JP2005217359A - 回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器 - Google Patents

回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2005217359A
JP2005217359A JP2004025445A JP2004025445A JP2005217359A JP 2005217359 A JP2005217359 A JP 2005217359A JP 2004025445 A JP2004025445 A JP 2004025445A JP 2004025445 A JP2004025445 A JP 2004025445A JP 2005217359 A JP2005217359 A JP 2005217359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
liquid material
manufacturing
thin film
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004025445A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4848617B2 (ja
Inventor
Takeo Kawase
健夫 川瀬
Soichi Moriya
壮一 守谷
Mitsuaki Harada
光明 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004025445A priority Critical patent/JP4848617B2/ja
Publication of JP2005217359A publication Critical patent/JP2005217359A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4848617B2 publication Critical patent/JP4848617B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】 インクジェット法で溶液・分散液を塗布・印刷したとき、再現性良く安定した印刷パターンが得られること、下地層に対する塗布材料の密着性の向上、及び当該材料インクによって形成された配線の断線防止を実現し、安価、低温、低エネルギで回路基板を製造する製造方法、及び当該製造方法によって製造された回路基板、薄膜トランジスタを提供することを目的とする。また、回路基板を備えた電気光学装置、及び当該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 液体材料からなる接続手段によって、第1の被接続対象34、34a及び第2の被接続対象32、35を接続して回路基板を製造する方法であって、第1又は第2の被接続対象の表面に、液体材料に可溶で、且つ絶縁性を有する機能性薄膜33を形成し、液体材料を機能性薄膜33に滴下し、当該機能性薄膜33を溶かすことによって第1及び第2の被接続対象を接続することを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器に関する。
近年、真空蒸着と、フォトリソグラフィ技術と、エッチング技術を組み合わせることにより、有機トランジスタの製造方法が提案されている。このような製造方法においては、真空蒸着で形成した金属膜をフォトリソグラフィ技術で加工し、ゲート電極、ソース・ドレイン電極を作製し、絶縁層、有機半導体層も真空蒸着で薄膜形成することにより行われる(例えば、特許文献1参照。)。当該製造方法を用いることにより、性能が高い有機トランジスタの素子を良好な再現性で作製することが可能である。しかしながら、当該特許文献1に記載されている技術は、真空装置が必要となるために、製造コストが高くなり、低コストで有機トランジスタを製造できない。
最近では、溶液プロセスを用いることにより、大気圧下でゲート電極、ソース・ドレイン電極、絶縁層、有機半導体層の全てを製造することが試みられている(例えば、特許文献2、3参照。)。このような製造方法においては、例えば、導電性のポリマーの溶液をインクジェット(液滴吐出)法で印刷し、ゲート電極、ソース・ドレイン電極を作製している。そのため、低コストでデバイスを作製することが可能になる。
特開平5−55568号公報 特表2003−518756号公報 特表2003−518754号公報
しかしながら、上記特許文献2、3に示すインクジェット法においては、十分な高速で描画が可能な線幅は10μm以上であり、フォトリソグラフィの解像度には遥か及ばない。そのため、全ての電極や他の導電部をインクジェット法で作製すると、配線幅が太くなってしまい、集積度を上げることが困難になるという問題があった。
ゲート電極が絶縁層上に設けられたトップゲート構造においては、ゲート電極や、電極間を接続する配線を絶縁層上に形成する必要がある。これらの電極や配線をインクジェット法で形成しようとしても、有機トランジスタを構成する絶縁層の表面は、必ずしも導電材料をインクジェット法で塗布するのに適した特性を有していない。例えば、非極性の高分子を有機溶媒に溶解させた溶液や、当該高分子を分散させた分散液を塗布することにより、絶縁層を形成すると、絶縁層の表面は疎水性になる。この上に水を溶媒、或いは分散媒とするインク滴を塗布した場合、インク滴の濡れ性が低すぎて、連続線のパターンを印刷するのが困難であるという問題があった。また、このような絶縁層上に材料インクを用いてゲート電極を形成した場合には、材料インクが弾かれてしまい、ゲート電極とソース・ドレイン電極との位置がずれて印刷されてしまい、好適なスイッチング性能が得られないという問題があった。更に、印刷された導電層と下地の絶縁層との密着性が不十分であるという問題もあった。
また、有機トランジスタを駆動させるドライバ等の周辺回路は、フレキシブルプリント基板(Flexible Printed Circuit、以下FPCと略記する)に形成されるのが一般的である。このようなFPCにおいては、有機トランジスタの各種電極の配線と周辺回路とを確実に接続する必要がある。しかしながら、FPCとの接続部近傍には、絶縁層の膜厚に起因する凹凸部や段差部があるために、例えばゲート電極配線をFPCに接続する場合には、当該凹凸部や段差部を跨って接続しなければならず、ゲート電極配線が断線してしまうという問題がある。更に、ゲート電極配線と被接続対象との密着性が不十分となり非導通状態になるという問題がある。
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、インクジェット法で溶液・分散液を塗布・印刷したとき、再現性良く安定した印刷パターンが得られること、下地層に対する塗布材料の密着性の向上、及び当該材料インクによって形成された配線の断線防止を実現し、安価、低温、低エネルギで回路基板を製造する製造方法、及び当該製造方法によって製造された回路基板を提供することを目的とする。また、当該回路基板を備えた電気光学装置、及び当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の回路基板の製造方法は、液体材料からなる接続手段によって、第1の被接続対象及び第2の被接続対象を接続して回路基板を製造する方法であって、前記第1又は前記第2の被接続対象の表面に、前記液体材料に可溶で、且つ絶縁性を有する機能性薄膜を形成し、前記液体材料を前記機能性薄膜に滴下し、当該機能性薄膜を溶かすことによって前記第1及び前記第2の被接続対象を接続することを特徴としている。
ここで、本発明の製造方法は、インクジェット法等の液滴吐出法を用いることにより、液体材料を塗布(吐出)して所定のパターンを形成し、ゲート電極及びソース・ドレイン電極を含むスイッチング素子の形成や、回路基板の周辺回路との接続を達成するものである。また、このような液滴吐出法においては、第1の被接続対象又は第2の被接続対象のいずれか一方の表面に機能性薄膜を形成し、他方を液体材料に含有させた後に、機能性薄膜に対して液体材料を塗布している。以下の説明では、第1の被接続対象の材料を液体材料に含有させ、第2の被接続対象の表面に機能性薄膜を形成し、液体材料の塗布によって第1の被接続対象と第2の被接続対象を接続させている。
また、上記の製造方法においては、回路基板は、例えば薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を備えた薄膜トランジスタ基板や、所定パターンの配線が形成されたプリント基板等を含み、ディスプレイ、半導体デバイス等に用いられる基板である。
また、機能性薄膜は、液体材料と接触することによって溶解する性質を有しており、また、被接続対象に対する液体材料の濡れ性や接触角を所望に調整し、液体材料を保持する機能を有している。
このようにすれば、第1の被接続対象の材料を含有する液体材料が機能性薄膜上に塗布されることによって、当該液体材料が塗布された部分の機能性薄膜が局所的に溶解する。そして、機能性薄膜の溶解が第2の被接続対象の表面まで達したところで、第1の被接続対象は第2の被接続対象に固着して接続される。ここで、機能性薄膜は、液体の濡れ性や接触角を調整する機能を有しているので、液体材料を所定のパターンで高精度に接続することができる。従って、第2の被接続対象が液体材料に対する撥液性を有していたとしても、第2の被接続対象の表面に機能性薄膜が形成されているので、液体材料が弾かれることがなく、連続線のパターンを容易に形成することができる。
ここで、例えば、ゲート電極やソース・ドレイン電極の材料を含有する液体材料を塗布した場合には、液体材料が弾かれることがないので、ゲート電極とソース・ドレイン電極との位置がずれて塗布されることがなく、高精度に印刷することができ、好適なスイッチング性能を有するスイッチング素子を形成することができる。また、液体材料と第2の被接続対象の密着性が不十分であっても、機能性薄膜が液体材料を保持し、液体材料に含まれる第1の被接続対象を固着させるので、当該第1の被接続対象と第2の被接続対象の密着性を補完することができる。
従って、液体材料を用いた回路基板の製造方法において、高精度かつ確実な接続を達成できるので、従来のようなフォトリソ工程が不要になり、低コスト、低温、低エネルギで回路基板を製造することができる。特に、フレキシブルなデバイスを製造するのに好適である。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記第1及び前記第2の被接続対象の接続経路は、段差又は突起を有していることを特徴としている。
このように、接続経路が段差又は突起を有していると、第1及び第2の被接続対象は段差又は突起を介して接続される。そして、上記のように機能性薄膜が第2の被接続対象の表面に形成されているので、段差又は突起において機能性薄膜が第1の被接続対象と第2の被接続対象の接続状態を保持する。従って、段差又は突起においても第1の被接続対象と第2の被接続対象を確実に接続することができる。
ここで、例えば、有機トランジスタの各種電極と周辺回路とを段差や突起を介して接続する場合には、機能性薄膜を段差部に形成することによって、段差部に塗布された液体材料が機能性薄膜によって保持されて固着し、第1の被接続対象の連続線を形成することができ、断線を防止することができる。また、液体材料に含有された第1の被接続対象と第2の被接続対象の密着性が補完されるので、確実に導通させることができる。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記液体材料は水を含むことを特徴としている。
ここで、機能性薄膜は、水系の液体材料に対して溶解性を有すると共に、接触角を規定する性質を有することが好ましい。
また、水は、一般的に大きな表面張力を有しているので、比較的細い線を印刷する場合に適した液体である。
このようにすれば、第1の被接続対象を水に含有させた液体材料を機能性薄膜上に塗布することにより、機能性薄膜が局所的に溶解する。そして、液体材料が第2の被接続対象の表面まで達したところで、液体材料に含まれる第1の被接続対象は第2の被接続対象に固着して接続される。従って、先に記載の効果を奏すると共に、微細な線を容易に形成することができる。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記機能性薄膜は前記液体材料に対して接触角を規定することを特徴としている。
このようにすれば、液体材料を塗布することにより、機能性薄膜が局所的に溶解する。そして、液体材料が第2の被接続対象の表面まで達したところで、液体材料に含まれる第1の被接続対象は第2の被接続対象に固着して接続される。ここで、機能性薄膜が液体材料に対して接触角を規定するので、第1の被接続対象と第2の被接続対象を所定の線幅で接続することができる。また、液体材料を微細に塗布することにより、第1の被接続対象及び第2の被接続対象の接続によって形成されたパターンの微細化を図ることができる。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記液体材料はアルコールを含むことを特徴としている。
上記のように、水は大きな表面張力を有するので解像度の高い印刷に好適な溶媒であり、適度な沸点、安全性を有するのでインクジェット法で吐出するのに適した液体である。しかし一方、表面張力が高すぎて、インクジェットヘッドの液滴吐出の不安定化や、乾燥速度が速すぎてインクジェットヘッドのノズルの目詰まりを招く場合がある。或いは、液滴を塗布した下地表面との撥液性が高すぎて、液滴が表面を流れて、液滴どうしが一体になって大きな液滴に形状変化を起こすことがある。これらの挙動を改善するために、表面張力を低下させる、水に可溶な溶媒としてアルコールを採用することが有効である。
従って、液体材料がアルコールを含有することにより、インクジェット法における液滴吐出状態の安定化を図ることができる。また、インクジェットヘッドを用いて液体材料を塗布する場合に、液体材料の乾燥に起因するインクジェットヘッドのノズルの目詰まりを防止できる。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記アルコールは多価アルコールを含むことを特徴としている。
このようにすれば、液体材料に多価アルコールが含まれることにより、液体材料の沸点が高くなる。従って、液体材料が乾燥し難くなるので、乾燥時間が十分に確保される。このような多価アルコールを含む液体材料を機能性薄膜上に塗布すると、当該液体材料は短時間で乾燥することなく、機能性薄膜を溶解し、確実に第2の被接続対象まで到達させることができる。そして、第2の被接続対象まで到達した後に液体材料を乾燥させることができ、第1の被接続対象と第2の被接続対象を確実に接続することができる。また、特に、液体材料に対して機能性薄膜が溶けにくい場合には、液体材料の乾燥を抑える必要があるので、上記のように多価アルコールを用いることが有効である。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記液体材料は複数の溶媒を含み、前記複数の溶媒のうち、少なくとも一の溶媒が前記機能性薄膜に対して可溶性を有することを特徴としている。
このように、複数の溶媒が混合された液体材料の中に機能性薄膜に対して可溶性を有する溶媒が含まれているので、当該液体材料を機能性薄膜上に塗布することによって機能性薄膜が局所的に溶解する。従って、第1の被接続対象の材料を含む液体材料が第2の被接続対象に到達することで、第1の被接続対象と第2の被接続対象を確実に接続することができ、先に記載した同様の効果が得られる。
なお、ここで言う一の溶媒は、機能性薄膜の材料の種類により異なることを意味している。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記一の溶媒は、他の溶媒より高沸点であることを特徴としている。
このように一の溶媒が他の溶媒よりも高沸点であるので、当該一の溶媒は乾燥し難くなり、乾燥時間が十分に確保される。このような一の溶媒を含む液体材料を機能性薄膜上に塗布すると、一の溶媒を除く他の溶媒が先に乾燥しても、一の溶媒が短時間で乾燥することないので、機能性薄膜を溶解し、確実に第2の被接続対象まで到達させることができる。そして、第2の被接続対象まで到達した後に一の溶媒を乾燥させることができ、第1の被接続対象と第2の被接続対象を確実に接続することができる。また、特に、液体材料に対して機能性薄膜が溶けにくい場合には、一の溶媒の乾燥を抑える必要があるので、一の溶媒が他の溶媒よりも高沸点であることが有効である。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記第1又は前記第2の被接続対象は前記液体材料に対して非溶解性であることを特徴としている。
このようにすれば、液体材料の塗布によって機能性薄膜が溶解し、当該液体材料が第2の被接続対象に達したとしても、第2の被接続対象が液体材料に対して非溶解性であるので、当該第2の被接続対象の表面において液体材料を確実に保持することができる。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記第1及び前記第2の被接続対象の材料は異なることを特徴としている。
