JP2005252261A - 表面実装型フリップチップコンデンサー - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 abstract 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 17
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta+5] WTKKCYNZRWIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】 表面実装型フリップチップコンデンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ワイヤー（32）と、このワイヤーに電気的に接続された導電性粉部材（34）とを具備してなる表面実装型フリップチップコンデンサー（30）である。この表面実装型フリップチップコンデンサーは上記導電性粉部材の少なくとも一部およびこの導電性粉部材から延出した上記ワイヤーを囲む絶縁性物質（38）を有する。第1の端子（60）が上記ワイヤーの第1の端面で表面実装フリップチップコンデンサー上に形成され、第2の端子（56）が上記導電性粉部材に電気的に接続することにより形成されている。この表面実装型フリップチップコンデンサーはワイヤーを提供する工程と、このワイヤーに導電性粉体を設ける工程とを含む方法により製造される。1形態として、多数のワイヤーがホイルシート（70）から作成され、導電性粉体部材が電気泳動的に上記ワイヤー上に堆積される。
【選択図】図１
【解決手段】 ワイヤー（32）と、このワイヤーに電気的に接続された導電性粉部材（34）とを具備してなる表面実装型フリップチップコンデンサー（30）である。この表面実装型フリップチップコンデンサーは上記導電性粉部材の少なくとも一部およびこの導電性粉部材から延出した上記ワイヤーを囲む絶縁性物質（38）を有する。第1の端子（60）が上記ワイヤーの第1の端面で表面実装フリップチップコンデンサー上に形成され、第2の端子（56）が上記導電性粉部材に電気的に接続することにより形成されている。この表面実装型フリップチップコンデンサーはワイヤーを提供する工程と、このワイヤーに導電性粉体を設ける工程とを含む方法により製造される。1形態として、多数のワイヤーがホイルシート（70）から作成され、導電性粉体部材が電気泳動的に上記ワイヤー上に堆積される。
【選択図】図１
Description
本発明はコンデンサーに係わる。特に、本発明は改良された表面実装型フリップチップコンデンサーおよびその製造方法に関するが、これらに限定されるものではない。
従来、コンデンサーはタンタルスラグ又はタンタルペレットのような容量性素子から作られている。従来、タンタルスラグを作るため、タンタル粉をバインダーと共にプレスし、ついで正極端部および負極端部を有する有極コンデンサーを形成するためのプロセスに向けられる。典型的なタンタルスラグはそこから延出するワイヤーからなる陽極と、その反対側に形成された導電性表面からなる陰極とを有する。
タンタルコンデンサーに使用されるタンタルペレットを製造する通常の方法は、タンタル粉を最初にプレス又は圧縮してペレットにし、それを焼成処理することからなり、ここでペレットは真空中で加熱される。この加熱によりタンタル粒子相互が固着し、陽極として機能するリード線を保持することができるようになっている。
この焼成工程に続いて、タンタルペレットは酸溶液中に浸漬され、ペレットおよびペレット内の粒子の外表面に誘電性フィルムを形成させる。この誘電性フィルムは通常、五酸化タンタルである。ペレットおよびペレット内の粒子はついで、陰極を形成する他の種々の金属含有物質で塗布される。
これらのコンデンサーは、接続ワイヤーにより回路基板に固着される陽極と陰極とを有する。
これらのコンデンサーは、接続ワイヤーにより回路基板に固着される陽極と陰極とを有する。
部品を装着する最近の方法では、接続ワイヤーを使用せずに部品を回路基板の導電路に直接、半田付けする方法がとられる。この技術は“表面実装装置”（SMD）として次第に広く使用されている。
SMD技術に適したコンデンサーは、チップ部品として、並びにMELF部品として製造することができる。チップ部品は一般に、半田付けに適した端面を有する直角平行六面体の形態の、若しくは半田付けに適した陰極および陽極末端の双方を有する面を備えたフリップチップの形態の支持部材を有する。MELF（Metal Electrode Face Bonding）部品は一般に、接続ワイヤーが省かれた接続キャップ（複数）を有する円筒状支持部材からなり、これらキャップは端面が半田付けに適するように電気メッキにより形成され、回路基板の導電路に直接、半田付けされるようになっている。
このSMD技術の大きな利点は、回路基板上への部品の装着密度を著しく高めることができることである。更に装着密度を高めるため、SMD技術に適したより小さな部品が必要となっている。
しかし、このSMD技術には、生産性および均一性を備えた装置を製造することについて問題がある。従って、改良された表面実装型フリップチップコンデンサーおよびその製造方法についての必要性が理解されるであろう。
