JP2005243997A - 半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法 - Google Patents

半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005243997A
JP2005243997A JP2004052987A JP2004052987A JP2005243997A JP 2005243997 A JP2005243997 A JP 2005243997A JP 2004052987 A JP2004052987 A JP 2004052987A JP 2004052987 A JP2004052987 A JP 2004052987A JP 2005243997 A JP2005243997 A JP 2005243997A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
container
box
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004052987A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Kon
信一 今
Katsura Fujiyama
桂 藤山
Yoshihiro Hirano
好宏 平野
Takayuki Suzuki
隆之 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP2004052987A priority Critical patent/JP2005243997A/ja
Publication of JP2005243997A publication Critical patent/JP2005243997A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】半導体ウエーハの両面研磨において、装置の大型化やコストの上昇を抑えた上、混成処理を行う場合であっても作業効率を向上させることができる両面研磨装置及び研磨方法を提供する。
【解決手段】両面研磨装置において、アンローダ部16に、回収用容器17とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器12を予め設置しておき、ボックス11に収容されていたウエーハWと該ボックスに収容されていたものではない他のウエーハを同じキャリア4にセットして研磨を行う場合、研磨されたウエーハのうち前記ボックスに収容されていたウエーハを前記回収用容器に回収し、前記他のウエーハを前記バッファー容器に一旦収容し、前記回収用容器を新たな回収用容器と入れ替えた後、前記バッファー容器内に収容したウエーハを前記新たな回収用容器に移送する。
【選択図】図1

Description

本発明は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法に関する。
従来、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハを研磨する装置として、片面研磨装置と両面研磨装置が使用されている。一般的な両面研磨装置としては、図3及び図4に示すような遊星歯車機構を用いた、いわゆる4ウエイ方式の装置20が知られている。
このような両面研磨装置20によりシリコンウエーハWを研磨する場合、キャリア21に複数形成されたウエーハ保持孔28にウエーハWを挿入して保持する。そして、保持孔内のウエーハWを研磨布27a,27bがそれぞれ貼付された上定盤26a及び下定盤26bで挟み込み、スラリー供給孔23を通じて研磨スラリーを供給するとともに、キャリア21をサンギヤ24とインターナルギヤ25との間で自転公転させる。これにより、各保持孔内のウエーハWの両面を同時に研磨することができる。
また、他の形態の両面研磨装置として、例えば、図5及び図6に示されるように、上下の定盤36a,36b(研磨布37a,37b)の間に挟まれたキャリア31を自転させずに小さな円を描くように揺動させる装置30が知られている(特許文献1参照)。保持孔34を有するキャリア31がキャリアホルダ38にセットされ、ホルダ38の軸受部39には偏心アーム40が回転自在に挿着されている。研磨の際、全ての偏心アーム40をタイミングチェーン42を介して回転軸41を中心に同期して回転させることにより、キャリアホルダ38に保持されたキャリア31が、自転せずに水平面内で小さな円を描くようにして円運動を行うことができる。このような、いわば揺動式の両面研磨装置30であれば小型化することができるため、比較的狭いスペースで研磨作業を行うことができる。近年のウエーハの大口径化に伴い、揺動式の両面研磨装置30が多く用いられるようになっている。
