JP2018036528A - 位置検出方法、位置検出装置、リソグラフィ装置および物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[第1の例]
図3を参照しながら判定特徴点および/または打ち切り条件を決定する第1の例を説明する。探索範囲AR内の各位置(画像IMとテンプレートTPとの相対位置)における相関度Cは、図3(a)に例示されるように求められうる。この例では、対象物(マーク画像)MAの中心位置P1(つまり、(x,y)=(0,0))での相関度Cは80%である。また、対象物(マーク画像)MAの外側のある周辺位置P2での相関度Cは15%である。このように、対象物MAの位置とテンプレートTPの位置とが一致する対象物MAの中心およびその近傍の位置では、相関度C(相関性)が高くなる。一方、対象物MAの外側の周辺位置や、対象物MAが存在しない位置では、相関度C(相関性)が低くなる。
[第2の例]
次に、図4、図5を参照しながら判定特徴点および/または打ち切り条件の決定についての第2の例を説明する。ここでは、対象物MAの中央領域MRの画素数がM個、中央領域MRとは異なる領域(周辺領域)の画素数がL個であるものとする。また、図4(b)に例示されるように、中央領域MRを構成するM個の画素の位置(M個の相対位置)の各々での相関度の遷移CP1、CP2・・・CPMが得られる。同様に、図4(c)に例示されるように、中央領域MRとは異なる領域を構成するL個の画素の位置(L個の相対位置)の各々での相関度の遷移CP´1、CP´2・・・CP´Lが得られる。対象物MAの中心の画素の位置での相関度の遷移はCP1である。
[第3の例]
次に、図6を参照しながら判定特徴点および/または打ち切り条件の決定についての第3の例を説明する。第3の例では、テンプレートTPの複数の特徴点を並べ替えることによって、複数の特徴点の順序を再定義する。換言すると、位置検出装置10あるいはCPU12は、第1〜第Nの特徴点を並べ替えることによって第1〜第Nの特徴点を再定義する再定義部を含みうる。位置検出装置10あるいはCPU12によって実行される位置決定方法は、第1〜第Nの特徴点を並べ替えることによって第1〜第Nの特徴点を再定義する再定義工程を含みうる。
Claims (18)
- コンピュータにより、第1乃至第N(Nは3以上の自然数)の特徴点を有するテンプレートを用いたテンプレートマッチングによって、画像の中の対象物の位置を検出する位置検出方法であって、
前記画像に対する前記テンプレートの複数の相対位置それぞれについて、第1乃至第n(≦N)の特徴点を順に注目特徴点として処理を繰り返すことによって前記テンプレートと前記画像との相関性を示す指標を得る工程を有し、
前記複数の相対位置それぞれについての前記工程は、注目特徴点が第J(Jは2以上かつN未満の自然数)の特徴点である場合に、第1乃至第Jの特徴点の処理に基づいて得られる前記相関性を示す中間的な指標が打ち切り条件を満たすかを判定し、前記中間的な指標が前記打ち切り条件を満たす場合に第(J+1)の特徴点以降についての処理を打ち切る、
ことを特徴とする位置検出方法。 - 前記工程では、第1乃至第(J−1)の特徴点については前記中間的な指標を得ない、
ことを特徴とする請求項1に記載の位置検出方法。 - 前記複数の相対位置それぞれについての前記工程は、第1乃至第Jの特徴点について前記相関性を示す指標値を得ることと、当該指標値に基づいて前記中間的な指標を得ることと、を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の位置検出方法。
- 前記複数の相対位置それぞれについての前記工程は、
第1乃至第Jの特徴点を順に注目特徴点として、注目特徴点における前記テンプレートの値T(n)を変数とする関数の値について積算を行うことと、
前記積算によって得られた値を変数とする関数の値に基づいて前記中間的な指標を得ることと、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の位置検出方法。 - 前記複数の相対位置それぞれについての前記工程は、
第1乃至第Jの特徴点を順に注目特徴点として、注目特徴点における前記テンプレートの値T(n)と当該注目特徴点に対応する前記画像における画素の値とを変数とする関数の値について積算を行うことと、
前記積算によって得られた値を変数とする関数の値に基づいて前記中間的な指標を得ることと、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の位置検出方法。 - 前記複数の相対位置それぞれについての前記工程は、
第1乃至第Jの特徴点を順に注目特徴点として、注目特徴点における前記テンプレートの値T(n)を変数とする第1関数の値について第1の積算を行うことと、
第1乃至第Jの特徴点を順に注目特徴点として、注目特徴点に対応する前記画像における画素の値を変数とする第2関数の値について第2の積算を行うことと、
前記第1の積算によって得られた値と前記第2の積算によって得られた値とに基づいて前記中間的な指標を得ることと、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の位置検出方法。 - 第Jの特徴点を決定する決定工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の位置検出方法。 - 前記決定工程は、テスト画像に対する前記テンプレートの複数の相対位置それぞれについて、第1乃至第n(≦N)の特徴点を順に注目特徴点として処理を繰り返すことによって前記テンプレートと前記テスト画像との相関性を示す指標を第1乃至第nの特徴点それぞれについて得、前記テスト画像に関して第1乃至第nの特徴点それぞれについて得られた当該指標の遷移に基づいて第Jの特徴点を決定する、
ことを特徴とする請求項7に記載の位置検出方法。 - 前記打ち切り条件を決定する決定工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の位置検出方法。 - 前記決定工程は、テスト画像に対する前記テンプレートの複数の相対位置それぞれについて、第1乃至第nの特徴点を順に注目特徴点として処理を繰り返すことによって前記テンプレートと前記テスト画像との相関性を示す指標を第1乃至第nの特徴点それぞれについて得、前記テスト画像に関して第1乃至第nの特徴点それぞれについて得られた当該指標の遷移に基づいて前記打ち切り条件を決定する、
ことを特徴とする請求項9に記載の位置検出方法。 - 第1乃至第Nの特徴点を並べ替えることによって第1乃至第Nの特徴点を再定義する工程を更に有する、
ことを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の位置検出方法。 - 前記複数の相対位置それぞれについての前記工程は、第1ないし第JN2(JN2はJより大きい自然数)の特徴点の処理に基づいて得られる中間的な指標が第2打ち切り条件を満たす場合に第(JN2+1)の特徴点以降についての処理を打ち切る、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の位置検出方法。 - コンピュータに請求項1乃至12のうちいずれか1項に記載の位置検出方法を実行させるためのプログラム。
- 第1ないし第N(Nは3以上の自然数)の特徴点を有するテンプレートを用いたテンプレートマッチングによって、画像の中の対象物の位置を検出する位置検出装置であって、
前記画像に対する前記テンプレートの複数の相対位置それぞれについて、第1ないし第n(≦N)の特徴点を順に注目特徴点として処理を繰り返すことによって前記テンプレートと前記画像との相関性を示す指標を得るプロセッサを備え、
前記プロセッサによる前記複数の相対位置それぞれについての処理は、注目特徴点が第J(Jは2以上かつN未満の自然数)の特徴点である場合に、第1乃至第Jの特徴点の処理に基づいて得られる中間的な指標が打ち切り条件を満たすかを判定し、前記中間的な指標が前記打ち切り条件を満たす場合に第(J+1)の特徴点以降についての処理を打ち切る、
ことを特徴とする位置検出装置。 - 基板の上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板のマークを撮像する撮像部と、
前記基板を位置決めする位置決め部と、
前記撮像部によって得られた画像に基づいて前記位置決め部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記撮像部によって得られた画像の中のマークの位置を検出する請求項14に記載の位置検出装置を含む、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記位置検出装置は、前記基板の属性に基づいて、第Jの特徴点および前記打ち切り条件のうち少なくとも一方を決定することを特徴とする請求項15に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置検出装置は、特定の基板に関する画像に基づいて、第Jの特徴点および前記打ち切り条件のうち少なくとも一方を決定することを特徴とする請求項15又は16に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項15乃至17のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016170066A JP6767811B2 (ja) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 位置検出方法、位置検出装置、リソグラフィ装置および物品製造方法 |
US15/689,051 US10503079B2 (en) | 2016-08-31 | 2017-08-29 | Position detection method, position detection apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method |
KR1020170109965A KR102233662B1 (ko) | 2016-08-31 | 2017-08-30 | 위치 검출 방법, 위치 검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법 |
CN201710767002.7A CN107797389B (zh) | 2016-08-31 | 2017-08-31 | 位置检测方法和装置、存储介质、光刻装置和制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016170066A JP6767811B2 (ja) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 位置検出方法、位置検出装置、リソグラフィ装置および物品製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018036528A true JP2018036528A (ja) | 2018-03-08 |
JP2018036528A5 JP2018036528A5 (ja) | 2019-10-10 |
JP6767811B2 JP6767811B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=61242393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016170066A Active JP6767811B2 (ja) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 位置検出方法、位置検出装置、リソグラフィ装置および物品製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10503079B2 (ja) |
JP (1) | JP6767811B2 (ja) |
KR (1) | KR102233662B1 (ja) |
CN (1) | CN107797389B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022239202A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | ファナック株式会社 | 画像処理装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108764100B (zh) * | 2018-05-22 | 2022-03-25 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种目标行为检测方法及服务器 |
EP3650940A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-13 | ASML Netherlands B.V. | A method in the manufacturing process of a device, a non-transitory computer-readable medium and a system configured to perform the method |
JP7418080B2 (ja) * | 2019-10-04 | 2024-01-19 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
CN116072583B (zh) * | 2023-02-13 | 2024-01-30 | 无锡星微科技有限公司 | 一种基于视觉的晶圆预对准平台以及对准方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0418685A (ja) * | 1990-05-12 | 1992-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 画像処理方式 |
JPH0498377A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターンマッチング方法 |
JPH1049681A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-02-20 | Nec Corp | 画像の位置合わせ方法 |
JPH10326739A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 位置合わせ方法及び露光方法 |
JP2005217325A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nikon Corp | 基準パターン決定方法とその装置、位置検出方法とその装置、及び、露光方法とその装置 |
JP2007115740A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに観察装置 |
JP2008293073A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Juki Corp | 画像のマッチング処理方法 |
JP2012048593A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Juki Corp | 画像処理装置 |
JP2013109589A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Nikon Corp | 相関演算装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020006690A (ko) * | 1999-03-24 | 2002-01-24 | 시마무라 테루오 | 위치계측장치, 위치계측방법 및 노광장치, 노광방법그리고 중첩계측장치, 중첩계측방법 |
JP2003324055A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Canon Inc | 管理システム及び装置及び方法並びに露光装置及びその制御方法 |
US7069104B2 (en) * | 2002-04-30 | 2006-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Management system, management apparatus, management method, and device manufacturing method |
JP4272862B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2009-06-03 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、位置検出装置及び露光装置 |
JP4227470B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2009-02-18 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
KR101087515B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2011-11-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 얼라인먼트 조건 결정 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및장치 |
US7259828B2 (en) * | 2004-05-14 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Alignment system and method and device manufactured thereby |
US7983482B2 (en) * | 2005-11-08 | 2011-07-19 | Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry, Science And Technology | Matching apparatus, image search system, and histogram approximate restoring unit, and matching method, image search method, and histogram approximate restoring method |
ATE550732T1 (de) * | 2006-05-30 | 2012-04-15 | Yissum Res Dev Co | Musterabgleich |
US8279409B1 (en) * | 2009-08-05 | 2012-10-02 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for calibrating a lithography model |
JP5566928B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-08-06 | 株式会社東芝 | マスク検査方法およびその装置 |
JP2015060421A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 株式会社バッファロー | 類似画像検索方法及び類似画像検索装置 |
JP6567004B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-08-28 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法 |
-
2016
- 2016-08-31 JP JP2016170066A patent/JP6767811B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-29 US US15/689,051 patent/US10503079B2/en active Active
- 2017-08-30 KR KR1020170109965A patent/KR102233662B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-31 CN CN201710767002.7A patent/CN107797389B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0418685A (ja) * | 1990-05-12 | 1992-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 画像処理方式 |
JPH0498377A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターンマッチング方法 |
JPH1049681A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-02-20 | Nec Corp | 画像の位置合わせ方法 |
JPH10326739A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 位置合わせ方法及び露光方法 |
JP2005217325A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nikon Corp | 基準パターン決定方法とその装置、位置検出方法とその装置、及び、露光方法とその装置 |
JP2007115740A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに観察装置 |
JP2008293073A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Juki Corp | 画像のマッチング処理方法 |
JP2012048593A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Juki Corp | 画像処理装置 |
JP2013109589A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Nikon Corp | 相関演算装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
尾上守夫,前田紀彦,斎藤優: "残渣逐次検定法による画像の重ね合わせ", 情報処理, vol. 17, no. 7, JPN7020002469, July 1976 (1976-07-01), pages 634 - 640, ISSN: 0004327371 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022239202A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | ファナック株式会社 | 画像処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10503079B2 (en) | 2019-12-10 |
CN107797389A (zh) | 2018-03-13 |
US20180059553A1 (en) | 2018-03-01 |
JP6767811B2 (ja) | 2020-10-14 |
CN107797389B (zh) | 2021-02-26 |
KR102233662B1 (ko) | 2021-03-31 |
KR20180025266A (ko) | 2018-03-08 |
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