JP2005236271A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の表面の表面層に素子を形成する工程と、前記表面に前記半導体基板の厚さより浅い穴を形成する工程と、前記穴に導体層を埋める工程と、前記半導体基板の裏面を削り前記穴内の前記導体層を露出させる工程とを備えた半導体装置の製造方法とする。
【選択図】 図15
Description
ワイヤやリードフレームを用いることなく、導電手段を備えたバイアホールによって半田ボールを介して基板に実装することにより、寄生容量を低減し、高周波特性を向上させる半導体装置は公知である(特許文献2−0011、0033、0034段落)。
半導体チップサイズとほぼ同じ位のサイズに樹脂パッケージされたCSPが実用化されている(特許文献3−図4)。
半導体チップの裏面側に表面の電極パッドに貫通している穴を有し、その穴に電気的な接続のための導体再配線層を形成し、チップ裏面側で再配線して半導体チップの表面側の素子領域に影響の無い再配線パターンをチップ裏面側に設けることにより、実装配線基板に搭載する際にも表面素子領域に対するダメージを無くした半導体装置の発明がある(特許文献4−要約)。
特許請求の範囲の請求項2記載の本発明によれば、前記目的は、半導体基板の表面の表面層に素子を形成する工程と、前記表面に前記半導体基板の厚さより浅い穴を形成する工程と、前記表面上および前記穴の内面に配線層を形成する工程と、前記穴に導体層を埋める工程と、前記半導体基板の裏面を削り前記穴内の前記配線層または前記導体層を露出させる工程とを備えた半導体装置の製造方法とすることにより、達成される。
特許請求の範囲の請求項3項の本発明によれば、前記目的は、半導体基板の表面の表面層に素子を形成する工程と、前記表面に前記半導体基板の厚さより浅い穴を形成する工程と、前記穴に導体層を埋める工程と、前記表面上および前記導体層上に配線層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面を削り前記穴内の前記導体層を露出させる工程とを備えた半導体装置の製造方法とすることとにより、達成される。
特許請求の範囲の請求項5記載の本発明によれば、前記半導体基板の表面側の前記導体層に電気的に接続する外部接続端子を形成する工程を備えた請求項4記載の半導体装置の製造方法とする。
特許請求の範囲の請求項6記載の本発明によれば、前記配線層は前記半導体基板の表面に形成する破線層のうち最上の配線層である請求項2ないし5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法とすることが望ましい。
特許請求の範囲の請求項7記載の本発明によれば、前記穴に導体層を埋める工程が、前記配線層をシード層として電気メッキにより前記導体層を埋める請求項2記載の半導体装置の製造方法とすることが好適である。
625μmの厚さのシリコン基板からなる半導体ウェハ1の表面の表面層に素子として、集積回路素子(図示せず)を形成し、Al−Si(下層金属配線層)からなる金属配線層(図示せず)および層間絶縁膜(図示せず)を形成する。この金属配線層と層間絶縁膜は多層に形成してもかまわない。後述の図12に示す貫通穴14aを形成する予定の箇所の半導体ウェハ1a上には何も形成しない。全面にフォトレジスト2を形成後、フォトリソグラフィ技術により貫通穴14aを形成する予定の箇所に開口部3を形成する−第1工程(図1)。
穴4aの深さは必要に応じて適宜変えることができる。この穴4aの深さはエッチング時には貫通していないが、最終的には裏面から半導体ウェハ1aの厚さを研磨により薄くすることにより、貫通穴14aにする必要があるので、半導体装置(チップ)の仕上がり厚さより約30μm程度深くすることが好ましい。前記穴の深さを130μmとしたのは、この半導体ウェハ1aを裏面から、仕上がり厚さ100μmとなるように化学的、機械的に研磨して、穴4aを裏面に貫通させるためである。前記穴4aのエッチング時にマスクとしたフォトレジスト2を除去する−第3工程(図3)。
最上の金属配線層7aとして、Ti−Cu層をスパッタ法により形成する−第5工程(図5)。半導体ウェハ上に金属配線層を一層のみ形成する場合は、前記下層金属配線層は形成されず、金属配線層7aのみ形成する。
Ti−Cu層はTi層を0.15μm厚とし、その上にCu層を1μm厚で形成することが好ましい。前記Ti層は前記下層金属配線のAl−Si層(図示せず)と前記Cu層との間において、金属原子の相互拡散バリヤ層としての機能を有する。パターニングにより開口した穴4a周辺を除き、メッキレジスト8で覆う−第6工程(図6)。
電気メッキは噴流式循環方式カッププレーター(EEJA社製)を使い、電流密度0.02A/cm2、時間約25分、メッキ液ミクロファブCu-200、メッキ液温度25℃で行った。本発明では、前記図5の第5工程に示すように、最上層の金属配線層7aとしてTi−Cu層を形成し、このCu(銅)層をシード層として前記第7工程に示す電気メッキにより厚い銅メッキをしたので、穴4a内の導体層9aを安定して確実に歩留まり良く形成することができるようになった。
メッキレジスト8を除去した後−第8工程(図8)、前記図5で形成した金属配線層7aである前記Ti−Cu層をパターニングにより、所定の回路化する−第9工程(図9)。
続いて、半導体チップに機械的強度を与えてパッケージ化するために、モールド樹脂膜11としてエポキシ系樹脂を半導体ウェハ1全面に50〜150μm厚に形成する。前記樹脂は必要に応じて他の樹脂に変えることができる−第11工程(図11)。
半導体ウェハ1aの表面にバックグライディング用の保護フィルム(図示せず)を貼り付け、裏面を研磨して約150〜250μmの厚さ(半導体ウェハ1aの仕上がり厚さは約100μm)に減じ貫通穴14aを完成する−第12工程(図12)。
目的や用途により、本発明にかかる半導体装置の厚さは前記モールド樹脂膜11aの厚さを含めて100〜300μm位に変えることができる。このような厚さの変更に対応して、半導体ウェハ1aのバックグラインディング前に行われる貫通穴14aのための穴4aの深さも50〜200μm位の範囲に変えることが好ましい。半導体ウェハ1aの裏面に露出した金属配線層7aまたは導体層9aにスクリーン印刷により、クリーム半田12aをパターン印刷し、外部接続端子とする−第13工程(図13)。クリーム半田としては、目的に対応するように、SnPbはんだ(RX263−110HO、ニホンハンダ社)、Sn3Ag0.5Cuはんだ(PF305−117HO、ニホンハンダ社)などを用いることができる。
図15は完成した本発明の製造方法により作られる半導体装置13aである。
実施例1と同様に第10工程(図10)まで形成した後、シリコン窒化膜10bをパターニングにより導体層9bを開口する−第15工程(図16)。
次に、Ti−Cu層をスパッタ法により成膜後パターニングして金属再配線層16bを形成し、メッキレジスト(図示せず)を形成パターニングした後銅メッキにより銅ポスト17bを形成する。メッキレジスト(図示せず)を除去後、モールド樹脂膜11bを形成する。この後は前述の第12工程を行い裏面に金属配線層7bまたは導電層9bを露出させる。銅ポスト17bの形成方法としては、上述の他にシリコン窒化膜10bをパターニングする際に用いるレジストをメッキレジストとしてメッキにより形成することも可能である−第16工程(図17)。
次に、前述の第14工程を行い、ダイシング部15bでダイシングして半導体装置13bが得られる−第18工程(図19)。
このように、半導体装置の両面に外部接続端子を形成することにより、他の半導体装置や受動素子など他の部品を積載して実装することができる。
実施例1と同様に第3工程(図3)まで形成した後、CVDによる絶縁酸化膜5cとして、BPSG(Boron−Phospher−Silicate Glass)層をウェハ全面に形成する−第19工程(図20)。穴4cは、直径80μm、深さ150μmとした。
次に、タングステンや銅などの金属19をCVD法によって、穴4cを埋めるように堆積させる−第20工程(図21)。
次に、金属19をエッチバックまたはCMPを用いて穴4c以外の余分な金属19を除去し、導電層9cを形成し、絶縁酸化膜5cに前記集積回路内の前記下層金属電極と最上の金属配線層との接続のためのコンタクトホール6cを形成する。−第21工程(図22)
次に、最上の金属配線層7cとして、Ti−Cu層をスパッタ法により形成し、パターニングにより回路化する。この際、溝に充填した導電層9cとも接続する。Ti−Cu層はTi層を0.15μm厚とし、その上にCu層を1μm厚で形成することが好ましい。前記Ti層は前記下層金属配線のAl−Si層(図示せず)と前記Cu層との間において、金属原子の相互拡散バリヤ層としての機能を有する。−第22工程(図23)。
次に、Ti−Cu層をスパッタ法により成膜後パターニングして金属再配線層16cを形成し、メッキレジスト(図示せず)を形成パターニングした後銅メッキにより銅ポスト17cを形成する。メッキレジスト(図示せず)を除去後、モールド樹脂膜11cを形成する。この後は前述の第12工程を行い裏面に導電層9cを露出させる。銅ポスト17cの形成は、シリコン窒化膜10cをパターニングする際に用いるレジストをメッキレジストとしてメッキにより形成することも可能である−第24工程(図25)。
次に、前述の第13工程を行い、クリーム半田12cおよび18cを印刷し、外部接続端子とする−第25工程(図26)。
本実施例は、実施例2のように半導体ウェハ1cの表面側にも外部接続端子を形成するものであるが、実施例1のように半導体ウェハ1cの裏面側のみに外部接続端子を形成した構成であってももちろん本発明の効果を奏するものである。
2 フォトレジスト
3 開口部
4a,4b,4c 穴
5a,5b,5c 絶縁膜
6a,6b,6c コンタクトホール
7a,7b,7c 金属配線層(シード層)
8 フォトレジスト
9a,9b,9c 導体層
10a,10b,10c シリコン窒化膜
11a,11b,11c 保護樹脂膜
12a,12b,12c 半田(外部接続端子)
13a,13b,13c 半導体装置
14a,14b,14c 貫通穴
16b,16c 金属再配線層
17b,17c 銅ポスト
18b,18c 半田(外部接続端子)。
Claims (8)
- 半導体基板の表面の表面層に素子を形成する工程と、前記表面に前記半導体基板の厚さより浅い穴を形成する工程と、前記穴に導体層を埋める工程と、前記半導体基板の裏面を削り前記穴内の前記導体層を露出させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表面の表面層に素子を形成する工程と、前記表面に前記半導体基板の厚さより浅い穴を形成する工程と、前記表面上および前記穴の内面に配線層を形成する工程と、前記穴に導体層を埋める工程と、前記半導体基板の裏面を削り前記穴内の前記配線層または前記導体層を露出させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表面の表面層に素子を形成する工程と、前記表面に前記半導体基板の厚さより浅い穴を形成する工程と、前記穴に導体層を埋める工程と、前記表面上および前記導体層上に配線層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面を削り前記穴内の前記導体層を露出させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記露出させる工程の後に、前記半導体基板の裏面に露出した前記配線層または前記導体層に電気的に接続する外部接続端子を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項2または3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の表面側の前記導体層に電気的に接続する外部接続端子を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線層は前記半導体基板の表面に形成する配線層のうち最上の配線層であることを特徴とする請求項2ないし5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記穴に導体層を埋める工程が、前記配線層をシード層として電気メッキにより前記導体層を埋めることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線層に銅を用いてシード層とし、銅の電気メッキにより前記穴を埋める導体層とすることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
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