JP2010276662A - Ｔｆｔアレイ検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、ピクセルの仕様やピクセルの検出点数等の検査条件を変更する場合に、データテーブルの作成を不要として、テーブル作成に要する時間を省いて作業時間を短縮する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射し、この荷電粒子ビーム照射によりＴＦＴ基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、荷電粒子ビームのフォーカスを定めるフォーカスパラメータを荷電粒子ビームのサンプリングピッチに基づいて算出するフォーカスパラメータ算出手段と、算出したフォーカスパラメータに基づいて荷電粒子ビームのフォーカスを制御するフォーカス制御手段とを備え、ビーム径やビーム形状等の設定データをデータテーブルに格納する構成に代えて演算によって求める。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＴＦＴアレイ検査装置に関し、荷電粒子ビームによって液晶ディスレイや有機ＥＬディスプレイ等に利用される薄膜トランジスタアレイ（ＴＦＴアレイ）の欠陥画素の検査や性能検査を行う検査装置に関し、特に、荷電粒子ビームの基板上でのフォーカスに関するものである。

ＴＦＴアレイ基板の電気的検査において、非接触で試料の電位を測定する技術として電位コントラストを用いた検査方法が知られている。この電位コントラストによれば、試料に電子線を照射することにより試料表面から放出される２次電子のエネルギーを測定することにより試料の電位を測定することができる。

このＴＦＴアレイ検査装置では、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどに使われるＴＦＴアレイ基板に所定パターンの検査信号を印加して所定の電位状態とし、この基板に電子線を照射してＴＦＴ基板から発生する２次電子を検出し、２次電子から得られる信号により基板のパネルに所定の電圧が印加されているかを測定し、その測定結果に基づいて短絡等のパネルの欠陥の判別を行う。

ＴＦＴアレイのピクセル（画素電極）の形状は、通常長方形あるいは多角形であり、大きさは数十ミクロンから数百ミクロンである。この画素電極の大きさは、完成品であるディスプレイの大きさと解像度によって決まる。そのため、一つのＴＦＴアレイ検査装置によって大きさや解像度が異なる複数種類のＴＦＴアレイを検査する場合には、それぞれ大きさが異なる画素電極を検査する必要がある。

一方、従来の荷電粒子ビームを用いたＴＦＴアレイ検査装置は、一定の口径の荷電粒子ビームをＴＦＴ基板上に照射して走査させ、所定のタイミングで二次電子を検出することによって二次電子波形を取得している。

例えば、一ピクセル上において４点の検出点から検出する場合には、荷電粒子ビームをＴＦＴアレイに対してＸ方向（横方向）に走査させ、一ピクセルを横切る間に２点を検出するタイミングで二次電子を検出する。次に、荷電粒子ビームを隣接するピクセルに移動させ、ピクセルを横切る間に２点で検出する。

荷電粒子ビームは、ＴＦＴ基板の１行目の走査が終了した後２行目の走査を行い、同様にしてピクセル上の検出点で二次電子を検出する。この走査と所定タイミングでの二次電子信号の検出を繰り返すことによって、ピクセル上において４点の検出を行う。

検出点の位置および個数は、荷電粒子ビームの走査信号に対して二次電子信号を検出するタイミングを変えることによって変更することができる。

従来の荷電粒子ビームを用いたＴＦＴアレイ検査では、荷電粒子ビームの口径が一定であるため、荷電粒子ビームの照射領域とピクセルとの大小の関係によって欠陥検出の精度が変動するという問題があり、また、ピクセルの形状が変化した場合には、荷電粒子ビームの形状が一定であるため、荷電粒子ビームの照射領域と画素電極との形状の相違によって欠陥検出の精度が変動するという問題がある。

