JP2005217325A - 基準パターン決定方法とその装置、位置検出方法とその装置、及び、露光方法とその装置 - Google Patents
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Images
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】サーチアライメント時に位置計測箇所となる位置近傍のウエハ画像を取り込み(ステップS200)、ユニークなパターンを検出してテンプレート候補とする(ステップS300)。テンプレート候補の各々について、実際に位置計測処理を行うことにより処理時間の評価を行い、テンプレートを解析することにより位置計測精度に関わる位置決め情報量の評価を行い、ランダムノイズを加えたパターンに対する位置計測結果に基づいてノイズに対するロバスト性の評価を行い、これらの各評価の重み付け平均値を求めることにより総合評価値を求める。そして、最も評価値の高いテンプレート候補を、実際のテンプレートとして決定する(ステップS400)。
【選択図】 図5
Description
本発明の第1の実施形態について、図1〜図12を参照して説明する。
本発明の第2の実施形態について、図11〜図15を参照して説明する。
このような場合、仮に、このエレメントB〜Eのいずれかが、観察視野の共通領域AND_Areaに存在していれば、そのエレメントをそのままテンプレートとすることができる。しかし、例えば図13に示す場合のようにこれらのエレメントB〜Eが共通領域AND_Areaに含まれない場合には、複数のエレメントを用いてテンプレートを構成する。
サーチアライメントにおいては、ウエハW上の離れた2箇所又は3箇所の所定の領域において所望のパターンについて位置計測を行い、各箇所の位置関係に基づいてウエハWの回転量やXYずれ等を求める。
次に、本発明に係る露光装置100をリソグラフィー工程において使用したデバイスの製造方法について図16を参照して説明する。図16は、例えばICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の電子デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
1…コンデンサレンズ 2…レチクルステージ
3…ベース 4…駆動装置
5…ミラー 6…対物レンズ
7…マーク検出系 8…ウエハホルダー
9…ウエハステージ 10…基準マーク
11…移動ミラー 12…レーザ干渉計
13…ステージコントローラ 14…駆動系
15…主制御系 26…ハロゲンランプ
27…コンデンサレンズ 28…光ファイバー
29…フィルタ 30,35…レンズ系
31…ハーフミラー 32,38…ミラー
33…対物レンズ 34…プリズム(ミラー)
36…指票マーク 37,39…リレー系
40…イメージセンサ
41…FIA演算ユニット
50…画像信号記憶部 52…テンプレートデータ記憶部
53…データ処理部 54…制御部
Claims (19)
- 所定の計測処理において基準のパターンとして用いる基準パターンを決定するための基準パターン決定方法であって、
物体上の所定領域内のパターン信号情報を得る第1工程と、
前記第1工程で得られた前記パターン信号情報の中から、前記所定領域内に任意に配置され前記所定領域よりも小さい面積を有する被計測領域内でユニークであると認識可能であり、そのユニークさが互いに異なる複数の候補パターンを抽出する第2工程と、
前記第2工程で抽出された前記複数の候補パターンの各々に対して、当該候補パターンを前記基準パターンとして用いて前記所定の計測処理を行うと仮定し、当該計測処理の処理性能に係る評価を行い、当該評価結果に基づいて前記候補パターンから基準パターンを決定する第3工程と
を有することを特徴とする基準パターン決定方法。 - 前記第3工程は、
前記複数の候補パターンの各々について、当該候補パターンを前記基準パターンとして用いて前記所定の計測処理を行い、当該計測処理の処理時間を検出する工程と、
前記複数の候補パターンのうち、前記処理時間が最短となる候補パターンを前記基準パターンに決定する工程と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の基準パターン決定方法。 - 前記第3工程においては、前記複数の候補パターンの各々に対して、当該候補パターンに含まれる、前記所定の計測処理の際に用いられる位置決め情報の量の評価を行う
ことを特徴とする請求項1〜2のいずれか一項に記載の基準パターン決定方法。 - 前記第3工程においては、前記複数の候補パターンの各々に対して、周波数解析、エッジ検出及びコントラスト値検出のいずれか1つ又は複数の処理を行い、当該検出結果に基づいて前記位置決め情報の量の評価を行う
ことを特徴とする請求項3に記載の基準パターン決定方法。 - 前記第3工程においては、前記複数の候補パターンの各々に対して、前記所定の計測処理の際に存在するノイズ信号に対するロバスト性の評価を行う
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の基準パターン決定方法。 - 前記第3工程においては、前記複数の候補パターンの各々を用いて、任意の対象信号に対して行った前記所定の計測処理の結果と、前記任意の対象信号にノイズ信号を加えた対象に対して行った前記所定の計測処理の結果とを比較することにより、前記ノイズ信号に対するロバスト性の評価を行う
ことを特徴とする請求項5に記載の基準パターン決定方法。 - 前記第3工程においては、前記複数の候補パターンから、前記ノイズ信号に対するロバスト性の高い候補パターンを前記基準パターンに決定する
ことを特徴とする請求項5又は6に記載の基準パターン決定方法。 - 前記第3工程においては、前記複数の候補パターンの各々に対して、前記計測処理の処理性能に係る複数種類の評価を行い、当該複数種類の評価結果に対して重み付け演算を行って候補パターン毎に1つの総合的な評価値を算出し、当該評価値に基づいて前記基準パターンを決定する
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基準パターン決定方法。 - 前記第2工程においては、前記被計測領域内における複数のエレメントパターンの組み合わせで構成される組み合わせパターンを、候補パターンとして抽出する
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の基準パターン決定方法。 - 所定の計測処理において基準のパターンとして用いる基準パターンを決定するための基準パターン決定装置であって、
物体上の所定領域内のパターン信号情報を得るパターン情報信号取得手段と、
前記得られたパターン信号情報の中から、前記所定領域内に任意に配置され前記所定領域よりも小さい面積を有する被計測領域内でユニークであると認識可能であり、そのユニークさが互いに異なる複数の候補パターンを抽出する候補パターン抽出手段と、
前記抽出された前記複数の候補パターンの各々に対して、当該候補パターンを前記基準パターンとして用いて前記所定の計測処理を行う場合の当該計測処理の処理性能に係る評価を行い、当該評価結果に基づいて前記候補パターンから基準パターンを決定する基準パターン決定手段と
を有することを特徴とする基準パターン決定装置。 - 前記基準パターン決定手段は、
前記複数の候補パターンの各々について、当該候補パターンを前記基準パターンとして用いて前記所定の計測処理を行い、当該計測処理の処理時間を検出し、前記処理時間の評価を行う第1評価手段と、
前記複数の候補パターンの各々に対して、当該候補パターンに含まれる、前記所定の計測処理の際に用いられる位置決め情報の量の評価を行う第2評価手段と、
前記複数の候補パターンの各々に対して、前記所定の計測処理の際に存在するノイズ信号に対するロバスト性の評価を行う第3評価手段と、
のうちの少なくとも1つの評価手段を含むことを特徴とする請求項10に記載の基準パターン決定装置。 - 前記基準パターン決定手段においては、前記複数の候補パターンの各々に対して、前記複数の評価手段のうちの少なくとも2つの評価手段を用いて評価を行い、当該複数の評価結果に対して重み付け演算を行って候補パターン毎に1つの総合的な評価値を算出し、当該評価値に基づいて前記基準パターンを決定する
ことを特徴とする請求項11に記載の基準パターン決定装置。 - 前記候補パターン抽出工程においては、前記被計測領域内における複数のエレメントパターンの組み合わせで構成される組み合わせパターンを、候補パターンとして抽出する
ことを特徴とする請求項11〜12のいずれか一項に記載の基準パターン決定装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の基準パターン決定方法により決定された前記基準パターンを用いて、前記物体上の前記被計測領域内のパターン信号情報をパターンマッチングし、当該被計測領域内の前記基準パターンに対応する所定のパターンの位置情報を求める
ことを特徴とする位置検出方法。 - 前記基準パターンが、複数のエレメントパターンの組み合わせで構成される組み合わせパターンである場合に、当該基準パターンを用いた前記所定の計測処理の処理時間が短くなるように、当該基準パターン内の前記各エレメントパターンの処理の順番を決定する第4工程
をさらに有することを特徴とする請求項14に記載の位置検出方法。 - 請求項10〜13のいずれか一項に記載の基準パターン決定装置により決定された前記基準パターンを用いて、前記物体上の前記被計測領域内のパターン信号情報をパターンマッチングし、当該被計測領域内の前記基準パターンに対応する所定のパターンの位置情報を求める位置情報検出手段
を有することを特徴とする位置検出装置。 - 前記基準パターンが、複数のエレメントパターンの組み合わせで構成される組み合わせパターンである場合に、当該基準パターンを用いた前記所定の計測処理の処理時間が短くなるように、当該基準パターン内の前記各エレメントパターンの処理の順番を決定する処理順序決定手段
をさらに有することを特徴とする請求項16に記載の位置検出装置。 - 請求項14又は15に記載の位置検出方法を用いて前記物体としての基板上に形成された所望のパターンの、前記物体の移動座標系上での位置情報を求め、
前記位置情報に基づいて前記基板を位置合わせし、
前記位置合わせされた基板上に、所望のパターンを転写露光する
ことを特徴とする露光方法。 - 前記物体としての基板上に形成されたユニークパターンの、前記物体の移動座標系上での位置情報を求める請求項16又は17に記載の位置検出装置と、
前記位置情報に基づいて前記基板を位置合わせする位置合わせ手段と、
前記位置合わせされた基板上に、所望のパターンを転写露光する露光手段と
を有することを特徴とする露光装置。
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