JP2006216796A - 基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 - Google Patents
基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006216796A JP2006216796A JP2005028279A JP2005028279A JP2006216796A JP 2006216796 A JP2006216796 A JP 2006216796A JP 2005028279 A JP2005028279 A JP 2005028279A JP 2005028279 A JP2005028279 A JP 2005028279A JP 2006216796 A JP2006216796 A JP 2006216796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information
- measurement
- pattern
- reference pattern
- signal information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】位置計測の計測条件の変化に対応することができるテンプレート(基準パターン情報)の作成方法を提供すること。
【解決手段】先ずウエハW上のサーチアライメント計測を実行する位置計測箇所にあるデザインルールの異なる何れかのパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部)をテンプレート作成候補として選択し、次いでこのパターンを照明する照明条件(照明光の波長、照明光路などに配置された絞りの開口形状、開口数)を選択・設定し、次いでこの計測条件の下でパターンの画像信号情報を取り込み、次いでこの取り込んだ画像信号情報の評価(実際に位置計測を行ったときの処理時間、計測精度及びノイズに対するロバスト性)を行い、この後所定の評価を得た画像信号情報に基づいてテンプレートを作成し、これを各計測条件の下で繰り返して、計測条件毎にそれぞれテンプレートを作成する。
【選択図】 図1
【解決手段】先ずウエハW上のサーチアライメント計測を実行する位置計測箇所にあるデザインルールの異なる何れかのパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部)をテンプレート作成候補として選択し、次いでこのパターンを照明する照明条件(照明光の波長、照明光路などに配置された絞りの開口形状、開口数)を選択・設定し、次いでこの計測条件の下でパターンの画像信号情報を取り込み、次いでこの取り込んだ画像信号情報の評価(実際に位置計測を行ったときの処理時間、計測精度及びノイズに対するロバスト性)を行い、この後所定の評価を得た画像信号情報に基づいてテンプレートを作成し、これを各計測条件の下で繰り返して、計測条件毎にそれぞれテンプレートを作成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体製造のためのリソグラフィ工程等において被露光基板であるウエハ又はマスク(レチクル)などの物体上に形成されたマークの位置計測のための使用する基準パターン情報の作成方法と、該作成方法で作成した基準パターン情報を利用する位置計測方法及びその位置計測装置、該位置計測方法を利用する露光方法、該位置計測装置を備えた露光装置に関する。
一般に、半導体製造のためのリソグラフィ工程においては、露光装置(ステッパ又はスキャナ)を使用して、フォトレジストが塗布されたウエハの各ショット領域上に各種マスクパターン(レチクル上に形成された回路パターン)を繰り返し露光し、現像、エッチング、化学的処理等を行ないながら回路を形成する。この際、露光装置では、ウエハとレチクルとの位置合わせ(アライメント)を精度良く行う必要がある。特に回路パターンの微細化に伴い高精度の位置合わせが要求されている。
この位置合わせは、ウエハやレチクル上の所定領域に形成されたアライメントマークなど(以下パターンと記す)をアライメントセンサにより検出し、これに基づいてウエハ等の所定領域の位置を計測して行う。マークの位置を検出する方法として、例えば画像処理によりマークの位置を検出するFIA(Field Image Alignment)方式のアライメントセンサが使用される。このセンサによれば、マークが形成された領域を撮像した信号(パターン信号、n次元信号)を画像処理してマークの位置情報を検出する。この画像処理の一つとして、予め準備したマーク信号情報に対応する基準パターン情報(テンプレート)と撮像した画像とを照合(マッチング)することにより、マークを検出するテンプレートマッチング法が知られている(特許文献1)。
上述したテンプレートマッチングは、ウエハ上のパターンの大まかな位置(ウエハとFIAアライメントセンサの計測視野との相対的な位置関係)を計測するサーチアライメント計測で実施される。このサーチアライメント計測は、次に行われる、パターンを高精度に計測するファインアライメント計測のためのパターンの補正位置情報を提供する点で重要な計測であり、この計測がスムーズに行われないと次に実行されるファインアライメント計測に影響を与えるおそれがある。
ところで、サーチアライメント計測で実施されるテンプレートマッチングのテンプレートは、これまでパターンの位置計測の際に選択される代表的な一つの計測条件(照明光の波長、照明NAなど)の下で所定のパターンを撮像して作成されており、このテンプレートを異なる計測条件の下でも使用しているが、これは、計測精度要求がそれ程厳しくない場合にあっては、別に問題が生じていなかったからである。
しかし、計測条件が変化すれば、当然に入力データの見え方が変化するので、計測精度要求が厳しい場合にあっては、一つのテンプレートだけで対応することが難しく、テンプレートを作り直す必要がある。また、テンプレートを、その作成時の計測条件と異なる計測条件の下で位置計測を実施して得た入力データとマッチングをすると、ロバスト性の低下、計測精度の悪化などが避けられない課題がある。
これを解決するため、例えば予め複数のテンプレートを作成しておき、テンプレートマッチングを実施する際にはテンプレートを順次切り換える方法も考えられるが、処理時間が非常に長くなり、またパターンの誤検出が増加するなどの課題がある。
また、テンプレート作成のために入力する、パターンを撮像した入力画像が、必ずしもテンプレートマッチングにとって有効若しくは最適な画像とは限らない場合がある。すなわち、計測条件が最適化されていない状態でテンプレートを作成し、これを位置計測に最適な計測条件を算出していない状態で取り込んだ入力データとマッチングをしても所望の位置計測精度が得られない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、位置計測の計測条件の変化に対応することができ、また位置計測に最適な計測条件を考慮した、テンプレート(基準パターン情報)の作成方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記作成方法で作成した基準パターン情報を利用する位置計測方法及びその位置計測装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記位置計測方法を利用する露光方法及び前記位置計測装置を備えた露光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成する、本発明の基準パターン情報の作成方法は、物体(ウエハ又はレチクルなど)上の所定領域内にあるパターンに対応する信号情報に基づいて、該物体の所定領域の位置計測を行う際に使用される基準パターン情報を作成する方法であって、パターンの信号情報を得る際の計測条件(例えば、パターンを照明する照明条件のような光学条件や、フィルタリング処理、信号ゲインの設定制御・信号オフセットの設定制御などの電気的な計測条件など)を種々変更して、この変更した各計測条件の下で得られる前記信号情報(実測信号情報又はシミュレーション信号情報)をそれぞれ取得し、これら取得した各信号情報に基づいて(各信号情報から抽出して)、前記計測条件毎に前記基準パターン情報をそれぞれ作成することを特徴とする(請求項1及び図1、図2参照)。すなわち、計測条件毎に基準パターン情報(テンプレート)を全て登録するようにしている。
前記計測条件としては、例えば、前記信号情報を得る際に前記パターンを照明する照明光の波長、及び/又は、前記照明光と前記パターンを反射した反射光の少なくとも一方の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状が含まれる(請求項2)。
上記目的を達成する、本発明の別の基準パターン情報の作成方法は、物体(ウエハ又はレチクルなど)上の所定領域内にあるパターンに対応する信号情報に基づいて、該物体の所定領域の位置計測を行う際に使用する基準パターン情報を作成する方法であって、前記位置計測に最適な計測条件を求める工程と、前記工程で求めた最適な計測条件の下で前記パターンの信号情報(実測信号又はシミュレーション信号)を取得する工程と、前記工程で取得された前記信号情報に基づいて(前記信号情報から抽出して)、前記基準パターン情報を作成する工程と、を備えることを特徴とする(請求項3及び図4参照)。すなわち、計測条件毎に基準パターン情報(テンプレート)を作成するのではなく、最適計測条件を求め、この最適計測条件の下で基準パターン情報を作成するようにしている(請求項3)。
前記最適な計測条件中には、例えば、最適フォーカス位置が含まれる(請求項4)。
前記最適な計測条件を求める工程は、例えば、次の2つがある。
1つの工程としては、前記パターンの前記信号情報を得る際の計測条件を変更し、この変更した計測条件毎にそれぞれ前記信号情報を取得する工程と、前記取得された前記各信号情報のデータからその特徴量を抽出する工程と、前記抽出された前記特徴量から前記最適な計測条件を求める工程と、を含む(請求項5及び図5参照)。前記特徴量としては、例えば、前記データの信号強度、信号振幅、及びノイズ振幅の少なくとも何れか一つが含まれる(請求項6)。
別の工程としては、前記パターンの前記信号情報を得る際の計測条件を変更し、この変更した計測条件毎にそれぞれ前記信号情報を取得する工程と、前記取得工程で取得された前記各信号情報に基づいて前記基準パターン情報の候補をそれぞれ作成する候補作成工程と、前記候補作成工程で作成した前記各基準パターン情報の候補を使用して前記位置計測を行った際の計測処理時間、計測精度又はノイズに対するロバスト性の少なくとも1つを評価する評価工程と、前記評価工程の評価結果から前記位置計測に最適な計測条件を選択する選択工程と、を含む(請求項7及び図6参照)。
上記目的を達成する、本発明のまた別の基準パターン情報の作成方法は、物体(ウエハ又はレチクルなど)上の所定領域内にあるパターンに対応する信号情報に基づいて、該物体の所定領域の位置計測を行う際に使用する基準パターン情報を作成する方法であって、前記所定領域内にあるパターンのうち、前記位置計測に使用されるパターンを選択するパターン選択工程(図3中ステップS201参照)と、前記パターン選択工程で選択された前記パターンを照明する計測用照明光の波長を、計測条件の1つとして選択して設定する波長選択・設定工程(図3中ステップS202参照)と、前記照明光と該照明光を前記パターンに照射して得られる該パターンからの反射光の少なくとも一方の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状を、別の計測条件の1つとして選択して設定する絞り選択・設定工程(図3中ステップS203参照)と、前記波長選択・設定工程で設定された波長を有する前記計測用照明光と、前記絞り選択・設定工程で選択された開口数及び/又は開口形状の絞りを使用して、前記パターン選択工程で選択された前記パターンを照明して該パターンの画像信号情報を取得する取得工程(図3中ステップS204参照)と、前記画像取得工程で取得した前記画像信号情報の適否について、該画像信号情報基づいて作成した仮の基準パターン情報を使用して前記位置計測を行ったときの位置計測結果から評価する評価工程(図3中ステップS205,206参照)と、前記評価工程で評価を得た(合格した)前記画像信号情報に基づいて基準パターン情報を作成する作成工程(図3中ステップS207参照)と、前記照明光の各波長と前記絞りの各開口数及び/又は開口形状での下でそれぞれ各画像信号を取得し、該各画像信号に基づいてそれぞれ前記基準パターン情報を作成したか否かを判定する判定工程(図3中ステップS208参照)と、を備え、前記判定工程で各波長、各開口数及び/又は開口形状の下でそれぞれ前記基準パターン情報を作成していないと判定された場合に、前記波長選択・設定工程、前記絞り選択・設定工程、前記取得工程、前記評価工程及び前記作成工程を、各波長、各開口数及び/又は開口形状の下でそれぞれ前記基準パターン情報を作成するまで繰り返すことを特徴とする(請求項8参照)。
前記物体上に形成されたパターンとしては、例えば、位置合わせ用マーク及び/又は該物体上に形成された回路パターンの一部が含まれる(請求項9)。
上記目的を達成する、本発明の位置計測方法は、物体(ウエハ又はレチクルなど)上の所定領域内のパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部など)を照明して取得した該パターンの信号情報に基づいて作成した基準パターン情報を使用して、該物体の所定領域の位置計測を行う位置計測方法であって、請求項1乃至9に記載の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって基準パターン情報を作成し、前記位置計測の際、該位置計測の計測条件と同じ計測条件の下で作成した前記基準パターン情報を選択し、該基準パターン情報を使用して前記物体の所定領域の位置計測を行うことを特徴とする(請求項10及び図7参照)。
上記目的を達成する、本発明の別の位置計測方法は、物体(ウエハ又はレチクルなど)上の所定領域内のパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部など)を照明して取得した該パターンの信号情報に基づいて作成した基準パターン情報を使用して、該物体の所定領域の位置計測を行う位置計測方法であって、請求項1乃至9に記載の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって基準パターン情報を作成する際に、前記位置計測に最適な計測条件を求めることを特徴とする(請求項11及び図9参照)。
上記目的を達成する、本発明の位置計測装置は、物体(ウエハ又はレチクルなど)上の所定領域内のパターンを照明して取得した該パターンの信号情報に基づいて作成した基準パターン情報を使用して、該物体の位置計測を行う位置計測装置であって、請求項1乃至9の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって前記基準パターン情報を作成する作成手段と、前記作成手段で作成した基準パターン情報のなかから前記位置計測を行う際の計測条件と同じ計測条件の下で作成した基準パターン情報を選択する選択手段と、前記選択された基準パターン情報を使用し、前記所定領域内の該基準パターン情報に対応するパターンの位置情報を検出する位置情報検出手段と、を有することを特徴とする(請求項12及び図11,図12参照)。
上記目的を達成する、本発明のまた別の位置計測方法は、物体上に形成されたパターンを照明して、光電変換により取得した該パターンの信号情報に基づいて、該物体の位置計測を行う位置計測方法であって、複数の照明条件の中から、前記パターンの信号情報を得る際の照明条件を設定し、複数の信号処理アルゴリズムの中から前記光電変換された前記信号情報を処理する際に使用する信号処理アルゴリズムを、前記設定された照明条件に基づいて設定し、前記設定された照明条件の下で照明して取得された前記信号情報を、前記設定された信号処理アルゴリズムを用いて処理することにより、前記位置計測を行うことを特徴とする(請求項13及び図8参照)。
前記照明条件は、例えば、前記信号情報を得る際に前記パターンを照明する照明光の波長と、及び前記照明光の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状のうちの少なくとも1つを含み、また前記信号処理アルゴリズムは、例えば、前記光電変換された信号情報を用いた位置計測演算処理を行う前に該信号情報に加えられる前処理アルゴリズムと、該前処理された信号情報を用いて行われる演算処理アルゴリズムとのうちの少なくとも1つを含む(請求項14)。
前記前処理アルゴリズムは、例えば、前記信号情報から所定帯域の周波数成分を除去するフィルタリング処理アルゴリズムと、前記信号情報のゲイン又はオフセットを制御するアルゴリズムとのうちの少なくとも1つを含み、また前記演算処理アルゴリズムは、例えば、相関演算処理アルゴリズムで使用するテンプレート情報を含む(請求項15)。
上記目的を達成する、本発明の別の位置計測装置は、物体上に形成されたパターンを照明して、光電変換により取得した該パターンの信号情報に基づいて、該物体の位置計測を行う位置計測装置であって、複数の照明条件の中から、前記パターンの信号情報を得る際の照明条件を設定する照明条件設定手段と、複数の信号処理アルゴリズムの中から前記光電変換された前記信号情報を処理する際に使用する信号処理アルゴリズムを、前記設定された照明条件に基づいて設定する信号処理アルゴリズム設定手段と、を有し、前記設定された照明条件の下で照明して取得された前記信号情報を、前記設定された信号処理アルゴリズムを用いて処理することにより、前記位置計測を行うことを特徴とする(請求項16及び図11,図12参照)。
前記照明条件は、例えば、前記信号情報を得る際に前記パターンを照明する照明光の波長と、及び前記照明光の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状のうちの少なくとも1つを含み、また、前記信号処理アルゴリズムは、例えば、前記光電変換された信号情報を用いた位置計測演算処理を行う前に該信号情報に加えられる前処理アルゴリズムと、該前処理された信号情報を用いて行われる演算処理アルゴリズムとのうちの少なくとも1つを含む(請求項17)。
上記目的を達成する、本発明の露光方法は、マスクに形成されたパターンの像を、物体としての基板上の所定領域に転写する露光方法であって、前記基板上の所定領域に形成された位置計測用パターンの位置情報を、請求項10,11,13,14又は15の何れかに記載の位置計測方法を使用して求め、前記位置情報に基づいて前記基板上の所定領域を位置合わせし、前記位置合わせされた前記基板の所定領域に前記マスクのパターン像を転写することを特徴とする(請求項18,図7,図8及び図9参照)。
上記目的を達成する、本発明の露光装置は、マスクに形成されたパターンの像を、物体としての基板上の所定領域に転写する露光装置であって、前記基板上の所定領域に形成された位置計測用パターンの位置情報を求める請求項12,16又は17の何れかに記載の位置計測装置と、前記位置情報に基づいて前記基板上の所定領域を位置合わせする位置合わせ手段と、前記位置合わせされた前記基板の所定領域に前記マスクのパターン像を転写する露光手段と、を備えてなることを特徴とする(請求項19)。
本発明の基準パターン情報の作成方法によれば、計測条件毎に基準パターン情報をそれぞれ作成するようにしてあるので、基準パターン情報を使用して位置計測を行う際、位置計測時の計測条件と同じか又はそれに近い計測条件の下で作成された基準パターンを選択することができる。このため、高い計測精度が得られ、またロバスト性の低下の問題が生じることがない。また、予め複数の基準パターン情報を作成しておき、これら複数の基準パターン情報を順次切り換えてテンプレートマッチングする方法に比して、位置計測処理時間の大幅な短縮を図ることが出来る。
本発明の別の基準パターンの作成方法によれば、位置計測に最適な計測条件を求めて、この最適な計測条件の下で基準パターン情報を作成するようにしてあるので、高精度の位置計測が可能となる。また、あえて複数の基準パターン情報を作成しなくても済み、手間がかからず、基準パターン情報の作成のスループット性が向上する。
また、位置計測に最適な計測条件を求めるのに、例えば、異なる計測条件の下でそれぞれ取得された各信号情報のデータからその特徴量を抽出して最適な計測条件を求めるか、或いは、異なる計測条件の下でそれぞれ取得した信号情報に基づいて基準パターン情報の候補を作成し、これを使用して位置計測を行った際の計測処理時間、計測精度又はノイズに対するロバスト性の少なくとも1つを評価して最適な計測条件を求めるようにしてあるので、より確実に最適な計測条件を求めることが出来る。
本発明のまた別の基準パターン情報の作成方法によれば、選択した計測条件の下で画像信号情報を取得し、この取得した画像信号情報に基づいて基準パターン情報を作成して、これを位置計測に利用して評価し、この評価に合格した画像信号情報に基づいて基準パターン情報を作成し、これを各計測条件の下で繰り返して、計測条件毎に基準パターン情報をそれぞれ作成するようにしてあるので、位置計測の計測条件と同じ計測条件の下で作成された基準パターンを選択することができ、また予め位置計測に不適当な基準パターン情報を排除することができる。このため、高い計測精度が得られ、位置計測の失敗がなく、ロバスト性の低下の問題が生じることがない。さらに、テンプレートマッチングを実施する際には位置計測時の計測条件と同じかそれに近い計測条件の下で作成した基準パターン情報を選択して使用するので、予め複数の基準パターン情報を予め用意しておき、これら基準パターンを順次切り換えてテンプレートマッチングする方法に比して位置計測処理時間の大幅な短縮を図ることが出来る。
本発明の位置計測方法によれば、請求項1乃至9の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって基準パターン情報を作成し、位置計測時にその計測条件と同じか又はそれに近い計測条件の下で作成した基準パターン情報を選択するようにしてあるので、高精度の位置計測が行え、またロバスト性の低下がない。また、予め複数の基準パターン情報を作成しておき、これら基準パターン情報を順次切り換えてテンプレートマッチングするのではなく、位置計測の計測条件と同じかそれに近い計測条件の下で作成された基準パターン情報を選択してテンプレートマッチングするので、位置計測処理時間、特にEGA計測処理などの複数のマークの計測処理の時間の大幅な短縮を図ることが出来る。
本発明の別の位置計測方法によれば、請求項1乃至9の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって基準パターン情報を作成する際に位置計測に最適な計測条件を求めるようにしてあるので、高精度の位置計測が行える。また、予め複数の基準パターン情報を作成しておき、これら基準パターン情報を順次切り換えてテンプレートマッチングするのではなく、最適な計測条件の下で作成した基準パターン情報を使用してテンプレートマッチングするので、位置計測処理時間、特にEGA計測処理などの複数のマークの計測処理の時間のより大幅な短縮を図ることが出来る。
本発明の位置計測装置によれば、請求項1乃至9の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって基準パターン情報を作成する手段を有し、選択手段により位置計測時にその計測条件と同じか又はそれに近い計測条件の下で作成した基準パターン情報を選択し、位置情報検出手段により基準パターン情報に対応するパターンの位置情報を検出するようにしてあるので、高精度の位置計測が行え、またロバスト性の低下がなく、さらに予め複数の基準パターン情報を作成しておき、テンプレートマッチングを実施する際には基準パターン情報を順次切り換える方法に比して位置計測処理時間の短縮を図ることが出来る。
本発明のまた別の位置計測方法、位置計測装置によれば、複数の照明条件の中から、パターンの信号情報を得る際の照明条件を設定し、複数の信号処理アルゴリズムの中から光電変換された信号情報を処理する際に使用する信号処理アルゴリズムを、設定された照明条件に基づいて設定し、設定された照明条件の下で照明して取得された信号情報を、設定された信号処理アルゴリズムを用いて処理することにより位置計測を行う、すなわち照明条件に応じて信号処理アルゴリズムを切り換えて信号情報を処理することにより位置計測を行うようにしてあるので、高い計測精度が得られ、またロバスト性の低下の問題が生じることがなく、さらに位置計測処理時間の短縮を図ることが可能となる。
本発明の露光方法によれば、位置計測用パターンの位置情報を、請求項10,11,13,14又は15の何れかに記載の位置計測方法を使用して求めるようにしてあるので、位置計測時において、高精度の位置計測が行え、またロバスト性の低下がなく、さらに位置計測処理時間の短縮を図ることが出来、このため高精度の露光が行え、また露光のスループット性を向上させることが可能となる。
本発明の露光装置によれば、位置計測用パターンの位置情報を求める請求項12,16又は17の何れかに記載の位置計測装置を備えてあるので、位置計測時において、高精度の位置計測が行え、またロバスト性の低下がなく、さらに位置計測処理時間の短縮を図ることが出来、このため高精度の露光が行え、また露光のスループット性を向上させることが可能となる。