ＴＦＴアレイ検査装置において、上記の問題を解決してビーム径を変化させる構成として、本発明の出願人は特許文献１を提案している。

このＴＦＴアレイ検査装置では、ピクセルの仕様やピクセルの信号取り込み点数に対応して予めビーム径やビーム形状を設定してデータテーブルに格納しておき、当該データテーブルから荷電粒子ビームのビーム径やビーム形状を読み出して制御を行っている。

特許第４１５８１９９号公報

前記したデータテーブルにビーム径やビーム形状を設定して格納しておくＴＦＴアレイ検査装置では、テーブルに登録されていないアレイ構成について、新たにビーム径やビーム形状等のデータを登録する作業が必要となるという問題がある。

このデータ登録は、作業時間や作業の手間を要するという問題がある他、登録作業に誤りがある場合には、正しい検出位置を検出することができないため、誤検査や検査不能となるという問題がある。

また、このような誤検査や検査不能が生じた際に、その原因がデータ登録にあるのか登録されたデータにあるのかの確認が容易ではないという問題もある。

そこで、本発明は上記課題を解決して、ＴＦＴアレイ検査装置において、ピクセルの仕様やピクセルの検出点数等の検査条件を変更する場合に、データテーブルの作成を不要として、テーブル作成に要する時間を省いて作業時間を短縮することを目的とする。

また、データテーブルへのデータ登録処理を省くことによって、登録誤りによる誤検査を無くすことを目的とする。

本発明は、ビーム径やビーム形状等の設定データをデータテーブルに格納する構成に代えて演算によって求める構成とする。この構成によれば、ピクセルの仕様やピクセルの検出点数等の検査条件の変更等により設定データが必要となる時点で、逐次設定データを逐次求めることができ、データテーブルの作成を不要とすることができる。これによって、作業時間を短縮し、登録誤りを避けることができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射し、この荷電粒子ビーム照射によりＴＦＴ基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、荷電粒子ビームのフォーカスを定めるフォーカスパラメータを荷電粒子ビームのサンプリングピッチに基づいて算出するフォーカスパラメータ算出手段と、算出したフォーカスパラメータに基づいて荷電粒子ビームのフォーカスを制御するフォーカス制御手段とを備える。

フォーカスパラメータは、照射位置における荷電粒子ビームのビーム径およびビーム形状である。ビーム径はＸ方向およびＹ方向のビームの径長であり、ビーム形状はＸ方向の径長とＹ方向の径長の比率とすることができる。ビーム径やビーム形状のフォーカスパラメータは、荷電粒子ビームのビームを絞るフォーカスレンズからの距離に依存するため、フォーカスレンズから所定距離の位置において定めることができる。例えば、フォーカスレンズから所定距離に定められた基板位置において、この基板位置に荷電粒子ビームが照射されたときにビームが照射する範囲で定めることができる。

フォーカスパラメータ算出手段は、荷電粒子ビームのサンプリングピッチに基づいてフォーカスパラメータを算出する。荷電粒子ビームのサンプリングピッチは、ＴＦＴ基板のピクセルに荷電粒子ビームを照射する際に隣接して照射する照射点の間隔である。このサンプリングピッチは、ピクセルのサイズ、ピクセルの配置、分解能に基づいて定められる。ここで、分解能は、一ピクセルから検出する検出点の点数であり、一ピクセルに多数の検出点を設定することで高い分解能を得ることができる。分解能は、一ピクセル内に照射する荷電粒子ビームの個数に対応して定めることができる。

フォーカスパラメータ算出手段は、サンプリングピッチを変数として、Ｘ方向およびＹ方向のビームの径長を求める演算プログラム、および、算出したＸ方向およびＹ方向のビームの径長からビーム径の比率を求める演算プログラムを備える。フォーカスパラメータ算出手段は、演算プログラムにサンプリングピッチの値を代入して演算処理を行うことによって、ビームの径長や比率を算出する。

本発明のフォーカスパラメータ算出手段によれば、フォーカスパラメータを演算によって求めることにより、フォーカスパラメータを予め求めておきデータテーブルに格納することなくフォーカスパラメータを取得することができる。また、データテーブルに用意されていないフォーカスパラメータについても、単に演算処理を行うことによって取得することができる。

