部材と；
    少なくとも前記導電性粉部材の一部及び前記ワイヤーの一部を囲む絶縁性物質と；
    前記ワイヤーの第１の端部及び前記絶縁性物質の一部の上に配置された導電性物質の第１の部材により形成された第１の端子と；
    前記導電性粉部材の第２の端部の上に配置され、この第２の端部と電気的に接続された導電性物質の第２の部材により形成された第２の端子と；
    を具備し、
    前記第１の端子および前記第２の端子は、前記絶縁性物質により分離され、共通の外側周囲を前記絶縁性物質で分けることを特徴とする表面実装型チップコンデンサー。
19. 前記第１の端子は陽極であり、前記第２の端子は陰極末端である請求項１８記載の表面実装型チップコンデンサー。
20. 前記導電性粉部材は、粉体からなる請求項１８記載の表面実装型チップコンデンサー。
21. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項２０記載の表面実装型チップコンデンサー。
22. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項２０記載の表面実装型チップコンデンサー。
23. 前記粉体は、前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積された請求項２０記載の表面実装型チップコンデンサー。
24. 前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項１８記載の表面実装型チップコンデンサー。
25. 前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項１８記載の表面実装型チップコンデンサー。
26. 対向する第１および第２の端部と、側面とを有するワイヤーを形成する工程と；
    前記第２の端部と前記ワイヤーの側面の一部とを被覆するワイヤー上で、陰極末端、陽極末端を有し、前記陽極末端と陰極末端との間に延出する導電性粉部材を形成する工程と；
    前記陽極末端および前記導電性粉部材上を被覆し、それにより前記ワイヤーが前記絶縁物質を貫通して延出し、前記絶縁物質から突出する一部を有するように絶縁性物質を適用する工程と；
    導電性物質の陽極層が前記ワイヤーの第１の端部に電気的に接触して被覆するようにした、前記ワイヤーの第１の端部および前記導電性粉部材の陽極末端近傍の前記絶縁性物質の外面上に導電性物質の陽極層を適用する工程と；
    導電性物質の陽極層を被覆し且つ電気的に接触し、それにより電気的連続性が前記導電性粉部材の陽極末端から、前記ワイヤーおよび導電性物質の陽極層を介して、導電性陽極端子キャップまで達成される導電性陽極端子キャップを取着する工程と；
    前記導電性粉部材の陰極末端の少なくとも一部の上に導電性物質の層を適用する工程と；
    前記導電性粉部材の陰極末端を被覆し且つ電気的に接触する導電性陰極端子キャップを取着する工程と；
    を具備してなることを特徴とする表面実装型チップコンデンサーの製造方法。
27. 前記ワイヤーは、ホイルをプレスして形成される請求項２６記載の方法。
28. 前記ホイルをリール・ツー・リールプロセスに適用させるべく配置する工程を更に含む請求項２７記載の方法。
29. 前記粉体を前記ワイヤー上に適用して前記ホイルをマスクする工程を更に含む請求項２８記載の方法。
30. 前記粉体を前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積させる工程を更に含む請求項２９記載の方法。
31. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項３０記載の方法。
32. 前記粉体は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項３０記載の方法。
33. 前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項３０記載の方法。
34. 前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項３０記載の方法。
35. 対向する第１及び第２の端部を有するワイヤーを設ける工程と；
    前記ワイヤーの回りに導電性部材を形成する工程と；
    前記導電性部材の一部の上に絶縁層を適用する工程と；
    前記絶縁層により分離された第１および第２の端子をコンデンサーの対向する両端に適用し、前記両端子および絶縁層が共通の外側周囲を分ける工程と；
    を具有することを特徴とする表面実装型チップコンデンサーを形成する方法。
36. 前記ワイヤーの第２の端部を前記導電性部材および前記絶縁層を越えて延出する工程を更に含む請求項３５記載の方法。
37. 前記ワイヤーの第１の端部を前記導電性部材で囲む工程を更に含む請求項３５記載の方法。
38. 前記導電性部材を誘電性フィルムで包む工程を更に含む請求項３５記載の方法。
39. 前記フィルムの第１の部分の回りに対電極層を設ける工程を更に含む請求項３８記載の方法。
40. 前記フィルムの第２の部分の上に絶縁コーティングを設ける工程を更に含む請求項３９記載の方法。
41. 前記絶縁層は、前記絶縁コーティングを被覆し且つ前記対電極層を部分的に囲む請求項４０記載の方法。
42. 前記絶縁層と前記第２の端子との間に陽極を設ける工程を更に含む請求項３５記載の方法。
43. 前記ウィヤーはリール・ツー・リールプロセスに適用されるべく配置される請求項３５記載の方法。
44. 前記導電性部材を適用するために前記ワイヤーをマスクする工程を更に含む請求項３５記載の方法。
45. 前記導電性部材を前記ワイヤー上に電気泳動的に堆積させる工程を更に含む請求項３５記載の方法。
46. 前記導電性部材は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される請求項３５記載の方法。
47. 前記導電性部材は、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基体である請求項３５記載の方法。
48. 前記導電性粉部材は、3-8g/ccの間の密度を有する請求項３５記載の方法。
49. 前記導電性粉部材は、10ＣＶ-150ＫＣＶの間の静電容量-電圧を有する請求項３５記載の方法。