以下本発明の基準パターン情報の作成方法、該作成方法で作成した基準パターン情報を利用する位置計測方法及びその位置計測装置、該位置計測方法を利用する露光方法、該位置計測装置を備えた露光装置について図1乃至図19を参照して説明する。
まず本実施形態の位置計測装置を装備した露光装置の全体構成及び動作について、図11を参照して説明する。
本実施形態においては、露光装置100は、マスクとしてのレチクルR上に形成されたマスクパターンとしての回路パターンを、ステップ・アンド・スキャン方式により投影光学系PLを介して物体または被露光基板としてのウエハWの各ショット領域上に順次露光転写する縮小投影型の露光装置である。図11中、X軸及びZ軸は、紙面に並行に設定され、Y軸は、紙面に対して垂直となる方向に設定されている。
図11において、照明光学系ILから出射された露光光は、コンデンサレンズ1を介してほぼ均一な照度でマスクとしてのレチクルR上のパターン領域PAを照明する。露光光としては、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)又はF2エキシマレーザ(157nm)から出射される光等が使用される。
レチクルRはレチクルステージ2上に保持され、該レチクルステージ2はベース3上の2次元平面(XY平面)内で移動及び微小回転できるように支持される。装置全体の動作を制御する主制御系15が、ベース3上の駆動装置4を介してレチクルステージ2の動作を制御する。レチクルRは、その周辺に形成された不図示のレチクルアライメントマークがミラー5,対物レンズ系6及びマーク検出系7からなるレチクルアライメント系で検出されることにより投影光学系PLの光軸AXに関して位置決めがなされる。なお、図11では簡略化しているが、同図の左側にも右側と同じ構成のミラー、対物レンズ系及びマーク検出系からなるレチクルアライメント系が配置される。
レチクルRのパターン領域PAを透過した露光光は、例えば両側(片側でもよい)テレセントリックな投影光学系(投影レンズ)PLに入射し、ウエハW上の各ショット領域に投影される。
ウエハWはウエハホルダー8を介してウエハステージ9上に載置されている。ウエハホルダー8上には、ベースライン計測などで使用する基準マーク10が設けられている。ウエハステージ9は、図示していないが、投影光学系PLの光軸AXに垂直な面内でウエハWを2次元的に位置決めするXYステージ、投影光学系PLの光軸に平行な方向(Z軸方向)にウエハWを位置決めするZステージ、ウエハWを微小回転させるステージ、及びZ軸に対する角度を変化させてXY平面に対するウエハWの傾きを調整するステージなどにより構成される。
ウエハステージ9上には移動鏡11が固定され、この移動鏡11と対向するようにレーザ干渉計12が配置される。なお、図11では簡略化して図示しているが、移動鏡11は、X軸に垂直な反射面を有する平面鏡及びY軸に垂直な反射面を有する平面鏡により構成される。また、レーザ干渉計12は、X軸に沿って移動鏡11にレーザビームを照射する2個のX軸用のレーザ干渉計及びY軸に沿って移動鏡11にレーザビームを照射する2個のY軸用のレーザ干渉計により構成される。X軸用の1個のレーザ干渉計及びY軸用の1個のレーザ干渉計により、ウエハステージ9のX座標及びY座標が計測される。また、X軸用の2個のレーザ干渉計の計測値の差によりウエハステージ9の回転角が計測される。
レーザ干渉計12により計測されたX座標、Y座標及び回転角を示す位置計測情報はステージコントローラ13に供給される。ステージコントローラ13は、主制御系15の制御の下で位置計測情報に応じて駆動系14を介してウエハステージ9の位置を制御する。また、この位置計測情報は主制御系15に送られる。主制御系15は、送られた位置計測情報をモニターしつつ、ウエハステージ9の位置を制御する制御信号をステージコントローラ13に出力する。さらに、位置計測情報は、後述するオフ・アクシスアライメント系(FIA)の演算ユニット40にも送られる。
露光装置100は、オフ・アクシス方式のアライメント光学系(アライメントセンサ)20を投影光学系PLの側方に備える。このアライメント光学系20は、ウエハWの表面のアライメントマークなどの位置計測対象のパターン付近を撮像した信号(n次元信号)を信号処理(画像処理も含む)して、そのパターンの位置情報を検出するFIA(Field Image Alignment)方式のアライメントセンサである。
アライメント光学系20により、テンプレート(基準パターン情報)の作成、このテンプレートを使用するサーチアライメント計測、及びファインアライメント計測等の処理を行う。
アライメント光学系20は、ウエハWを照明する照明光を出射する光源としてのハロゲンランプ21、ハロゲンランプ21から出射された照明光を光ファイバ24の一端に集光するコンデンサレンズ23、照明光を導く光ファイバ24、イメージセンサ38及びFIA演算ユニット40などを備える。
アライメント光学系20の光源としてハロゲンランプ21を選択したのは、ハロゲンランプ21から出射される照明光の波長帯域が530nm〜800nmで、ウエハWの表面に塗布されるフォトレジストを感光しない波長域である点と、波長帯域が広くウエハWの表面における反射率の波長特性の影響を軽減できる点にある。
ハロゲンランプ21とコンデンサレンズ23との間の光路には計測条件(照明条件)の一つである照明光の波長を変更するための波長選択フィルタ22が配置される。この波長選択フィルタ22は、図示していないが、複数のフィルタ部を有しており、照明光の光軸と直交する方向に移動させることでこれらフィルタ部のうちから1つのフィルタ部を選択して選択波長を変更することができる。例えば、波長選択をせずに照明光(530nm〜800nm)をそのまま透過させるフィルタ部と、530nm〜610nmの波長域の照明光を透過させるフィルタ部と、600nm〜710nmの波長域の照明光を透過させるフィルタ部と、700nm〜800nmの波長域の照明光を透過させるフィルタ部とを有する。波長選択フィルタ22によって、サーチするアライメントマークなどのマークのタイプ(例えば段差パターンの高低など)に合わせて照明光の波長を変更することにより、最適な計測条件(照明条件)の下で計測が行えるようになる。
図14乃至図17は、照明光の波長によって、マーク50(図13(A)、(B)参照)を撮像した撮像信号波形がどのように変化するかをシュミレーションした結果を示す。図13(A)はこのシミュレーションに使用するマーク50の平面図、また同図(B)はマーク50の断面図で、1本のラインマーク(段差マーク)から構成した場合を示しているが、これはあくまでも照明光の波長によってマーク50の撮像信号波形がどのように変化するかを説明するためのものであって、必ずしも実際に位置計測のために使用されるものとは限らない。図14は広帯域の波長(530nm〜800nm)の照明光をマーク50に照射したときの該マーク50の撮像信号波形図である。このような広帯域の波長の照明光の下ではマーク50の撮像信号波形はダブルエッジとなる。図15は広帯域よりも波長の若干短い赤色(波長700nm〜800nm)の照明光をマーク50に照射して撮像したときの該マーク50の信号波形図で、ダブルエッジの形状が多少崩れる。図16は波長の短いオレンジ色(波長600nm〜710nm)の照明光をマーク50に照射したときの該マーク50の撮像信号波形図で、ダブルエッジの形状が更に崩れる。図17は波長が更に短い緑色(波長530nm〜610nm)の照明光をマーク50に照射したときの該マーク50の撮像信号波形図で、図14乃至図16に示す場合とは大きく異なり、図16に示す波形図を反転したように上に凸の形状になっていて、ダブルエッジの形状が崩れている。
光ファイバ24を出射した照明光は、フィルタ25、照明光束開口絞り26、レンズ系27を介してハーフミラー28に至り、該ハーフミラー28で反射される。ハーフミラー28で反射された照明光は、ミラー29でX軸とほぼ平行に反射され、対物レンズ30を介してプリズム31に至り、該プリズム31でほぼ直角に反射された後、ウエハWを垂直に照射する。
フィルタ25は、照明光からウエハW上に塗布されたフォトレジストの感光波長域と赤外波長域の光をカットする。
照明光束開口絞り26は、図示していないが、開口数、開口形状の異なる複数の開口絞りを有しており、照明光の光軸と直交する方向に移動させることでこれら開口絞りのうちの1つの開口絞りを選択して絞りの開口形状、開口数を変更することができる。例えば、絞りが無く、照明のNA(開口数)が光ファイバ24の射出端の開口、例えば0.4の開口絞りと、開口形状が小径の円形で、照明のNA(開口数)が光ファイバ24の射出端の開口よりも小さい例えば0.12の開口絞りと、開口形状が大径の円形で、照明のNA(開口数)が光ファイバ24の射出端の開口よりも小さい例えば0.3の開口絞りと、開口形状が輪帯状で、照明のNAが輪帯絞り(例えば内径が0.3で、外径が0.4の輪帯絞り)開口絞りを備える。照明光束開口絞り26によってサーチするアライメントマークなどのマークのタイプ(例えば段差パターンの高低など)に合わせて開口絞りを選択して、絞りの開口数と開口形状を変更することにより、最適な計測条件(照明条件)の下で計測が行えるようになる。
図18、図19は開口絞りの開口数(NA)によってマーク60,61(図18(A)、(B)、図19(A)、(B)参照)の撮像信号波形がどのように変化するかをシミュレーションした結果を示している。図18(A)は、このシミュレーションに使用する、ピッチが4μm、幅が0.4μm、深さが40nmの3本のラインマークからなるマーク60の平面図を示し、また同図(B)はマーク60の断面図を示しているが、これはあくまでも開口絞りの開口数、開口形状によってマーク60の撮像信号波形がどのように変化するかを説明するためのものであって、必ずしも実際に位置計測のために使用されるものとは限らない。同図(C)は、NAが0.5の開口絞りとNAが0.3の開口絞りとをそれぞれ介してマーク60を照明して撮像したときの撮像信号波形図を示しており、この波形図から開口絞りのNAが0.3の場合、NAが0.5の場合に比して振幅度が小さくなり、信号波形の頂部が崩れて信号波形の頂部と底部との間の差が小さくなることが分かる。また、図19(A)についても、同じくこのシミュレーションに使用する、ピッチが4μm、幅が2μm、深さが160nmの6本のラインマークからなるマーク61の平面図を示し、また同図(B)はマーク61の断面図を示しているが、これもあくまでも開口絞りの開口数、開口形状によってマーク60の撮像信号波形がどのように変化するかを説明するためのものであって、必ずしも実際に位置計測のために使用されるものとは限らない。同図(C)は、NAが0.5の開口絞りとNAが0.3の開口絞りをそれぞれ使用してマーク61を照明して撮像したときの撮像信号波形図を示しており、この波形図から開口絞りのNAが0.3の場合、NAが0.5の場合と比較して、信号波形が略正弦波形状に崩れ、また振幅度が小さくなることが分かる。これらのシミュレーション結果から、図18(A)、(B)或いは図19(A)、(B)に示すようなスモールアライメントマークの場合、開口絞りの開口数が大きい方が適しているということが出来る。
対物レンズ30はテレセントリック系に設定され、その開口絞りの面30aには光ファイバ24の出射端の像が形成され、ケーラー照明が行われる。対物レンズ30の光軸は、ウエハW上で垂直になるように設定されていて、マーク検出時に光軸の傾きによるマーク位置のずれが生じないようにしてある。
ウエハWからの反射光は、プリズム31、対物レンズ30、ミラー29からハーフミラー28を透過してレンズ系32により指標板33上に結像される。この指標板33は、対物レンズ30とレンズ系32とによってウエハWと共役に配置されていて、図示しないがその矩形の透明窓枠内にX軸方向とY軸方向にそれぞれ延びる直線状の指標マークを有する。従って、ウエハWのマーク像は、指標板33の透明窓枠内に結像され、該透明窓枠の指標マークと共にリレー光学系34、37及びミラー35を介してイメージセンサ38に結像する。
ミラー35とリレー光学系37との間にはNA絞り36が配置される。このNA絞り36は、図示していないが、開口形状、開口数の異なる複数の開口絞りを有しており、照明光の光軸と直交する方向に移動させることでこれら開口絞りのうちの1つの開口絞りを選択して、絞りの開口形状又は開口数(照明条件)を変更することができる。例えば、開口形状が円形で照明のNA(開口数)が0.3の開口絞りと、開口形状が輪帯状で、NAが0.24〜0.3の開口絞りとを有する。