このような両面研磨装置30による研磨手順をさらに具体的に説明すると、例えば25枚のウエーハを収容したボックス(一般的に、FOSB、FOUPなどと呼ばれている。)が自動搬送装置(AGV等)によって所定の位置まで運ばれ、両面研磨装置のローディングステーション(ローダ部)に配置される。次いで、ボックス内のウエーハを、キャリア31の各保持孔34内にセットした後、上下の定盤36a,36b(研磨布37a,37b)によりウエーハWの両面を挟み込む。上下の定盤36a,36bを回転させるとともにキャリア31を揺動させ、スラリー供給孔33から研磨スラリーを供給する。スラリーは、キャリア31のスラリー通過孔35等を通じて下側の研磨布37bにも達し、ウエーハWの両面が同時に研磨される。所定の時間研磨を行った後、定盤36a,36bとキャリア31の運動を停止する。そして、保持孔34内のウエーハWは、ウエット状態を保ちながらアンローディングステーション(アンローダ部)へと搬出され、回収用容器(水槽)内に回収される。
上記のような手順でウエーハの研磨を行う場合、通常、1つのボックス内の全ウエーハ(例えば25枚)を一度に研磨することはできないので、複数のバッチに分けて処理が行われる。例えば、図6に示したような5つの保持孔34を有するキャリア31を用いる場合、最初の5枚のウエーハをボックスから取り出して各保持孔内にセットした後、研磨を開始する。
従来、キャリアの保持孔にウエーハをセットし、また、研磨後のウエーハをキャリアから回収するのは人手により行われていた。しかし、近年では自動化が進み、ボックス内のウエーハのローディングや研磨後のウエーハのアンローディングなどが搬送ロボットにより自動的に行われるようになってきている。
なお、両面研磨時には、ウエーハの品質上、キャリアの保持孔の全てにウエーハを入れて研磨を行う必要がある。1つのボックス内に収容されているウエーハの総数が例えば25枚で、キャリアの保持孔が5つであれば、1バッチ5枚として5バッチ分を研磨することで、ちょうど1つのボックス内のウエーハを研磨することができる。しかし、1つのボックス内に収容されているウエーハの総数が、キャリアの保持孔の数の整数倍とならない場合、最後のバッチ分は端数となってしまう。この場合、例えば次のボックス内から不足分のウエーハを取り出し、同じキャリアにセットして研磨を行ったり(このように異なるボックス内のウエーハを同じキャリアで保持して一緒に研磨することを「混成処理」と呼ぶ。)、あるいはいわゆるダミーウエーハを補って研磨を行うこととなる。
いずれにせよ、ウエーハの研磨を行う場合、研磨後、ウエーハをそのままキャリアの保持孔内に置いておくと研磨作業が停滞するので、ウエーハはキャリアからできるだけ早く取り出して短時間で回収する必要がある。
混成処理の場合、同一バッチから2つのボックス内に収容されていたウエーハを回収することになるが、混入を避けるため、1つのアンローダ部において回収用容器を払い出した後、新しい回収用容器をセットするとなると、容器の交換に時間がかかり、作業効率の低下を招いてしまう。
このように、半導体ウエーハの研磨作業の自動化を図るにしても、アンローダ部での回収作業が律速段階となってしまい、特に、混成処理の際に研磨装置の稼動率が顕著に低下してしまうという問題がある。
また、例えば、2つのボックスに対応すべく、アンローダ部に25枚のウエーハを収容できる回収用容器を2つ配置できるようにするとなると、アンローダ部の設置面積が大きくなり、装置が大型化するほか、装置コストが増加するなどの問題がある。
特開平10−202511号公報
上記のような問題に鑑み、本発明は、半導体ウエーハの両面研磨において、装置の大型化やコストの上昇を抑えた上、混成処理を行う場合であっても作業効率を向上させることができる両面研磨装置及び研磨方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、少なくともローダ部と、搬送ロボットと、研磨部と、アンローダ部とを有し、ボックス内に収容された半導体ウエーハを、前記搬送ロボットが前記研磨部に搬送し、該研磨部におけるキャリアの保持孔に保持して研磨した後、前記アンローダ部に搬送して回収用容器に回収する両面研磨装置において、前記アンローダ部に、前記回収用容器とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器が設置されていることを特徴とする半導体ウエーハの両面研磨装置が提供される(請求項1)。
このようにアンローダ部に、回収用容器とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器が設置されている両面研磨装置とすれば、例えば混成処理等により研磨を行った場合、研磨後、先のボックス内に収容されていたウエーハは正規の回収用容器に収容し、補った分のウエーハはバッファー容器に一旦収容しておくことができる。そして、アンローダ部で回収用容器を交換した後、新たな回収用容器にバッファー容器内のウエーハをまとめて移送することができる。
