JP2009301812A - 試料検査装置、及び試料検査方法 - Google Patents
試料検査装置、及び試料検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009301812A JP2009301812A JP2008153638A JP2008153638A JP2009301812A JP 2009301812 A JP2009301812 A JP 2009301812A JP 2008153638 A JP2008153638 A JP 2008153638A JP 2008153638 A JP2008153638 A JP 2008153638A JP 2009301812 A JP2009301812 A JP 2009301812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- height
- sample
- stage
- electron beam
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】ウェハの特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、フォーカス精度劣化をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた試料検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】試料を移動可能なステージ上にロード後、試料の高さ計測を行った後、試料に電子線ビームを走査させ、得られた画像から欠陥部を求めるSEM式外観検査方法及び装置において、高さ計測がステージ移動による補正処理機能を備えている。
【選択図】図2
【解決手段】試料を移動可能なステージ上にロード後、試料の高さ計測を行った後、試料に電子線ビームを走査させ、得られた画像から欠陥部を求めるSEM式外観検査方法及び装置において、高さ計測がステージ移動による補正処理機能を備えている。
【選択図】図2
Description
本発明は、試料検査装置、及び試料検査方法に関し、例えば、微細なパターンを有する半導体装置、基板、ホトマスク(露光マスク)、及び液晶等を検査する走査電子顕微鏡を備える検査装置、及びそれを用いた検査方法に関する。
コンピュータ等に使用されるメモリやマイクロコンピュータなどの半導体装置は、ホトマスクに形成された回路等のパターンを、露光処理、リソグラフィー処理、或いはエッチング処理等により転写する工程を繰り返すことによって製造される。半導体装置の製造過程において、リソグラフィー処理、エッチング処理、その他の処理の結果の良否、異物発生等の欠陥の存在は、半導体装置の製造歩留まりに大きく影響を及ぼす。したがって、異常発生や不良発生を、早期に、あるいは、事前に検知するために、各製造工程の終了時に半導体ウェハ上のパターンの検査が実施されている。
ウェハの口径増大と回路パターンの微細化に追随して高スループット且つ高精度な検査を行うためには、非常に高速に、高SNな画像を取得する必要が有る。そのため、通常の走査型電子顕微鏡(SEM)の1000倍以上(100nA以上)の大電流ビームを用いて照射される電子数を確保し、高SN比を保持している。さらに、基板から発生する二次電子、反射電子の高速、且つ高効率な検出が必須である。
また、非特許文献1に記載されているように、レジスト等の絶縁膜を伴った半導体基板が帯電の影響を受けないように2keV以下の低加速電子線を照射している。しかし、大電流で、かつ低加速の電子線では空間電荷効果による収差が生じ、高分解能な観察が困難である。
この問題を解決する方法として、例えば、特許文献1及び2に示されるように、試料直前で高加速電子線を減速し、試料上で実質的に低加速電子線として照射する手法が知られている。
「電子・イオンビームハンドブック第2版(特に、622頁から623頁)」(日本学術振興会第132委員会編、日刊工業新聞社、1986年)
特開平2−142045号公報
特開平6−139985号公報
特許文献1及び2において開示されているSEMを利用した検査装置においては、光学式とは異なり、ウェハ上の欠陥を照射ビーム及び周囲電界により帯電させることにより電位コントラストをつけ、欠陥検出させることができる。
しかしながら、この場合、ビーム照射近傍においては、帯電を制御する目的で帯電制御電極等が配置されるため、ワーキングディスタンスの確保が困難になり、例えば、ビーム照射時(検査時)にリアルタイムでの高さ計測などができなくなるという問題が発生する。このことは、移動可能なステージ上に搭載されたウェハにおいては、検査時と異なるステージ位置で高さ計測をしなければならなくなることを意味している。これでは高さ計測方法の種類に依らず、検査画像のフォーカス精度劣化を引き起こし、ひいては欠陥検出性能の悪化につながる恐れがある。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、光学画像では検出困難な欠陥を、電子線画像を用いて高精度に検出するとともに、欠陥検出の際に問題となる検査画像のフォーカス精度劣化を防止することのできる検査装置及び検査方法を提供するものである。