このNA絞り36と上述した照明光束開口絞り26との組み合わせを変えることによって照明条件、計測条件を種々変更し、サーチするアライメントマークなどのマークのタイプ(例えば段差パターンの高低など)に合わせることにより、最適な照明条件、計測条件の下で計測が行えるようになる。
イメージセンサ(光電変換素子)38は、その画像面に入射する像を電気信号(画像信号、画像データ)に変換するもので、例えば2次元CCDが使用される。イメージセンサ38から出力された信号(n次元信号)は、FIA演算ユニット40に入力される。FIA演算ユニット40には、このイメージセンサ38からの信号の他にレーザ干渉計12からの位置計測情報が供給される。
FIA演算ユニット40は、テンプレート作成処理時にイメージセンサ38から入力した画像信号に基づいてテンプレートを作成し、またサーチアライメント計測時に予め作成したテンプレートを使用してテンプレートマッチング法によりマークの位置及びずれの検出を行い、さらにファインアライメント計測時にエッジ検出処理手法を用いてマークの位置検出及びずれの検出を行う。
FIA演算ユニット40は、図12に示すように、画像信号記憶部40Aと、テンプレートデータ記憶部40Bと、データ処理部40Cと、制御部40Dとを備える。
画像信号記憶部40Aは、イメージセンサ38によって取り込まれた画像信号(パターン信号情報)を入力してこれを記憶する。この画像は、検出対象となるアライメントマークのサイズに比して十分に大きい観察視野を有する画像である。
テンプレートデータ記憶部40Bは、図1乃至図6に示す方法で作成され、サーチアライメント計測の際に行われるテンプレートマッチングで使用されるテンプレートデータ(テンプレート情報)を記憶する。テンプレートデータは、ウエハW上の位置計測対象のパターンを検出するために画像信号記憶部40Aに記憶されている画像信号とパターンマッチングを行うための基準のパターンデータである。本実施形態でマークとは、アライメントのために形成されたマークパターンの他に、回路の一部であって基準パターンとして設定されたパターン等を含む広い概念である。
データ処理部40Cは、画像信号記憶部40Aに記憶された画像信号に対してテンプレートマッチング(サーチアライメント計測時)とエッジ検出処理(ファイン計測時)等の所望の画像処理(信号処理)を行い、マークの検出、位置情報の検出及びずれ情報の検出等を行う。
データ処理部40Cでは、例えば、画像信号記憶部40Aに取り込まれて記憶されている画像信号(パターン情報信号)とテンプレートデータ記憶部40Bに予め記憶されているテンプレートデータとのマッチングを行い、画像信号中のマークの有無を検出する。具体的には、検出対象のパターンの大きさに相当する探索領域で観察視野を順次走査し、各位置においてその領域の画像信号とテンプレートデータとを比較照合する。この比較照合では、例えば、パターン間の類似度、相関度などを評価値として検出し、類似度が所定の閾値以上のとき、その領域にマークが存在する(その箇所の画像信号中にマークの像が含まれている)と判断する。また、データ処理部40Cでは、そのマークが視野内のどの位置にあるかを求める。さらに、データ処理部40Cでは、本発明の基準パターン情報(テンプレート)の作成方法(図1乃至図6参照)により、画像信号記憶部40Aに記憶されているテンプレート作成領域内の画像信号に基づいてテンプレート作成処理を行い、作成したテンプレートをテンプレートデータ記憶部40Bに記憶する。これについては、図1乃至図6を参照して後で詳述する。
制御部40Dは、画像信号記憶部40Aにおける画像信号の記憶及び読み出し、テンプレート記憶部40Bにおけるテンプレートデータの記憶及び読み出し、テンプレートデータの作成処理及びデータ処理部40Cにおけるマッチングやエッジ検出等の処理が適切に行われるように、FIA演算ユニット40全体の動作を制御する。
上述した露光装置100では、レチクルRに形成された回路パターンの像が投影光学系PLを介してウエハW上の各ショット領域に投影される。ウエハWには、各ショット領域の周辺部に図示しないがX軸方向の位置計測用とY軸方向の位置計測用(二次元計測用)のアライメントマーク(位置計測用パターン)が形成されている。露光装置100では、上述したアライメント光学系20によりサーチアライメントで使用するテンプレート(基準パターン情報)を作成してサーチアライメント計測を行い、次いでファインアライメント計測を行う。
テンプレート作成は、サーチアライメント計測の際にウエハW上の複数箇所において位置計測対象のマークを検出するため、そのマークのテンプレートを作成して予め登録(メモリ)する処理である。露光装置100では、搭載されたウエハWの各位置計測箇所から自動的にパターンを抽出もしくは手動でパターンを指定して、テンプレートデータを作成する。
サーチアライメント計測は、ウエハW上に形成されている位置計測対象のパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部など)を検出し、ウエハWのウエハホルダー8に対する回転量、XY面内での位置ズレなどを検出する処理である。このサーチアライメント計測での信号処理として、本発明の基準パターン情報(テンプレート)の作成方法によって予め作成したテンプレートを用い、このテンプレートに対応する所定のパターンを検出するテンプレートマッチング法を用いる。
ファインアライメント計測は、ウエハW上の各ショット領域に対応して形成されたファインアライメント計測用のアライメントマークを検出し、最終的に各ショット領域の位置決めを行う処理である。このファインアライメント計測での画像処理方法としては、例えばアライメントマークのエッジを抽出してその位置を検出するエッジ計測手法を用いる。
テンプレート作成処理時、サーチアライメント計測時及びファインアライメント計測時におけるアライメント光学系(アライメントセンサ)20の観察倍率は各々任意に設定される。例えば、互いに等しい観察倍率に設定してもよいし、あるいはファインアライメント計測時の観察倍率をサーチアライメント計測時やテンプレート作成時よりも高倍率に設定してもよい。
次に、本発明のテンプレート作成方法の実施態様を図1乃至図6を参照して説明する。
図1乃至図3は照明条件等の各計測条件の下でそれぞれテンプレートを作成する本発明の第1の実施態様を示している。
図1に示すように、ステップS101において、ウエハW上のサーチアライメント計測を実行する位置計測箇所(2箇所以上の複数箇所)にあるデザインルールの異なる何れかのパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部)をテンプレート作成候補として選択する。
ステップS102において、ステップS101で選択したパターンを照明する照明条件を含む計測条件を選択・設定する。この計測条件としては、例えば、パターンを照明する照明光の波長、照明光の光路に設置された照明光束開口絞り26とウエハWパターンからの反射光の光路に設置されたNA絞り36の開口形状、開口数(照明光の光量)がある。また、パターンを照明して取得したこのパターンの画像信号を処理する信号処理アルゴリズムも含まれる。照明光の波長の選択・設定では、波長選択フィルタ22を照明光の光軸と直交する方向に移動させてその複数のフィルタ部のうちから1つのフィルタ部を選択した後、波長選択フィルタ22を固定する。また、絞りの開口形状、開口数の選択・設定では、照明光束開口絞り26及び/又はNA絞り36を、照明光、反射光の光軸と直交する方向にそれぞれ移動させてそれらの複数の絞りのうちから1つの絞りを選択した後、照明光束開口絞り26及び/又はNA絞り36を固定する。
ステップS103において、ステップS102で選択した計測条件(照明光の波長、開口絞りの開口形状、開口数)の下で、ステップS101で選択したパターンを照明して該パターンの画像信号情報を取り込む。具体的には、ハロゲンランプ21からの照明光を、波長選択フィルタ22、コンデンサレンズ23、光ファイバ24、フィルタ25、照明光束開口絞り26、レンズ系27、ハーフミラー28、ミラー29、対物レンズ30、プリズム31を介して選択したパターンに照射する。すなわち、選択した波長の照明光を、選択した開口形状、開口数の絞り等の光学系を通して選択したパターンに照射する。この照明により生じたウエハWのパターンから反射した反射光(反射像)を、プリズム31、対物レンズ30、ミラー29からハーフミラー28を透過し、レンズ系32により指標板33上に結像し、該指標板33の指標マークと共にミラー35、リレー光学系34、37及びNA絞り36中の選択した開口形状、開口数の絞りを通してイメージセンサ38に結像する。この結像したパターンの像を、イメージセンサ38で光電変換して画像信号情報としてFIA演算ユニット40の画像信号記憶部40Aに記憶する。
ステップS104において、ステップS103で取り込んだ画像信号情報がテンプレートの作成に相応しいか否かの評価を行う。この画像信号情報の評価は、画像信号情報に基づいて作成したテンプレートを利用して実際に位置計測を行ったときの処理時間、計測精度及びノイズに対するロバスト性の観点から行うもので、サーチアライメント計測に適用した場合に適切なテンプレートとなる画像信号情報を判定する。なお、計測精度については、これに密に関係する位置決め情報の情報量を尺度として評価を行う。
このステップS104の画像信号情報の評価においては、図2に示すように、例えば、まずステップS104Aにおいて、取り込んだ画像信号情報からテンプレート候補を作成する。また、この画像信号情報からサーチアライメント計測時のアライメントセンサの観察視野に相当する大きさで、テンプレート候補のパターンを含む領域の画像信号を抽出して、これを処理対象のパターンとする。次いで、ステップS104Bにおいて、処理対象のパターンを観察画像とし、テンプレート候補を実際のテンプレートと仮定して、サーチアライメント計測時の位置計測アルゴリズムを適用し、実際に位置計測処理を行って、この位置計測処理に要した時間を検出し、この処理時間を評価する。処理時間が短いほど高い評価となる。次に、ステップS104Cにおいて位置決め情報の情報量の評価を行う。これは、上述したように位置計測精度に関連する重要な評価尺度で、位置計測アルゴリズムに対応して処理に有効な特徴をいくつか設定し、その特徴にかかる情報をテンプレート候補のパターンから抽出し、その情報量を検出することにより行う。例えば、パターンの複雑さ、エッジの特徴及びパターンのコントラストの特徴を位置計測処理に有効な特徴として設定する。例えば、周波数解析によりパターンの複雑さ等に関する情報を検出し、その情報量を検出する。また、エッジ検出処理によりエッジの本数(或いは長さ)やエッジの明瞭度合い等のエッジに関する情報を検出し、その情報量を検出する。また、コントラスト値の検出を行うことによりパターンの明瞭度合い等に関する情報を検出し、その情報量を検出する。これらの情報量は、位置計測処理に適正に作用する情報であれば多い方がよいが、パターン中には位置計測に有効でない情報も含まれていると考えられることから一概に言うことは出来ない。従って、位置計測アルゴリズムや位置計測処理の特徴、テンプレート候補の適正な複雑さ等を考慮し、さらに経験的に決定される条件、基準等を加味して、有効且つ適正な情報が十分に存在する状態が高い評価値となるようにして評価値を求めることが好ましい。次いで、ステップS104Dにおいて、ノイズに対するロバスト性にかかる評価を行う。これには、処理対象のパターンにランダムノイズを加えて作成したパターンと、ランダムノイズを加えないパターンのそれぞれに対して位置計測処理を行い、その位置計測結果を比較して行う。処理対象のパターンとしては、ステップS103で取り込んだ画像信号からアライメントセンサの観察視野に相当する大きさでテンプレート候補のパターンを含む領域の画像信号を処理対象のパターンとするが、例えばステップS104Bで作成した処理対象のパターンをそのまま使用することができる。先ず、処理対象のパターンを観察画像とし、テンプレート候補を実際のテンプレートと仮定し、サーチアライメント計測時に使用する位置計測アルゴリズムを適用して実際に位置計測処理を行う。次に、この位置計測処理を行った処理対象のパターンにランダムノイズを加え新たな処理対象のパターンを作成する。そして、このノイズの加わった処理対象のパターンを観察画像とし、同じくテンプレート候補を実際のテンプレートと仮定し、サーチアライメント計測時に使用する位置計測アルゴリズムを適用して実際に位置計測処理を行う。そして、ノイズのないパターンに対する位置計測処理結果とノイズが加わったパターンに対する位置計測処理結果とを比較し、両者の差を求め、ロバスト性の評価を行う。通常、この差が小さいほどノイズに対するロバスト性が高いと考えられる。次いで、ステップS104Eにおいて、これらの評価結果からステップS103で取り込んだ画像信号情報の評価を行う(取り込んだ画像信号情報に基づいてテンプレートを作成することが適切か否かを判断する)。適切と判断した場合にはステップS105に移行する。適切でないと判断した場合には、ステップS101に戻り、位置計測に使用する、デザインルールの異なる前回とは別のパターンを選択して、ステップS101、S102、S103、S104を繰り返す。
