JP2005231957A - SiOの製造方法及び製造装置 - Google Patents
SiOの製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005231957A JP2005231957A JP2004044260A JP2004044260A JP2005231957A JP 2005231957 A JP2005231957 A JP 2005231957A JP 2004044260 A JP2004044260 A JP 2004044260A JP 2004044260 A JP2004044260 A JP 2004044260A JP 2005231957 A JP2005231957 A JP 2005231957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sio
- molten metal
- vacuum
- vessel
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】 溶融金属Siの保持容器と、その上部に溶融金属Siの輸送管を持つ真空容器を配置して、保持容器から真空容器内に溶融金属Siを吸い上げ、この溶融金属SiにSiO2系原料を供給、反応させて、SiO蒸気を発生させ、その後、このSiO蒸気を冷却して、固体SiOを析出させ回収するSiOの製造方法及び製造装置である。
【選択図】 なし
Description
原料としてSi含有量98%で粒径が10〜50mmの金属Siを使用し、図1に示すような装置を用いて、図1中の加熱溶解・保持容器1で1500℃の温度で溶解した。この容器の上には、溶融金属Si輸送管3を一本有する真空容器2を設置し、その内部の圧力を0.01気圧にした。このようにすることで、真空容器2には、加熱溶解・保持容器1から溶融金属Siが吸い上げられる。なお、加熱溶解・保持容器1を1サイクル/分の周期で昇降し、熔融金属Siを循環させた。次に、真空容器2にエアロック機構を持った供給手段11により、SiO2含有量99%で粒径3〜7mmのけい石を添加し、SiO蒸気を発生させた。このSiO蒸気は、加熱手段9により1400℃以上に保温されたSiO蒸気搬送パイプ6を通って、途中で凝縮することなく冷却室7に搬送された。そして、500〜600℃に保たれた冷却板8の上で析出し、スクレーパー10により掻き落とされ、エアロック機構13を介して、冷却室7から排出される。このようにしてSiOの製造を行ったところ、反応収率70%以上でSiOが連続的に製造できた。また、このとき得られたSiOの純度は99.9999%以上の高純度であった。
原料としてSi含有量98%で粒径が10〜50mmの金属Siを使用し、図2に示すような装置を用いて、図2中の加熱溶解・保持容器1で1500℃の温度で溶解した。この容器の上には、溶融金属Si輸送管3を2本有する真空容器2を設置し、その内部の圧力を0.01気圧にした。このようにすることで、真空容器2には、加熱溶解・保持容器1から溶融金属Siが吸い上げられる。この時、溶融金属Si輸送管3の内の1本からガス供給手段12によりArガスを吹き込んで、溶融金属Siを循環させた。次に、真空容器2にエアロック機構を有する供給手段11により、SiO2含有量99%で粒径3〜7mmのけい石を添加し、SiO蒸気を発生させた。このSiO蒸気は、加熱手段9により1400℃以上に保温されたSiO蒸気搬送パイプ6を通って、途中で凝縮することなく冷却室7に搬送された。そして、500〜600℃に保たれた冷却板8の上で析出し、スクレーパー10により掻き落とされ、エアロック機構13を介して、冷却室7から排出される。このようにしてSiOの製造を行ったところ、反応収率70%以上でSiOが連続的に製造できた。また、このとき得られたSiOの純度は99.9999%以上の高純度であった。
2 真空容器、
3 溶融Si輸送管、
4 溶融Si、
5 SiO2系原料、
6 SiO蒸気搬送用パイプ、
7 冷却室、
8 冷却板、
9 加熱手段、
10 スクレーパー、
11 供給手段、
12 昇降機構、
13 エアロック機構、
14 真空ポンプ、
15 ガス吹き込み手段。
Claims (12)
- Si融点〜1800℃の溶融金属Siの保持容器と、その上部に溶融金属Siの輸送管を持つ真空容器を配置して、保持容器から真空容器内に溶融金属Siを吸い上げ、真空容器内の溶融金属SiにSiO2系原料を供給、反応させて、SiO蒸気を発生させ、その後、このSiO蒸気を冷却して、固体SiOを析出回収することを特徴とするSiOの製造方法。
- 前記保持容器に、又は、前記保持容器と前記真空容器の双方に、加熱手段を備えて溶融金属Siを加熱することを特徴とする請求項1に記載のSiOの製造方法。
- 前記保持容器と前記真空容器の高さ方向の相対位置を周期的に変化させ溶融金属Siを循環させることを特徴とする請求項1又は2に記載のSiOの製造方法。
- 前記真空容器の溶融金属Si輸送管は2本以上であり、その一部は溶融金属Siを上昇させる手段によって真空容器に溶融Siを送り込み、他の輸送管は溶融金属Siを真空容器から保持容器に戻すことで溶融金属Siを循環させることを特徴とする請求項1又は2に記載のSiOの製造方法。
- 前記溶融金属Siを上昇させる手段が、ガス吹き込み又は電磁力の一方又は双方であることを特徴とする請求項4に記載のSiOの製造方法。
- 前記真空容器へSiO2を連続的、あるいは間欠的に供給すると共に、前記溶融金属Siの保持容器に金属Siを連続的、あるいは間欠的に供給することによって、SiO蒸気を連続して発生させることを特徴とする請求項1又は2に記載のSiOの製造方法。
- 溶融金属Siの保持容器と、その上部に溶融金属Siの輸送管を持つ真空容器を配置して、該真空容器中にSiO2系原料を供給する手段と、該真空容器からSiO蒸気を搬送する手段と、該SiO蒸気を冷却して固体SiOを析出させ回収する手段とを少なくとも有することを特徴とするSiOの製造装置。
- 前記溶融金属Siの保持容器に、又は、前記保持容器と前記真空容器の双方に、加熱手段を備えたことを特徴とする請求項7に記載のSiOの製造装置。
- 前記溶融金属Siの保持容器と前記真空容器の高さ方向の相対位置を周期的に変化させ溶融金属Siを循環させる手段を有することを特徴とする請求項7又は8に記載のSiOの製造装置。
- 前記真空容器の溶融金属Si輸送管は2本以上あり、その一部は溶融金属Siを上昇させる手段を有することを特徴とする請求項7又は8に記載のSiOの製造装置。
- 前記溶融金属Siの上昇手段がガス吹き込み又は電磁力の一方又は双方であることを特徴とする請求項10に記載のSiOの製造装置。
- 前記真空容器へSiO2を連続的、あるいは間欠的に供給する手段を有すると共に、前記溶融金属Siの保持容器に金属Siを連続的、あるいは間欠的に供給する手段を有することを特徴とする請求項7又は8に記載のSiOの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004044260A JP4465206B2 (ja) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | SiOの製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004044260A JP4465206B2 (ja) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | SiOの製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005231957A true JP2005231957A (ja) | 2005-09-02 |
JP4465206B2 JP4465206B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=35015301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004044260A Expired - Fee Related JP4465206B2 (ja) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | SiOの製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4465206B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013091595A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Wen-Bin Sun | ソーラーグレードポリシリコンの真空循環精錬装置及びソーラーグレードポリシリコンの精製方法/Avacuumrecyclingequipmentforrefiningthesolargradepolysiliconandamethodforrefiningthesolargradepolysilicon |
WO2013141024A1 (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method and system for the production of silicon oxide deposit |
KR20160091892A (ko) * | 2013-11-28 | 2016-08-03 | 하이드로-퀘벡 | 리튬-이온 배터리 애노드 물질로서 나노 규모 필라멘트 구조를 갖는 SiOx의 제조 방법 및 이의 용도 |
WO2017125977A1 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 信越化学工業株式会社 | 負極活物質、混合負極活物質材料、非水電解質二次電池、負極活物質の製造方法及び非水電解質二次電池の製造方法 |
CN107601515A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-01-19 | 北方民族大学 | 一种制备SiO粉末的装置 |
KR102299178B1 (ko) * | 2020-04-16 | 2021-09-07 | 주식회사 테라테크노스 | 규소산화물 제조장치 및 제조방법, 규소산화물 음극재 |
TWI759209B (zh) * | 2021-05-19 | 2022-03-21 | 中美矽晶製品股份有限公司 | 矽氧化物之製備裝置 |
-
2004
- 2004-02-20 JP JP2004044260A patent/JP4465206B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013091595A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Wen-Bin Sun | ソーラーグレードポリシリコンの真空循環精錬装置及びソーラーグレードポリシリコンの精製方法/Avacuumrecyclingequipmentforrefiningthesolargradepolysiliconandamethodforrefiningthesolargradepolysilicon |
WO2013141024A1 (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method and system for the production of silicon oxide deposit |
CN104024160A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-09-03 | 信越化学工业株式会社 | 制造氧化硅沉积物的方法和系统 |
US9790095B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-10-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method and system for the production of silicon oxide deposit |
US10329157B2 (en) | 2013-11-28 | 2019-06-25 | HYDRO-QUéBEC | Process for the preparation of SiOx having a nanoscale filament structure and use thereof as anode material in lithium-ion batteries |
KR20160091892A (ko) * | 2013-11-28 | 2016-08-03 | 하이드로-퀘벡 | 리튬-이온 배터리 애노드 물질로서 나노 규모 필라멘트 구조를 갖는 SiOx의 제조 방법 및 이의 용도 |
JP2017503738A (ja) * | 2013-11-28 | 2017-02-02 | ハイドロ−ケベック | ナノスケールのフィラメント構造を有するSiOxの調製のためのプロセス及びリチウムイオンバッテリにおける陽極材料としてのその使用 |
KR102362444B1 (ko) | 2013-11-28 | 2022-02-14 | 하이드로-퀘벡 | 리튬-이온 배터리 애노드 물질로서 나노 규모 필라멘트 구조를 갖는 SiOx의 제조 방법 및 이의 용도 |
JP2017130368A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 信越化学工業株式会社 | 負極活物質、混合負極活物質材料、非水電解質二次電池、負極活物質の製造方法及び非水電解質二次電池の製造方法 |
CN108496267A (zh) * | 2016-01-21 | 2018-09-04 | 信越化学工业株式会社 | 负极活性物质、混合负极活性物质材料、非水电解质二次电池、负极活性物质的制造方法及非水电解质二次电池的制造方法 |
WO2017125977A1 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 信越化学工業株式会社 | 負極活物質、混合負極活物質材料、非水電解質二次電池、負極活物質の製造方法及び非水電解質二次電池の製造方法 |
CN107601515A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-01-19 | 北方民族大学 | 一种制备SiO粉末的装置 |
KR102299178B1 (ko) * | 2020-04-16 | 2021-09-07 | 주식회사 테라테크노스 | 규소산화물 제조장치 및 제조방법, 규소산화물 음극재 |
WO2021210739A1 (ko) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | 주식회사 테라테크노스 | 규소산화물 제조장치 및 제조방법, 규소산화물 음극재 |
TWI759209B (zh) * | 2021-05-19 | 2022-03-21 | 中美矽晶製品股份有限公司 | 矽氧化物之製備裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4465206B2 (ja) | 2010-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3865033B2 (ja) | 酸化珪素粉末の連続製造方法及び連続製造装置 | |
JP5805110B2 (ja) | 太陽電池用金属シリコンを精製するための装置及び方法 | |
TWI386526B (zh) | 高純度多結晶矽的製造方法及製造裝置 | |
JP4692247B2 (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造方法 | |
CN101999005B (zh) | 一种真空环流熔态硅热法炼镁的方法及其设备 | |
TW201009139A (en) | Direct silicon or reactive metal casting | |
US9790095B2 (en) | Method and system for the production of silicon oxide deposit | |
JP4465206B2 (ja) | SiOの製造方法及び製造装置 | |
JP5571537B2 (ja) | 金属チタン製造装置および金属チタンの製造方法 | |
JP4157281B2 (ja) | シリコン生成用反応装置 | |
JP2009149494A (ja) | 石英ガラスの製造方法及び製造装置 | |
JP4451671B2 (ja) | SiOの製造方法及び製造装置 | |
JP4638002B2 (ja) | 太陽電池用シリコンの製造方法および装置 | |
JP2006240963A (ja) | 高純度のシリコンの製造方法 | |
JP4692324B2 (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造装置 | |
CN204434697U (zh) | 一种处理有色金属合金渣料的真空蒸馏炉 | |
JP2010053008A (ja) | 坩堝及びその製造方法、並びに結晶シリコン粒子の製造装置 | |
KR101525859B1 (ko) | 고순도 실리콘 미세분말의 제조 장치 | |
CN113265550A (zh) | 从电石渣中提取金属钙的真空蒸馏、成型装置及方法 | |
JP6028702B2 (ja) | 酸化珪素の製造方法 | |
JP2016175806A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
JPS63103814A (ja) | SiO微粉末の製造装置 | |
JP5637601B2 (ja) | 窒化物単結晶の育成装置 | |
CN217844710U (zh) | 一种具有电磁穿透以及磁悬浮能力的新型坩埚 | |
EP0023509A1 (en) | Cold crucible semiconductor deposition process and apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061127 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070119 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |