JP2005223441A - ブレード型光伝送装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、設置スペースの効率化を進めることができ、導入初期のコスト削減を実現できるブレード型光伝送装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 外部光信号インタフェース部と、クロスコネクト部と、内部光信号インタフェースを搭載した複数の主信号ブレード１０〜１４と、複数の主信号ブレードが装着されるブレードエンクロージャ１５と、ブレードエンクロージャ内で複数の主信号ブレードの内部光信号インタフェースをリング状に接続するバックプレーンを有する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、ブレード型光伝送装置に関し、特に、ブレード型と呼ばれる小型のブレード型光伝送装置に関する。

ブレード型の光伝送装置は「ブレード」、すなわち刀身という意味であるが、従来の複数種類のユニットから構成される大型の伝送装置の機能を１枚のブレード上に収めたものである。このブレードを一例として３Ｕサイズ（Ｕはラックサイズ）のエンクロージャ（Ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）と呼ばれるケースに６枚から２０枚を装着することで高密度な大容量光通信装置を実現する。

ここ数年の急速なネットワークの普及は現在も拡大しており、特にメトロエリアではそれを支える基幹系光伝送装置に超高密度実装の要求が高まっている。昨今の１Ｕサイズ規格の横積み型装置や、ピザボックス（Ｐｉｚｚａ Ｂｏｘ）と呼ばれる箱型装置が開発されている。そして、さらなる超高密度実装の要求に応えるべく、新しい形態（フォーム・ファクタ）の伝送装置がブレード型光伝送装置である。

メトロエリアでは伝送装置を設置する場所のコストが問題になる。通常、キャリア（電話会社）のサイトやビジネスオフィスでは高度なセキュリティと災害対策を施しているため、一般的なオフィスより単位面積当りのコストが高い。従って、伝送装置１台当りの設置面積が大きいと、装置の数を増やすほど場所のコストもどんどん増え、ひいてはサービス提供価格の上昇につながってしまう。そこでキャリアは通信システムの性能を必要な分だけ維持しつつ、その設置面積をできる限り小さくしてコスト競争力を維持しようとする。こうしたニーズにより、ラックマウントの横積み型装置や、ピザボックスと呼ばれる箱型装置が開発されている。

これらの装置の登場により、１ラック当りの最大搭載台数は従来の２倍以上となり、伝送システム１台の設置に必要な場所のコストも相対的に大幅に減少した。これらの装置の小型化、薄型化は回線容量を限定したり、機能や拡張性を制限したりして実現されている。最近の傾向として初期投資を抑えるために少数チャンネルでＷＤＭ伝送システムを導入し、需要増加に応じてチャンネル数を増していく、“ｐａｙ ａｓ ｙｏｕ ｇｒｏｗ”方式が注目されている。

これらの装置は必要台数を上下に積んだり、横に並べたりして使用されているが、ラック当りの実装の高密度化を最優先に考えると、まだまだ削減できる無駄なスペースがあるといえる。例えば、これらの横積み型または箱形装置には装置毎に保守用のＬＥＤ、ＣＲＡＦＴポート、ＬＡＮポート、警報出力などを備えている。しかしこれらが必要になるのはセットアップや保守時だけであり、各装置構成で必須ではない回路部品が存在する。このような無駄を省き、さらなる高密度化を達成すべく開発されたのがブレード型光伝送装置である。

図１に、従来の分割シェルフタイプの光伝送装置の構成図を示す。同図中、ＨＳ（Ｈｉｇｈ Ｓｐｅｅｄ）シェルフは高速のネットワーク信号を収容する。ＸＣ（Ｃｒｏｓｓ Ｃｏｎｎｅｃｔ）シェルフは信号のクロスコネクトを行う。ＬＳ（Ｌｏｗ Ｓｐｅｅｄ）シェルフは低速のサービス信号を収容する。ＴＣ（Ｔｉｍｉｎｇ Ｃｏｍｐｌｅｘ）シェルフはネットワーク及び装置内のクロック制御を行う。ＭＣ（Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｃｏｍｐｌｅｘ）シェルフはネットワーク及び装置内の監視制御を行う。このように機能単位毎にモジュール（シェルフ）が分かれており、システム構成に合せて各シェルフを組み合わせることで装置を構築していた。

また、図２、図３に従来のメトロ系の単一シェルフ型の光伝送装置の構成図とブロック図を示す。同図中、ＬＳユニットとＸＣユニットはバックプレーン（ＢＰ）を介して１対１でリニア状に接続され、さらにＸＣユニットとＨＳユニットも同様にＢＰを介して１対１でリニア状に接続される。図３では、上り方向、つまりＬＳユニット、ＸＣユニット、ＨＳユニット方向の信号の流れを矢印で示している。同様に下り方向、つまりＨＳユニット、ＸＣユニット、ＬＳユニット方向にもバックプレーン上の配線が存在する。

なお、この他にも、例えば特許文献１には、電気回路を搭載したボードをブックシェルフ状に実装し、各ボードから出力される信号をバックプレーンで接続する装置が記載されており、また、特許文献２には、複数のパネルのバックボードによる電気的接続を光パスによる光結合に代え、この光パスをループ状に配設することが記載されている。
特許第３３４８７５７号公報 特許第２６０６６１２号公報

従来の分割シェルフタイプの光伝送装置では、装置のサイズが非常に大きくなり、また導入初期の少数チャンネル構成においても全種類のシェルフが必要になるために初期投資が非常に高額になっていた。将来の需要増加に応じて収容回線数やクロスコネクト容量を増していく、“ｐａｙ ａｓ ｙｏｕ ｇｒｏｗ”方式に対応できなかった。さらに分割されたシェルフ間を接続するためのシェルフ間接続インタフェース回路を備えるなど非常に複雑な装置構成となっていた。

従来のメトロ系の単一シェルフ型の光伝送装置では、ＸＣユニットに最大容量（ＨＳユニット＋ＬＳユニットの最大数）に対応できるだけのバックプレーンの信号ピンが必要となる。さらにＬＳユニットが最小数の時にでもＸＣユニットは必ず必要となる。この装置でも、機能別にユニットが分割されているために、少数チャンネル構成においてもＸＣユニット等の共通回路は初期段階から必要となり、初期投資が高額になっていた。

従って、従来の分割型や単一型のシェルフ構成では装置サイズが非常に大きくなるため、限られた設置スペースに対して対応できないという問題を生じていた。また導入初期の少数チャンネル構成においても全種類のユニットが必要になり、また将来のチャンネル拡張のためにも予備ユニットを確保しておく必要があり、導入初期のコストが高い（収益性が悪い）という問題を生じていた。

また、シェルフに実装されるユニットが回線容量別ではなく、機能別に分割された構成であるために、将来の需要増加に応じて収容回線数やクロスコネクト容量を増していく、“ｐａｙ ａｓ ｙｏｕ ｇｒｏｗ”方式に対応できないという問題を生じていた。特に、ＸＣユニットは収容チャンネル数に関わらず導入初期から必要になるため、小数チャンネル構成において装置のコストが高くなるという問題が生じていた。さらに分割されたシェルフ間を接続するためのシェルフ間接続インタフェース回路を備えるなど、複雑な装置構成となりその結果、装置コストの上昇や、障害増加の要因となった。

装置の小型化のためにはバックプレーン上の配線数を減らす工夫が必要であり、全てのユニット間をそれぞれ１対１（Ｐｏｉｎｔ ｔｏ Ｐｏｉｎｔ）でマトリックス状に接続すると膨大な配線数となり、コネクタのピン数も膨大になるという問題が生じていた。またユニット間をバス接続にすると、あるユニットがユニット間バスを占有している時間は他のユニットが伝送できないという問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、設置スペースの効率化を進めることができ、導入初期のコスト削減を実現できるブレード型光伝送装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、外部光信号インタフェース部と、クロスコネクト部と、内部光信号インタフェースを搭載した複数の主信号ブレードと、
前記複数の主信号ブレードが装着されるブレードエンクロージャと、
前記ブレードエンクロージャ内で前記複数の主信号ブレードの内部光信号インタフェースをリング状に接続するバックプレーンを有することにより、
設置スペースの効率化を進めることができ、導入初期のコスト削減を実現できる。

請求項２に記載の発明では、ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンのリングをブレード内で分割するバイパスブレードを有することにより、バックプレーンのリングをブレード内で分割することができる。

請求項３に記載の発明では、ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号をブレード内でスルー接続するスルーブレードを有することにより、未装着のブレードがあってもバックプレーンのリングを維持できる。

請求項４に記載の発明では、ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号を増幅するパワーブレードを有することにより、バックプレーンを伝送される主信号の減衰が大きい場合に対処できる。

請求項５に記載の発明では、ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号を他のブレード型光伝送装置のバックプレーンに入出力するジョイントブレードを有することにより、バックプレーンのリングを拡張して装着できるブレード数を増加することができる。

請求項１に記載の発明によれば、設置スペースの効率化を進めることができ、導入初期のコスト削減を実現できる。

請求項２に記載の発明によれば、バックプレーンのリング状配線をブレード内で分割することができる。

請求項３に記載の発明によれば、未装着のブレードがあってもバックプレーンのリングを維持できる。

請求項４に記載の発明によれば、バックプレーンを伝送される主信号の減衰が大きい場合に対処できる。

請求項５に記載の発明によれば、バックプレーンのリングを拡張して装着できるブレード数を増加することができる。

以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。

図４は、本発明のブレード型光伝送装置の原理説明図を示す。本発明では、従来の分割シェルフタイプもしくは単一シェルフタイプの機能モジュールであるＨＳ（Ｈｉｇｈ Ｓｐｅｅｄ）シェルフ、ＸＣ（Ｃｒｏｓｓ Ｃｏｎｎｅｃｔ）シェルフ、ＬＳ（Ｌｏｗ Ｓｐｅｅｄ）シェルフをそれぞれシステムＬＳＩで実現し、回路基板上に実装してブレード（主信号ブレード）１０〜１４を構成する。

ここで、ＨＳシェルフは例えば４０Ｇｂｐｓの信号を入出力でき、ＬＳシェルフは例えば１０Ｇｂｐｓの信号を入出力できるものとする。また、ブレード１０〜１４は３つのシステムＬＳＩで実現するに限らず、１つのシステムＬＳＩで実現することもできる。

この主信号ブレード１０〜１４はバックプレーン１５上で光導波路によってリング状に接続し、ブレードエンクロージャ１６に高密度実装することにより、超小型のブレード型光伝送装置を実現する。１枚のブレードは従来の装置１台分の機能に相当する。

本発明のブレード型光伝送装置は、図５に示すように、ブレードエンクロージャ２０内で複数のブレード２２，２３を組み合せて伝送装置を構成し、ブレードエンクロージャ２１内で複数のブレード２４，２５を組み合せて伝送装置を構成する。信号伝送は各ブレード内のＸＣ＿ＬＳＩでアッド／ドロップ／スルーの回線設定を行うことにより実現する。

信号の入力（ＩＮ）から出力（ＯＵＴ）までの回線設定は各ブレードのアッド／ドロップ／スルー設定により実行する。ブレードエンクロージャ２０内のブレード２２でアッド設定を行い、ブレード２３でドロップ設定を行うことで、ＳＯＮＥＴリング２６に送信する。ＳＯＮＥＴリング２６を経由した後、ブレードエンクロージャ２１内のブレード２４でアッド設定を行い、ブレード２５でドロップ設定を行うことにより、伝送する信号の回線設定を実現する。これらの回線設定はユーザの設定情報に従ってブレード内のコントローラ（ＣＰＵ）からＸＣ＿ＬＳＩを制御する。

小型化を実現するためには各ブレード間を接続するバックプレーンを小型化する必要がある。そのためにはバックプレーンの伝送路数とコネクタピン数を削減する必要があり、それを実現する方法として本発明ではバックプレーンの伝送路をリング構成としている。

図６に示すブレード数が５枚の場合を例にして説明する。この図は説明の便宜上、一方向のみの伝送路を図示している。実際の装置の信号伝送では双方向（Ｂｉ−Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ）のリングを使用する。同図中、５枚の主信号ブレード１０〜１４はバックプレーン１５上でリング状伝送路に接続されている。各ブレードのＸＣ＿ＬＳＩではＡＤＭ（Ａｄｄ Ｄｒｏｐ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ：分岐挿入）機能によりバックプレーン方向に対してアッド／ドロップ／スルーのクロスコネクトを行うことにより、ブレードに収容された回線入力を任意のブレードに対して伝送し、そのブレードから出力することができる。

例えば主信号ブレード１０のＬＳ＿ＬＳＩに供給される回線入力＃１は、主信号ブレード１０のＸＳ＿ＬＳＩにてアッドされ、主信号ブレード１１，１２，１３それぞれのＸＳ＿ＬＳＩにてスルーされ、主信号ブレード１４のＸＳ＿ＬＳＩにてドロップされて、主信号ブレード１４のＬＳ＿ＬＳＩから出力される。また、主信号ブレード１３のＬＳ＿ＬＳＩに供給される回線入力＃２は、主信号ブレード１３のＸＳ＿ＬＳＩにてアッドされ、主信号ブレード１４のＸＳ＿ＬＳＩにてドロップされて、主信号ブレード１４のＬＳ＿ＬＳＩから出力される。

本発明のバックプレーン１５のインタフェースデバイスはＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ：垂直共振器面発光レーザ）を採用する。ＶＣＳＥＬはブレード基板と垂直方向に光を発振する半導体レーザであり、光学的導波路によりブレードとバックプレーン間で信号が接続される。

なおバックプレーンのインタフェースは光信号ではなく電気信号でも実現可能であり、例えば１０Ｇｂｐｓ相当の伝送容量を３．１２５ｂｐｓ（２．５Ｇの８Ｂ／１０Ｂ変換）×４パラレル構成によって電気信号で伝送することが可能である。

本発明では、図７に示すように、バックプレーン１５のリング状伝送路の２箇所をブレード内に引き込んで、そのうちの一方をＨＳ＿ＬＳＩに接続し、他方は処理を行うことなく通過させている。このため、装置構成に応じて、図８に示すバイパスブレード３０を装着することにより、リングを分割（パーティション）することが可能となる。バイパスブレード３０はブレード内に引き込んだリング状伝送路の２箇所のうちの一方を他方に接続することでリングを分割する。このバイパスブレード３０は主信号ブレード１０〜１４を装着するスロットのうち、任意のスロットに装着可能であり、ブレードエンクロージャ１６内でフレキシブルにバックプレーン１５のパーティションを変更することができる。

また、図９に示すように、未装着スロットにはスルーブレード３１，３２を装着して、バックプレーン１５のスルー接続を行う。またスルーブレードの多段中継等によって信号の減衰が大きくなる場合には、光アンプ３４，３５を内蔵したパワーブレード３３を装着する。なお、光アンプ３４，３５はエラー訂正付きの再生中継機能を有する。

更に、ブレードを装着するスロットが不足した際には、図１０に示すように、複数のブレードエンクロージャ４０，４１それぞれのバックプレーン１５にジョイントブレード４２，４３を装着し、ジョイントブレード４２，４３間を光ケーブルで接続することによりバックプレーン１５のリングを拡張する。

図１１は、本発明で用いられる主信号ブレードの一実施形態のブロック図を示す。同図中、主信号ブレード（ＳＯＮＥＴブレード）の小型基板５０上には、外部からの光信号を収容するためのＯＣ−ｎ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃａｒｒｉｅｒ−ｎ）＿ＳＦＰ（Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ−ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ）光トランシーバ５１と、低速のサービス信号を収容するＬＳ＿ＬＳＩ５２と、信号のクロスコネクトを行うＸＣ＿ＬＳＩ５３と、高速のネットワーク信号を収容するＨＳ＿ＬＳＩ５４と、装置内部の制御を行うＣＰＵ５５を搭載する。

バックプレーン５６は光導波路（または光パラレルリンクケーブル）と光学デバイスで構成される光バックプレーンである。更に、小型基板５０上には光シートコネクタを内蔵し主信号データとバックプレーンを接続するためのＶＣＳＥＬモジュール５７が搭載されている。バックプレーン５６側のインタフェースはＳＯＮＥＴのＯＣ−１９２（１０Ｇｂｐｓ）である。また、小型基板５０上には電源や他のブレードとの通信用のシートコネクタ（ＣＮ）５８が備えられている。

図１２は、本発明で用いられるバイパスブレードの一実施形態のブロック図を示す。同図中、バイパスブレードの小型基板６０上には、バイパスモジュール６１が設けられている。バイパスモジュール６１は、バックプレーン５６のリング状伝送路の２箇所が引き込まれ、そのうちの一方を他方に接続する。また、小型基板６０上には電源や他のブレードとの通信用のシートコネクタ（ＣＮ）５８が備えられている。

図１３，図１４は、本発明のブレード型光伝送装置の一実施形態の外観図とブロック図を示す。本発明のブレード型光伝送装置は、図１３に示すように、ＳＯＮＥＴブレード等の主信号ブレード６２_２〜６２_１７を１８スロットのブレードエンクロージャ６４に１６枚装着して構成する。ブレードエンクロージャ６４の両端のスロットには、ブレードエンクロージャ６４内の各ブレードや共通機能モジュールを監視制御し、装置の状態表示をＬＥＤ等で行うＣＰＵブレード６２_１，６２_１８を装着する。

図１４に示すように、１６枚の主信号ブレード６２_２〜６２_１７を１つのバックプレーン６６のリング状伝送路に接続して共有する。主信号ブレード６２_２〜６２_１７を接続するスロットのうち任意のスロット位置に図１２に示すバイパスブレードを挿入することにより、バックプレーン６６のリングを複数のリングに分割（パーティション）することができる。これによりバックプレーンの容量を装置構成に応じて効率的に使用することができる。

ここで、主信号主信号ブレード６２_２〜６２_１７には伝送する主信号を接続する。クライアント側はＳＯＮＥＴやイーサネット（登録商標）（１０Ｂ／１００Ｂ、及びＧｂＥ）の各インタフェースに対応する各種ブレードを用意する。共通機能モジュールであるＳＹＮＣモジュール６７はブレードエンクロージャ内のクロック管理及び光伝送装置の同期管理を行う。Ｉ／Ｏポート６８は光伝送装置から入出力するアラーム信号の接続や外線インタフェースの接続を行う。ＦＡＮ６９ａ〜６９ｃはブレードエンクロージャ内の強制空冷を行う。電源ユニット７０ａ〜７０ｅはブレードエンクロージャ内の電源供給を行う。ＦＡＮ６９ａ〜６９ｃ及び電源ユニット７０ａ〜７０ｅは冗長構成をとっている。なお、主信号ブレード６２_１〜６２_１８及び共通機能モジュールであるＳＹＮＣモジュール６７〜電源ユニット７０ａ〜７０ｅはバックプレーン６６の前後から接続される。

次に、図１５を用いて本発明のブレード型光伝送装置のアッド／ドロップ動作を説明する。ここでは、主信号ブレード６２_１，６２_４からクライアント側の信号である８チャネルのＯＣ−３（１５５Ｍｂｐｓ）と２チャネルのＯＣ−１２（６２２Ｍｂｐｓ）をネットワーク側の信号として、１チャネルのＯＣ−４８（２．４Ｇｂｐｓ）に多重し主信号ブレード６２_５からネットワークに伝送するケースを示している。

主信号ブレード６２_１，６２_４のＸＣ＿ＬＳＩにおいてアッドの回線設定を行い、主信号ブレード６２_５のＸＣ＿ＬＳＩにおいてドロップの回線設定を行い、図示のようにバックプレーン６６を経由して信号が伝送される。未装着のスロットにはスルーブレード７２，７３を装着してバックプレーン６６側の信号をスルーで接続する。

次に、図１６を用いてバイパスブレードでバックボードを分割（パーティション）した実施形態について説明する。クライアント側の信号であるＯＣ−３が８チャネルから１６チャネルに増加し、また、ＯＣ−１２が２チャネルから４チャネルに増加したため、ネットワーク側の信号（ＯＣ−４８）を増設している。

この場合、バイパスブレード７３を装着してバックプレーン６６を分割することにより、増加前の回線と増加後の回線で１０Ｇ容量のバックプレーンを占有することができる。この方法によればさらに将来の回線容量の増加に柔軟に対応することができ、また回線ユーザ別に装置構成を分割することができる。

本発明では、スルーブレードを用いる代りに、ブレードが抜かれている時には光信号をバックプレーン上でバイパス接続できるバイパスコネクタを採用しても良い。ブレードが抜かれている時には、図１７（Ａ）に示すように、集光レンズ付きバイパス用アダプタ７５がバネ７６によって押し出され、バックボード機構７７ａ，７７ｂに設けられた光ファイバ７８ａ，７８ｂ間を集光レンズ付きバイパス用アダプタ７５で光学的に接続する。

ブレード装着時には、図１７（Ｂ）に示すように、主信号ブレード６２_１の端部によって集光レンズ付きバイパス用アダプタ７５が押し込まれ、主信号ブレード６２_１のＶＣＳＥＬモジュール５７の受光面と発光面にバックボード機構７７ａ，７７ｂの光ファイバ７８ａ，７８ｂが光学的に接続する。

また、本発明はバックプレーン上の信号を電気信号とすることも可能である。電気信号の場合には２．５ＧｂｐｓのＳＯＮＥＴ信号を８Ｂ／１０Ｂ変換により３．１２５Ｇｂｐｓの信号に変換してブレード間の伝送を行う（１０Ｇ容量は４パラレル構成となる）。

電気信号の場合は、バイパスコネクタとして図１８に示すようなバックプレーン基板８０に固定されたカードエッジコネクタ８１を採用する。ブレード装着時には、図１８（Ａ）に示すように、カードエッジコネクタ８１のバネ性を持つ端子部材８２ａ，８２ｂはブレード基板８３の上下面に設けられた配線に当接して接続される。ブレードが抜かれている時には、図１８（Ｂ）に示すように、カードエッジコネクタ８１の端子部材８２ａ，８２ｂは互いに当接して接続される。

図１７または図１８に示すバイパスコネクタを持つバックプレーンを使用し、図１５に示すようにＯＣ−３とＯＣ−１２の信号をＯＣ−４８に多重する場合は、図１９に示す構成となる。図１９では、主信号ブレード６２_１，６２_４，６２_５がブレードエンクロージャ６４内に挿入されてバックプレーン６６に接続される。このように本実施形態では、必要とされる容量の主信号ブレードだけをバックプレーンに接続すれば良く、導入当初から余分な主信号ブレードを必要としない。

主信号ブレードの接続方法は、図２０に示すように、バックプレーン６６上においてＳＯＮＥＴで使用している２ファイバＢＬＳＲ（Ｂｉ−ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｅｄ Ｒｉｎｇ）８４を採用し、各ブレード間を光信号で接続する。

２ファイバＢＬＳＲを用いると、図２１に示すように主信号ブレード６２_１〜６２_４のうち６２_４が抜去された場合や、図２２に示すように主信号ブレード６２_３，６２_４間のバックプレーン６６に異常（断線・伝送路障害など）があった場合に、ＳＯＮＥＴプロトコルによって高速切替えが可能なブリッジ処理やスイッチ処理によって、現在使用している信号の流れを保持するための管理機能を有しているためである。

なお、図２０において、主信号ブレード６２_１〜６２_４のうち例えば主信号ブレード６２_４に２ファイバＢＬＳＲ８４とは別の２ファイバＢＬＳＲを接続し、主信号ブレード６２_４で２つのＢＬＳＲを接続する構成としても良い。

図２３に、バックプレーン６６内の２ファイバＢＬＳＲ８４でのアッド／ドロップ／スルー動作を示す。主信号ブレード６２_１内のＸＳ＿ＬＳＩでアッド処理を行い、主信号ブレード６２_２内のＸＳ＿ＬＳＩではアッド処理と他の主信号ブレードから供給される信号のスルー処理を行い、主信号ブレード６２_３内のＸＳ＿ＬＳＩでドロップ処理を行う。

全体で１０Ｇｂｐｓの容量があるバックプレーン６６において、２ファイバＢＬＳＲでは、現用５Ｇｂｐｓ、予備５Ｇｂｐｓとなる。

図２４（Ａ）では主信号ブレード６２_１〜６２_４全体で現用５Ｇｂｐｓのスイッチングするものであるが、図２４（Ａ）ではバイパスブレード７４を使用することにより、主信号ブレード６２_１，６２_２間で現用５Ｇｂｐｓのスイッチングを行い、主信号ブレード６２_３，６２_４間で現用５Ｇｂｐｓのスイッチングを行うことで、帯域を有効に利用することが可能となる。

図２５は、本発明で用いられる主信号ブレードの他の実施形態のブロック図を示す。同図中、主信号ブレード（ＳＯＮＥＴブレード）の小型基板９０上には、外部からの光信号を収容するためのＯＣ−ｎ＿ＳＦＰ光トランシーバ９１と、低速のサービス信号を収容するＬＳ＿ＬＳＩ９２と、信号のクロスコネクトを行うＸＣ＿ＬＳＩ９３と、高速のネットワーク信号を収容するＨＳ＿ＬＳＩ９４と、装置内部の制御を行うＣＰＵ９５を搭載する。

バックプレーン９６は光導波路と光学デバイスで構成される光バックプレーンである。更に、小型基板９０上には光シートコネクタを内蔵し複数の光信号を入出力する多波長用ＶＣＳＥＬモジュール９７と、多波長用ＶＣＳＥＬモジュール９７から供給される複数の光信号を波長多重し、バックプレーン９６からの波長多重信号の波長分離する波長多重分離モジュール９８が搭載されている。また、小型基板９０上には電源や他のブレードとの通信用のシートコネクタ（ＣＮ）９９が備えられている。

本発明によれば、ブレードエンクロージャの高さは３Ｕサイズで最大１６枚のＳＯＮＥＴブレードを装着できる。例えば、高さが４２Ｕサイズのラックなら２２４枚のＳＯＮＥＴブレードを装着できる。これに対して高さ１４Ｕサイズのシェルフ型ＳＯＮＥＴ装置だと３台しか装置が搭載できず、装着できるＳＯＮＥＴユニットも全部で３０台（３×１０）しか搭載できない。また１Ｕサイズの横置き装置でも４２台しか搭載できないため、桁違いに超高密度実装が可能となる。

また、小型化の鍵となるバックプレーンはブレード間を接続する信号数を減らすためにリング構成とし、ＳＯＮＥＴシステムで実績のあるＢＬＳＲ方式を採用し、バックプレーンは光信号で接続する。

また、必要な回線収容数に応じて装着する主信号ブレードの数を最適化できるため、導入初期のコストを大幅に抑えることができる。また、バイパスブレードにより、バックプレーンをパーティションすることによりエンクロージャ内でフレキシブルに装置構成を組むことができる。このようにして、システムの容量を拡大することが可能となり、システムの小型化と、拡張性・将来性の向上に寄与することができる。

なお、主信号ブレードに、バックプレーンのリングをブレード内で分割する機能、バックプレーンから入出力される主信号をブレード内でスルー接続する機能、バックプレーンから入出力される主信号を増幅する機能を設けても良い。また、主信号ブレードに、バックプレーンから入出力される主信号を他のブレード型光伝送装置のバックプレーンに入出力する機能を設けても良い。

なお、ＬＳ＿ＬＳＩが請求項記載の外部光信号インタフェース部に対応し、ＸＣ＿ＬＳＩがクロスコネクト部に対応し、ＨＳ＿ＬＳＩが内部光信号インタフェース部に対応する。
（付記１）
外部光信号インタフェース部と、クロスコネクト部と、内部光信号インタフェースを搭載した複数の主信号ブレードと、
前記複数の主信号ブレードが装着されるブレードエンクロージャと、
前記ブレードエンクロージャ内で前記複数の主信号ブレードの内部光信号インタフェースをリング状に接続するバックプレーンを
有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記２）
付記１記載のブレード型光伝送装置において、
前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンのリングをブレード内で分割するバイパスブレードを
有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記３）
付記１または２記載のブレード型光伝送装置において、
前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号をブレード内でスルー接続するスルーブレードを
有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記４）
付記１乃至３のいずれか記載のブレード型光伝送装置において、
前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号を増幅するパワーブレードを
有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記５）
付記１乃至４のいずれか記載のブレード型光伝送装置において、
前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号を他のブレード型光伝送装置のバックプレーンに入出力するジョイントブレードを
有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記６）
付記１または２記載のブレード型光伝送装置において、
前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置にブレードが装着されていないとき、前記バックプレーン内で主信号をスルー接続することを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記７）
付記１乃至６のいずれか記載のブレード型光伝送装置において、
前記バックプレーンを伝送する信号は光信号であることを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記８）
付記１乃至６のいずれか記載のブレード型光伝送装置において、
前記バックプレーンを伝送する信号は電気信号であることを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記９）
付記７記載のブレード型光伝送装置において、
前記バックプレーンは２ファイバＢＬＳＲ構成であることを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記１０）
付記９記載のブレード型光伝送装置において、
前記バックプレーンは複数の２ファイバＢＬＳＲ構成であることを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記１１）
付記７記載のブレード型光伝送装置において、
前記バックプレーンを伝送する信号は波長多重光信号であることを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記１２）
付記１記載のブレード型光伝送装置において、
前記主信号ブレードは、前記バックプレーンのリングをブレード内で分割する機能、前記バックプレーンから入出力される主信号をブレード内でスルー接続する機能、前記バックプレーンから入出力される主信号を増幅する機能のいずれかを有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
（付記１３）
付記１記載のブレード型光伝送装置において、
前記主信号ブレードは、前記バックプレーンから入出力される主信号を他のブレード型光伝送装置のバックプレーンに入出力する機能を有することを特徴とするブレード型光伝送装置。

従来の分割シェルフタイプの光伝送装置の構成図である。 従来のメトロ系の単一シェルフ型の光伝送装置の構成図である。 従来のメトロ系の単一シェルフ型の光伝送装置のブロック図である。 本発明のブレード型光伝送装置の原理説明図である。 本発明のブレード型光伝送装置を用いた伝送システムの構成図である。 本発明のブレード型光伝送装置の動作を説明するための構成図である。 リングの分割を説明するための構成図である。 リングの分割を説明するための構成図である。 スルーブレードとパワーブレードを装着したブレード型光伝送装置の構成図である。 リングの拡張を説明するための構成図である。 主信号ブレードの一実施形態のブロック図である。 バイパスブレードの一実施形態のブロック図である。 本発明のブレード型光伝送装置の一実施形態の外観図である。 本発明のブレード型光伝送装置の一実施形態のブロック図である。 本発明のブレード型光伝送装置のアッド／ドロップ動作を説明するための図である。 バイパスブレードでバックボードを分割した実施形態について説明するための図である。 光バイパスコネクタを説明するための図である。 電気バイパスコネクタを説明するための図である。 バイパスコネクタを用いたブレード型光伝送装置の構成図である。 ２ファイバＢＬＳＲを用いたブレード型光伝送装置を説明するための図である。 ２ファイバＢＬＳＲを用いたブレード型光伝送装置を説明するための図である。 ２ファイバＢＬＳＲを用いたブレード型光伝送装置を説明するための図である。 ２ファイバＢＬＳＲを用いたブレード型光伝送装置のアッド／ドロップ／スルー動作を説明するための図である。 ２ファイバＢＬＳＲを用いたブレード型光伝送装置を説明するための図である。 主信号ブレードの他の実施形態のブロック図である。

符号の説明

１０〜１４，６２_２〜６２_１７ 主信号ブレード
１５，６６ バックプレーン
１６，６４ ブレードエンクロージャ
３０ バイパスブレード
３１，３２ スルーブレード
３３ パワーブレード
４２，４３ ジョイントブレード
６２_１，６２_１８ ＣＰＵブレード
６７ ＳＹＮＣモジュール
６８ Ｉ／Ｏポート
６９ａ〜６９ｃ ＦＡＮ
７０ａ〜７０ｅ 電源ユニット

Claims (5)

1. 外部光信号インタフェース部と、クロスコネクト部と、内部光信号インタフェースを搭載した複数の主信号ブレードと、
   前記複数の主信号ブレードが装着されるブレードエンクロージャと、
   前記ブレードエンクロージャ内で前記複数の主信号ブレードの内部光信号インタフェースをリング状に接続するバックプレーンを
   有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
2. 請求項１記載のブレード型光伝送装置において、
   前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンのリングをブレード内で分割するバイパスブレードを
   有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
3. 請求項１または２記載のブレード型光伝送装置において、
   前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号をブレード内でスルー接続するスルーブレードを
   有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか記載のブレード型光伝送装置において、
   前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号を増幅するパワーブレードを
   有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか記載のブレード型光伝送装置において、
   前記ブレードエンクロージャのブレード装着位置に装着されて、前記バックプレーンから入出力される主信号を他のブレード型光伝送装置のバックプレーンに入出力するジョイントブレードを
   有することを特徴とするブレード型光伝送装置。
   

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