JP2005222682A - 半導体メモリ装置、並びに、この装置のデータ書込み及び読出し方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この装置は、データを保存するメモリセルアレイ、書込み制御信号に応答してメモリセルアレイにデータを出力するデータ入力部、読出し制御信号に応答してメモリセルアレイから出力されるデータを出力するデータ出力部、書込み制御信号に応答してデータ入力部から出力されるデータをメモリセルアレイに転送し、読出し制御信号に応答してメモリセルアレイから出力されるデータをデータ出力部に転送するデータ入出力ゲート、及び読出し制御信号、読出し制御信号の最小サイクルタイムよりも小さい最小サイクルタイムを有する書込み制御信号を発生するデータ入出力制御部で構成されている。従って、動作周波数の範囲内の低い周波数で、本発明の半導体メモリ装置に比べて低い動作周波数を有する装置よりも動作性能が悪くなる問題点を改善することができる。
【選択図】 図1
Description
12:カラムアドレス入力バッファ
14:命令語デコーダ
16:データ入出力制御部
18:データ入力バッファ
20:データ入力回路
22:データ出力バッファ
24:データ出力回路
26:ロウデコーダ
28:カラムデコーダ
30:カラム選択ゲート
100:メモリセルアレイ
Claims (18)
- データを保存するメモリセルアレイと、
書込み制御信号に応答して前記メモリセルアレイにデータを出力するデータ入力部と、
読出し制御信号に応答して前記メモリセルアレイから出力されるデータを出力するデータ出力部と、
前記書込み制御信号に応答して前記データ入力部から出力されるデータを前記メモリセルアレイに転送し、前記読出し制御信号に応答して前記メモリセルアレイから出力されるデータを前記データ出力部に転送するデータ入出力ゲートと、
前記読出し制御信号、前記読出し制御信号の最小サイクルタイムより小さい最小サイクルタイムを有する前記書込み制御信号を発生するデータ入出力制御部と、
を具備することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記データ入出力制御部は、
前記書込み及び読出し制御信号を組み合わせてカラム選択制御信号を発生することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記データ入出力ゲートは、
前記カラム選択制御信号に応答して前記データ入力部から出力されるデータを前記メモリセルアレイに転送し、前記メモリセルアレイから出力されるデータを前記データ出力部に出力することを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
カラムアドレスをデコーディングしてカラム選択信号を発生し、前記カラム選択制御信号に応答して前記カラム選択信号の最小カラム選択サイクルタイムが制御されるカラムデコーダをさらに具備することを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
外部から直列に入力されるデータのビット数が外部に直列に出力されるデータのビット数より小さいことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記データ入力部は、
前記直列で入力されるデータを並列に変換して、前記書込み制御信号に応答して前記並列に変換されたデータを前記メモリセルアレイに出力することを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 前記データ出力部は、
前記メモリセルアレイから並列に出力されるデータを直列に変換して、前記読出し制御信号に応答して前記直列に変換されたデータを出力することを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
前記データ入力部から出力される前記並列に変換されたデータのビット数が前記メモリセルアレイから並列に出力されるデータのビット数より小さいことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
動作可能周波数範囲内における低い周波数範囲で動作することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記読出し制御信号の最小サイクルタイムがn(nは、少なくとも2以上の整数)クロックサイクルであり、
前記書込み制御信号の最小サイクルタイムがn/2クロックサイクルであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 読出し制御信号及び前記読出し制御信号の最小サイクルタイムより小さい最小サイクルタイムを有する書込み制御信号を発生する制御信号発生段階と、
前記書込み制御信号に応答して入力データをメモリセルアレイに転送し、前記読出し制御信号に応答して前記メモリセルアレイから出力されるデータを出力データに出力するデータ書込み及び読出し段階と、
を具備することを特徴とする半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。 - 前記制御信号発生段階は、
前記書込み及び読出し制御信号を組み合わせてカラム選択制御信号を発生することを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。 - 前記データ書込み及び読出し段階は、
前記カラム選択制御信号に応答して前記入力データを前記メモリセルアレイに転送し、前記メモリセルアレイから出力されるデータを出力することを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。 - 前記データ書込み及び読出し方法は、
カラムアドレスをデコーディングしてカラム選択信号を発生し、前記カラム選択制御信号に応答して前記カラム選択信号の最小カラム選択サイクルタイムが制御される段階をさらに具備することを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。 - 前記データ書込み及び読出し段階は、
外部から直列に入力されるデータのビット数が外部に直列に出力されるデータのビット数より小さいことを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。 - 前記データ書込み及び読出し段階は、
前記外部から直列に入力されるデータを並列に変換し、前記書込み制御信号に応答して前記並列に変換されたデータを前記入力データに出力する段階と、
並列に出力される前記出力データを直列に変換し、前記読出し制御信号に応答して前記変換されたデータを直列に出力する段階と、
を具備することを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。 - 前記データ書込み及び読出し方法は、
動作可能周波数範囲内における低い周波数範囲で動作することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。 - 前記読出し制御信号の最小サイクルタイムがn(nは、少なくとも 2以上の整数)クロックサイクルであり、
前記書込み制御信号の最小サイクルタイムがn/2クロックサイクルであることを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置のデータ書込み及び読出し方法。
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