フォーカス制御手段は、フォーカスパラメータ算出手段で算出したビームの径長および比率に基づいて、荷電粒子ビームをＸ方向およびＹ方向に偏向させて荷電粒子ビームのフォーカスを制御し、照射位置における荷電粒子ビームのビーム径およびビーム形状が所定の径および形状となるように制御する。

フォーカス制御手段は、荷電粒子ビームのフォーカスを制御する手段であり、フォーカスパラメータ算出手段で算出したビームの径長および比率に基づいてフォーカスレンズを駆動する制御信号を生成する。フォーカスレンズは、フォーカス制御手段が生成した制御信号に基づいて荷電粒子ビームをＸ方向およびＹ方向に偏向し、このビームの偏向によってビーム径およびビーム形状を所定の径および形状となるように制御する。

また、フォーカス制御手段は、荷電粒子ビームの振れ角に応じて荷電粒子ビームの偏向量を補正し、ビーム径およびビーム形状を何れの振れ角においても所定の径および形状とする。

ここで、荷電粒子ビームの振れ角は、基板上を荷電粒子ビームで走査する際に、荷電粒子ビームを振る角度である。荷電粒子ビーム源と基板とが所定の位置関係にある状態で、荷電粒子ビームをＸ方向あるいはＹ方向に振ることによってピクセル上で荷電粒子ビームを走査させる際、ピクセルに対する荷電粒子ビームの入射角は、荷電粒子ビームの振れ角によって変化する。ピクセル上の荷電粒子ビームのビーム径およびビーム形状は、ピクセルに対する荷電粒子ビームの入射角によって変化する。

本発明のフォーカス制御手段は、荷電粒子ビームの振れ角に応じて荷電粒子ビームを偏向する偏向量を補正する。この偏向量の補正によって、荷電粒子ビームの振れ角度が何れの角度であっても、ピクセル上のビーム径およびビーム形状が一定となるようにする。

本発明によれば、ＴＦＴアレイ検査装置において、ピクセルの仕様やピクセルの検出点数等の検査条件を変更する場合に、データテーブルの作成を不要とし、テーブル作成に要する時間を省いて作業時間を短縮することができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明するための概略図である。 ピクセルサイズとサンプリングピッチとの関係を説明するための図である。 本発明のＴＦＴアレイ検査装置の荷電粒子ビームの制御を説明するための図である。 本発明のＴＦＴアレイ検査装置の荷電粒子ビームの制御を説明するための図である。 本発明のビームパラメータ算出手段の構成を説明するための図である。 荷電粒子ビームのビーム径およびビーム形状を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。

図１は本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明するための概略図である。
図１において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、電子線源等の荷電粒子ビーム源２から電子線等の荷電粒子ビームを基板２０のパネル２１に照射し、パネル２１から放出された二次電子等の電子線を検出器６で検出することによってＴＦＴアレイの欠陥検出を行う検査装置の一構成例を示している。

荷電粒子ビーム源２と基板との間のビーム経路上には、フォーカスレンズ３および走査レンズ４が配置される。フォーカスレンズ３は、荷電粒子ビーム源２から照射された荷電粒子ビームのフォーカスを制御するレンズ系であり、例えば、電磁コイルあるいは電極をＸ方向およびＹ方向において荷電粒子ビームの経路を挟んで対向させて配置することによって構成することができる。

フォーカスレンズ３は、荷電粒子ビームをＸ方向およびＹ方向に偏向させることよって荷電粒子ビームのフォーカス状態を変え、ビーム径やビーム形状で変更する。ビーム径は、例えば、ビームのＸ方向の径長およびＹ方向の径長で定めることができる。また、ビーム形状は、例えば、Ｘ方向の径長とＹ方向の径長で定めることができる。

また、フォーカスレンズは、Ｘ方向およびＹ方向に配置する電磁コイルあるいは電極を複数の組で構成することによって、ビーム形状を単なる楕円形状から種々の形状に変更することができる。

走査レンズ４は、荷電粒子ビームをＸ方向あるいはＹ方向に振ることによって、荷電粒子ビームを基板２０のパネル２１上で走査させるレンズで系であり、フォーカスレンズ３と同様に、例えば、電磁コイルあるいは電極をＸ方向およびＹ方向において荷電粒子ビームの経路を挟んで対向させて配置することによって構成することができる。

フォーカスレンズ３はフォーカス制御部１２ａによって制御され、走査レンズ４はビーム走査制御部１２ｂによって制御される。フォーカス制御部１２ａとビーム走査制御部１２ｂはレンズ制御部１２を構成している。

基板２０はＸＹステージ５上に載置され、Ｘ方向およびＹ方向に移動自在としている。ＸＹステージ５の駆動は、ステージ制御部１５によって制御される。

走査制御部１４は、ステージ制御部１５に制御信号を送ってＸＹステージ５のＸ／Ｙ方向の移動を制御し、ビーム走査制御部１２ｂに制御信号を送って走査レンズ４による荷電粒子ビームの偏向を制御することによって荷電粒子ビームを基板２０のパネル２１上で走査させ、パネル全面に荷電粒子ビームを照射する。

荷電粒子ビームの走査において、パネルをＹ方向に沿って形成する複数のパスに分割し、各パス内において走査レンズ４で荷電粒子ビームをＸ方向にビームを振ると共に、ＸＹステージ５によって基板２０をＹ方向に移動させることによってパス内を走査し、さらに、ＸＹステージ５によって基板２０をＸ方向に移動させることによって次のパス内を走査する動作を繰り返して、パネル全面を走査することができる。

フォーカス制御部１２ａは、フォーカスレンズ３を制御してビーム径やビーム形状等のフォーカスパラメータを制御する。フォーカス制御部１２ａによる制御は、フォーカス制御信号生成部１３で生成されるフォーカス制御信号によって行われる。

フォーカス制御信号は、フォーカスレンズ３に供給する電圧あるいは電流を制御して、荷電粒子ビームのＸ方向やＹ方向の偏向量を変えて荷電粒子ビームのフォーカス状態を変え、ビームのＸ方向の径長およびＹ方向の径長のビーム径を変更し、Ｘ方向の径長とＹ方向の径長の比率を変えてビーム形状を変更する。

ビーム径やビーム形状は、フォーカスレンズ３からの距離によって変化するため、フォーカスレンズから所定距離の位置において定める。所定距離の位置は、パネル上の荷電粒子ビームの照射位置とすることができ、この照射位置に照射されたときにビームが照射する範囲で定めることができる。

フォーカスパラメータ算出部１１は、サンプリングピッチを変数としてフォーカスパラメータを演算によって算出し、算出したフォーカスパラメータをフォーカス制御信号生成部１３に送る。フォーカス制御信号生成部１３は、フォーカスパラメータ算出部１１で算出されたフォーカスパラメータに基づいてフォーカス制御信号を生成して、フォーカス制御部１２ａに送る。

ＴＦＴアレイの欠陥を検出するには、基板２０のパネルのＴＦＴアレイに検査信号を印加してパネル上に所定パターンの電位状態を形成し、この電位状態を電子線等の荷電粒子ビームを走査することによって検出する。検査信号印加回路１８は、検査信号をＴＦＴアレイに印加する。検査信号は、ＴＦＴアレイの検出する欠陥種に応じた信号パターンを有している。

信号処理部１６は検出器６で検出した検出信号を入力して、二次電子イメージ等の画像データを形成する。欠陥検出部１７は、画像データを用いて欠陥ピクセルを検出する信号処理を行う。なお、ＴＦＴアレイ検査装置１の装置全体の制御は図示しない制御部によって行われる。

なお、上記した各部は、本発明のＴＦＴアレイ検査による機能を説明するために示したものであり、必ずしもこれらの機能を実現する個別の構成部を有するものではなく、ＣＰＵやメモリ等で構成される回路と各機能を実行させるソフトによって構成してもよい。

図２を用いて、サンプリングピッチとピクセルサイズとの関係について説明する。

図２（ａ）と図２（ｂ）は、ピクセルサイズの大小関係とサンプリングピッチの大小関係を示している。

図２（ａ）はピクセルサイズが相対的に小さい場合を示し、ピクセル２３ａはＸ方向サイズおよびＹ方向サイズとして［Ｐx1，Ｐy1］を有している。ここで、一つのピクセル２３ａから４個の検出点を設定する場合には、一ピクセル内の４箇所に荷電粒子ビームを照射する。この場合には、Ｘ方向のサンプリングピッチＳＰx1は例えばＸ方向のピクセルサイズＰx1を用いてＰx1／２で定めることができ、Ｙ方向のサンプリングピッチＳＰy1は例えばＹ方向のピクセルサイズＰy1を用いてＰy1／２で定めることができる。

一方、図２（ｂ）はピクセルサイズが相対的に大きい場合を示し、ピクセル２３ｂはＸ方向サイズおよびＹ方向サイズとして［Ｐx2，Ｐy2］を有している。ここで、図２（ａ）と同様に一ピクセル内の４箇所に荷電粒子ビームを照射する場合には、Ｘ方向のサンプリングピッチＳＰx2は例えばＸ方向のピクセルサイズＰx2を用いてＰx2／２で定めることができ、Ｙ方向のサンプリングピッチＳＰy2は例えばＹ方向のピクセルサイズＰy2を用いてＰy2／２で定めることができる。

次に、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の荷電粒子ビームの制御について、図３，４を用いて説明する。ここでは、ピクセルサイズおよび分解能からビームパラメータを算出し、算出したビームパラメータに基づいてレンズ系を制御する制御信号を生成する動作例について説明する。

はじめに、サンプリングピッチ［ＳＰx，ＳＰy］（図３中の１０２）を求める。サンプリングピッチは図２で示したように、ピクセルサイズ［Ｐx，Ｐy］（図３中の１００）と分解能（図３中の１０１）によって求めることができる。

図４（ａ）はピクセルサイズ［Ｐx，Ｐy］とサンプリングピッチ［ＳＰx，ＳＰy］との関係を示し、一つのピクセル２３内において４個の照射点３１に荷電粒子ビームを照射する例を示している。また、図４（ｂ）はサンプリングピッチ［ＳＰx，ＳＰy］の例を示している。

次に、ビームパラメータ算出部によって、サンプリングピッチ［ＳＰx，ＳＰy］を用いてビームパラメータ（図３中の１０３）を算出する。ここで、ビームパラメータとして、ビーム径［ｄx, ｄy］、およびビーム形状ｄx／ｄyを定めている。なお、ビーム径ｄxは照射点でのビームのＸ方向の径長であり、ビーム径ｄyは照射点でのビームのＹ方向の径長である。ビームパラメータ算出部は、サンプリングピッチ［ＳＰx，ＳＰy］からビームパラメータを算出する演算プログラムを有し、演算処理によってビーム径［ｄx, ｄy］およびビーム形状ｄx／ｄyを算出する。ビームパラメータ、ビーム径およびビーム形状を別の定義で設定することもでき、その場合には、演算プログラムは設定した定義に対応するものを用いる。

図４（ｃ）はビーム径［ｄx, ｄy］とサンプリングピッチ［ＳＰx，ＳＰy］との関係を示している。

次に、フォーカス制御信号とビーム走査制御信号を生成する。
フォーカス制御信号の生成（図３中の１０５）は、フォーカス制御信号生成部で行う。フォーカス制御信号は、フォーカスレンズ（１０７）を駆動する制御信号であり、ビームパラメータ算出手段で算出したビームパラメータ（ビーム径、ビーム形状）、および振れ角ω（１０４）を用いて生成する。なお、振れ角は、荷電粒子ビームの基板に対する入射角の違いによるビーム径やビーム形状のずれを補正する際に用いる。

生成したフォーカス制御信号はフォーカス制御部（１０６）に送られ、フォーカス制御部１０６はフォーカス制御信号に基づいてフォーカスレンズ（１０７）を駆動する駆動信号を生成する。

ビーム走査制御信号の生成（図３中の１１０）は、走査制御部で行う。ビーム走査制御信号は、走査レンズ（１１２）を駆動する制御信号であり、振れ角ω（１０４）を用いて生成する。

生成したビーム走査制御信号は走査制御部（１１１）に送られ、走査制御部１１１はビーム走査制御信号に基づいて走査レンズ（１１２）を駆動する駆動信号を生成する。

図４（ｄ）は、振れ角ωによるビーム径のずれを説明するための図である。図４（ｄ）において、荷電粒子ビームが基板のパネルに入射において、荷電粒子ビームが基板のパネルに対して直角に入射する際の振れ角ωを"０"として設定し、このときに荷電粒子ビームが形成する照射範囲３０Ａの径長をｄx0とする。荷電粒子ビームが振れて、荷電粒子ビームが基板のパネルに対して斜めに入射する場合には、荷電粒子ビームが形成する照射範囲３０Ｂの径長をｄx1とすると、径長ｄx1は径長をｄx0よりも長くなり、ビーム径およびビーム形状が変化する。

したがって、荷電粒子ビームが振れることによって、ピクセルに照射される荷電粒子ビームのビーム径およびビーム形状にばらつきが生じることになり、ピクセルの位置誤差の要因となる。

本発明は、ビーム走査制御信号を生成する際に、振れ角ωに応じてビーム径およびビーム形状が一定となるように補正を行う。この補正は、振れ角ω、走査レンズと基板位置との距離等の幾何条件によって求めることができ、演算プログラムによって構成することができる。

次に、図５を用いて本発明のフォーカスパラメータ算出手段１１の一構成例について説明する。図５において、フォーカスパラメータ算出手段１１は、ＣＰＵやメモリから構成することができる演算手段１１ａと、演算式や演算係数等で表される演算処理をＣＰＵに実行させる演算プログラムを記憶する演算プログラム記憶手段１１ｂとから構成することができる。

演算手段１１ａは、ピクセルサイズや分解能等の変数を入力し、演算プログラム記憶手段１１ｂから演算処理に必要な演算プログラムを逐次読み出すことによって、ビーム径やビーム形状のビームパラメータを算出する。

なお、演算プログラムの演算式は、一例としてピクセルサイズを分解能で定める係数で除算することでビーム径を算出する例や、Ｘ方向のピクセルサイズをＹ方向のピクセルサイズで除算することでビーム形状を算出する例で説明しているが、この演算式は一例であってこれに限られるものではなく、任意に設定することができる。

本発明のビームパラメータの算出では、一ピクセルに複数のビームを照射する際に、各ビームのサイズおよび形状は同一とする他、異なるサイズおよび形状とすることができる。

図６は、ビームパラメータ算出手段で算出するビーム径やビーム形状の例を説明するための図である。

図６（ａ），（ｂ）は、ピクセル２３の内側に同じ大きさで同じ形状の４個のビームを照射する例を示している。図では４個のビームを、ピクセル上のビームの照射範囲３０ａ〜３０ｄで示している。

図６（ａ）は、各ビームの照射範囲３０ａ〜３０ｄを一つのピクセル２３の内側に設定する例を示し、図６（ｂ）は、各ビームの照射範囲３０ａ〜３０ｄを拡大して、一つのピクセル２３の外側にはみ出させて設定する例を示している。図６（ｂ）の例によれば、ピクセル２３内において、ビームが照射されない部分を狭め、ピクセル内でビームの照射領域を広く設定することができる。

図６（ｃ），（ｄ）は、ピクセル２３内において大きさおよび形状が異なるビームを照射する例を示している。図６（ｃ），（ｄ）に示す例は、ピクセル２３の形状に合わせるために、大きさや形状が異なるビームを照射する例である。

図６（ｃ）では、ビームの照射範囲３０ｂ〜３０の３個のビームを同じ大きさ同じ形状とし、照射範囲３０ａのビームを異ならせることによって、ピクセル２３の形状に合わせている。

また、図６（ｄ）では、ビームの照射範囲３０ｃ〜３０の２個のビームを同じ大きさ同じ形状とし、照射範囲３０ａと照射範囲３０ｂのビームをそれぞれ異ならせることによって、ピクセル２３の形状に合わせている。なお、図６（ａ），（ｂ）において、照射範囲３０ａで示されるビームは、Ｙ方向のサイズを縮めると共にＹ方向に偏位させることで形成することができる。

本発明は、液晶アレイ検査装置、ＥＢテスター、ＴＦＴおよびトランジスタ検査装置、有機ＥＬ用アレイ検査装置、走査型電子顕微鏡、非破壊検査装置、薄型テレビ用パネルのアレイ検査装置等に適用することができる。

１ アレイ検査装置
２ 荷電粒子ビーム源
３ フォーカスレンズ
４ 走査レンズ
５ ステージ
６ 検出器
１１ フォーカスパラメータ算出部
１１ａ 演算手段
１１ｂ 演算プログラム記憶手段
１２ レンズ制御部
１２ａ フォーカス制御部
１２ｂ ビーム走査制御部
１３ フォーカス制御信号生成部
１４ 走査制御部
１５ ステージ制御部
１６ 信号処理部
１７ 欠陥検出部
１８ 検査信号印加回路
２０ 基板
２１ パネル
２３ ピクセル
２３ａ ピクセル
２３ｂ ピクセル
３０Ａ 照射範囲
３０Ｂ 照射範囲
３０ａ〜３０ｄ 照射範囲
３１ 照射点

Claims (4)

1. ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射し、当該荷電粒子ビーム照射によりＴＦＴ基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
   荷電粒子ビームのフォーカスを定めるフォーカスパラメータを荷電粒子ビームのサンプリングピッチに基づいて算出するフォーカスパラメータ算出手段と、
   前記算出したフォーカスパラメータに基づいて前記荷電粒子ビームのフォーカスを制御するフォーカス制御手段とを備えることを特徴とするＴＦＴアレイ検査装置。
2. 前記フォーカスパラメータは、照射位置における荷電粒子ビームのビーム径およびビーム形状であり、
   前記ビーム径は、所定位置でのＸ方向およびＹ方向の径長であり、
   前記ビーム形状は、Ｘ方向の径長とＹ方向の径長の比率であり、
   前記フォーカス制御手段は、
   前記フォーカスパラメータ算出手段で算出したビームの径長および比率に基づいて、荷電粒子ビームをＸ方向およびＹ方向に偏向して荷電粒子ビームのフォーカスを制御し、
   照射位置における荷電粒子ビームのビーム径およびビーム形状を所定の径および形状とすることを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
3. 前記フォーカスパラメータ算出手段は、サンプリングピッチを変数として、ビームのＸ方向およびＹ方向の径長を求める演算プログラム、および、算出したビームのＸ方向およびＹ方向の径長からビーム径の比率を求める演算プログラムを備えることを特徴とする、請求項２に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
4. 前記フォーカス制御手段は、前記荷電粒子ビームの振れ角に応じて荷電粒子ビームの偏向量を補正し、ビーム径およびビーム形状を何れの振れ角においても所定の径および形状とすることを特徴とする、請求項２又は３に記載のＴＦＴアレイ検査装置。