このようにすれば、第1及び第2の被接続対象の材料が異なっていたとしても、上記のように液滴吐出法を用いて第1及び第2の被接続対象を接続することができる。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記第1の被接続対象は導電性を有することを特徴としている。
このようにすれば、液体材料の塗布によって、導電性を有する第1の被接続対象と、第2の被接続対象とを確実に接続することができる。
また、前記回路基板の製造方法においては、前記第2の被接続対象は絶縁性を有することを特徴としている。
このようにすれば、液体材料の塗布によって、第1の被接続対象と、絶縁性を有する第2の被接続対象とを確実に接続することができる。
また、本発明の回路基板は、先に記載の製造方法によって製造されたことを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の同様の効果を奏する。
また、本発明の薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜が先に記載の第2の被接続対象であることを特徴としている。
このようにすれば、第1の被接続対象とゲート絶縁膜とを確実に接続することができる。
また、本発明の薄膜トランジスタは、半導体層が有機材料からなることを特徴としている。
このようにすれば、半導体層を湿式成膜法によって塗布成膜することができる。従って、有機薄膜トランジスタを容易に形成することができる。また、湿式成膜法としては、所定パターンの形成が容易に可能である液滴吐出法を採用することが好ましい。
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の回路基板と、当該回路基板に対向配置された対向基板と、前記回路基板と前記対向基板の間に設けられた電気光学層と、を具備することを特徴としている。
このようにすれば、低コスト、低温、低エネルギで製造された電気光学装置となる。また、フレキシブルな電気光学装置を提供できる。
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えることを特徴としている。
このようにすれば、低コスト、低温、低エネルギで製造された電子機器となる。また、フレキシブルな電子機器を提供することができる。
次に、図1〜図6を参照し、本発明の回路基板の製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器について説明する。
本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
図1は、本発明の回路基板の製造方法によって製造された回路基板の要部を示す断面図であって、符号10aは回路基板10上に形成された有機トランジスタを示しており、符号10bは回路基板10の外周に形成された端子部を示している。
本実施形態における有機トランジスタの構成としては、トップゲート構造を採用している。即ち、基板上に、ソース・ドレイン電極が形成され、その上に半導体層、絶縁層(ゲート絶縁膜)、そしてゲート電極とを順次積層した構成となっている。なお、本実施形態は、トップゲート構造を限定するものではなく、ボトムゲート構造であっても適用可能である。
(回路基板)
まず、図1を参照し、回路基板の構成について説明する。
回路基板10は、基板20上に形成された有機トランジスタ10aや端子部10bによって構成されている。
基板20は、透明性、非透過性に限定することなく、各種材料によって構成されている。本実施形態では、特に可撓性に優れた所謂フレキシブル基板として、プラスチック基板を採用する。
有機トランジスタ10aは、ソース・ドレイン電極30と、半導体層31と、絶縁層(第2の被接続対象)32と、受容層(機能性薄膜)33と、ゲート電極(第1の被接続対象)34とが積層された構成となっている。
端子部10bは、外部端子(第2の被接続対象)35と、絶縁層32と、受容層33と、ゲート線(第1の被接続対象)34aとによって構成されている。また、端子部10bにおいては、絶縁層32が段差部(段差又は突起)32aを有している。そして、当該段差部32aに沿うように、絶縁層32の表面から外部端子35の表面を覆って、ゲート線34aが形成されている。従って、ゲート線34aによって、ゲート電極34と外部端子35とが電気的に接続されている。
(回路基板の製造方法)
次に、図2を参照し、回路基板10の製造方法を説明すると共に、回路基板10の各構成要素について説明する。なお、図2は、回路基板10の製造方法の工程図であって、図1に示す断面図と対応しており、符号10aは回路基板10上に形成された有機トランジスタ、符号10bは回路基板10の外周に形成された端子部をそれぞれ示している。
(ソース・ドレイン電極)
まず、図2(a)に示すように、プラスチック基板20上に金を蒸着することによって、ソース・ドレイン電極30を形成する。プラスチック基板20を脱ガス後、真空装置に導入して、クロム(又はチタン)を1〜20nm蒸着、又はスパッタリングする。続いて、金30〜300nm蒸着(スパッタリング)する。更に、フォトレジストをコートして、フォトマスクを密着させて露光する。更に、フォトレジストを現像して、露光部のフォトレジストを除去した後に、ウエットエッチングする。これによって、ソース・ドレイン電極30のパターンを得る。作製したトランジスタのサイズは代表的にはチャネル長20μm、チャネル幅1mmとなる。
(半導体層)
次に、ソース・ドレイン電極30を跨ぐように、半導体層31を形成する。
ソース・ドレイン電極30が形成された基板20を水、有機溶剤で洗浄し、酸素プラズマで表面処理を施す。このようなプラズマ処理においては、チャンバ内にプラズマを生成させた状態で真空ポンプによって減圧し、酸素、窒素、アルゴン、水素、等のガスを導入して行うことが標準的な方法である。ただし、減圧する代わりに、大気圧プラズマを利用すれば、真空排気系が不要になる。このような酸素プラズマ処理によって、金属電極表面の有機物による汚れを除去することができる。こうすることで、ソース・ドレイン電極と半導体とのコンタクト抵抗を低くすることができる。
次に、酸素プラズマ処理が施された後に、インクジェット法(液滴吐出法)に代表される液相プロセスによって半導体層31を形成する。
半導体層31としてはフルオレンとビチオフェンとのコポリマーを用いる。これは共役性高分子であり、半導体の特性を示す。そして、トルエン、又はキシレン、トリメチルベンゼンなどの有機溶媒を用いて溶解することができる。この共役性高分子のトルエン、又はキシレン、トリメチルベンゼン溶液をインクジェットヘッドにより、ノズルから直径が10〜50mの液滴として吐出して、ソース・ドレイン電極30を跨ぐように局所的に塗布し、60〜80℃で乾燥させた。そして、半導体層31の膜厚は10〜150nm程度が得られるように調整した。溶媒や高分子の濃度によって、半導体層31の膜厚を調整することができる。上記の溶媒を使った場合では、0.5〜3%wt/volの濃度に調整することで上記の膜厚を得ることが可能である。
また、半導体層31の材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を用いるのが好ましい。
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、フルオレン−ビチオフェン共重合体、或いは、ポリアリールアミンを用いるのが特に好ましい。
(絶縁層)
次に、絶縁性のポリマーをスピンコートで塗布し、絶縁層32を形成する。ポリマーとしては、PMMA(ポリメチルメタアクリレート)を始めとするアクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポレオレフィン類、ポリイミド、フッ素系樹脂等を使うことができる。本実施形態では、PMMAを採用し、500nmの膜厚になるように調整した。ここで、スピンコートで塗布する前に、樹脂製の粘着テープを用いて端子部10bを予め被覆(マスキング)しておく。そして、スピンコートの後に、粘着テープを剥がすことによって、端子部10bには、絶縁層32が非形成となり、外部端子35が露出状態となる。このように粘着テープを剥がすことによって、端子部10bには絶縁層32の側壁が露出した段差部32aが形成される。
ここで、絶縁層32を溶液の塗布によって作製する場合、絶縁層32の溶液の溶媒が、半導体層31や基板20を膨潤させたり、溶解させたりしないことが必要である。半導体層31自体が溶媒に可溶である場合は特に注意が必要である。半導体層31が芳香環を含む共役性分子、又は、共役性高分子であるため芳香系炭化水素には溶けやすい。従って、絶縁層32の塗布には芳香系炭化水素以外の炭化水素、或いは、ケトン系、エーテル系、エステル系の有機溶媒を使うことが望ましい。