ステップS105では、ステップS103で取り込み、ステップS104で所定の評価を得た画像信号情報に基づいてテンプレートを作成する。作成されたテンプレートは、FIA演算ユニット40のテンプレートデータ記憶部40Bに記憶される。
ステップS106では、各計測条件(照明光の各波長、絞りの各開口形状、開口数等)の下でテンプレートを作成したか否かが判断される。作成したと判断した場合には、テンプレートの作成作業を終了する。また、作成していないと判断した場合には、ステップS102に戻り、前回とは異なる計測条件を選択・設定し、ステップS103,S104,S105,S106を繰り返す。
本実施態様では、計測条件として、取りうる可能性のある計測条件又は使用頻度の高い計測条件を含む、一応全ての計測条件が含まれるが、これらのうち、ステップS104の画像信号情報の評価において、所定の評価が得られる画像信号情報が取り込まれる計測条件に絞られる。例えば、照明光の波長、絞りの開口数等によっては画像信号の崩れが大きくなりすぎて、採用できないものは(図13乃至図19参照)、ステップS104で計測条件から排除される。所定の評価が得られる画像信号情報が取り込まれる計測条件についてのみ、これら計測条件毎にそれぞれテンプレートが作成される。
図3は図1に示す実施態様の変形例を示す。この変形例では、図1に示す実施態様において、計測条件として、照明光の波長と、照明光束開口絞り26、NA絞り36の開口形状、開口数とを採用して計測条件を限定し(ステップS202,203参照)、また画像信号情報の評価手法を仮のテンプレートを作成して実際に行った位置計測の結果(位置計測の処理時間)から評価するように限定して(ステップS205,206参照)、テンプレート作成処理の効率化を図っている。
なお、ステップS202,203,205,206の内容については、上述したステップS102,104の説明中にそれぞれ開示されている。また、ステップS201の内容はステップ101に、またステップ204の内容はステップS103に、またステップS207の内容はステップS105に、またステップS208の内容はステップS106にそれぞれ対応している。従って、ステップS201乃至ステップS208の内容の説明は重複を避けるため省略する。
上述した第1の実施態様では、計測条件として照明光の波長などの光学条件を種々変更し、各光学条件の下でテンプレートを作成する場合について説明したが、フィルタリング処理、信号ゲインの設定制御・信号オフセットの設定制御などの電気的計測条件を種々変更し、各電気的計測条件の下でテンプレートを作成するようにしてもよい。図8はこのようにして作成したテンプレートを使用して位置計測、露光を行う場合について示しているが、これについては後述する。
図4乃至図6は本発明のテンプレート作成方法の別の実施態様を示している。この実施態様では、図1に示すように計測条件毎にテンプレートを作成するのではなく、位置計測において最適な計測条件を求めてからこの最適な計測条件の下で画像信号情報を採取してテンプレートを作成するようにしている。計測条件毎にテンプレートを作成しても、このテンプレートの作成に用いる画像信号情報がテンプレートマッチングにとって有効若しくは最適な画像とは限らない場合がある点を考慮したものである。
図4に示すように、先ずステップS301において位置計測に最適な計測条件を求め、次いでステップS302においてステップS301で求めた最適な計測条件の下で画像信号情報を取得し、この画像信号情報に基づいてテンプレートを作成する。
位置計測に最適な計測条件は、例えば図5又は図6に示す方法により求められる。
図5では、パターンの画像信号情報からその特徴量を抽出し、この特徴量に基づいて最適な計測条件を求める方法を示している。
図5に示すように、先ずステップS301Aにおいて、計測条件を種々変更して、変更した計測条件毎にそれぞれパターンの画像信号情報を得る。パターンは、図1のステップS101で説明したように、ウエハW上のサーチアライメント計測を実行する位置計測箇所にあるデザインルールの異なる何れかのパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部等)である。また、計測条件は、図1のステップS102で説明したように、パターンを照明する照明光の波長、照明光の光路に設置された照明光束開口絞り26とウエハWパターンからの反射光の光路に設置されたNA絞り36の開口形状、開口数や、パターンを照明して取得した該パターンの画像信号を処理する信号処理アルゴリズム等があり、これら計測条件をそれぞれ変更する。例えば、照明光の波長の場合では、前述したように波長選択フィルタ22を、照明光の光軸と直交する方向に移動させてその複数のフィルタ部のうちから1つのフィルタ部を選択することにより変更する。また、絞りの開口形状、開口数の場合では、前述したように照明光束開口絞り26及び/又はNA絞り36を、照明光、反射光の光軸と直交する方向にそれぞれ移動させてそれらの複数の絞りのうちから1つの絞りを選択することにより変更する。パターンの画像信号情報は、上述した図1のステップS103で説明したように、選択した波長の照明光を、選択した開口形状、開口数の絞りを通してウエハW上のパターンに照射する一方、該パターンを反射した反射光を選択した開口形状、開口数の絞りを通してイメージセンサ38に結像することにより取り込まれ、光電変換されて画像信号情報としてFIA演算ユニット40の画像信号記憶部40Aに記憶される。
次いで、ステップS301Bにおいて、変更した全ての計測条件でパターンの画像信号情報を取り込んだか否かが判断され、全て取り込まれていない場合には、ステップS301Aに戻り、ステップS301Aの操作が繰り返される。全て取り込まれた場合には、ステップS301Cに移行する。
ステップS301Cにおいて、取り込まれた画像信号情報からその特徴量を引き出す。具体的には、FIA演算ユニット40の画像陣号記憶部40Aから各画像信号情報を順次読み出し、データ処理部40Cで各画像信号情報からその特徴量、例えば、信号強度、信号振幅、ノイズ振幅、最適フォーカス位置(コントラスト、鮮明度)等を抽出する。
ステップS301Dにおいて、抽出された各画像信号情報の特徴量を比較して、信号強度が有る程度大きく、信号振幅が最も大きく、ノイズ振幅が最も小さく、最適フォーカス位置で撮像されている画像信号情報を選択し、このような画像信号情報を得ることが出来る計測条件を求める。この計測条件では、信号強度が適度で、信号振幅が最も大きく、ノイズ振幅が最も小さく、鮮明でコントラストのある、画像信号情報を得ることが出来るので、最適な計測条件と評価することが出来る。
このようにして最適な計測条件を求めたら、図4のステップS302に移行し、ステップS301Dにおいて最適な計測条件と評価を得たこの計測条件の下で既に取得してある画像信号情報に基づいて(画像信号情報を抽出して)テンプレートを作成する。
図6では、図5に示す場合と異なり、画像信号情報から特徴量を抽出するのではなく、異なる計測条件の下で取得した各画像信号情報に基づいてテンプレート候補をそれぞれ作成し、各テンプレート候補を使用して実際に位置計測を行い、これらの位置計測結果から最適な計測条件を求める方法を示している。
図6に示すように、ステップS301Jにおいて計測条件を種々変更してパターンの画像信号情報を取得し、ステップS301Kにおいて全ての計測条件でパターンの画像信号情報を得たか否かを判断するが、これらの内容はそれぞれ上述した図5のステップS301A、S301Bで開示した内容と同じである。また、ステップS301Lにおいて取得した各画像信号情報に基づいてそれぞれテンプレート候補を作成し、ステップS301Mにおいてテンプレート候補を使用して、サーチアライメント計測を行った際の計測処理時間、計測精度、ノイズに対するロバスト性を評価するが、これらの内容もそれぞれ上述した図2のステップS104A、104B、104C、104Dで開示した内容と同じである。従って、説明の重複を避けるため、これステップS301J、301K、301L、301Mの説明を省略する。
次いで、ステップS301Nにおいて、ステップS301Mで行った評価結果、すなわち計測処理時間、計測精度(情報量)及びロバスト性の評価結果から最適な計測条件を求める。この最適な計測条件としては、評価結果が最も優れた1つの計測条件が選択されるが、優れたものが複数あり、それらの間の差異が殆どない場合には複数の計測条件が選択される。
このようにして最適な計測条件を求めたら、図5に示す場合と同様に図4のステップS302に移行し、ステップS301Nにおいて最適な計測条件と評価を得たこの計測条件の下で既に取得してある画像信号情報に基づいて(画像信号情報から抽出して)テンプレートを作成する。
なお、基準パターン情報(テンプレート情報)の元となるパターン(マーク)信号としてウエハW上に描画されたパターン(アライメントマーク、回路パターンの一部など)の他に、例えば計測条件を種々変更してシミュレーションによって最適計測条件を求める際に使用されるシミュレーション信号を利用してもよい。
次に、上述したテンプレート作成方法により作成したテンプレートを利用した、本発明の位置計測方法、露光方法の各実施態様について図7、図8及び図9を参照してそれぞれ説明する。
図7は、図1乃至図3に示す方法で作成したテンプレートを使用して位置計測を行い、露光処理する、第1の実施態様を示している。
この図7に示す実施態様では、複数の(複数種の)計測条件毎にテンプレートを作成しておき、実際の位置計測時にその際の計測条件(主制御系15内のメモリ上に記憶されている実際のサーチアライメント計測処理に使用される種々の計測条件)と同じかあるいはそれに近い計測条件の下で作成したテンプレートを選択、使用してサーチアライメント計測を行い、次いでファインアライメント計測を行ってショット領域の位置を算出した後、露光処理する。
具体的には、先ず、図7に示すように、ステップS401において、処理対象のウエハWを、プリアライメントを経てウエハホルダ8に載置する。これは、例えば露光装置100の図示しないプリアライメント計測部及びウエハWの搬送系が協働して、ウエハWを搬送する際にウエハWに形成されたオリエンテーション・フラットやノッチ等を用いてウエハWの方向を検出し、回転テーブル等によりこれを所定の向きに調整し、次いでウエハWを撮像した画像よりウエハWの回転量及び中心位置を検出し、ウエハWをウエハホルダ8に受け渡す際に受け取り位置の調整、或いは搬送アームやウエハ受け取りピンの回転量を調整して、ウエハWを所望の位置及び方向でウエハホルダ8上に載置して行う。
ステップS402において、ウエハホルダ8上のウエハWを対象とし、サーチアライメント計測で使用するテンプレートを作成するか否かの判定を行い、テンプレート作成を行う場合にはステップS403に移行し、テンプレート作成を行わない場合には直ちにステップS404に移行する。
テンプレート作成対象となるウエハWは、本実施態様では、例えば各ロットの最初のウエハW(25枚のウエハWで1ロットとする場合、各ロットの最初の1枚目のウエハW)とするが、ロット内の所定番目のウエハW、或いは所定枚数毎のウエハWを選択するようにしてもよい。また、全てのウエハWをテンプレート作成対象としてもよい。また、同一のプロセスを施す一連のロット1枚あるいは複数枚のウエハWを共通的に選択してテンプレート作成を行い、ロットごとにテンプレート作成を行わないようにしてもよい。また、露光処理にかかわる所定の処理の結果、検査結果あるいは所定の特性の計測結果等に基づいてテンプレート作成を行うウエハWを決定するようにしてもよい。
ステップS403において、図1、図2のステップS101〜S106(S104A〜S104E)又は図3のステップS201〜S208に示す何れかの方法によって、計測条件毎にそれぞれテンプレートを作成する。
ステップS404において、ステップS403で作成したテンプレートを使用してサーチアライメント計測を実行する。使用するテンプレートはサーチアライメント計測時の計測条件と同じか又はそれに近い計測条件の下で作成されたテンプレートを選択する。このサーチアライメント計測では、まず位置計測箇所ごとにウエハW上の所定領域の画像(視野画像、パターン信号)を取り込む。具体的には、露光装置100の主制御系15でステージコントローラ13及び駆動系14を介して位置計測対象のパターンがアライメントセンサ(アライメント光学系20)の観察視野内に入るようにウエハステージ9を駆動し、その観察視野内のパターンをイメージセンサ38で撮像して、その画像信号(パターン信号)をFIA演算ユニット40の画像信号記憶部40Aに記憶する。次いで、記憶した画像信号からその位置計測箇所に対応する位置計測対象のパターンをパターンマッチングにより検出して、その位置情報を得る。すなわち、FIA演算ユニット40のデータ処理部40Cでテンプレートデータ記憶部40Cに記憶されているテンプレートと同じサイズの窓により画像信号記憶部50に記憶されている画像信号を走査し、サーチアライメント計測時の計測条件と同じか又はそれに近い計測条件の下で作成されたテンプレートデータとの照合(テンプレートマッチング)を行い、位置計測対象のパターンの位置情報を得る。これをサーチアライメント計測のために予め設定されたウエハW上の複数の位置計測箇所においてそれぞれ位置計測対象のパターンの画像を取り込み、マッチングの処理を順次繰り返す。そして、ウエハW上の全ての位置計測箇所において、位置計測対象のパターンの位置情報を得たら、これに基づいて所定の演算を行い、ウエハWの回転量やXY方向でのずれ等を求める。サーチアライメント計測が終了したらステップS405に移行する。
ステップS405においてファインアライメント計測を実行する。このファインアライメント計測では、アライメントセンサ(アライメント光学系20)によりウエハW上の各ショット領域の位置ずれを検出する。すなわち、ウエハW上のショット領域に対応して形成されたファインアライメント用のアライメントマークを検出し、そのアライメントマークの位置を求めて、各ショット領域の回転量や位置ずれを検出する。本実施形態では、検出した画像信号の波形信号に対してエッジ計測手法(例えば特開平4−65603号公報等に開示)による信号処理を施すことにより、アライメントマークの検出及びその位置情報の検出を行う。
ファインアライメント計測では、ウエハW上の各露光ショット領域に対応して設けられたアライメントマークの全てを検出して行ってもよいし、あるいはショット領域の位置算出処理の際に統計演算処理(EGA)を行うためにウエハW上の幾つかのショット領域を選択し、選択されたショット領域に対応するアライメントマークを検出してもよい。
ファインアライメント計測が終了したら、ステップS406のショット領域の位置算出に移行する。このステップS406においては、まずデータ処理部40Cによりサーチアライメント計測の結果及びファインアライメント計測の結果に基づいて、例えばEGA処理等を行いウエハW上の各露光ショット領域の位置を算出し、次いで主制御系15により予め管理されているベースライン量及び算出したショット領域の位置ずれ量に基づいてレチクルRとウエハWのショット領域との位置合わせを行う。
このようにして位置合わせを行った後、ステップS407の露光処理に移行して各ショット領域にレチクルRのパターン像を正確に重ね合わせ、露光を行う。
上述した第1の実施態様では、位置計測を行う際に設定される計測条件(照明条件や電気処理上の条件など)毎にテンプレート情報(基準パターン情報)を準備する場合について説明している。この第1の実施態様によれば、例えば設定された照明条件毎にテンプレートを適宜選択使用したり、設定された電気的計測条件(フィルタリング処理、信号ゲインの設定制御・信号オフセットの設定制御などの前処理条件)毎にテンプレートを適宜選択使用したりすることが可能となる。位置計測演算で使用するテンプレートを照明条件毎に適宜切り換えて使用するということは、設定された照明条件に応じて位置計測処理に用いる信号処理アルゴリズムを適宜切り換えて使用することでもある。例えば、照明条件として照明光の波長を切り換えた場合、その照明光の波長に基づいて複数のテンプレートの中から1つのテンプレートを選択使用することは、その照明光の波長に最適な信号処理アルゴリズムを選択することでもある。
上記の信号処理アルゴリズム(選択対象の信号処理アルゴリズム)としては、上述した第1の実施態様のテンプレート(アルゴリズムの一種)に限定されるものではない。例えば、演算手法として上述したテンプレートマッチング処理や、あるいは例えば特開平4−65603号公報等で公知の位置計測処理手法(スロープ検出処理又はエッジ計測処理)など、互いに計測原理(計測手法、計算タイプ)の異なる複数の演算処理アルゴリズムを用意しておき、それらの中から照明条件に応じて最適な演算処理アルゴリズムを選択するようにしてもよい。
また、上記の信号処理アルゴリズムとしては、演算処理アルゴリズムに限定されるものではなく、例えば上述したような前処理アルゴリズム(フィルタリング処理、信号ゲインの設定制御・信号オフセットの設定制御など)も複数種用意しておき、それらの中から照明条件に応じて最適な演算処理アルゴリズムを選択するようにしてもよい。
また、照明条件に応じて上述した前処理アルゴリズムと演算処理アルゴリズムの中から最適な組み合わせを選択するようにしてもよい。
このように照明条件に応じて最適な信号処理アルゴリズムを選択使用して位置計測処理を行うことにより、より高精度な位置計測を行うことが出来る。
図8は、このように照明条件毎に信号処理アルゴリズム(前処理アルゴリズム)を選択使用して位置計測を行い、次いで露光処理する、第1の実施形態の変形例を示している。
先ず、図8のステップS501において、複数の照明条件の中から、パターンの信号情報を得る際の照明条件を設定する。照明条件としては、図1のステップS102で説明したように、例えば、パターンを照明する照明光の波長、照明光の光路に設置された照明光束開口絞り26の開口形状、開口数がある。また、パターンとしては、図1のステップS101で説明したように、ウエハW上のアライメント計測を実行する位置計測箇所(2箇所以上の複数箇所)にあるアライメントマーク、回路パターンの一部等がある。
次いで、ステップS502において、複数の信号処理アルゴリズムの中から光電変換された信号情報を処理する際に使用する信号処理アルゴリズムを、ステップS501で設定された照明条件に基づいて設定する。この信号処理アルゴリズムとしては、光電変換された信号情報を用いた位置計測演算処理を行う前に該信号情報に加えられる前処理アルゴリズムと、この前処理された信号情報を用いて行われる演算処理アルゴリズムとを含む。そして、前処理アルゴリズムには、光電変換された信号情報から所定帯域の周波数成分を除去するローパス/ハイパス/バンドパス・フィルタリング処理アルゴリズムと、信号情報のゲイン又はオフセットを制御するアルゴリズム等を含む。また、演算処理アルゴリズムには、相関演算処理アルゴリズムで使用する上述したテンプレート情報も含む。ステップS501で設定された照明条件に応じて上述した前処理アルゴリズムと演算処理アルゴリズムの中から最適な組み合わせを選択するようにしてもよい。
次いで、ステップS503において、各照明条件とこれに基づいて信号処理アルゴリズムの設定がそれぞれ完了したか否かが判断され、完了した場合にはステップS504に移行し、完了しない場合にはステップS501に戻り、ステップS501,502,503が繰り返される。
ステップS504において、ステップS501で選択設定された照明条件の下でウエハW上のパターンを照明して、該パターンの光電変換された信号情報を得る。
ステップS505において、光電変換して得られたパターンの信号情報を、ステップS502で設定された信号処理アルゴリズムを用いて処理して、位置計測を実行する。
ステップS506において、ステップS505での位置計測結果に基づいて例えばEGA処理等を行いウエハW上の各露光ショット領域の位置を算出し、次いで主制御系15により予め管理されているベースライン量及び算出したショット領域の位置ずれ量に基づいてレチクルRとウエハWのショット領域との位置合わせを行う。
このようにして位置合わせを行った後、ステップS507の露光処理に移行して各ショット領域にレチクルRのパターン像を正確に重ね合わせ、露光を行う。
これにより、上述したようにより高精度な位置計測を行い、これに基づいて露光処理を行うことが出来る。
図9は、図4乃至図6に示す方法で作成したテンプレートを使用して位置計測を行い、次いで露光処理する、第2実施態様を示している。
この図9に示す実施態様では、テンプレートの作成に際して位置計測に最適な計測条件を求め、この最適な計測条件の下でテンプレートを作成しておき、位置計測時に、この最適な計測条件とその下で作成したテンプレートとを使用してサーチアライメント計測を行い、続いてファインアライメント計測を行い、ショット領域の位置を算出した後、露光処理する。
なお、図9中、ステップS601は図7のステップS401と、またステップS602は図7のステップS402と、またステップS606は図7のステップS405と、またステップS607は図7のステップS406と、またステップS608は図7のステップS407と対応しており、それぞれ同じ内容なので、説明の重複を避けるため、それらの詳細な説明を省略する。
先ず、図9のステップS601においてプリアライメントを行い、次いでステップS602においてテンプレートを作成するウエハWか否かの判定を行い、テンプレートを作成するウエハWの場合にはステップS603に移行し、テンプレートを作成しないウエハWの場合には直ちにステップS605に移行する。
ステップS603においては、上述した図5のステップS301A〜S301D又は図6のステップS301J〜S301Nに示す何れかの方法によって位置計測に最適な計測条件を求める。すなわち、計測条件を種々変更して得られた画像信号情報からその特徴量(信号強度、振幅、ノイズ振幅、最適フォーカス位置等)を抽出し、各画像信号情報の特徴量を比較して最適な計測条件を決定するか、あるいは計測条件毎にテンプレート候補を作成し、実際にサーチアライメント計測を行った際の計測処理時間、計測精度、ノイズに対するロバスト性を比較して最適な計測条件を決定する。
次いで、ステップS604において、ステップS603で求めた最適な計測条件の下でテンプレートを作成する。このとき、ステップS603で最適な計測条件を求める際に採取された画像信号情報があり、この画像信号情報は画像信号記憶部40Aに既に記憶されているので、テンプレート作成の際、これを画像信号記憶部40Aから読み出してテンプレートを作成する。
次いで、ステップS605において、最適な計測条件(ステップS603)の下で、テンプレート(ステップS604)を使用してサーチアライメント計測を実行する。サーチアライメント計測の具体的な内容は、図7のステップS404で説明した方法と同じであるので、その説明は省略する。そして、ウエハW上の全ての位置計測箇所において、位置計測対象のパターンの位置情報を得たら、これに基づいて所定の演算を行い、ウエハWの回転量やXY方向でのずれ等を求める。サーチアライメント計測が終了したらステップS606に移行し、ファインアライメント計測を実行する。
このファインアライメント計測では、アライメントセンサ(アライメント光学系20)によりウエハW上の各ショット領域の位置ずれを検出するが、その具体的な内容は図7のステップS405で説明した方法と同じであるので、その説明は省略する。
ファインアライメント計測が終了したら、ステップS607のショット領域の位置算出に移行する。このステップS607において、ウエハW上の各露光ショット領域の位置を算出し、次いでレチクルRとウエハWのショット領域との位置合わせを行う。
このようにして位置合わせを行った後、ステップS608の露光処理に移行して各ショット領域にレチクルRのパターン像を正確に重ね合わせ、露光を行う。
本発明は、上記実施態様で説明したものに限定されず、本発明の範囲内において種々変更することが出来る。
例えば、図1に示す実施態様では、照明光の波長、絞りの開口数、開口形状及び信号処理アルゴリズムを計測条件とし、また図3に示す実施態様では、照明光の波長と絞りの開口数、開口形状とを計測条件とした場合を示したが、照明光の波長、絞りの開口数、開口形状及び信号処理アルゴリズムの何れか一つを計測条件として選択し、この選択した計測条件を種々変更し、各計測条件の下でテンプレートを作成するようにしてもよい。
また、上記実施態様では、サーチアライメント計測の際に上述したようなテンプレートマッチング処理を行うものとしたが、ファインアライメント計測の際にも上述のサーチアライメント手法と同様にファインアライメント計測条件毎にテンプレートを作成しておき、実際のファインアライメント計測条件(主制御系15内のメモリ等に記憶されている情報)に基づいて最適なテンプレートを選択し、それを使用してテンプレートマッチングを行って位置計測を行うようにしてもよい。
また、図1に示す実施態様では、画像信号情報を評価するのに、図2に示すように位置計測処理時間、情報量(計測精度)及びロバスト性について評価した場合を示したが、これら位置計測処理時間、情報量(計測精度)及びロバスト性のうち、少なくとも何れか1つを評価するようにしてもよい。
また、図4に示す実施態様でも、最適計測条件を決定するのに、図6に示すように位置計測処理時間、情報量(計測精度)及びロバスト性について評価した場合を示したが、これら位置計測処理時間、情報量(計測精度)及びロバスト性のうち、少なくとも何れか1つを評価するようにしてもよい。
また、図4に示す実施態様では、最適計測条件を決定する別の方法として、図6に示すように最適フォーカス位置、信号強度、信号振幅及びノイズ振幅について評価した場合を示したが、これら最適フォーカス位置、信号強度、信号振幅及びノイズ振幅の少なくとも何れか1つを評価するようにしてもよい。
また、基準パターン情報を作成するのに、光学条件である照明条件を含む計測条件を種々変更し、各計測条件の下でそれぞれパターンを実測してこれを利用する(実計測像を利用する)場合に限定されず、例えば、計測条件を種々変更しながら光学シミュレーション演算を実行してマーク信号を仮想的に求める場合(光学像変形シミュレータにより変形予測したパターンを用いる場合)も含まれる。
図10は、この光学像変形シミュレータにより変形予測したパターンを用いてテンプレートを作成する場合の実施態様を示している。
図10に示すステップS701において、まず検出対象のパターンやマークのデータを入力する。このパターンやマークのデータの入力方法は任意である。例えば、回路設計データ、パターンやマークの設計データ,CAD入力データ、あるいは最終的なパターンレイアウトの設計データから取得してもよい。また、印刷出力されたパターンやマークの画像、あるいは手書きで形状を表したパターンやマークをスキャナなどで入力してもよい。また、例えばパーソナルコンピュータなどで動作するワードプロセッサや簡易作図ソフトなどにより作図して入力してもよい。手書き又は作図ソフトなどにより文字パターンを入力した場合には、一度これを認識した後、ウエハWに形成されるのと同じフォントを読み出し、ウエハWに形成されるパターン情報を得るようにしてもよい。
なお、ウエハW上に実際に形成されているパターンやマークをアライメント光学系(アライメントセンサ)20で撮像して得られたパターン信号を用いることも可能である。この場合、取り込んだパターンに対してさらに変形が予測されることになる。いずれにしてもまずこのステップにおいては、検出対象としたい所望のパターンの形状を規定する情報を任意の方法により入力する。
次に、ステップS702において、入力されたパターンのデータに基づいてウエハW上に形成するパターンの像の基本モデルを作成する。ステップS701においては、上述したように、種々の方法により、種々のツール・手段を介して種々のフォーマット形式にてパターンデータが入力されるが、このステップS702においては、必要に応じてウエハWの回路設計データ、レイアウト情報等を参照し、それら入力されたパターンの形状に関わる情報を、そのパターンを実際にウエハW上に形成した状態で所定のフォーマット、データ表現形式により表した情報に変換する。
ウエハW上に形成されるパターンが所定のフォーマット、データ表現形式で規定されたら、ステップS703において、光学像変形シミュレータにより仮想的に基本モデルの像の変形パターンをそれぞれ作成して、これらを仮想モデル情報として記憶する。撮像されるパターン像は、例えば、照明光の波長、光量(絞りの開口形状、開口数)等の照明条件を含む計測条件によって変化するので、この計測条件が分かれば、基本モデルのパターンに対する形状変化を予測することが出来る。このような形状変化を予測する光学像変形シミュレータにより、各計測条件の下での像の変形を求めて、発生し得る変形パターン(信号波形)を順次形成する。
このように想定される変形を考慮した光学像変形シミュレーションを行い、像変形を予測したら、その結果得られた各信号(仮想モデル)に基づいて、ステップS704において、それぞれテンプレートを決定する。このテンプレートデータは、FIA演算ユニット40のテンプレートデータ40Bに記憶される。
100 露光装置
15 主制御系
20 アライメント光学系(アライメントセンサ)
21 ハロゲンランプ
22 波長選択フィルタ
26 照明光束開口絞り
36 NA絞り
38 イメージセンサ
40 FIA演算ユニット
40A 画像情報記憶部
40B テンプレートデータ記憶部
40C データ処理部
40D 制御部
R レチクル
W ウエハ
EL 露光光
IL 照明光学系
PL 投影光学系
15 主制御系
20 アライメント光学系(アライメントセンサ)
21 ハロゲンランプ
22 波長選択フィルタ
26 照明光束開口絞り
36 NA絞り
38 イメージセンサ
40 FIA演算ユニット
40A 画像情報記憶部
40B テンプレートデータ記憶部
40C データ処理部
40D 制御部
R レチクル
W ウエハ
EL 露光光
IL 照明光学系
PL 投影光学系
Claims (19)
- 物体上の所定領域内にあるパターンに対応する信号情報に基づいて、該物体の所定領域の位置計測を行う際に使用される基準パターン情報を作成する方法であって、
前記パターンの信号情報を得る際の計測条件を種々変更して、この変更した各計測条件の下で得られる前記信号情報をそれぞれ取得し、
前記取得した前記各信号情報に基づいて、前記計測条件毎に前記基準パターン情報をそれぞれ作成することを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 請求項1に記載の基準パターン情報の作成方法において、
前記計測条件は、前記信号情報を得る際に前記パターンを照明する照明光の波長、及び/又は、前記照明光と前記パターンを反射した反射光の少なくとも一方の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状であることを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 物体上の所定領域内にあるパターンに対応する信号情報に基づいて、該物体の所定領域の位置計測を行う際に使用する基準パターン情報を作成する方法であって、
前記位置計測に最適な計測条件を求める工程と、
前記工程で求めた最適な計測条件の下で前記パターンの信号情報を取得する工程と、
前記工程で取得された前記信号情報に基づいて、前記基準パターン情報を作成する工程と、を備えることを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 請求項3に記載の基準パターン情報の作成方法において、
前記最適な計測条件には、最適フォーカス位置が含まれることを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 請求項3に記載の基準パターン情報の作成方法において、
前記最適な計測条件を求める工程は、
前記パターンの前記信号情報を得る際の計測条件を変更し、この変更した計測条件毎にそれぞれ前記信号情報を取得する工程と、
前記取得された前記各信号情報のデータからその特徴量を抽出する工程と、
前記抽出された前記特徴量に基づいて前記最適な計測条件を求める工程と、を含むことを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 請求項4に記載の基準パターン情報の作成方法において、
前記特徴量は、前記データの信号強度、信号振幅及びノイズ振幅の少なくとも何れか一つであることを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 請求項3に記載の基準パターン情報の作成方法において、
前記最適な計測条件を求める工程は、
前記パターンの前記信号情報を得る際の計測条件を変更し、この変更した計測条件毎にそれぞれ前記信号情報を取得する工程と、
前記取得工程で取得された前記各信号情報に基づいて前記基準パターン情報の候補をそれぞれ作成する候補作成工程と、
前記候補作成工程で作成した前記各基準パターン情報の候補を使用して前記位置計測を行った際の計測処理時間、計測精度又はノイズに対するロバスト性の少なくとも1つを評価する評価工程と、
前記評価工程の評価結果から前記位置計測に最適な計測条件を選択する選択工程と、を含むことを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 物体上の所定領域内にあるパターンに対応する信号情報に基づいて、該物体の所定領域の位置計測を行う際に使用する基準パターン情報を作成する方法であって、
前記所定領域内にあるパターンのうち、前記位置計測に使用されるパターンを選択するパターン選択工程と、
前記パターン選択工程で選択された前記パターンを照明する計測用照明光の波長を、計測条件の1つとして選択して設定する波長選択・設定工程と、
前記照明光と該照明光を前記パターンに照射して得られる該パターンからの反射光の少なくとも一方の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状を、別の計測条件の1つとして選択して設定する絞り選択・設定工程と、
前記波長選択・設定工程で設定された波長を有する前記計測用照明光と、前記絞り選択・設定工程で選択された開口数及び/又は開口形状の絞りを使用して、前記パターン選択工程で選択された前記パターンを照明して該パターンの画像信号情報を取得する取得工程と、
前記画像取込工程で取り込んだ前記画像信号情報の適否について、該画像信号情報基づいて作成した仮の基準パターン情報を使用して前記位置計測を行ったときの位置計測結果から評価する評価工程と、
前記評価工程で評価を得た前記画像信号情報に基づいて基準パターン情報を作成する作成工程と、
前記照明光の各波長と前記絞りの各開口数及び/又は開口形状での下でそれぞれ各画像信号情報を取得し、該各画像信号情報に基づいてそれぞれ前記基準パターン情報を作成したか否かを判定する判定工程と、を備え、
前記判定工程で各波長、各開口数の下でそれぞれ前記基準パターン情報を作成していないと判定された場合に、前記波長選択・設定工程、前記絞り選択・設定工程、前記取得工程、前記評価工程及び前記作成工程を、各波長、各開口数及び/又は開口形状の下でそれぞれ前記基準パターン情報を作成するまで、繰り返すことを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 請求項1乃至8の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法において、
前記物体上に形成されたパターンは、位置合わせ用マーク、及び/又は、該物体上に形成された回路パターンの一部であることを特徴とする基準パターン情報の作成方法。 - 物体上の所定領域内のパターンを照明して取得した該パターンの信号情報に基づいて作成した基準パターン情報を使用して、該物体の所定領域の位置計測を行う位置計測方法であって、
請求項1乃至9に記載の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって基準パターン情報を作成し、
前記位置計測の際、該位置計測の計測条件と同じ計測条件の下で作成した前記基準パターン情報を選択し、該基準パターン情報を使用して前記物体の所定領域の位置計測を行うことを特徴とする位置計測方法。 - 物体上の所定領域内のパターンを照明して取得した該パターンの信号情報に基づいて作成した基準パターン情報を使用して、該物体の所定領域の位置計測を行う位置計測方法であって、
請求項1乃至9に記載の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって基準パターン情報を作成する際に、前記位置計測に最適な計測条件を求めることを特徴とする位置計測方法。 - 物体上の所定領域内のパターンを照明して取得した該パターンの信号情報に基づいて作成した基準パターン情報を使用して、該物体の位置計測を行う位置計測装置であって、
請求項1乃至9の何れか一項に記載の基準パターン情報の作成方法によって前記基準パターン情報を作成する作成手段と、
前記作成手段で作成した基準パターン情報のなかから前記位置計測を行う際の計測条件と同じ計測条件の下で作成した基準パターン情報を選択する選択手段と、
前記選択された基準パターン情報を使用し、前記所定領域内の該基準パターン情報に対応するパターンの位置情報を検出する位置情報検出手段と、を有することを特徴とする位置計測装置。 - 物体上に形成されたパターンを照明して、光電変換により取得した該パターンの信号情報に基づいて、該物体の位置計測を行う位置計測方法であって、
複数の照明条件の中から、前記パターンの信号情報を得る際の照明条件を設定し、
複数の信号処理アルゴリズムの中から前記光電変換された前記信号情報を処理する際に使用する信号処理アルゴリズムを、前記設定された照明条件に基づいて設定し、
前記設定された照明条件の下で照明して取得された前記信号情報を、前記設定された信号処理アルゴリズムを用いて処理することにより、前記位置計測を行うことを特徴とする位置計測方法。 - 請求項13に記載の位置計測方法において、
前記照明条件は、前記信号情報を得る際に前記パターンを照明する照明光の波長と、前記照明光の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状とのうちの少なくとも1つを含み、
前記信号処理アルゴリズムは、前記光電変換された信号情報を用いた位置計測演算処理を行う前に該信号情報に加えられる前処理アルゴリズムと、該前処理された信号情報を用いて行われる演算処理アルゴリズムとのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする位置計測方法。 - 請求項14に記載の位置計測方法において、
前記前処理アルゴリズムは、前記信号情報から所定帯域の周波数成分を除去するフィルタリング処理アルゴリズムと、前記信号情報のゲイン又はオフセットを制御するアルゴリズムとのうちの少なくとも1つを含み、
前記演算処理アルゴリズムは、相関演算処理アルゴリズムで使用するテンプレート情報を含むことを特徴とする位置計測方法。 - 物体上に形成されたパターンを照明して、光電変換により取得した該パターンの信号情報に基づいて、該物体の位置計測を行う位置計測装置であって、
複数の照明条件の中から、前記パターンの信号情報を得る際の照明条件を設定する照明条件設定手段と、
複数の信号処理アルゴリズムの中から前記光電変換された前記信号情報を処理する際に使用する信号処理アルゴリズムを、前記設定された照明条件に基づいて設定する信号処理アルゴリズム設定手段と、を有し、
前記設定された照明条件の下で照明して取得された前記信号情報を、前記設定された信号処理アルゴリズムを用いて処理することにより、前記位置計測を行うことを特徴とする位置計測装置。 - 請求項16に記載の位置計測装置において、
前記照明条件は、前記信号情報を得る際に前記パターンを照明する照明光の波長と、前記照明光の光路中に配置された絞りの開口数及び/又は開口形状とのうちの少なくとも1つを含み、
前記信号処理アルゴリズムは、前記光電変換された信号情報を用いた位置計測演算処理を行う前に該信号情報に加えられる前処理アルゴリズムと、該前処理された信号情報を用いて行われる演算処理アルゴリズムとのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする位置計測装置。 - マスクに形成されたパターンの像を、物体としての基板上の所定領域に転写する露光方法であって、
前記基板上の所定領域に形成された位置計測用パターンの位置情報を、請求項10,11,13,14又は15の何れかに記載の位置計測方法を使用して求め、
前記位置情報に基づいて前記基板上の所定領域を位置合わせし、
前記位置合わせされた前記基板の所定領域に前記マスクのパターンの像を転写することを特徴とする露光方法。 - マスクに形成されたパターンの像を、物体としての基板上の所定領域に転写する露光装置であって、
前記基板上の所定領域に形成された位置計測用パターンの位置情報を求める請求項12,16又は17の何れかに記載の位置計測装置と、
前記位置情報に基づいて前記基板上の所定領域を位置合わせする位置合わせ手段と、
前記位置合わせされた前記基板の所定領域に前記マスクのパターンの像を転写する露光手段と、を備えてなることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005028279A JP2006216796A (ja) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | 基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005028279A JP2006216796A (ja) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | 基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006216796A true JP2006216796A (ja) | 2006-08-17 |
Family
ID=36979747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005028279A Pending JP2006216796A (ja) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | 基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006216796A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166737A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2014157262A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 株式会社ニコン | マーク形成方法、マーク検出方法、及びデバイス製造方法 |
EP3751347A1 (en) * | 2019-06-07 | 2020-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus, alignment method, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
CN113330550A (zh) * | 2019-01-28 | 2021-08-31 | 科磊股份有限公司 | 用于量化计量对工艺变动的敏感度的缩放指标 |
KR102720076B1 (ko) | 2019-06-07 | 2024-10-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조방법 |
-
2005
- 2005-02-03 JP JP2005028279A patent/JP2006216796A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166737A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2014157262A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 株式会社ニコン | マーク形成方法、マーク検出方法、及びデバイス製造方法 |
JPWO2014157262A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-02-16 | 株式会社ニコン | マーク形成方法、マーク検出方法、及びデバイス製造方法 |
CN113330550A (zh) * | 2019-01-28 | 2021-08-31 | 科磊股份有限公司 | 用于量化计量对工艺变动的敏感度的缩放指标 |
CN113330550B (zh) * | 2019-01-28 | 2024-08-06 | 科磊股份有限公司 | 叠对计量系统和方法 |
EP3751347A1 (en) * | 2019-06-07 | 2020-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus, alignment method, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
US11360401B2 (en) | 2019-06-07 | 2022-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus, alignment method, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
TWI824145B (zh) * | 2019-06-07 | 2023-12-01 | 日商佳能股份有限公司 | 對準裝置、對準方法、微影裝置,及製造物品的方法 |
KR102720076B1 (ko) | 2019-06-07 | 2024-10-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6377187B2 (ja) | リソグラフィのためのメトロロジ | |
KR102068649B1 (ko) | 패턴 검사 장치, 패턴 위치 계측 장치, 공간상 계측 시스템, 공간상 계측 방법, 패턴 위치 보수 장치, 패턴 위치 보수 방법, 공간상 데이터 처리 장치, 공간상 데이터 처리 방법, 패턴의 노광 장치, 패턴의 노광 방법, 마스크의 제조 방법 및 마스크의 제조 시스템 | |
JP5908045B2 (ja) | メトロロジ装置、リソグラフィ装置、リソグラフィセル及びメトロロジ方法 | |
US9069264B2 (en) | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method | |
US20060126916A1 (en) | Template generating method and apparatus of the same, pattern detecting method, position detecting method and apparatus of the same, exposure apparatus and method of the same, device manufacturing method and template generating program | |
JP3269343B2 (ja) | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 | |
KR20180059495A (ko) | 검사 방법 및 검사 장치 | |
JP6364193B2 (ja) | 焦点位置調整方法および検査方法 | |
KR101888856B1 (ko) | 패턴 폭 치수의 이탈량 측정 방법 및 패턴 검사 장치 | |
JPWO2002029870A1 (ja) | 露光条件の決定方法、露光方法、デバイス製造方法及び記録媒体 | |
JP3211491B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置 | |
JP2006216796A (ja) | 基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 | |
KR102427648B1 (ko) | 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치 | |
US6975407B1 (en) | Method of wafer height mapping | |
JP2005011980A (ja) | 位置検出方法 | |
JP4443494B2 (ja) | 位置決定方法およびリソグラフィ装置 | |
JP2006242722A (ja) | 位置計測方法、この位置計測方法を実施する位置計測装置、この位置計測方法を使用するデバイス製造方法、及びこの位置計測装置を装備する露光装置 | |
TWI408330B (zh) | 位置偵測器、位置偵測方法、曝光設備及裝置製造方法 | |
US8077290B2 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2007027219A (ja) | 最適化方法及び表示方法 | |
JP2007102580A (ja) | 位置決め手法、及び位置決め装置 | |
JP4470503B2 (ja) | 基準パターン決定方法とその装置、位置検出方法とその装置、及び、露光方法とその装置 | |
JP2004165483A (ja) | データ抽出方法及び装置、位置検出方法及び装置、並びに露光装置 | |
JP2006140204A (ja) | 計測条件の最適化方法、該最適化方法を使用した位置計測方法、該位置計測方法を使用した位置合わせ方法、該位置合わせ方法を使用したデバイス製造方法、計測条件の最適化システム、該最適化システムを使用した位置計測装置及び該位置計測装置を使用した露光装置 | |
JP2006086450A (ja) | 波形選択方法、位置補正方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |