JP2005217239A - Tftアレイ検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 TFT基板20に荷電粒子ビームを照射し、当該荷電粒子ビーム照射によりTFT基板20の画素電極から発生する二次電子を検出することによってTFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置1において、荷電粒子ビームのビーム寸法及び/又はビーム形状を、画素電極の仕様及び/又は一画素電極における信号取り込み点数に応じて変更する荷電粒子ビーム制御手段11を備え、検出対象の画素電極の大きさや設定条件に応じた最適な口径や形状を備えた荷電粒子ビームを画素電極に照射することによって、TFTアレイの欠陥検出性能がTFTアレイの画素電極の大きさや設定条件に影響されることなく検査する。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- TFT基板に荷電粒子ビームを照射し、当該荷電粒子ビーム照射によりTFT基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってTFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、
荷電粒子ビームのビーム寸法及び/又はビーム形状を、前記画素電極の仕様及び/又は一画素電極における信号取り込み点数に応じて変更する荷電粒子ビーム制御手段を備えることを特徴とするTFTアレイ検査装置。 - 前記荷電粒子ビーム制御手段は、画素電極の仕様及び/又は一画素電極における信号取り込み点数に対応して予め設定したビーム寸法及び/又はビーム形状を定めるビームデータを格納するデータテーブルを備え、
測定対象の画素電極の仕様及び/又は一画素電極における信号取り込み点数に基づいて当該データテーブルからビームデータを読み出し、当該ビームデータに基づいて荷電粒子ビームのビーム寸法及び/又はビーム形状を制御することを特徴とする請求項1に記載のTFTアレイ検査装置。 - 前記画素電極の仕様は、TFT基板の大きさ及び/又は分解能、及び/又は画素電極の設定条件をパラメータとして備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のTFTアレイ検査装置。
- 前記データテーブルは、TFT基板の種類により前記画素電極の仕様を特定することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一つに記載のTFTアレイ検査装置。
- 前記荷電粒子ビーム制御手段は、ビーム形状が円形の荷電粒子ビームに対して、画素電極の仕様及び/又は一画素電極における信号取り込み点数に応じてビーム口径を変更することを特徴とする請求項1乃至4の何れか一つに記載のTFTアレイ検査装置。
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