また、絶縁層32は、後述するゲート電極34の液体材料34bに対して非溶解性の特性を有していることが好ましい。
なお、本実施形態においては、外部端子35を露出させるために粘着テープによるマスキングを用いたが、他の方法も使うことができる。例えば、スピンコートで絶縁層32を形成する代わりにインクジェット法で局所的に塗布することができる。つまり、絶縁層材料を溶解した溶液をインクジェットヘッドに導き、ノズルから液滴として吐出して、絶縁層を必要な場所のみに塗布する。インクジェットでは20〜100ミクロンのパターンを印刷できるため、各薄膜トランジスタに独立した絶縁層を形成できる。
また、インクジェット法を用いる別の方法として、スピンコートで全面形成された絶縁層に対してインクジェット法で溶剤を滴下し絶縁層32を部分的に除去することが可能である。この場合、外部端子35の一部に穴が開くように溶剤を滴下する。滴下された溶剤は絶縁層32を溶かした後、再び乾燥する。このときいったん溶剤に溶けた絶縁層材料は、溶剤の液滴の周辺部に再析出するため、中央付近に穴が開く。一回の液滴で穴が外部端子35まで貫通しない場合は、同じ場所で、溶剤滴下・乾燥を繰り返すことによって、穴の底が外部端子35に達する。
また、インクジェット法で外部端子35上に位置合わせして溶剤を滴下する代りに、溶剤をスプレー状に散布して絶縁層32を除去する方法も有効である。インクジェット法よりも簡便な装置で、高い生産性を得ることができる。液滴が散布される領域を限定するために、スプレーノズルとデバイスとの間に、スリット状の絞りを挿入するとよい。
また、針状の工具を使い、ポリマー絶縁層32に孔を開ける方法も同じく有効である。絶縁層32が高分子で、基板20がガラスで外部端子35が金属で形成されている場合は、特に容易に穴を形成できる。つまり、絶縁層32は基板20や外部端子35に比べて柔らかいため,金属製の触針で絶縁層32を貫通させたり、スクラッチすることによって絶縁層32を部分的に剥離することが可能である。この際の触針の圧力は、下地が硬質材料であるため、触針自身を損傷しない程度に制御されれば良い。一方、基板20がプラスチック基板の場合、触針が外部端子35を貫通しない程度の力に制御されなくてはならない。外部端子35の厚さが十分厚い(200nm以上)と、触針の制御は容易になる。そのため外部端子35部のみ、金属層の膜厚を大きくすることは有効である。この目的に最も適した方法は、無電解メッキまたは電解メッキである。外部端子35のみ露出させて、メッキしたり、外部端子35のみメッキ液に浸漬することによって、部分的に金属層の膜厚を大きくすることができる。
更に、スピンコートで全面形成された絶縁層32に対してプラズマに曝して絶縁層32を除去する方法を使うこともできる。絶縁層32が本実施例で記述するような高分子で形成されている場合は、酸素ガス中でのプラズマ、或いは酸素とCF4との混合ガス中でのプラズマ中にデバイスを置くことによって、絶縁層32を除去することができる。ただし、この場合、端子部10bのみを部分的に除去する必要があるため、他の部分はマスクする必要がある。金属製の板状のマスクで有機トランジスタ部10aを被い、プラズマにさらすことによって端子部10bの絶縁層を除去できる。或いは、端子部10bが基板20の縁に位置する場合、縁のみに溶剤中に浸漬させて絶縁層32を除去する方法でも可能である。
(受容層)
次に、図2(b)に示すように、受容層33を高分子の溶液をスピンコートして形成する。これによって、絶縁層32、段差部32a、及び外部端子35のそれぞれの表面を被覆するように受容層33が形成される。図2において、段差部32aは絶縁層32が垂直に切れているように描かれているが、実際は、上述した絶縁層32の除去方法に依存して、形状が異なってくる。例えば、インクジェット法で溶剤を滴下して穴をあける方法では穴の周囲にクレーター状に隆起部が形成される。或いは、触針で穴をあける方法では、段差部32aにバリを生ずる。受容層32aを溶液からスピンコートすることによって、そういった、垂直に切り立った壁、隆起部、バリなども受容層32aで被うことができる。
絶縁層32にPMMAを使った場合、受容層33の材料にはポリビニルフェノール又は、フェノール樹脂(ノボラック樹脂)等を採用した。0.2〜1%程度の濃度の溶液をスピンコートすることによって、受容層33の膜厚は1〜20nmと薄くして作製した。この場合、受容層33を形成する際に、絶縁層32に影響を与えないことが重要である。受容層33の形成に用いる溶液が、絶縁層32を溶解したり、膨潤させたりすると、有機トランジスタ10aを破壊してしまうことになる。絶縁層32を溶かさない溶媒として、ここではアルコール類、或いは水を使うことができる。上述したポリビニルフェノール又は、フェノール樹脂(ノボラック樹脂)はアルコール類(エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど)に溶解してスピンコートすることができる。ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、アラビアガムのような糖類、ゼラチンは水、または、水とアルコール類との混合溶媒に溶かして用いることができる。
また、芳香系炭化水素を溶媒として使うこともできる。例えば、受容層33としてポリスチレン層を、トルエンやキシレンを含む溶液からスピンコートで形成することができる。
また、このような材料によって形成された受容層33は、液体材料の濡れ性や接触角を調整する機能を有している。
(ゲート電極)
次に、図2(c)に示すように、ゲート電極34の材料である液体材料34bを受容層33に向けて液滴として滴下する。
当該液体材料34bの滴下は、インクジェット法によって行われる。インクジェット法においては、不図示のインクジェットヘッドと、インクジェットヘッドと基板20とを相対移動させる移動機構が作動することにより、受容層33の所定位置に液体材料34bを吐出することが可能となる。なお、液体材料34bが吐出されるパターンは、液滴吐出装置に記憶されたビットマップパターン等の電子データに基づいて形成されるので、電子データを作製するだけで、所望の位置に液体材料34bを塗布することができる。
インクジェットヘッドには、圧電素子でインクキャビティの体積を変化させて液滴を吐出する圧電方式と、インクキャビティ内でインクを加熱して気泡を発生させることによって、液滴を吐出するサーマル方式とが用いられるが、導電性インク、絶縁性インク、半導体インクなど機能性を重視する液体を吐出する場合には、熱の影響のない圧電方式が優れる。
液体材料34bとしては、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)の水分散液が採用される。また、PEDOTの他に、金属コロイドを用いることができる。これらの分散液としては水(一の溶媒)を主成分とするが、アルコールを添加した液体をインクとしてインクジェット印刷を行ってもよい。
更に、液体材料34bは、ソース・ドレイン電極30の間(チャネル)上を覆うように塗布されると共に、不図示の複数のゲート電極34を接続するようにゲート線34aが塗布形成される。更に、ゲート線34aは、外部端子35に接続するように印刷される。
従って、図2(d)に示すように、インクジェット法によって塗布された液体材料34bは、受容層33を溶解して絶縁層32に到達する。また、段差部32aに塗布された液体材料34bは、段差部32aの受容層33を溶解し、当該受容層に保持されて外部端子35に到達する。そして、液体材料34bが乾燥することによって、第2の被接続対象である絶縁層32や外部端子35に接続される。ここで、液体材料34bは、水を主成分するので大きな表面張力を有しており、また、受容層33は水に対して、適度な濡れ性(濡れ角15°〜60°)を有するため、比較的細い線を印刷することが可能となる。(幅10μmから50μm)。一方、液体材料34b中に含まれるアルコールによって、受容層33は次第に溶かされて、液体材料34bが乾燥される頃には、完全に受容層33を貫通して、絶縁層32や外部端子35に到達する。
水は大きな表面張力を有するので解像度の高い印刷に好適な溶媒である。さらに、適度な沸点、安全性を有するのでインクジェット法で吐出するのに適した液体である。しかし一方、表面張力が高すぎて、インクジェットヘッドからの液滴吐出が不安定になったり、乾燥速度が速すぎて、インクジェットヘッドのノズルを詰まらせる原因になることがある。或いは、液滴を塗布した下地表面との撥液性が高すぎて、液滴が表面を流れたり、液滴どうしが一体になって大きな液滴に形状変化を起こすことがある。これらの挙動を改善するためには、表面張力を低下させるために、水に可溶な有機溶媒、例えば、アルコール類、ケトン類、多価アルコールとその誘導体、含窒素極性溶媒などを混合して用いることが有効である。また乾燥速度を遅くするためには、沸点の高い(120℃以上300℃未満)上記有機溶媒を用いることが有効である。
絶縁層32の材料に、高分子を用いる場合、液体材料34bがこれを溶解しないことが重要である。さもないと、液体材料34bは絶縁層32を貫通してしまう。絶縁層32に好適な高分子の多くはケトン類、エーテル類、含窒素極性溶媒に可溶であるため、この点を考慮すると、水に加える有機溶媒としては、アルコール類(一の溶媒)、グリコールなどの多価アルコール(一の溶媒)とその誘導体が特に適している。
そのため、本実施例では水にプロピレングリコールを15%添加して、乾燥速度を小さくすると共に、表面張力を低下させた。添加量は、乾燥条件(温度、風量)にも依存して、2〜40%が有効である。プロピレングリコールは、受容層33に用いたポリビニルフェノールを溶解するが、絶縁層32に用いた高分子(例えばPMMA、或いはポリスチレン、ポリオレフィン類)を膨潤させたり、溶解することがない。そのため、有機トランジスタ10aの電極を印刷するための液体材料34bには適した、溶媒、或いは添加溶媒である。類似の添加溶媒としてはプロピレングリコール以外にも、トリメチレングリコール、エチレングリコール、ブタンジオールが挙げられる。
ここで、図3を参照して、絶縁層32上に塗布された液体材料34bの状態について説明する。
図3は、液体材料34bが塗布されることによって、絶縁層32上に形成されたゲート電極34の断面拡大図である。
図3に示すように、受容層33に塗布された液体材料34bは、受容層33を溶かして、絶縁層32上に到達する。ここで、受容層33及び液体材料(ゲート電極材料)34bの双方がポリマー材料である場合、互いに相分離しやすい性質を有するので、液体材料34bは、受容層33の材料が殆ど混合されることなく、絶縁層32に到達する。そして、液体材料34bの塗布に伴って、受容層33にはクレーター状の縁部33aが析出して形成される。液体材料34bに金属コロイドを用いる場合も、同様の現象が起こる。
なお、液体材料34bの溶媒・分散媒としては、水、水+アルコール以外にも、炭化水素(一の溶媒)が挙げられる。特に金属コロイドの分散媒としては炭化水素などの有機溶媒が適している。溶媒・分散媒として炭化水素を用いる場合の受容層33としては、例えば、ポリスチレンのような炭化水素に可溶なポリマー材料が挙げられる。この場合、トルエンやキシレン、トリメチルベンゼン、シクロへキシルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、テトラリン、デカン、デカリンを含む有機溶剤(一の溶媒)を液体材料34bの溶媒、分散媒として用いることが好ましい。
表1は、本実施形態に記載した絶縁層32、受容層33、及び液体材料34bの材料と溶媒の種類を示している。なお、表1に示す材料及び溶媒はほんの一例に過ぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の材料を採用することが可能である。
また、表1において、受容層33及び液体材料34bの材料名称と溶媒名称の各々には(1)〜(5)の番号を付している。当該番号において、同一番号の材料と溶媒は、上記実施形態における受容層33、ゲート電極34、及びゲート線34aを形成するのに好適な組み合わせを示している。
Figure 2005217359
上述したように、本実施形態においては、ゲート電極34やゲート線34aの材料を含有する液体材料34bを受容層33上に局所的に塗布することにより、当該液体材料34bが塗布された部分の受容層33が局所的に溶解し、ゲート電極34と絶縁層32を確実に接続でき、また、ゲート線34aと外部端子35を確実に接続することができる。ここで、受容層33は、液体の濡れ性や接触角を調整する機能を有しているので、液体材料34bを所定のパターンで高精度に接続することができる。従って、絶縁層32や外部端子35が液体材料34bに対する撥液性を有していたとしても、絶縁層32や外部端子35の表面に受容層33が形成されているので、液体材料が弾かれることがなく、連続線のパターンを容易に形成することができる。
従って、液体材料34bによってゲート電極34を形成することにより、ゲート電極34とソース・ドレイン電極30の位置がずれて塗布されることがなく、高精度に印刷することができ、好適なスイッチング性能を有する有機トランジスタを形成することができる。また、液体材料34bと絶縁層32や外部端子35の密着性が不十分であっても、受容層33が液体材料34bを保持し、液体材料34bに含まれる材料を固着させるので、液体材料34bと絶縁層32や外部端子35の密着性を補完することができる。
従って、このような液体材料を用いた回路基板の製造方法においては、高精度かつ確実な接続を達成できるので、従来のようなフォトリソ工程が不要になり、低コスト、低温、低エネルギで回路基板を製造することができる。特に、フレキシブルなデバイスを製造するのに好適となる。
また、ゲート線34aと外部端子35の間の接続経路に段差部32aが形成されていたとしても、当該接続経路に受容層33が形成されることにより、液体材料34bの塗布によって当該液体材料34bに含まれるゲート線34aの材料を受容層33が保持し、当該材料を固着させるので段差部32aにゲート線34aを形成することができる。従って、ゲート線34aと外部端子35の接続状態を保持し、ゲート線34aと外部端子35を確実に接続することができる。従って、段差部32aに連続線を形成することができ、断線を防止することができる。また、ゲート線34aと外部端子35との密着性を補完するので、確実に導通させることができる。
また、液体材料34bは水を含むので、液体材料34bは表面張力が比較的大きな液体となる。従って、微細なパターンを形成するのに好適な液体となる。従って、ゲート電極34やゲート線34aの材料を水に含有させた液体材料34bを受容層33上に塗布することにより、受容層33が局所的に溶解する。そして、液体材料34bが絶縁層32や外部端子35の表面まで達したところで、液体材料34bに含まれるゲート電極34やゲート線34aの材料を絶縁層32や外部端子35に固着させて、当該絶縁層32や外部端子35にゲート電極34やゲート線34aを接続することができる。そして、ゲート電極34やゲート線34aを微細なパターンで形成することができる。
また、受容層33は、液体材料34bに対して接触角を規定するので、液体材料34b含有されたゲート電極34やゲート線34aの材料が絶縁層32や外部端子35に対して接続されるので、当該絶縁層32や外部端子35に対してゲート電極34やゲート線34aを所定の線幅で接続することができる。また、ゲート電極34やゲート線34aを微細に塗布することにより、ゲート電極34やゲート線34aのパターンの微細化を図ることができる。
また、液体材料34bはアルコールを含むので、水の使用に起因するインクジェットヘッドの液滴吐出の不安定化や、インクジェットヘッドのノズル目詰まりや、液滴の形状変化の問題を解決することができる。従って、液体材料34bがアルコールを含有することにより、インクジェット法における液滴吐出状態の安定化を図ることができる。また、インクジェットヘッドを用いて液体材料34bを塗布する場合に、液体材料34bの乾燥に起因するインクジェットヘッドのノズルの目詰まりを防止できる。
また、液体材料34bに含まれるアルコールとして、多価アルコールが用いられているので、液体材料34bの沸点を高くすることができる。従って、液体材料34bが乾燥し難くなるので、乾燥時間が十分に確保される。このような多価アルコールを含む液体材料34bを機能性薄膜上に塗布すると、当該液体材料34bは短時間で乾燥することなく、受容層33を溶解し、確実に絶縁層32や外部端子35まで到達させることができる。そして、絶縁層32や外部端子35まで到達した後に液体材料34bを乾燥させることができ、ゲート電極34と絶縁層32を確実に接続することができ、また、ゲート線34aと外部端子35を確実に接続することができる。また、特に、液体材料34bに対して受容層33が溶けにくい場合には、液体材料34bの乾燥を抑える必要があるので、上記のように多価アルコールを用いることが有効である。
また、液体材料34bは複数の溶媒を含有し、当該複数の溶媒のうち、少なくとも一の溶媒によって受容層33を溶解することができる。即ち、複数の溶媒を有する液体材料34bにアルコールが含有されている場合には、ポリビニルフェノールやフェノール樹脂(ノボラック樹脂)からなる受容層33を溶解することができる。また、複数の溶媒を有する液体材料34bに水が含有されている場合には、ポリビニルアルコールや、ポリエチレングリコールや、アラビアガム等の糖類や、ゼラチンからなる受容層33を溶解することができる。また、複数の溶媒を有する液体材料34bに炭化水素が含有されている場合には、ポリスチレンからなる受容層33を溶解することができる。
また、上記において、一の溶媒は混合溶媒における他の溶媒より高沸点であるので、受容層33に対して可溶性を有する一の溶媒が乾燥し難くなり、乾燥時間が十分に確保される。このような一の溶媒を含む液体材料34bを受容層33上に塗布すると、一の溶媒を除く他の溶媒が先に乾燥しても、一の溶媒が短時間で乾燥することないので、受容層33を溶解し、確実に絶縁層32や外部端子35まで到達させることができる。そして、絶縁層32や外部端子35まで到達した後に一の溶媒を乾燥させることができ、ゲート電極34と絶縁層32を確実に接続することができ、また、ゲート線34aと外部端子35を確実に接続することができる。また、特に、液体材料34bに対して受容層33が溶けにくい場合には、一の溶媒の乾燥を抑える必要があるので、当該一の溶媒が他の溶媒よりも高沸点であることが有効である。
また、ゲート電極34、ゲート線34a、絶縁層32、及び外部端子35は、液体材料34の溶媒に対して非溶解性であるので、液体材料34bの塗布によって受容層33が溶解し、絶縁層32や外部端子35に達したとしても、絶縁層32や外部端子35が液体材料34bに対して非溶解性であるので、当該絶縁層32や外部端子35の表面において液体材料34bを確実に保持することができる。
また、ゲート電極34、ゲート線34aの材料と、絶縁層32や外部端子35の各材料が異なっていたとしても、上記のように液滴吐出法を用いることにより、ゲート電極34及びゲート線34aを絶縁層32や外部端子35の各々に接続することができる。
そして、以上の製造方法によって、プラスチック基板20上に有機トランジスタが形成され、当該有機トランジスタのゲート電極34と外部端子35とを確実に接続された回路基板を形成することができる。
(集積回路との接続)
先の実施例では、絶縁層32の表面よりも下側(基板に近い側)に設けられた外部端子35に電極、配線を接続する例を示した。この位置関係と逆、つまり、外部端子35が絶縁層32に表面よりも上側(基板から遠い側)に位置する実施例について説明する。このような例は、絶縁層32の上に、シリコンや化合物半導体のウエハ上に形成された集積回路を、ベアチップとして実装した場合である。シリコン基板の厚さは、研磨によって薄くすることができ、5ミクロンから200ミクロン程度まで小さくすることができる。ここまで、薄くしたシリコン基板を絶縁層32上に、接着剤を使って貼り付ける。そして、受容層33を全面にスピンコートする。この場合、受容層は、有機トランジスタ10aだけでなく、上述の集積回路ベアチップの側壁、外部端子35、回路面を全て被うことになる。ベアチップの厚さは、先の実施例の絶縁層32の厚さより、大きい。そのため、受容層がないと、有機トランジスタの電極と、集積回路ベアチップ上の外部端子35とを、液体材料34bを塗布して、導電線を印刷して接続することは、側壁に阻まれて、ほぼ不可能であった。本発明の実施例では上述するように側壁が受容層33に覆われるため、しかも、この受容層が液体材料34b中の溶媒・分散媒に溶解するため、液滴の密着性に優れる。その結果、側壁部でも断線が発生することなく、有機トランジスタの電極と、集積回路ベアチップ上の外部端子35とを接続することが可能であった。
(電気光学装置)
次に、図4を参照して、上述の回路基板を有する電気光学装置の一例として挙げた電気泳動表示装置について説明する。
図4に示すように、先に示した回路基板10上に保護ポリマーコート40を形成し(図4(a)参照)、次に回路基板10にFPC50を接続し(図4(b)参照)、次に対向基板60、及び電気泳動層(電気光学層)70を形成することにより、電気泳動表示装置が完成となる(図4(c)参照)。
ここで、電気泳動層70は、マイクロカプセル70aを複数備えた構成となっている。
当該マイクロカプセル70aは樹脂皮膜によって形成されており、マイクロカプセル70aの大きさは1画素の大きさと同程度とされ、表示領域全域を覆うように複数配置されている。また、マイクロカプセル60は、実際には隣接するマイクロカプセル60同士が密着するため、表示領域はマイクロカプセル60によって隙間なく、覆われている。マイクロカプセル70aには、分散媒71、電気泳動粒子72等を有する電気泳動分散液73が封入されている。
次に、分散媒71、電気泳動粒子72を有する電気泳動分散液73について説明する。
電気泳動分散液73は、染料によって染色された分散媒71中に電気泳動粒子72を分散させた構成となっている。
電気泳動粒子72は、無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径0.01μm〜10μm程度の略球状の微粒子であり、上記分散媒71と異なる色相(白色及び黒色を含む)を有している。このように酸化物又は水酸化物からなる電気泳動粒子72には固有の表面等電点が存在し、分散媒71の水素イオン指数pHによってその表面電荷密度(帯電量)が変化する。
ここで、表面等電点とは、水溶液中における両性電解質の電荷の代数和がゼロとなる状態を水素イオン指数pHによって示したものである。例えば、分散媒71のpHが電気泳動粒子72の表面等電点に等しい場合には、粒子の実効電荷はゼロとなり、粒子は外部電界に対して無反応な状態となる。また、分散媒71のpHが粒子の表面等電点よりも低い場合には、粒子の表面は下式(1)によりプラスの電荷を帯びる。逆に、分散媒71のpHが粒子の表面等電点よりも高い場合には、粒子の表面は下式(2)によりマイナスの電荷を帯びる。
pH低:M−OH+H(過剰)+OH→M−OH +OH ・・・(1)
pH高:M−OH+H+OH(過剰)→M−OH+H ・・・(2)
なお、分散媒71のpHと粒子の表面等電点との差を大きくしていった場合、反応式(1)又は(2)に従って粒子の帯電量は増加していくが、この差が所定値以上となると略飽和し、pHをそれ以上変化させても帯電量は変化しない。この差の値は、粒子の種類、大きさ、形状等によって異なるものの、概ね1以上であればどのような粒子においても帯電量は略飽和すると考えられる。
上述の電気泳動粒子72としては、例えば、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ベンガラ、酸化アルミニウム、黒色低次酸化チタン、酸化クロム、ベーマイト、FeOOH、二酸化珪素、水酸化マグネシウム、水酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化銅等が用いられている。
また、このような電気泳動粒子72は、単独の微粒子としてだけでなく、各種表面改質を施した状態でも用いることが可能である。このような表面改質の方法としては、例えば、粒子表面をアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のポリマーでコーティング処理する方法や、シラン系、チタネート系、アルミニウム系、弗素系等のカップリング剤でカップリング処理する方法や、アクリル系モノマー、スチレンモノマー、エポキシ系モノマー、イソシアネート系モノマー等とグラフト重合処理する方法等があり、これらの処理を単独又は二種類以上組み合わせて行うことができる。
分散媒71には、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の非水系有機溶媒が用いられており、スピリトブラック、オイルイエロー、オイルブルー、オイルグリーン、バリファーストブルー、マクロレックスブルー、オイルブラウン、スーダンブラック、ファーストオレンジ等の染料によって染色されて、電気泳動粒子72と異なる色相を呈している。
このように構成された電気泳動表示装置においては、先に記載した回路基板10を備えた構成となっているので、低コスト、低温、低エネルギで製造された電気泳動表示装置となる。また、フレキシブルな表示装置となる。
(電子機器)
上述した電気泳動表示装置は、表示部を備えた様々な電子機器に適用される。以下、上述の電気泳動表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
まず、電気泳動表示装置をフレキシブルな電子ペーパーに適用した例について説明する。
図5はこの電子ペーパーの構成を示す斜視図であり、電子ペーパー1400は、本発明の電気泳動表示装置を表示部1401として備える。電子ペーパー1400は、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体1402を備えて構成されている。
また、図6は、電子ノートの構成を示す斜視図であり、電子ノート1500は、図5で示した電子ペーパー1400が複数枚束ねられ、カバー1501に挟まれているものである。カバー1501は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する不図示の表示データ入力手段を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容を変更したり更新したりできる。
また、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明に係るの電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用することができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
本発明の回路基板の製造方法によって製造された回路基板を示す断面図。 本発明の回路基板の製造方法を説明するための工程図。 本発明の回路基板の製造方法における液体材料の状態を説明するための図。 本発明の電気光学装置の製造工程を説明するための工程図。 本発明の電子機器の一例を示す図である。 本発明の電子機器の一例を示す図である。
符号の説明
10…回路基板
34…ゲート電極(第1の被接続対象)
34a…ゲート線(第1の被接続対象)
34b…液体材料
32…絶縁層(第2の被接続対象、ゲート絶縁膜)
32a…段差部(段差又は突起)
33…受容層(機能性薄膜)
35…外部端子(第2の被接続対象)
60…対向基板
70…電気泳動層(電気光学層)



Claims (17)

  1. 液体材料からなる接続手段によって、第1の被接続対象及び第2の被接続対象を接続して回路基板を製造する方法であって、
    前記第1又は前記第2の被接続対象の表面に、前記液体材料に可溶で、且つ絶縁性を有する機能性薄膜を形成し、
    前記液体材料を前記機能性薄膜に滴下し、当該機能性薄膜を溶かすことによって前記第1及び前記第2の被接続対象を接続することを特徴とする回路基板の製造方法。
  2. 前記第1及び前記第2の被接続対象の接続経路は、段差又は突起を有していることを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。
  3. 前記液体材料は、水を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の回路基板の製造方法。
  4. 前記機能性薄膜は、前記液体材料に対して接触角を規定することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  5. 前記液体材料は、アルコールを含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  6. 前記アルコールは、多価アルコールを含むことを特徴とする請求項5に記載の回路基板の製造方法。
  7. 前記液体材料は複数の溶媒を含み、前記複数の溶媒のうち、少なくとも一の溶媒が前記機能性薄膜に対して可溶性を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  8. 前記一の溶媒は、他の溶媒より高沸点であることを特徴とする請求項7に記載の回路基板の製造方法。
  9. 前記第1又は前記第2の被接続対象は、前記液体材料に対して非溶解性であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  10. 前記第1及び前記第2の被接続対象の材料は、異なることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  11. 前記第1の被接続対象は、導電性を有することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  12. 前記第2の被接続対象は、絶縁性を有することを特徴とする請求項1から請求項11のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  13. 請求項1から請求項12のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする回路基板。
  14. ゲート絶縁膜が請求項12に記載の第2の被接続対象であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  15. 半導体層が有機材料からなることを特徴とする請求項14に記載の薄膜トランジスタ。
  16. 請求項13に記載の回路基板と、
    当該回路基板に対向配置された対向基板と、
    前記回路基板と前記対向基板の間に設けられた電気光学層と、
    を具備することを特徴とする電気光学装置。
  17. 請求項16に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。


JP2004025445A 2004-02-02 2004-02-02 回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器 Expired - Fee Related JP4848617B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004025445A JP4848617B2 (ja) 2004-02-02 2004-02-02 回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004025445A JP4848617B2 (ja) 2004-02-02 2004-02-02 回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005217359A true JP2005217359A (ja) 2005-08-11
JP4848617B2 JP4848617B2 (ja) 2011-12-28

Family

ID=34907832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004025445A Expired - Fee Related JP4848617B2 (ja) 2004-02-02 2004-02-02 回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4848617B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007079359A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Ricoh Co Ltd 画像表示装置。
JP2007219503A (ja) * 2006-01-23 2007-08-30 Seiko Epson Corp 電気泳動表示シート、電気泳動表示装置、及び電子機器
JP2010263134A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Ricoh Co Ltd 可撓性電子回路基板およびその製造方法、並びに画像表示装置
US8372702B2 (en) 2010-01-22 2013-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing TFT and array TFT
US8603856B2 (en) 2010-04-23 2013-12-10 Seiko Eposon Corporation Organic transistor and method for manufacturing the same
JP2015159169A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 出光興産株式会社 電極修飾用組成物、電極修飾方法および有機薄膜トランジスタ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6314491A (ja) * 1986-07-05 1988-01-21 株式会社豊田自動織機製作所 ハイブリッドic基板と回路パターン形成方法
WO2003032084A2 (en) * 2001-10-05 2003-04-17 Superior Micropowders Llc Low viscosity precursor compositions and methods for the deposition of conductive electronic features
JP2003149831A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Seiko Epson Corp 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置
JP2003318190A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2004006578A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Seiko Epson Corp 導電膜パターンとその形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6314491A (ja) * 1986-07-05 1988-01-21 株式会社豊田自動織機製作所 ハイブリッドic基板と回路パターン形成方法
WO2003032084A2 (en) * 2001-10-05 2003-04-17 Superior Micropowders Llc Low viscosity precursor compositions and methods for the deposition of conductive electronic features
JP2005537386A (ja) * 2001-10-05 2005-12-08 スーペリア マイクロパウダーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 導電性電子フィーチャを堆積するための低粘度前駆体組成物および方法
JP2003149831A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Seiko Epson Corp 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置
JP2004006578A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Seiko Epson Corp 導電膜パターンとその形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP2003318190A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007079359A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Ricoh Co Ltd 画像表示装置。
JP2007219503A (ja) * 2006-01-23 2007-08-30 Seiko Epson Corp 電気泳動表示シート、電気泳動表示装置、及び電子機器
JP2010263134A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Ricoh Co Ltd 可撓性電子回路基板およびその製造方法、並びに画像表示装置
US8372702B2 (en) 2010-01-22 2013-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing TFT and array TFT
US8603856B2 (en) 2010-04-23 2013-12-10 Seiko Eposon Corporation Organic transistor and method for manufacturing the same
JP2015159169A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 出光興産株式会社 電極修飾用組成物、電極修飾方法および有機薄膜トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP4848617B2 (ja) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100394558C (zh) 接触孔的形成方法、电路基板和电光学装置的制造方法
US20050181533A1 (en) Method for manufacturing an electro-optical device board, optical device, electro-optical device and electronic equipment
CN100580973C (zh) 薄膜晶体管、布线基板、显示装置以及电子设备
JP4927045B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP5025110B2 (ja) 半導体装置の作製方法
KR100926472B1 (ko) 막 패턴의 형성 방법, 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법,디바이스, 전기 광학 장치, 및 전자 기기
JP2012186455A (ja) ホール形成方法、並びに該方法を用いてビアホールを形成した多層配線、半導体装置、表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR20060089660A (ko) 막 패턴의 형성 방법, 장치 및 그 제조 방법, 전기 광학장치, 및 전자기기
US7026236B2 (en) Method of forming multilayer interconnection structure, method of manufacturing circuit board, and method of manufacturing device
JP4848617B2 (ja) 回路基板の製造方法、回路基板、薄膜トランジスタ、電気光学装置、電子機器
JP2008020849A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電気光学装置
US8174016B2 (en) Semiconductor device, active matrix device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2008268817A (ja) アクティブマトリクス基板及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器
JP2005260192A (ja) 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器
JP2006303275A (ja) 膜パターン基板、膜パターン形成方法、デバイス製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2008021843A (ja) 配線基板の製造方法、多層配線基板の製造方法
JP2012064844A (ja) 回路基板の製造方法
JP5811560B2 (ja) 回路基板の製造方法
JP6396382B2 (ja) ホール形成方法、並びに多層配線の製造方法、半導体装置の製造方法、表示素子の製造方法、画像表示装置の製造方法、及びシステムの製造方法
JP2012079752A (ja) パターン形成方法及び回路基板の製造方法
JP2009076644A (ja) 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070131

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100726

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110830

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110920

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111003

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4848617

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees