JP2005232449A - 重合体およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 酸化電位の低い重合体、還元電位の高い重合体を提供する。
【解決手段】 フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体の少なくとも一方の末端基部分の酸化電位が該重合体から当該末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。

【選択図】 なし

Description

本発明は、重合体およびそれを用いた高分子発光素子（以下高分子ＬＥＤということがある。）に関する。

高分子量の発光材料として、繰り返し単位として、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基、フルオレンジイル基等を有する重合体が検討されている。（例えば、特許文献１〜７参照）

特開2004-002703 特開2003-206335 特開2003-292587 米国公開第２００３／０１４３４２９明細書 国際公開第９９/５４３８５号パンフレット 国際公開第０１/４９７６９号パンフレット 米国特許第５７７７０７０号明細書

重合体を発光素子用の発光材料として用いたとき、高特性で発光するためには、重合体の正の電荷（正孔）および負の電荷（電子）の注入性が良いことが必要である。電荷の注入性はさまざまの要因で決定されるが、重合体の酸化電位が低くなればその最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）が高くなり正孔の注入性が向上することが期待される。また、重合体の還元電位が高くなれば最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）が低くなり電子の注入性が向上することが期待される。上記公知の重合体では特性が未だ十分とはいえず、酸化電位がより低い重合体、還元電位がより高い重合体が望まれていた。
本発明の目的は、酸化電位の低い重合体、還元電位の高い重合体を提供することにある。

本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意検討したところ、重合体の主鎖の末端に特定の末端基を有せしめることにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成した。

即ち本発明は、以下の〔１〕〜〔７〕の重合体を提供するものである。
〔１〕フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体の少なくとも一方の末端基部分の酸化電位が該重合体から当該末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。
〔２〕繰り返し単位として、フルオレンジイル基２種類以上を有する共重合体であって、該共重合体の少なくとも一方の末端基部分の酸化電位が、該共重合体から当該末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸である共重合体。
〔３〕フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体の少なくとも一方の末端基部分の還元電位が該重合体から当該末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。
〔４〕繰り返し単位として、フルオレンジイル基２種類以上を有する共重合体であって、該共重合体の少なくとも一方の末端基部分の還元電位が、該共重合体から当該末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸である共重合体。
〔５〕フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体の一方の末端基部分の酸化電位が該重合体から両末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、他方の末端基部分の還元電位が該重合体から両末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。
〔６〕繰り返し単位として、フルオレンジイル基２種類以上を有する共重合体であって、該重合体の一方の末端基部分の酸化電位が該重合体から両末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、他方の末端基部分の還元電位が該重合体から両末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸である共重合体。
〔７〕繰り返し単位として、フルオレンジイル基１種類からなる重合体であって、該重合体の主鎖の末端の少なくとも一方に、末端基としてアリールエテニルアリール基を有し、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸である重合体。

本発明の重合体は、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基およびフルオレンジイル基からなる群から選ばれる繰り返し単位を有する重合体であって、酸化電位が低い、還元電位が高い等特性に優れる。

本発明の重合体は、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基およびフルオレンジイル基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する。繰り返し単位の種類が少ないほど重合が簡便になるため、５種類以下であることが好ましく、３種類以下であることがより好ましく、２種類以下であることがさらに好ましい。

本発明の重合体がフルオレンジイル基のみからなる場合、トルエンやキシレン等の溶媒に対する溶解性の観点から、２種以上の繰り返し単位を有することが好ましい。また、重合の簡便さを考慮すると、繰り返し単位の種類は２〜５種類であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。

本発明の重合体が２種類の繰り返し単位を有する場合、その両方とも２価の複素環基である場合、その両方ともがフルオレンジイル基である場合、一方がフルオレンジイル基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合、一方がフルオレンジイル基でもう一方が２価の複素環基である場合、一方がフェニレン基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合、一方がナフタレンジイル基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合、一方がアントラセンジイル基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合、一方がスチルベンジイル基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合および一方が２価の複素環基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合があげられる。共重合体の溶解性や蛍光強度、合成の簡便さ等の観点から、その両方とも２価の複素環基である場合、その両方ともがフルオレンジイル基である場合、一方がフェニレン基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合、一方がナフタレンジイル基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合、一方がアントラセンジイル基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合、一方がスチルベンジイル基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合および一方が２価の複素環基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合が好ましく、その両方とも２価の複素環基である場合および一方が２価の複素環基でもう一方が２価の芳香族アミン基である場合がより好ましい。

ここに、フェニレン基としては、下記構造で表される置換または無置換のベンゼンのＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が挙げられる。

上記フェニレン基におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基等が挙げられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。

ここで、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、その炭素数は通常１〜２０程度であり、その例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、ブチル基、i-ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられる。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、その炭素数は通常１〜２０程度であり、その例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、 i-プロピルオキシ基、ブトキシ基、 i-ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられる。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、その炭素数は通常１〜２０程度であり、その例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられる。

アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、その炭素数は通常１〜６０程度であり、その例としては、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられる。

アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、その炭素数は通常１〜４０程度であり、その例として、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、 ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子があげられる。

ナフタレンジイル基としては、下記構造で表される置換または無置換のナフタレンのＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が挙げられる。

ここで、上記ナフタレンジイル基におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基等が挙げられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。

アントラセンジイル基としては、下記構造で表される置換または無置換のアントラセンのＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が挙げられる。

ここで、上記アントラセンジイル基におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基等が挙げられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。

スチルベンジイル基としては、下記構造で表される置換または無置換のスチルベン類のＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が挙げられる。

ここで、上記スチルベンジイル基の例におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基等が挙げられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。

フルオレンジイル基としては、下記構造のＲのうちいずれか２個を除いた２価の残基があげられる。

〔ここに、Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、１価の複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基を表し、複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。Ｚは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、複数のＺを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。〕
フルオレンジイル基の中では、下記構造