すなわち、本発明の両面研磨装置によれば、回収用容器の出し入れは1ヶ所で良いため大型化せず、かつ安価なものとなる。そして、この装置により混成処理を行う場合、研磨後、それぞれのウエーハを回収用容器とバッファー容器とに分けて素早く回収することができる。これにより、ウエーハの混入を防ぐことができる上、作業効率を向上させることができる。
この場合、前記バッファー容器が、前記1つのキャリアの保持孔の数と同数のウエーハを収容できるものであることが好ましい(請求項2)。
バッファー容器内に収容するウエーハの数は、混成処理の場合にはキャリアの保持孔の数より少ないので、バッファー容器が、1つのキャリアの保持孔の数と同数のウエーハを収容できるものであれば間に合うし、また、装置の大型化を防ぐにも好適である。
前記バッファー容器が、ウエーハを垂直に収容するものであることが好ましい(請求項3)。
バッファー容器がウエーハを垂直に収容するものであれば、搬送ロボットがウエーハを保持し易くなり、ウエーハの移送をスムーズに行うことができる。
また、バッファー容器がウエーハを例えば5枚程度収容できるものとする場合、ウエーハを水平に収容するよりも、垂直に収容するものとした方が場所を取らず、装置の大型化を防ぐにも好ましい。
前記回収用容器及びバッファー容器は、水槽とすることができる(請求項4)。
回収用容器及びバッファー容器が水槽であれば、研磨後のウエーハを各容器(水槽)内の純水などに投入することで、ウエーハの表面に付着している研磨スラリーや研磨カスが乾燥して固着することがなく、その後の洗浄等で簡単に除去することができる。
さらに、本発明によれば、ボックスに収容された半導体ウエーハを両面研磨装置のキャリアの保持孔にセットして研磨した後、研磨されたウエーハをアンローダ部の回収用容器に回収する研磨方法において、前記アンローダ部に、前記回収用容器とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器を予め設置しておき、前記ボックスに収容されていたウエーハと該ボックスに収容されていたものではない他のウエーハを同じキャリアにセットして研磨を行う場合、研磨されたウエーハのうち前記ボックスに収容されていたウエーハを前記回収用容器に回収し、前記他のウエーハを前記バッファー容器に一旦収容し、前記回収用容器を新たな回収用容器と入れ替えた後、前記バッファー容器内に収容したウエーハを前記新たな回収用容器に移送することを特徴とする半導体ウエーハの研磨方法が提供される(請求項5)。
ボックス内に収容されていたウエーハを他のウエーハと一緒に研磨した場合、他のウエーハはバッファー容器に一旦収容し、回収用容器を交換した後の新たな回収用容器に移送すれば、ウエーハの混入を防ぐことができるし、研磨後のウエーハを素早く研磨部からアンローダ部に移すことができる。また、回収用容器の交換は1ヶ所で良いので、省スペース化、低コスト化、研磨作業の効率化を図ることができる。
この場合、前記他のウエーハとして、別のボックスに収容されたウエーハ又はダミーウエーハとすることができる(請求項6)。
本発明によれば、異なるボックス内のウエーハを混成して研磨する場合や、ダミーウエーハを一緒に研磨する場合に、研磨後のウエーハの混入を確実に防ぐことができ、特に有効となる。
前記バッファー容器として、前記1つのキャリアの保持孔の数と同数のウエーハを収容できるものを用いることが好ましい(請求項7)。
バッファー容器内に一時的に保管するウエーハは、通常、キャリアの保持孔の数以下となるので、キャリアの保持孔の数と同数のウエーハを収容できるバッファー容器を用いれば間に合うし、装置の大型化やコストの上昇を確実に抑えることができる。
前記バッファー容器として、ウエーハを垂直に収容するものを用いることが好ましい(請求項8)。
研磨後のウエーハをバッファー容器内に垂直に収容すれば、回収用容器を交換した後の新たな回収用容器に移す際、搬送ロボットによるウエーハの移送が容易となり、また、ウエーハを水平に収容する場合よりも場所を取らず、装置の大型化を防ぐにも好ましい。
本発明によれば、両面研磨装置のアンローダ部に、回収用容器とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器を設置しておき、例えば別々のボックス内に収容されていたウエーハを同じキャリアで一緒に保持して研磨を行った場合、研磨後、一方のボックス内に収容されていたウエーハは、正規の回収用容器に収容し、残りのウエーハはバッファー容器に一旦収容しておくことができる。次いで、アンローダ部の回収用容器を交換した後、新たな回収用容器に、バッファー容器内のウエーハをまとめて移送することで、研磨後の全てのウエーハを混入せずに、かつスムーズに回収することができ、研磨作業を向上させることができる。また、回収用容器の交換は1ヶ所で足りるため、装置の大型化やコストの上昇を抑えることができる。
以下、本発明の好適な態様として、シリコンウエーハを両面研磨する場合について添付の図面に基づいて具体的に説明する。
図1は、本発明に係る両面研磨装置の一例の概略を示している。
この両面研磨装置1には、研磨装置本体(研磨部)2と、ローディングステーション(ローダ部)10と、アンローディングステーション(アンローダ部)16等が設けられている。研磨装置本体2は、偏心アーム7、キャリアホルダ3等を有する揺動式のものであり、キャリア4には5つのウエーハ保持孔5とスラリー通過孔6が設けられている。ローダ部10には研磨前のシリコンウエーハWを収容したボックス11が配置され、アンローダ部16には研磨後のウエーハを回収する回収用容器17(例えば、純水に界面活性剤などを入れて満たした水槽)が配置される。なお、回収用容器17としては、通常、25枚入りのもの、あるいは13枚入りのものを2つ並べたものが配置される。
また、ウエーハWの搬送手段として、搬送ロボット13が設けられている。搬送ロボット13は、上下左右の動きや回転が可能なものとし、特に図2に示したように、研磨装置内の上部のフレーム19から吊るされ、関節部8を有するものとすれば、両面研磨装置1をより小型化することができ、また、下部に設置されたアンローダ部16等との干渉を防ぐためにも好適である。
そしてこの研磨装置1では、アンローダ部16に、回収用容器17とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器12が設置されている。このバッファー容器12は、混成処理の場合に他のボックスから補充したウエーハやダミーウエーハを収容するので、キャリア4の保持孔5の数と同数のウエーハを収容できるものであることが好ましい。すなわち、図1の装置では、キャリア4の保持孔は5つであるので、5枚のウエーハを収容できるものが好ましい。
例えばバッファー容器12は塩ビ製の水槽の内側にウエーハ保持部を設けた構造とすればよい。ウエーハ保持部は材質がフッ素樹脂製でウエーハ底部を保持する1本の保持棒とウエーハ側部を保持する2本の保持棒を2枚の側板に取り付けた構造とすることができる。また、保持棒の表面には収容するウエーハ枚数に応じた数の係合溝が形成されている。そしてバッファー容器12は脱着自在にピン等でアンローダ部16に固定されたものとする。
また、バッファー容器12は、搬送ロボット13によるハンドリング、装置の大型化の防止等の理由から、ウエーハを垂直に収容するものであることが好ましい。
なお、図示されていないが、両面研磨装置として必要な上下の定盤、研磨布、スラリー供給手段等も設けられている。
このような研磨装置1によりシリコンウエーハの研磨を行うには、まず、研磨すべきウエーハWを収容したボックス11がボックス自動搬送装置14により運ばれ、ローダ部10へと配置される。なお、ボックス11のローダ部10への搬送方法は特に限定されるものではなく、床面上を自走する自走型搬送車(AGV)により搬送する方式のほか、室内の天井部にレールを敷設し、レールに沿ってボックス11を搬送する方式(OHT)としても良い。
ローダ部10に配置されたボックス11は、オープナー等により蓋が開封され、ボックス11内のウエーハWが搬送ロボット13により保持される。例えば、図2に示されているように搬送ロボット13の先端に板状の保持手段9を設けておき、ボックス11内に水平に収容されているウエーハWの下面側をすくい上げるようにして水平に保持することができる。
次いで、ウエーハWをキャリア4へと搬送して保持孔5内にセットするが、図1に示されているように、保持孔内にセットする前にウエーハWを持ち替えるための台(センタリングステージ15)などを設けておいても良い。下面側を保持したウエーハWをセンタリングステージ15の上に一旦載せた後、例えば吸着による保持手段によりウエーハの上面側中央部を保持し直すことで、ウエーハWをより確実に保持することができ、保持孔5内への挿入も容易となる。なお、搬送ロボット13が、板状保持手段9のほかに吸着による保持手段も備えたものとすれば、1台でウエーハWの持ち替えを行うことができ、研磨装置1をより小型化し、コストを一層抑えることができる。
上記のようにしてボックス11内からウエーハWを取り出し、キャリア4の各保持孔5内に順次セットした後、上定盤を下降させ、保持孔5内のウエーハを上下の研磨布の間に挟み込む。次いで、研磨スラリーを供給するとともに上下の定盤(研磨布)の回転とキャリア4の揺動により最初のバッチ分のウエーハの研磨を開始する。
最初のバッチ分のウエーハの研磨が終了したら、定盤とキャリア4の動作を停止し、ウエーハを回収する。キャリア4からウエーハを吸着による保持手段により取り出してアンローダ部16の回収用容器(水槽)17へと順次搬出する。なお、ウエーハWの回収は、前記したように吸着による保持手段も備えた搬送ロボット13により行うことが好ましいが、回収用の搬送ロボットを別途設けておいても良い。
また、ウエーハ割れ検出エリアとして、回収用容器17の近くにCCDカメラを設け、ウエーハを回収用容器17に収容する前にウエーハの割れの発生の有無を確認するようにしても良い。
キャリア4内のウエーハを回収した後、ボックス11から次のバッチ分のウエーハ5枚を前記と同様にしてキャリア4の保持孔5へと搬送し、研磨を行う。
このようにして、ボックス11内のウエーハWを順次研磨した場合、ボックス11に収容されていたウエーハの数が、キャリアの保持孔の数の整数倍でない場合、例えば最後に4枚残った場合、これらのウエーハを保持孔5にセットすると、保持孔が1つ空いてしまう。一部の保持孔が空いていると、定盤による荷重がウエーハに均一にかからなくなり、他の保持孔内に保持されているウエーハを均一に研磨することができなくなるので、ウエーハを補充して全ての保持孔内にウエーハをセットする必要がある。この場合、空になったボックスを、新たに研磨すべきウエーハを収容した次のボックス11と交換し、このボックス内からウエーハWを補充するか、ダミーウエーハを用いることができる。
例えば、前記のように先のボックス内に最後に残ったウエーハが4枚の場合、次のボックス内から1枚のウエーハを補充して、キャリア4の各保持孔内にセットする(混成処理)。例えば、キャリア4を回して装置本体2の正面となる位置で各保持孔5にウエーハWを順次セットし、装置1に付属するコンピュータによりウエーハWの投入順を管理する。ここで、装置本体2は揺動タイプであり、研磨中、キャリア4は回転しないので、各保持孔5の位置は研磨前後で同じである。従って、最後に投入したウエーハ(補充したウエーハ)が常に装置本体2の正面に位置することになる。そして、研磨後、挿入順と同じくキャリア4を回して順次ウエーハを取り出すようにすれば、別々のボックスに収容されていたウエーハを混同せずに区別することができる。
なお、例えば、キャリア4の原点合わせ機構を設けて常に原点からウエーハを投入、回収を行うようにすれば、ウエーハの混同をより確実に防ぐことができる。
上記のようにキャリア4の各保持孔5にウエーハをセットし、混成処理による研磨を行った後、所定の順序でウエーハを回収する。このとき、先のボックス11に収容されていたウエーハWは回収用容器17に回収し、後のボックスに収容されていた他のウエーハはバッファー容器12に一旦収容する。このように別々のボックス内に収容されていたウエーハを、研磨後、正規の回収用容器17とバッファー容器12とに分けて回収すれば、混入を防ぐとともに、研磨部からのウエーハの回収中に回収用容器の交換が必要となることもないので、全てのウエーハを素早く回収することができる。従って、研磨後のウエーハに付着する研磨剤等が乾固して、ウエーハ品質を劣化させるようなこともない。
先のボックスに収容されていた全てのウエーハが回収用容器17に収容された後、自動搬送装置(AGV)18により次工程(洗浄)へと運ばれる。そして、アンローダ部16には、新たな回収用容器17が配置される。このようにして新たな回収用容器17と入れ替えた後、バッファー容器12内に一旦収容したウエーハを、その新たな回収用容器に移送する。
一方、研磨装置本体2では、後のボックス11内に残っているウエーハWの研磨を順次続けて行い、研磨後のウエーハは、回収用容器17に収容してバッファー容器12から移送されたウエーハWと一緒に収容する。
そして、ローダ部10のボックス11内に端数(1〜4枚)のウエーハが残った場合、さらに次のボックスからウエーハを補充して、前記と同様に混成処理による研磨、回収を行い、前記と同様に1つのボックス内の全てのウエーハが回収された後、回収用容器17の搬出を行えば良い。
このように混成処理の際、アンローダ部16に設けたバッファー容器12を利用することで、回収用容器17の交換を待たずに、キャリア4に保持された全てのウエーハを素早く回収することができる。従って、研磨作業の停滞を防ぐことができ、作業効率を顕著に向上させることができるし、ウエーハ品質を低下させることもない。
さらに、本発明による両面研磨装置1では、バッファー容器12はアンローダ部16に固定され、交換する必要は無いため、回収用容器17の交換は1箇所で足りる。従って、例えば2つのボックス11に対応すべく、25枚のウエーハを収容可能な回収用容器17を2つ設置する場合に比べ、装置を小型化することができ、また、設備コストを低く抑えることができる。
その結果、研磨工程の全自動化にも資するところ大である。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
上記実施形態では、混成処理や、ダミーウエーハを補充して研磨する場合について説明したが、例えば装置のメンテナンスあるいは、故障等で修理した後、研磨したウエーハの品質を確認する必要があり、このときダミーウエーハだけを用いて研磨を行う場合がある。いずれにせよ、研磨後のダミーウエーハを正規の回収用容器に収容すると、回収用容器からダミーウエーハを出す工程が必要となったり、製品となるウエーハと混同して区別が付かなくなるおそれがある。そこで、本発明では、研磨後のダミーウエーハをバッファー容器に収容することで、そのような混同・混入を確実に防ぐことができる。
また、本発明は、研磨装置内の配置は図1のものに限定されず、適宜設定すれば良いし、揺動式の両面研磨装置に限定されず、4ウエイ方式の両面研磨装置にも適用することができる。
本発明に係る研磨装置の一例を示す概略図である。 搬送ロボットの一例を示す概略図である。 4ウェイ方式の両面研磨装置の一例を示す概略図である。 遊星歯車構造を示す概略平面図である。 揺動式の両面研磨装置の概略図である。 図5の両面研磨装置におけるキャリアホルダの概略平面図である。
符号の説明
1…両面研磨装置、 2…研磨装置本体、 3…キャリアホルダ、 4…キャリア、
5…保持孔、 6…スラリー通過孔、 7…偏心アーム、 8…関節部、
9…ウエーハ保持手段、 10…ローダ部、 11…ウエーハ収容ボックス、
12…バッファー容器(水槽)、 13…搬送ロボット、
14…ボックス自動搬送装置、 15…センタリングステージ、
16…アンローダ部、 17…回収用容器(水槽)、 18…自動搬送装置、
19…フレーム、 W…ウエーハ。

Claims (8)

  1. 少なくともローダ部と、搬送ロボットと、研磨部と、アンローダ部とを有し、ボックス内に収容された半導体ウエーハを、前記搬送ロボットが前記研磨部に搬送し、該研磨部におけるキャリアの保持孔に保持して研磨した後、前記アンローダ部に搬送して回収用容器に回収する両面研磨装置において、前記アンローダ部に、前記回収用容器とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器が設置されていることを特徴とする半導体ウエーハの両面研磨装置。
  2. 前記バッファー容器が、前記研磨部の1つのキャリアの保持孔の数と同数のウエーハを収容できるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハの両面研磨装置。
  3. 前記バッファー容器が、ウエーハを垂直に収容するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体ウエーハの両面研磨装置。
  4. 前記回収用容器及びバッファー容器が、水槽であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体ウエーハの両面研磨装置。
  5. ボックスに収容された半導体ウエーハを両面研磨装置のキャリアの保持孔にセットして研磨した後、研磨されたウエーハをアンローダ部の回収用容器に回収する研磨方法において、前記アンローダ部に、前記回収用容器とは別に、研磨されたウエーハを一時的に保管するバッファー容器を予め設置しておき、前記ボックスに収容されていたウエーハと該ボックスに収容されていたものではない他のウエーハを同じキャリアにセットして研磨を行う場合、研磨されたウエーハのうち前記ボックスに収容されていたウエーハを前記回収用容器に回収し、前記他のウエーハを前記バッファー容器に一旦収容し、前記回収用容器を新たな回収用容器と入れ替えた後、前記バッファー容器内に収容したウエーハを前記新たな回収用容器に移送することを特徴とする半導体ウエーハの研磨方法。
  6. 前記他のウエーハとして、別のボックスに収容されたウエーハ又はダミーウエーハとすることを特徴とする請求項5に記載の半導体ウエーハの研磨方法。
  7. 前記バッファー容器として、前記1つのキャリアの保持孔の数と同数のウエーハを収容できるものを用いることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体ウエーハの研磨方法。
  8. 前記バッファー容器として、ウエーハを垂直に収容するものを用いることを特徴とする請求項5ないし請求項7のいずれか1項に記載の半導体ウエーハの研磨方法。
JP2004052987A 2004-02-27 2004-02-27 半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法 Pending JP2005243997A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004052987A JP2005243997A (ja) 2004-02-27 2004-02-27 半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004052987A JP2005243997A (ja) 2004-02-27 2004-02-27 半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005243997A true JP2005243997A (ja) 2005-09-08

Family

ID=35025399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004052987A Pending JP2005243997A (ja) 2004-02-27 2004-02-27 半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005243997A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009088170A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Shin Nippon Koki Co Ltd 半導体ウエハ加工装置
WO2023127553A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 芝浦メカトロニクス株式会社 基板受渡装置及び基板受渡方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009088170A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Shin Nippon Koki Co Ltd 半導体ウエハ加工装置
WO2023127553A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 芝浦メカトロニクス株式会社 基板受渡装置及び基板受渡方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4688637B2 (ja) 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
TW201407001A (zh) 鍍覆裝置及基板保持具洗淨方法
TWI814740B (zh) 磨合裝置、磨合系統及記憶媒體
JP2016201526A (ja) 基板処理システム
JP4401285B2 (ja) 基板処理装置
TWI645446B (zh) 基板處理裝置之控制裝置、基板處理裝置及顯示控制裝置
TW202216312A (zh) 基板的硫酸和過氧化氫的混合物(spm)處理
JP2015217501A (ja) 搬送ロボット
TW506879B (en) Polishing apparatus
JP2003209075A (ja) ウェハエッジ研磨システム及びウェハエッジ研磨制御方法
JP3667527B2 (ja) 基板処理装置
TW200842965A (en) Apparatus and method for processing substrate
JP3248129B2 (ja) 基板搬送処理装置
KR20150120869A (ko) 기판 처리 장치
JP2016197690A (ja) 研磨装置
CN107546155A (zh) 清洗装置及基板处理装置
JP2005294378A (ja) 半導体ウエーハの両面研磨装置及び両面研磨方法
JP6224974B2 (ja) 基板洗浄機、基板洗浄装置、洗浄済基板の製造方法及び基板処理装置
JP2005243997A (ja) 半導体ウエーハの両面研磨装置及び研磨方法
KR102612416B1 (ko) 세정 장치 및 세정 장치의 구동 방법
JP4786624B2 (ja) 半導体ウエハ加工装置
JP2007301697A (ja) 研磨方法
KR100598917B1 (ko) 매엽식 기판 세정 장치 및 방법
JP4631293B2 (ja) 半導体ウエーハの研磨装置及び研磨方法
JP4337581B2 (ja) 半導体ウエーハの両面研磨装置及び割れ検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061012

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090527

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090630