更に、現在のSMD技術は、コンデンサーの大量処理のための技術を使用するのとは反対に個々のコンデンサーの処理を要する。大量処理の特に有用な１つの技術はリール・ツー・リールプロセス（reel to reel process）の使用を介して行われる。従って、本発明の更なる特徴は、リール・ツー・リールプロセスを使用して効率的に製造することができるコンデンサーを提供することである。
更に、従来のSMD技術は電気泳動塗装の使用により改善することができる。電気泳動塗装の幾つかの利点は、基板上での帯電粒子の高塗装速度が得られること、その結果得られる基板上の帯電粒子のフィルムは高密度で均一であること、塗装条件を制御することによりフィルムの厚みを制御することができること、簡単なプロセスで容易にスケールアップすることができることなどである。従って、本発明の更なる特徴は、コンデンサーの均一性、許容度、静電容量および堆積当たりの密度を増大することができる方法を提供することである。
本発明の更なる特徴は、製造が容易で、経済的な表面実装型フリップチップコンデンサーを提供することである。
次に、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、この実施形態は本発明を制限することを意図するものではない。すなわち、本発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて、全ての変形、改良および均等物を包含するものである。
図11は従来の典型的なコンデンサー10を示すものである。コンデンサーは多くのタイプの電子機器に使用されている。コンデンサーのポピュラーな用途は、パソコン、ディスクドライブ、携帯電話、プリンター、手持ちポケットベル、自動車および軍事用機器などである。
図示のコンデンサー10は、２つの導体、すなわち、タンタルペレット12と、二酸化マンガン（MnO2）16（実際には半導体）とを有する。誘電性フィルム14は五酸化タンタル（Ta2O５）からなる。コンデンサー10の使用時において、タンタルペレット12は正に帯電し、陽極として機能し、二酸化マンガン16は負に帯電し、陰極として機能する。このコンデンサーは更に、タンタル陽極リード線18、蒸着外部電極又は銀20、および蒸着外部電極20内のカーボン層22を含む。
従来のコンデンサー10は通常、タンタル粉を使用し、これを圧縮してペレットとすることにより作られる。この得られた圧縮ペレット12はついで、焼成プロセスに向けられ、そこで、ペレット12は真空中で加熱される。この加熱によりタンタル粒子が相互に固着し、それによりリード線18が保持される。
この焼成プロセスの後、ペレット12は一般に酸溶液中に浸漬され、ペレット12の外表面に誘電性フィルム14が形成される。ついで、ペレット12は他の種々の金属含有物質で被覆され、陰極が形成される。一般に、MnO216は誘電性フィルム14の周りに配置され、その周りにグラファイト22の層が設けられ、このグラファイト22の層には銀プリント20が塗布されている。なお、二酸化マンガンの代わりに他の導電性ポリマー、例えばポリピロールを使用することもできる。陰極部分は陰極末端で終わっている。
リード線18は通常、テフロン（登録商標）などの絶縁物質（図示しない）で被覆される。このリード線18は典型的には陽極末端である。これらの末端は、電気回路にコンデンサー10を装着するため、回路基板に接続される。
図１は、本発明の表面実装型MELFコンデンサーの断面図を示している。本図において、説明の便宜上、コンデンサーの種々の部分が直線および鋭角のエッジを用いて示されている。しかし、実際のコンデンサーは若干丸みの角部を有している。更に、コンデンサーコンデンサーは標準的形状およびサイズで示されているが、これら形状およびサイズは種々変化させてもよく、異なる長さ、幅、高さ、部分相互のサイズの割合のものとすることができる。
このコンデンサー30はワイヤー32を有している。このワイヤー32は典型的にはタンタルから作られる。その他、ワイヤーは他のバルブ金属（valve metal）(すなわち、ニオブ（Nb）、ハフニウム（Hf）、ジルコニウム（Zr）、チタン（Ti）、バナジウム（V）、タングステン（W）、ベリリウム（Be）又はアルミニウム（Al）)からなるものでもよい。その他、ワイヤーはバルブ金属（すなわち、Ta、Nb、Hf、Zr、Ti、V、W、Be又はAl）を含む基板からなるものでもよい。このワイヤーの厚みは好ましくは、50-100μｍの範囲とする。
導電性粉部材34はワイヤー32上に設けられる。この導電性粉部材34はバルブ金属であってもよい。その他、導電性粉部材はバルブ金属基板のものであってもよい。この導電性粉部材34は静電容量-電圧（CV）が低いもの（すなわち10CV）から100-150KCVまでのものでもよい。ワイヤー32上に設けられる以前において、導電性粉部材34は粉状でもよく、これは規則的に凝集させ、篩別および/又は粉砕させる。導電性粉部材34はワイヤー32に層として付着させたとき、3-8g/ccの範囲の密度を有する。
誘電性フィルム36は導電性粉部材34および陽極ワイヤー32の表面に設けられる。この誘電性フィルム36は典型的には五酸化タンタル（Ta2O５）からなる。ワイヤー32の一部、焼成タンタル層34の両側および焼成タンタル層34の頂部の一部がテフロン（登録商標）などの絶縁性コーティング38で塗布されている。
誘電性フィルム36は導電性粉部材34および陽極ワイヤー32の表面に設けられる。この誘電性フィルム36は典型的には五酸化タンタル（Ta2O５）からなる。ワイヤー32の一部、焼成タンタル層34の両側および焼成タンタル層34の頂部の一部がテフロン（登録商標）などの絶縁性コーティング38で塗布されている。
固体電解質、すなわち二酸化マンガン（MnO2）又は導電性ポリマーが誘電性フィルム40として用いられる。この固体電解質は誘電性フィルム（36）被覆導電性粉部材34内の空隙中に含浸しコンデンサーの陰極を形成する。
導電性対電極層が二酸化マンガン層40上に積層され、コンデンサー30の誘電性キャップ40と電気的に連続したものとなる。この対電極層は好ましくは、黒鉛系炭素の第1の下層 42と、金属粒子44、好ましくは銀、をバインダー又は有機樹脂に包含させた上層とからなる。この対電極層はタンタル層34の陰極末端46の上に延び、同時に二酸化マンガン層40を封止するのを助けている。この対電極層はタンタル層34の陰極末端46を実質的に全て被覆し、それにより最小誘電正接およびESRを有するコンデンサーを得ているが、陽極ワイヤー32との電気的連続性からの分離を維持している。
導電性対電極層が二酸化マンガン層40上に積層され、コンデンサー30の誘電性キャップ40と電気的に連続したものとなる。この対電極層は好ましくは、黒鉛系炭素の第1の下層 42と、金属粒子44、好ましくは銀、をバインダー又は有機樹脂に包含させた上層とからなる。この対電極層はタンタル層34の陰極末端46の上に延び、同時に二酸化マンガン層40を封止するのを助けている。この対電極層はタンタル層34の陰極末端46を実質的に全て被覆し、それにより最小誘電正接およびESRを有するコンデンサーを得ているが、陽極ワイヤー32との電気的連続性からの分離を維持している。
有機質コーティング又はパシベーションコーティング48が対電極層上、および絶縁コーティング38上に形成されている。陰極末端キャップ54がパシベーションコーティング48を介して対電極層と接触、接合され、陰極端子56を形成している。陽極末端キャップ58がワイヤー32に接合され、このワイヤー32はタンタル層34の陽極末端50と電気的に連続し、又、陽極末端キャップ58は高く形成されコンデンサー30の側面を構成し、陰極端子56と同じ高さの陽極端子60を形成している。
陰極端子56および陽極端子60は、電気回路中にコンデンサー30を装着するため回路基板に接続することができる接続部である。下記および図2-10に示す方法はコンデンサーに適用したものであるが、この方法を同様の末端を要する任意のタイプのチップ部品に利用することも可能である。
図2はホイル70の側面図である。好ましくは、このホイル70の厚みは50-100μｍである。このホイル70は、長さ又は幅の双方において、又はこれら双方の組合せにおいて多数のコンデンサー30を収容すべく、長さおよび幅を適宜変化させてもよい。このホイル70は、コンデンサー30の列を収容させる寸法のワイヤー32に分離させてもよい。
図3，4および5は電気泳動塗装のための領域を限定するようマスクされたホイル70の側面図を示している。図3に示すように、最初に、マスク層72がホイル70上に配置される。このマスク層72は従来の写真蝕刻法によりパターン化されたもの、又はフォトレジスト層であってもよい。図4に示すように、このホイル70はついで酸化され誘電フィルム36が形成される。マスク層72はついで除去され電気泳動塗装のための領域74が露出される。
図6に示すように、導電性粉部材34は電気泳動塗装により領域74にてホイル70上に配置され、これは基本的に2つの工程からなされる。すなわち、最初に、懸濁液中の粉体（0.2-40μｍ）の帯電粒子を印加電圧によりワイヤー32に移動させ、次に、粉体粒子がホイル70上に堆積（放電、凝集）される。この得られた帯電粒子のフィルムが導電性粉部材34となり、これは緻密で均一のものである。
次の工程は、導電性粉部材34を有するホイル70を焼成プロセスに送り、導電性粉部材34を真空中で加熱することである。このプロセスにおける温度は、タンタルおよびニオブについては600-1400℃である。この導電性粉部材34は所定の温度にて約2-20分間、真空中で保持され、ついで周知の従来同様の冷却手法に従って冷却される。
焼成プロセスの後、この導電性粉部材34は酸素-形成溶液中に浸漬され、薄い誘電性フィルム36を導電性粉部材34上に形成させる。一例として、タンタル又はニオブ粉を使用する場合は、薄い誘電性フィルム36は五酸化タンタル又は五酸化ニオブとなる。
次の工程は、図7に示すように、テフロン（登録商標）プリント又は他の絶縁物質38を付加することである。
次の工程は、図7に示すように、テフロン（登録商標）プリント又は他の絶縁物質38を付加することである。
ついで、図8に示すように、コンデンサー30の陰極部分が形成される。典型的には、二酸化マンガン40が、絶縁物質38により規制された内側領域の誘電性フィルム36の上に配置され、ついで、黒鉛層42および銀プリント44の層設けられる。この銀プリント44は銀フレークで充満された有機樹脂からなり導電性となっている。
更に図8に示すように、絶縁性又はパシベーション物質48が銀プリント層44および絶縁物質38を囲むように配置される。
更に図8に示すように、絶縁性又はパシベーション物質48が銀プリント層44および絶縁物質38を囲むように配置される。
図９に示すように、陽極がレーザーで開口され、パシベーション物質48および誘電性フィルム36が除去されワイヤー32が露出される。レーザーによる開口はワイヤー32の導電性表面を露出させるための好ましい方法ではあるが、他の手法を使用することもできる。いずれのプロセスでも、ワイヤー32の導電性表面が露出されなければならない。ワイヤー32がいったん露出されると、陽極末端キャップ52が銀プリンティングを介して適用され、陽極端子60となる。更に、陰極が絶縁物質を介してレーザーで開口され、陰極末端キャップが銀プリンティングを介して適用される。
次の工程は、図10に示すように、表面実装型フリップチップコンデンサー30をホイル70から切断することである。表面実装型フリップチップコンデンサー30は周知の種々の方法でホイル70から分断することができ、ついで個々のワイヤー32が保持される。
本発明は上記の種々の方法で達成することができるが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の方法を使用することも可能である。
本発明の好ましい実施態様について図面および明細書に記載され、特定の用語が使用されたが、これらは説明のためのものであり、限定することを意図するものではない。部材の形状、寸法割合は適宜変更することが可能であり、請求の範囲で規定したように、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で状況により種々の均等物で置換するようにしてもよい。
30 コンデンサー
32 ワイヤー
34 導電性粉部材
36 誘電性フィルム
40 二酸化マンガン層
44 銀プリント
48 絶縁物質
52 陽極末端キャップ
56 陰極端子
60 陽極端子
70 ホイル
72 マスク層
32 ワイヤー
34 導電性粉部材
36 誘電性フィルム
40 二酸化マンガン層
44 銀プリント
48 絶縁物質
52 陽極末端キャップ
56 陰極端子
60 陽極端子
70 ホイル
72 マスク層
Claims (18)
- 対向する第1および第2の端面と、上下面とを有するワイヤーと；
上記ワイヤーに電気的に接続され、上記ワイヤーの上面の一部を被覆する導電性粉部材と；
上記導電性粉部材の少なくとも一部および上記ワイヤーの上面の一部を囲む絶縁性物質と；
上記ワイヤーの第1の端面および上記絶縁性物質の一部の上に配置された導電性物質の第1の部材により形成された第1の端子と；
上記導電性粉部材の上端に配置され、電気的に接続された導電性物質の第2の部材により形成された第2の端子と；
を具備してなることを特徴とする表面実装型フリップチップコンデンサー。 - 上記第1の端子が陽極であり、上記第2の端子が陰極末端である請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 上記導電性粉部材が粉体からなるものである請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 上記粉体が、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択されるものである請求項３記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 上記粉体が、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基板である請求項３記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 上記粉体が、上記ワイヤー上に電気泳動的に堆積されたものである請求項３記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 上記導電性粉部材が3-8g/ccの密度を有する請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 上記導電性粉部材が10CV-150KCVの静電容量-電圧を有する請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 上記ワイヤーが平行六面体である請求項１記載の表面実装型フリップチップコンデンサー。
- 対向する第1および第2の端面と、上下面とを有するワイヤーを提供する工程と；
上記ワイヤー上に導電性粉部材を形成し、上記上下面の一部を被覆する工程であって、該導電性粉部材が陰極末端と、陽極末端と、該陰極末端と陽極末端との間に延出した導電性粉部材側面とを有するものと；
絶縁物質を、上記導電性粉部材上に適用し上記陽極末端および上記導電性粉部材側面の外に、かつ、これらを被覆するようにして絶縁物質層を形成させ、それにより導電性ワイヤーが下方に延出し、該絶縁物質層を貫通して延出し、該絶縁物質層の外面を越えて延びたワイヤー突出部を形成させる工程と；
導電性物質の陽極層を上記ワイヤーの第1の端面および絶縁性物質の外面の一部に適用し、それにより導電性物質の陽極層を上記ワイヤー末端に電気的に接触、被覆させ、それにより上記導電性粉部材の陽極末端から、上記ワイヤーを介して導電性物質の陽極層に電気的連続性を達成させる工程と；
導電性物質の陰極層を上記導電性粉部材の陰極末端の少なくとも一部上に適用させ、導電性物質の陽極層と略同一高さとし、かつ、上記導電性粉部材の陰極端部と電気的に接触させる工程と；
を具備してなることを特徴とする表面実装型フリップチップコンデンサーの製造方法。 - ワイヤーをリール・ツー・リールプロセスに適用させるべく配置する工程を更に含む請求項10記載の方法。
- ワイヤー上に上記粉体を適用させるため上記ホイルをマスキングする工程を更に含む請求項11記載の方法。
- 上記粉体を、上記ワイヤー上に電気泳動的に堆積される工程を更に含む請求項12記載の方法。
- 上記粉体が、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択されるものである請求項13記載の方法。
- 上記粉体が、Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, BeおよびAlからなる群から選択される金属の基板である請求項13記載の方法。
- 上記導電性粉部材が3-8g/ccの密度を有する請求項13記載の方法。
- 上記導電性粉部材が10CV-150KCVの静電容量-電圧を有する請求項13記載の方法。
- 上記絶縁物質を介して或る領域を開口させ、導電性物質の陰極層を上記導電性粉部材の陰極端部と接触させる工程を更に含む請求項10記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/792,135 US6914770B1 (en) | 2004-03-02 | 2004-03-02 | Surface mount flipchip capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005252261A true JP2005252261A (ja) | 2005-09-15 |
| JP2005252261A5 JP2005252261A5 (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=34435912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005057653A Pending JP2005252261A (ja) | 2004-03-02 | 2005-03-02 | 表面実装型フリップチップコンデンサー |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6914770B1 (ja) |
| JP (1) | JP2005252261A (ja) |
| DE (1) | DE102005009508A1 (ja) |
| FR (1) | FR2867303B1 (ja) |
| GB (1) | GB2412241B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218481A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005086191A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and the use thereof |
| WO2006117787A1 (en) * | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Cerel (Ceramic Technologies) Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| US7929274B2 (en) * | 2008-04-03 | 2011-04-19 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor with sacrificial lead wire configuration and improved manufacturing method thereof |
| JP5330191B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2013-10-30 | サン電子工業株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| DE102011112659B4 (de) * | 2011-09-06 | 2022-01-27 | Vishay Semiconductor Gmbh | Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement |
| CN105304335A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-03 | 铜陵市科峰电子有限责任公司 | 一种交流滤波电容器 |
| US10388464B2 (en) * | 2016-09-19 | 2019-08-20 | Biotronik Se & Co. Kg | Method for manufacturing a leadless solid electrolyte capacitor and corresponding capacitor |
| TWI698892B (zh) * | 2017-03-24 | 2020-07-11 | 日商村田製作所股份有限公司 | 電容器 |
| DE102017219674A1 (de) | 2017-11-06 | 2019-05-09 | Audi Ag | Halbleiter-Leistungsmodul mit integriertem Kondensator |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3440495A (en) * | 1966-11-07 | 1969-04-22 | Mallory & Co Inc P R | Hermetically sealed electrolytic capacitor |
| US3889357A (en) * | 1973-07-05 | 1975-06-17 | Sprague Electric Co | Screen printed solid electrolytic capacitor |
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| US4188706A (en) * | 1978-04-18 | 1980-02-19 | Sprague Electric Company | Method for making a plurality of solid electrolyte capacitors and capacitors made thereby |
| DE3619212A1 (de) | 1986-06-07 | 1987-12-10 | Philips Patentverwaltung | Passives elektrisches bauelement |
| US5812366A (en) * | 1995-03-03 | 1998-09-22 | Kuriyama; Chojiro | Solid electrolytic capacitor |
| US5954856A (en) * | 1996-04-25 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom |
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| GB9918852D0 (en) * | 1999-08-10 | 1999-10-13 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
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| US6541302B2 (en) | 2001-01-11 | 2003-04-01 | Vishay Sprague, Inc. | Method of forming termination on chip components |
-
2004
- 2004-03-02 US US10/792,135 patent/US6914770B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-02 GB GB0504291A patent/GB2412241B/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-02 DE DE200510009508 patent/DE102005009508A1/de not_active Withdrawn
- 2005-03-02 JP JP2005057653A patent/JP2005252261A/ja active Pending
- 2005-03-02 FR FR0502117A patent/FR2867303B1/fr not_active Expired - Fee Related
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| JP2008218481A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2412241A (en) | 2005-09-21 |
| FR2867303A1 (fr) | 2005-09-09 |
| US6914770B1 (en) | 2005-07-05 |
| GB0504291D0 (en) | 2005-04-06 |
| FR2867303B1 (fr) | 2007-11-02 |
| GB2412241B (en) | 2008-02-13 |
| DE102005009508A1 (de) | 2005-09-22 |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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