〔ここにＲおよびＺは上記と同じ意味を表す。〕
が好ましい。

１価の複素環基としては、後述の複素環化合物からＲを１個取り除いて得られる１価の残基を表す。

本発明の重合体における、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、その炭素数は、通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお２価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、けい素、セレン、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。

２価の複素環基の母体となる複素環化合物としては、ヘテロ原子を含みフルオレン構造を有する化合物、ヘテロ原子を含む５員環複素環化合物、ヘテロ原子を含む６員環複素環化合物、ヘテロ原子を含む５員環または６員環複素環を有する縮合複素環化合物、ヘテロ原子を含む５員環複素環化合物でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている化合物、ヘテロ原子を含む５員環複素環化合物でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している化合物などがあげられる。ヘテロ原子としては、窒素、酸素、硫黄、けい素、セレン、リン、ホウ素があげられ、窒素、酸素、硫黄が好ましい。ヘテロ原子を含む６員環複素環化合物の中では、ヘテロ原子が窒素であるものが好ましい。

ヘテロ原子を含みフルオレン構造を有する化合物としては、下記があげられる。
下記のＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が該化合物に対応する２価の複素環基である。

ヘテロ原子を含む５員環複素環化合物としては、例えば、下記があげられる。
下記のＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が該化合物に対応する２価の複素環基である。

ヘテロ原子を含む６員環複素環化合物としては、例えば、下記の化合物があげられる。
下記のＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が該化合物に対応する２価の複素環基である。

ヘテロ原子を含む５員環または６員環複素環を有する縮合複素環化合物としては、例えば、下記の化合物があげられる。下記のＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が該化合物に対応する２価の複素環基である。

ヘテロ原子を含む５員環複素環化合物でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている化合物としては、例えば下記の化合物があげられる。
下記のＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が該化合物に対応する２価の複素環基である。

ヘテロ原子を含む５員環複素環化合物でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している化合物としては、例えば下記の化合物があげられる。
下記のＲのうち２個を除いてえられる２価の残基が該化合物に対応する２価の複素環基である。

ここで、上記複素環化合物の例におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、シアノ基等が挙げられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。

本発明の重合体における、２価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンの芳香環から２個の水素原子を除いた残りの原子団をいい、２価の芳香族アミン基としては、例えば、式（１）で示される基が挙げられる。

〔式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂及びＡｒ₃は、それぞれ独立にフェニレン基、ビフェニレン基、スチルベンジイル基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基を示し、Ａｒ₄及びＡｒ₅は、それぞれ独立にフェニル基、ビフェニル基、スチルベニル基、ナフチル基またはアントラセニル基を示す。ｐは０〜３の整数を示す。Ａｒ₃及びＡｒ₅がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい〕

ここで、フェニル基としては、前述の置換または無置換のベンゼンからＲを１個除いた１価の残基があげられ、ナフチル基としては、前述の置換または無置換ナフタレンからＲを１個除いた１価の残基があげられ、アントラセニル基としては前述の置換または無置換のアントラセンからＲを１個除いた１価の残基があげられ、スチルベニル基としては前述の置換または無置換のスチルベン類からＲを１個除いた１価の残基があげられる。

重合体の溶解性の観点から、フェニル基のなかでは、Ｒの少なくとも１つが水素原子以外であることが好ましく、水素原子以外の置換基が１〜３つであることがより好ましく、フェニル基が結合している繰り返し単位との結合からみてパラ位に置換基が結合していること、もしくはフェニル基が結合している繰り返し単位との結合からみてパラ位および２つのオルト位に置換基が結合していることがさらに好ましい。

２価の芳香族アミン基としては、下記の構造が例示される。

ここで、上記２価の芳香族アミン基におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、シアノ基等が挙げられる。

なお、本発明の重合体は、蛍光特性や電荷注入特性を損なわない範囲で、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基、フルオレンジイル基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。具体的な繰り返し単位としては下記の構造が例示される。

［上記構造中のＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基等があげられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。］

本発明の重合体は、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基およびフルオレンジイル基からなる群から選ばれる繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体はその主鎖末端の少なくとも一方に特定の末端基を有する。
本発明〔１〕および〔２〕の重合体は、末端基部分の酸化電位が、該重合体から当該末端基を除いた部分の酸化電位よりも低いものである。
これにより、該重合体の酸化電位は低いものとなり、該重合体は、正の電荷（正孔）の注入性が高いものとなる。
また、本発明〔３〕および〔４〕の重合体は、末端基部分の還元電位が、該重合体から当該末端基を除いた部分の還元電位よりも高いものである。
これにより、該重合体の還元電位は高いものとなり、該重合体は、負の電荷（電子）の注入性が高いものとなる。
また、本発明〔５〕および〔６〕の重合体はその主鎖両末端に特定の末端基を有し、一方の末端基部分の酸化電位が該重合体から両末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、他方の末端基部分の還元電位が該重合体から両末端基を除いた部分の還元電位よりも高いものである。これにより、該重合体の酸化電位は低いものとなり、還元電位は高いものとなり、該重合体は、正の電荷（正孔）の注入性が高く、負の電荷（電子）の注入性が高いものとなる。
本発明の重合体が有する特定の末端基としては、芳香族末端基（芳香環を含む末端基）が好ましい。

本発明において末端基部分の酸化電位とは、末端基部分に対応するモノマーの酸化電位または末端基部分に対応するホモポリマーの酸化電位をいう。

本発明において末端基部分の還元電位とは、末端基部分に対応するモノマーの還元電位または末端基部分に対応するホモポリマーの還元電位をいう。

末端基部分に対応するモノマーとは、末端基の、主鎖と結合している結合手に水素原子が結合しているかまたは、結合手に、置換基として、水素原子が結合している場合と比べて、酸化電位、還元電位の変化が５０ｍＶ以下となるような置換基が結合しているものがあげられる。このような置換基としては、ハロゲン原子、−Ｂ（ＯＨ）₂、炭素数が３〜８のアルキル基等があげられる。

末端基部分に対応するホモポリマーとは、末端基の、主鎖と結合している結合手と他の任意の１箇所の部位に重合脱離基を有してなる、２個の重合脱離基がついた化合物を後述の山本重合法やＳｕｚｕｋｉ反応を用いる重合法を用いて重合して得られるポリマーをいう。例えば、末端基が

の場合において、該末端基部分に対応するホモポリマーとは、主鎖と結合している部位とＲ₁’〜Ｒ₄’のうちの任意の１箇所の部位に重合脱離基をつけ、２個の重合脱離基がついた化合物を重合することによって得られたホモポリマーをいう。

末端基部分に対応するホモポリマーが、溶解性が不十分で、電位測定が困難な場合には、ホモポリマーの溶解性を高めるために、末端に結合させた化合物にさらに置換基を１個つけた化合物を重合したポリマーを末端基部分に対応するホモポリマーとすることができる。
この場合、置換基の種類としては、置換基をつけることによる酸化電位および還元電位の変化が５０ｍＶ以下である基であり、その例として炭素数が３〜１０のアルキル基があげられる。また、置換位置はどこでもよい。例えば、末端基が以下の構造の場合、

主鎖と結合している部位とＲ₁’〜Ｒ₄’のうちの任意の１箇所の部位に重合脱離基をつけ、重合脱離基が結合していないＲ₁’〜Ｒ₄’のうちの任意の１箇所の部位に炭素数が３〜１０のアルキル基を結合させ、２個の重合脱離基と１個の溶解性を高める置換基がついた化合物を重合することによって得られたホモポリマーも末端基に対応するホモポリマーとすることができる。

『重合体から末端基を除いた部分』の酸化電位、還元電位は、本発明の重合体に対応する、特定の末端基を有しない重合体の酸化電位、還元電位を測定することにより求めることができる。この特定の末端基を有しない重合体は末端基部分に対応する単量体を用いない以外は、本発明の重合体と同じ方法で製造できる。

本発明の重合体、末端基部分に対応するホモポリマー、重合体から末端基を除いた部分の酸化電位および還元電位は、一般的にサイクリックボルタンメトリー装置を用いて測定することができる。すなわち、電極表面に重合体の薄膜を作成し、電解質を加えた溶媒中に電極、対極、参照電極を入れる。正の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を酸化電位、負の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を還元電位と定義する。電極の種類、溶媒、電解質等の組み合わせによって標準電極電位が異なるため、酸化電位もしくは還元電位を比較するためには、同じ組み合わせの電極、溶媒、電解質を用いて測定しなければならない。

末端基部分に対応するモノマーの酸化電位および還元電位は、サイクリックボルタンメトリー装置を用いて測定することができる。重合体の場合とは測定方法が異なり、電解質を加えた溶媒中にモノマーを溶解させ、溶媒中に電極、対極、参照電極を入れる。正の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を酸化電位、負の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を還元電位と定義する。電極の種類、溶媒、電解質等の組み合わせによって標準電極電位が異なるため、酸化電位もしくは還元電位を比較するためには、同じ組み合わせの電極、溶媒、電解質を用いて測定しなければならない。

サイクリックボルタンメトリー装置を用いて酸化電位および還元電位を測定する場合、本発明の重合体においては末端基部分の酸化（還元）電位と該重合体から末端基を除いた部分の酸化（還元）電位は、通常は、１００ｍＶ以上異なる。すなわち、本発明の重合体においては、末端基部分の酸化電位は該重合体から末端基を除いた部分の酸化電位に比べ、通常１００ｍＶ以上低く、好ましくは２００ｍＶ以上、より好ましくは３００ｍＶ以上低い。また、末端基部分の還元電位は該重合体から末端基を除いた部分の酸化電位に比べ、通常１００ｍＶ以上高く、好ましくは２００ｍＶ以上、より好ましくは３００ｍＶ以上高い。

末端基のなかで、該末端基部分の酸化電位が、重合体から末端基を除いた部分の酸化電位より低いものとしては、該部分の構造にもよるが、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、アリールエテニルアリール基、縮合環化合物基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基などがあげられ、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、アリールエテニルアリール基、アルキルアミノ基が置換したフェニル基が好ましく、１価の芳香族アミン基がより好ましい。

フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基としては、前述の構造が例示される。１価の複素環基としては、前述の複素環化合物から置換基Ｒを１個除いた構造が例示される。

アリールエテニルアリール基としては、下式（２）があげられる。

（２）

〔ここで、Ｒ’は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、シアノ基を表し、Ｒ’はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ａｒ₆は、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ａｒ₇は、アリール基、１価の複素環基または１価の芳香族アミン基を表す。〕

アリールエテニルアリール基の具体的構造としては、下記構造が例示される。

縮合環化合物基としては、下記化合物からＲを１個除いた１価の残基が例示される。

ここで、前記アリールエテニルアリール基の例および縮合環化合物の例におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、シアノ基等が挙げられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。

１価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンの芳香環から１個の水素原子除いた残りの原子団をいう。１価の芳香族アミン基としては、例えば、式（２’）で示される基が挙げられる。

〔式中、Ａｒ₆及びＡｒ₇は、それぞれ独立にフェニレン基、ビフェニレン基、スチルベンジイル基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基を示し、Ａｒ₈、Ａｒ₉及びＡｒ₁₀は、それぞれ独立にフェニル基、ビフェニル基、スチルベニル基、ナフチル基またはアントラセニル基を示す。ｑは０〜４の整数を示す。Ａｒ₇及びＡｒ₁₀がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい〕

１価の芳香族アミン基の具体例としては、下記の構造が例示される。

ここで、上記１価の芳香族アミン基の例におけるＲとしては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルデヒド基、シアノ基等が挙げられる。上図において一つの基中に複数のＲを有しているが、これらは同一であっても相異なってもよい。

重合体の繰り返し単位に２価の芳香族アミン基が含まれていない場合は、末端を１価の芳香族アミン基で置換すれば、一般的に重合体の酸化電位を低くすることができる。また、重合体の繰り返し単位に２価の芳香族アミン基が含まれている場合でも、２価の芳香族アミン基に含まれる窒素原子数よりも多くの窒素原子を含む１価の芳香族アミン基で末端を置換すれば、一般的に重合体の酸化電位を低くすることができる。

末端基のなかで、末端基部分の還元電位が、重合体から末端基を除いた部分の重合体の還元電位よりも高いものとしては、該部分の構造にもよるが、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基、アリールエテニルアリール基、縮合環化合物基、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基などがあげられる。これらの末端基の中で、１価の複素環基、アリールエテニルアリール基が好ましく、ヘテロ原子として窒素もしくは硫黄を含む１価の複素環基がより好ましい。

ヘテロ原子として窒素もしくは硫黄を含む１価の複素環基の具体例としては、下記構造の複素環化合物から置換基Ｒを１個除いた構造が例示される。

重合体の繰り返し単位に、２価の複素環基を含まない場合、末端を１価の複素環基で置換することにより重合体の還元電位を高くすることができる。

本発明の重合体は、電荷注入性（正孔注入性、電子注入性）を高める末端基を有するが、電荷注入性を高める末端基以外の末端が含まれていてもよい。注入性を高める観点から、電荷注入性を高める末端基以外の末端は全末端の３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましく、実質的に存在しないことが最も好ましい。
電荷注入性を高める末端基を有する本発明の重合体は、このような末端基を有しない重合体に比べ、酸化電位を、通常１００ｍＶ、好ましくは２００ｍＶ，さらに好ましくは３００ｍＶ低くすることができる。また、還元電位については、これを、通常１００ｍＶ、好ましくは２００ｍＶ，さらに好ましくは３００ｍＶ高くすることができる。

本発明の重合体は、重量平均分子量が通常はポリスチレン換算で１０³〜１０⁸であり、成膜性の点から好ましくは５×１０³〜２×１０⁶であり、より好ましくは１×１０⁴〜５×１０⁵、さらに好ましくは１×１０⁴〜２×１０⁵である。

本発明の重合体に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。重合体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

重合体の酸化電位、還元電位を制御するためには、従来、通常は重合体の繰り返し単位構造を変えることにより行われていた。
しかしながら、蛍光強度や溶解性などの特性と、低酸化電位、高い還元電位という特性等を併せ持つ繰り返し単位構造を作ることは非常に困難であった。
本発明においては、重合体の繰り返し単位構造を変えることなく、重合体に特定の条件を満たす末端基を結合させることによりその酸化電位、還元電位を簡便に制御することができる。

本発明の重合体は、繰り返し単位に対応する単量体を重合させて末端に脱離基を有する重合体を得、該重合体と、末端基に対応する単量体を反応させる方法、繰り返し単位に対応する単量体を末端基に対応する単量体の共存下に重合させる方法などにより製造することができる。

本発明の重合体は、例えば、一般式（３）、（４）並びに一般式（５）および/または（６）で示される単量体を反応させることにより製造することができる。
Ｙ₁−Ａｒ₁₁−Ｙ₂ （３）
Ｙ₃−Ａｒ₁₂−Ｙ₄ （４）
Ｙ₅−Ｅ₁ （５）
Ｙ₆−Ｅ₂ （６）
〔式中、Ａｒ₁₁およびＡｒ₁₂はそれぞれ独立にフェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基またはフルオレンジイル基を表す。Ｅ₁およびＥ₂はそれぞれ末端基を表す。Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄、Ｙ₅およびＹ₆はそれぞれ独立に、脱離基を表す。但し、Ｅ₁およびＥ₂は互いに相異なる。〕

脱離基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、または−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）で示される基があげられる。

ここに、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、よう素原子があげられ、塩素原子、臭素原子が好ましく、臭素原子が最も好ましい。 アルキルスルホニルオキシ基は、フッ素原子で置換されていてもよく、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等があげられる。 アリールスルホニルオキシ基は、アルキル基で置換されていてもよく、フェニルスルホニルオキシ基、トリスルホニルオキシ基等があげられる。

−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂で示される基において、Ｒ₁₁は、水素原子またはアルキル基である。アルキル基としては、炭素数は、通常１〜２０程度であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などが挙げられる。また、アルキル基どうしは、つながって環を形成していてもよい。

−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂で示される基として、具体的には、

が挙げられ、

が好ましい。

一般式（５）および（６）で表される単量体の仕込み量の合計は、一般式（３）および（４）で表される単量体の仕込み量の合計に対して、一般的には０．１〜１０モル％であり、０．２〜５モル％が好ましく、０．５〜３モル％がより好ましい。

本発明の重合体の製造方法としては、例えば上述した該当する単量体を用いてＳｕｚｕｋｉ反応により重合する方法（ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、４３２−３頁）、山本重合法により重合する方法（プログレッシブ ポリマー サイエンス（Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．）,第１７巻,１１５３−１２０５頁，１９９２年）、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法（丸善、実験化学講座第４版、２８巻、３３９−３４０頁）などが例示される。

Ｓｕｚｕｋｉ反応を用いる場合について説明する。この場合、例えば、Ｙ₁およびＹ₂がそれぞれ独立に−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）で示される基であり、Ｙ₃およびＹ₄がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基であり、Ｙ₅が−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）で示される基であり、Ｙ₆がハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基である単量体を用い、これらの単量体をＰｄ（０）触媒の存在下反応させることにより製造できる。

なおこの場合、反応に供する、２個の脱離基を有する２種以上の単量体のうち、少なくとも1種が−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）を２個有する単量体であり、少なくとも1種が、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を２個有する単量体であることを要する反応は、通常、式（３）、（４）で表される単量体を１〜１００時間程度反応させた後、その後系内に単量体（５）を添加して０．５〜５０時間程度反応させ、その後、単量体（６）を系内に添加して０．５〜５０時間程度反応させる。

Ｐｄ（０）触媒として、例えばパラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類などを用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩をモノマーに対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。溶媒としては、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。

山本重合法を用いる場合について説明する。この場合、例えば、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄、Ｙ₅およびＹ₆がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基である単量体を用い、これらの単量体をＮｉ（０）錯体の存在下反応させることにより製造することができる。 反応は、通常は、単量体（３）〜（６）全てを混合して実施する。

Ｎｉ（０）錯体（ゼロ価ニッケル錯体）を用いる上記反応において、ニッケル錯体としては、ゼロ価ニッケルをそのまま使う方法と、ニッケル塩を還元剤の存在下で反応させ、系内でゼロ価ニッケルを生成させ、反応させる方法がある。 ゼロ価ニッケル錯体としては、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどが例示され、中でも、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が、汎用性で安価という観点で好ましい。 また、中性配位子を添加することが、収率向上の観点から好ましい。 ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子；トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子などが例示され、汎用性、安価の点で含窒素配位子が好ましく、２，２’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。 特に、重合体の収率向上の点から、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む系に中性配位子として２，２’−ビピリジルを加えた系が好ましい。系内でゼロ価ニッケルを反応させる方法においては、ニッケル塩として塩化ニッケル、酢酸ニッケル等が挙げられる。還元剤としては、亜鉛，水素化ナトリウム，ヒドラジンおよびその誘導体、リチウムアルミニウムハイドライドなどが上げられ、必要に応じて添加物として、よう化アンモニウム、よう化リチウム、よう化カリウム等が用いられる。 重合溶媒としては、重合を阻害しないものであれば特に限定されないが、１種類以上の芳香族炭化水素系溶媒および／またはエーテル系溶媒を含むものが好ましい。 ここに芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ブチルベンゼン、ナフタリン、テトラリン、等が挙げられ、トルエン、キシレン、テトラリン、テトラメチルベンゼンが好ましい。 また、エーテル系溶媒としては、例えば、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等が挙げられ、高分子化合物に対する良溶媒である、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどが好ましい。溶媒の中では、テトラヒドロフランが最も好ましい。 また、重合性、溶解性を改良する観点から、溶媒としては、重合反応を阻害しないものであれば、芳香族炭化水素系溶媒および／またはエーテル系溶媒と芳香族炭化水素系溶媒およびエーテル系溶媒以外の溶媒との混合溶媒を用いてもよい

反応操作等は、例えば、特開２０００−４４５４４号公報に記載の方法に準じて行うことができる。 山本重合法においては、例えば、重合反応は、通常アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下、テトラヒドロフラン溶媒中、６０℃の温度で、ゼロ価のニッケル錯体、中性配位子の存在下行われる。重合時間は、通常０．５〜１００時間程度であるが、製造コストの点から、１０時間以内が好ましい。重合温度は、通常０〜２００℃程度であるが、高収率、低加熱費の点から、２０〜１００℃が好ましい。

また、中性配位子を使用する場合には、その使用量としては、反応収率とコストの点からゼロ価のニッケル錯体１モルに対して、０．５〜１０モル程度が好ましく、０．８〜１．５モルがより好ましく、０．９〜１.１モルがさらに好ましい。

ゼロ価のニッケル錯体の使用量は、重合反応を阻害しない程度ならば、特には限定されないが、使用量が過少だと分子量が低い傾向にあり、使用量が過大であると後処理が繁雑になる傾向がある。そのため、モノマー１モルに対して、０．１〜１０モルが好ましく、1〜５モルがより好ましく、２〜３.５モルがさらに好ましい。

本発明の重合体を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

本発明の高分子組成物は、固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子化合物と、前記本発明の重合体を含む。該高分子化合物は、溶媒への溶解性、蛍光強度、寿命や輝度などの素子にした時の特性などを向上させるものであれば特に限定されず、具体的には、特開２００１−２４７８６１号、特開２００１−５０７５１１号、特開２００１−５０４５３３号、特開２００１−２７８９５８号、特開２００１−２６１７９６号、特開２００１−２２６４６９号、特許第３１６１０５８などに記載の重合体があげられるがこれらには限定されない。重合体の種類としてはポリフルオレン系重合体、ポリアリーレン系重合体、ポリアリーレンビニレン系重合体、ポリスチルベン系重合体、ポリスチルベンビニレン系重合体、ポリピリジンジイル系重合体、アルコキシポリチオフェン系重合体などがあげられるがこれらには限定されない。これらの中で、ポリフルオレン系重合体、ポリアリーレン系重合体、ポリアリーレンビニレン系重合体、ポリスチルベン系重合体、ポリスチルベンビニレン系重合体が好ましい。混合の割合は、溶媒への溶解性、蛍光強度、寿命や輝度などの素子にした時の特性などを向上させるような割合ならば何でもよいが、本発明の重合体の割合が高分子組成物全体に対して、通常、５〜９５重量％の範囲であり、４０〜９５重量％の範囲が好ましく、５０〜８０重量％の範囲がより好ましく、６５〜７５重量％の範囲がさらに好ましい。また、本発明の重合体以外の高分子化合物の割合を高分子組成物全体に対して５０〜８０重量％の範囲としたものも好ましく、６５〜７５重量％の範囲としたものがさらに好ましい。

また本発明の高分子組成物として、本発明の重合体を２種以上含むものがあげられる。その配合割合は特に限定されないが、組成物中に最も多く含まれる重合体の割合を高分子組成物全体に対して５０〜８０重量％の範囲としたものも好ましく、６５〜７５重量％の範囲としたものがさらに好ましい。

本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

印刷法等で用いる溶液（インク組成物）としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、本発明の重合体を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。

溶媒の種類としては、有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。

溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。

溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましい。

本発明の溶液の粘度は、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、７〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがより好ましい。

本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。

本発明の発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。

本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□であることがさらに好ましい。

本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれか大きいほうが、１０^-5ｃｍ²／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０^-3ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは、１０^-1ｃｍ²／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ₂などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

本発明の高分子ＬＥＤは陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が、本発明の重合体または高分子組成物を含むことを特徴とする。 本発明の高分子ＬＥＤには、少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子発光素子、少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して平均膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子も含まれる。

また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。

本発明の高分子ＬＥＤの構造としては、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。 発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄い絶縁層を挿入してもよい。 積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。 例えば、具体的には、以下のe）〜p）の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹以下がさらに好ましい。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。 通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。 電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ）〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
u）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
v）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
w）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
x）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
y）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
z）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ab）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

発光層は、本発明の重合体または高分子組成物を含むが、発光層に前記重合体以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高分子蛍光体以外の発光材料を含む発光層が、前記重合体を含む発光層と積層されていてもよい。 該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンまたはその誘導体、ペリレンまたはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンまたはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンまたはその誘導体などを用いることができる。 具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリシランまたはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）またはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）またはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリシランまたはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）またはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）またはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールまたはその誘導体、ポリシランまたはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾールまたはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランまたはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンまたはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

本発明の重合体はインクジェット法により成膜できることを特徴としている。インクジェット法とは、重合体を溶媒に溶解させインクジェット装置等で吐出する方法である。溶液を作製する際に、添加剤やドーパントを含んでいてもよい。色の塗り分けが可能な点や材料のロスが少なく有効に活用できる点が長所である。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンまたはその誘導体、ベンゾキノンまたはその誘導体、ナフトキノンまたはその誘導体、アントラキノンまたはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンまたはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンまたはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンまたはその誘導体、ポリキノキサリンまたはその誘導体、ポリフルオレンまたはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンまたはその誘導体、アントラキノンまたはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンまたはその誘導体、ポリキノキサリンまたはその誘導体、ポリフルオレンまたはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液または溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）またはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）またはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

通常は、陽極および陰極からなる電極の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。 陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。 また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。 陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。

本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

また、本発明の重合体は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜用材料として用いることができる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量および重量平均分子量については、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
また、酸化電位および還元電位の測定にはサイクリックボルタンメトリー（ビー・エー・エス製：ＡＬＳ６００）を用い、０．１ｗｔ％テトラブチルアンモニウム−ｔ−フルオロボレートを含むアセトニトリル溶媒中で測定を行なった。酸化電位の測定は、参照電極に銀／塩化銀電極、作用極に白金電極、対極に白金電極を用い、溶媒を窒素で１分間バブリングした後に測定を行なった。一方、還元電位の測定は、参照電極に銀／銀イオン電極、作用極にグラッシーカーボン電極、対極に白金電極を用い、窒素で置換したグローブボックス中で測定を行なった。また、電位の掃引速度は共に５０ｍＶ／ｓで測定した。

実施例１
＜共重合体１の合成＞
２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（０．３０ｇ、０．５４ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジイソペンチルフルオレン（０．０６３ｇ、０．１４ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミン（０．０１１ｇ、０．０６９ｍｍｏｌ）および２，２’−ビピリジル（０．２９ｇ、１．９ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝（０．５２ｇ、１．９ｍｏｌ）加え、６０℃まで昇温し、８時間反応させた。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。この沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥した。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、１時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール２００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた共重合体１の収量は０．１５ｇであった。共重合体１のポリスチレン換算数平均分子量は、１．２ｘ１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．６ｘ１０⁴であった。

実施例２
＜酸化電位の測定＞
共重合体１をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬを白金電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして共重合体１の薄膜を作製した。前記の方法で共重合体１の酸化電位を測定したところ９４０ｍＶであった。

合成例１
＜Ｎ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミンホモポリマーの合成＞
Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリフェニルアミンホモポリマーは溶解性が悪く、酸化電位および還元電位が測定できないため、置換基としてｓ−ブチル基を１個つけたＮ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミンホモポリマーを重合して、酸化電位の測定を行なった。
Ｎ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジ−４−ブロモフェニルフェニル ２．１ｇ（４．５ｍｍｏｌ）と２，２’―ビピリジル１．９ｇ（１２ｍｍｏｌ）とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）１２０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を３．５ｇ（１３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水３０ｍｌ／エタノール１５０ｍｌ／イオン交換水１５０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、クロロホルムに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した。次に、このクロロホルム溶液をメタノール中に注ぎ込むことにより、再沈精製した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥して、Ｎ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミンホモポリマー０．４４ｇを得た。Ｎ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミンホモポリマーのポリスチレン換算数平均分子量は、６．７ｘ１０³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は４．２ｘ１０⁴であった。

測定例１
＜酸化電位の測定＞
Ｎ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミンホモポリマーをクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬを白金電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばしてＮ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミンホモポリマーの薄膜を作製した。前記の方法でＮ−４−ｓ−ブチルフェニル−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミンホモポリマーの酸化電位を測定したところ６８０ｍＶであった。

実施例３
＜共重合体２の合成＞
２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（０．３０ｇ、０．５４ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジイソペンチルフルオレン（０．０６３ｇ、０．１４ｍｍｏｌ）、２−ブロモピリジン（０．０１１ｇ、０．０６９ｍｍｏｌ）および２，２’−ビピリジル（０．２９ｇ、１．９ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝（０．５２ｇ、１．９ｍｏｌ）加え、６０℃まで昇温し、８時間反応させた。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。この沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥した。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、１時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール２００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた共重合体２の収量は０．１７ｇであった。共重合体２のポリスチレン換算数平均分子量は、１．８ｘ１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は４．１ｘ１０⁴であった。

測定例２
＜還元電位の測定＞
２−ブロモピリジンを０．１ｗｔ％テトラブチルアンモニウム−ｔ−フルオロボレートを含むアセトニトリルに溶解させ、前記の方法で還元電位を測定したところ−２１７５ｍＶであった。

実施例４
＜還元電位の測定＞
共重合体２をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬをグラッシーカーボン電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして共重合体２の薄膜を作製した。前記の方法で共重合体２の還元電位を測定したところ−２２３０ｍＶであった。

実施例５
＜共重合体３の合成＞
２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（０．３０ｇ、０．５４ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジイソペンチルフルオレン（０．０６３ｇ、０．１４ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン（０．０１４ｇ、０．０６９ｍｍｏｌ）および２，２’−ビピリジル（０．２９ｇ、１．９ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝（０．５２ｇ、１．９ｍｏｌ）加え、６０℃まで昇温し、８時間反応させた。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。この沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥した。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、１時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール２００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた共重合体３の収量は０．１４ｇであった。共重合体３のポリスチレン換算数平均分子量は、１．６ｘ１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は３．７ｘ１０⁴であった。

実施例６
＜酸化電位の測定＞
共重合体３をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬを白金電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして共重合体３の薄膜を作製した。前記の方法で共重合体３の酸化電位を測定したところ９３５ｍＶであった。

測定例３
＜酸化電位の測定＞
４−ブロモ−Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリンを０．１ｗｔ％テトラブチルアンモニウム−ｔ−フルオロボレートを含むアセトニトリルに溶解させ、前記の方法で酸化電位を測定したところ６７８ｍＶであった。

比較例１
＜共重合体４の合成＞
２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（２６．３２ｇ、０．０４８０ｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジイソペンチルフルオレン（５．６ｇ、０．０１２１ｍｏｌ）および２，２’−ビピリジル（２２ｇ、０．１４１ｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン１６００ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝（４０．０１ｇ、０．１４５ｍｏｌ）加え、６０℃まで昇温し、８時間反応させた。反応後、この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水２００ｍＬ／メタノール１２００ｍＬ／イオン交換水１２００ｍＬ混合溶液中に滴下して３０分間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して風乾した。その後、トルエン１１００ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液をメタノール３３００ｍＬに滴下して３０分間攪拌した。析出した沈殿をろ過し、メタノール１０００ｍＬで洗浄した後、５時間減圧乾燥した。得られた共重合体４の収量は２０．４７ｇであった。
該共重合体４のポリスチレン換算の平均分子量は、Ｍｎ＝６．０×１０⁴、Ｍｗ＝１．５×１０⁵であった。

比較例２
＜酸化電位の測定＞
共重合体４をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬを白金電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして共重合体４の薄膜を作製した。前記の方法で共重合体４の酸化電位を測定したところ１３３０ｍＶであった。

比較例３
＜還元電位の測定＞
共重合体４をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬをグラッシーカーボン電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして共重合体４の薄膜を作製した。前記の方法で共重合体４の還元電位を測定したところ−２５２２ｍＶであった。

末端に酸化電位が低い化合物をつけることにより、下表のとおり酸化電位が低くなり、正孔の注入性が向上した。

末端に還元電位が高い化合物をつけることにより、下表２のとおり還元電位が高くなり、電子の注入性が向上した。

実施例７
＜重合体１の合成＞
化合物Ａ １．２ｇ（２ｍｍｏｌ）と４−ブロモーベンジルブロミドと亜リン酸トリエチルとを反応して得られたホスホン酸エステルと４−（２−ピリジル）ベンズアルデヒドとを反応して得られた４−ブロモ−４’−（２−ピリジル）スチルベン０．１７ｇ（０．５ｍｍｏｌ）と２，２’―ビピリジル０．８７ｇ（５．６ｍｍｏｌ）とを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）８０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．５４ｇ（５．６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１０分間攪拌した後、引き続き、室温で３０時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液に、メタノール１００ｍｌ／イオン交換水１００ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を１規定塩酸で洗浄し、静置、分液した後、トルエン相を回収、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン相を回収、次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン相を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥し、得られた重合体１の収量は０．２６ｇを得た。重合体１のポリスチレン換算重量平均分子量は、１．４ｘ１０⁴であり、数平均分子量は、９．６ｘ１０³であった。

化合物Ａ

実施例８
＜還元電位の測定＞
重合体１をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬをグラッシーカーボン電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして重合体１の薄膜を作製した。前記の方法で重合体１の還元電位を測定したところ−２１７０ｍＶであった。

比較例４
＜重合体２の合成＞
化合物Ａ（０．４０ｇ、０．６７ｍｍｏｌ）および２，２’−ビピリジル（０．１８ｇ、１．１ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝（０．３１ｇ、１．１ｍｏｌ）加え、６０℃まで昇温し、８時間反応させた。２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。この沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥した。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、1時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール２００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体２の収量は０．１２ｇであった。重合体２のポリスチレン換算の平均分子量は、Ｍｎ＝１．３×１０⁵、Ｍｗ＝２．８×１０⁵であった。

比較例５
＜還元電位の測定＞
重合体２をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬをグラッシーカーボン電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして重合体２の薄膜を作製した。前記の方法で重合体２の還元電位を測定したところ−２５４０ｍＶであった。

測定例４
＜還元電位の測定＞
４−ブロモ−４’−（２−ピリジル）スチルベンを０．１ｗｔ％テトラブチルアンモニウム−ｔ−フルオロボレートを含むアセトニトリルに溶解させ、前記の方法で還元電位を測定したところ−２０５０ｍＶであった。

末端に還元電位が高い化合物をつけることにより、下表３のとおり還元電位が−２５４０ｍＶから−２１７０ｍＶに高くなり、電子の注入性が向上した。

実施例９
＜重合体３の合成＞
９，９−ジオクチルー２，７−ジブロモフルオレン０．８２ｇと１−（４−ブロモフェニル）−２−（１−ピレニル）エチレン０．２ｇと２，２‘−ビピリジル０．５５ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内をアルゴンガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（脱水溶媒）４０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を０．９６ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で７時間反応した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１００ｍｌ／イオン交換水１００ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収し、減圧乾燥した。次に、この沈殿をクロロホルムに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈することにより生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、０．３０ｇの重合体３を得た。
重合体３のポリスチレン換算数平均分子量は、７．６ｘ１０³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．１ｘ１０⁴であった。

実施例１０
＜還元電位の測定＞
重合体３をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬをグラッシーカーボン電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして重合体３の薄膜を作製した。前記の方法で重合体３の還元電位を測定したところ−２０００ｍＶであった。

比較例６
＜重合体４の合成＞
窒素雰囲気下にて９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ビス（エチレンボロネート）（０．９６ｇ、１．８ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（０．９５ｇ、１．７ｍｍｏｌ）をトルエン（１５．６ｇ）に溶解させ、これにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（６．０ｍｇ、０．００５２ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１０分間攪拌した。つづいてテトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド２０％水溶液を（６ｍｌ）を加え昇温し、２時間加熱還流した。そしてブロモベンゼン（０．４２ｇ、２．７ｍｍｏｌ）を加え１時間、フェニルボロン酸（０．３３ｇ、２．２ｍｍｏｌ）を加え更に５時間加熱還流した。加熱完了後室温まで冷却し、メタノール３３０ｍｌに滴下し、析出した沈殿を濾別した。得られた沈殿は、メタノールで洗浄し、減圧乾燥を行い、固形物を得た。
この固形物の他に、全く同様の操作を２回行い、合計３個の固形物を得た。これらの固形物３個をトルエン２００ｇに溶解させて混合し、アルミナカラムで通液後、１Ｎ塩酸２５０ｍｌを加えて２時間攪拌した後、水層を除去し、つづいて有機層に３％アンモニア水２５０ｍｌを加えて１時間攪拌後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水２００ｍｌを加えて３０分攪拌後に水層を除去した。
有機層にメタノール６００ｍｌを加えて１時間攪拌し、析出した沈殿を濾別した。得られた沈殿は、メタノールで洗浄し、減圧乾燥を行い、重合体４を得た。
得られた重合体４の収量は１．７３ｇであった。
重合体４のポリスチレン換算数平均分子量は、５．３ｘ１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．６ｘ１０⁵であった。

比較例７
＜還元電位の測定＞
重合体４をクロロホルムに溶解させ、０．２ｗｔ％の溶液を作製した。その溶液０．０５ｍＬをグラッシーカーボン電極上に塗布し、クロロホルムを飛ばして重合体４の薄膜を作製した。前記の方法で重合体４の還元電位を測定したところ−２５２６ｍＶであった。

末端にアリールエテニルアリール基をつけることにより、下表４のとおり還元電位が高くなり、電子の注入性が向上した。

Claims (17)

1. フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体の少なくとも一方の末端基部分の酸化電位が該重合体から当該末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。
2. 繰り返し単位として、フルオレンジイル基２種類以上を有する共重合体であって、該共重合体の少なくとも一方の末端基部分の酸化電位が、該共重合体から当該末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする共重合体。
3. フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体の少なくとも一方の末端基部分の還元電位が該重合体から当該末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。
4. 繰り返し単位として、フルオレンジイル基２種類以上を有する共重合体であって、該共重合体の少なくとも一方の末端基部分の還元電位が、該共重合体から当該末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする共重合体。
5. フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、スチルベンジイル基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基からなる群から選ばれる１種以上の繰り返し単位を有する重合体であって、該重合体の一方の末端基部分の酸化電位が該重合体から両末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、他方の末端基部分の還元電位が該重合体から両末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。
6. 繰り返し単位として、フルオレンジイル基２種類以上を有する共重合体であって、該重合体の一方の末端基部分の酸化電位が該共重合体から両末端基を除いた部分の酸化電位よりも低く、他方の末端基部分の還元電位が該共重合体から両末端基を除いた部分の還元電位よりも高く、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする共重合体。
7. 繰り返し単位として、フルオレンジイル基１種類からなる重合体であって、該重合体の主鎖の末端の少なくとも一方に、末端基としてアリールエテニルアリール基を有し、固体状態で蛍光を発し、かつポリスチレン換算の重量平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする重合体。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載の重合体と、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であり、固体状態で蛍光を発する高分子化合物とからなることを特徴とする高分子組成物。
9. 請求項１〜７のいずれかに記載の重合体２種類以上からなる高分子組成物。
10. 請求項１〜７のいずれかに記載の高分子化合物、または請求項８もしくは９に記載の高分子組成物を含有することを特徴とする溶液。
11. 粘度が２５℃において５〜２０ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１０に記載の記載の溶液。
12. 陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が、請求項１〜７のいずれかに記載の重合体または請求項８もしくは９記載の高分子組成物を用いて作製した薄膜。
13. 陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が、請求項１〜７のいずれかに記載の重合体または請求項８もしくは９記載の高分子組成物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
14. 請求項１３に記載の高分子発光素子を含むことを特徴とする面状光源。
15. 請求項１３に記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするセグメント表示装置。
16. 請求項１３に記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
17. 請求項１３に記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。