上記課題を解決するために、本発明は、試料に電子線を照射し、試料から発生する2次電子又は反射電子に基づいて生成される画像から試料の欠陥を検査する試料検査装置を提供する。より具体的に、当該試料検査装置は、試料を移動可能なステージ上にロード後、試料における電子線照射位置の高さを計測する高さ計測部と、測定された高さを補正する高さ補正処理部と、高さ補正処理部によって補正された高さに応じて、電子線のフォーカスを調整する制御部と、を備える。ここで、試料上の位置は同じでも、高さ計測部による高さ計測時のステージ位置(ステージ上の座標)と電子線照射時のステージ位置(ステージ上の座標)とが異なっている。そして、高さ補正処理部は、高さ測定時のステージ位置から電子線照射時のステージ位置への移動によって生じる高さのずれを補正するものである。なお、高さ測定時のステージ位置から電子線照射時のステージ位置への移動によって生じる高さのずれは、ステージの傾きによって生じるものである。また、高さ計測部は、反射光式測定器、又はレーザ干渉計式形状測定器及び静電容量型変位計の組み合わせによって構成されている。
また、試料の欠陥検査は、ステージを連続移動することによって実行され、高さ補正処理部は、ステージの移動の度に、高さ補正を実行する。
当該試料検査装置は、さらに、電子線照射時の試料位置近傍に、試料の帯電を制御する帯電制御電極を備える。この帯電制御電極があるため、高さ測定の位置(ステージ上の位置)と電子線ビームの光軸位置(ステージ上の位置)とが異なってしまうのである。
高さ補正処理部は、試料の欠陥検査時又は試料の画像取得時にオンライン処理として高さ補正を実行するか、試料の欠陥検査時や試料の画像取得時とは別のタイミングでオフライン処理として高さ補正を実行する。なお、オフライン処理の場合には、当該試料検査装置は、さらに、高さ測定時のステージ位置から電子線照射時のステージ位置へのステージ移動に伴う補正データを記憶する補正データ記憶部を備える。このとき高さ補正処理部は、補正データ記憶部に記憶された補正データに基づいて、計測された高さを補正する。この補正データは、当が補正データ作成時或いは使用時に画面上に表示可能になっており、これによって補正データの確認ができる。
さらなる本発明の特徴は、以下本発明を実施するための最良の形態および添付図面によって明らかになるものである。
本発明によれば、ウェハの特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた試料検査が実現できる。
最近の走査電子顕微鏡(例えば、SEM)においては、高精度の観察が可能となるように電子光学系の構成が複雑化している。そのため、ステージにおける試料の高さ計測位置とステージ上での電子線の照射位置(光軸)とはずれる場合がある。ステージは如何に平坦に作製されようとも微小(μm単位)ながら傾きを持ってしまう。とすると、ステージ上での高さ測定位置と電子線照射位置が異なれば、測定された高さを用いてフォーカスを合わせても高精度にフォーカスを合わせることができない。
本発明は、特に、このように高さ測定位置と電子線照射位置がステージ座標上で異なる場合であっても高精度のフォーカス制御ができるようにするためのものである。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。ただし、本実施形態は本発明を実現するための一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。また、各図において共通の構成については同一の参照番号が付されている。
(1)第1の実施形態
<検査装置の構成>
図1は本発明が適用される走査電子顕微鏡を用いた検査装置の一例であるSEM式外観検査装置1の概略構成を示す縦断面図である。
<検査装置の構成>
図1は本発明が適用される走査電子顕微鏡を用いた検査装置の一例であるSEM式外観検査装置1の概略構成を示す縦断面図である。
SEM式外観検査装置1は、室内が真空排気される検査室2と、検査室2内に試料基板9を搬送するための予備室(本実施形態では図示せず)と、画像処理部5と、制御部6と、二次電子検出部7と、を備えている。なお、予備室は検査室2とは独立して真空排気できるように構成されている。また、検査室2内には大別して、電子光学系3と、試料室8と、光学顕微鏡部4とが設けられている。
電子光学系3は、電子銃10と、電子線の引き出し電極11と、コンデンサレンズ12と、ブランキング偏向器13と、走査偏向器15と、絞り14と、対物レンズ16と、反射板17と、ExB偏向器18とによって構成されている。二次電子検出部7のうち、二次電子検出器20が検査室2内の対物レンズ16の上方に配置されている。二次電子検出器20の出力信号は、検査室2の外に設置されたプリアンプ21で増幅され、AD変換機22によりデジタルデータとなる。
試料室8は、試料台30と、Xステージ31と、Yステージ32と、位置モニタ用測長器34と、被検査基板高さ測定器35とによって構成されている。
光学顕微鏡部4は、検査室2の室内における電子光学系3の近傍であって、互いに影響を及ぼさない程度離れた位置に設置されており、電子光学系3と光学顕微鏡部4の間の距離は既知である。そして、Xステージ31またはYステージ32が電子光学系3と光学顕微鏡部4の間の既知の距離を往復移動するようになっている。光学顕微鏡部4は光源40と、光学レンズ41と、CCDカメラ42とを含んでいる。
画像処理部5は、第一画像記憶部46と、第二画像記憶部47と、演算部48と、欠陥判定部49と、を含んでいる。なお、取り込まれた電子線画像あるいは光学画像はモニタ50に表示される。
装置各部の動作命令および動作条件は、制御部(ワークステーションのようなコンピュータでも良い)6から入出力される。制御部6には、あらかじめ電子線発生時の加速電圧、電子線偏向幅、偏向速度、二次電子検出装置の信号取り込みタイミング、試料台移動速度等々の条件が、目的に応じて任意にあるいは選択して設定できるように、格納されている。そして、制御部6は、補正制御回路43を用いて、位置モニタ用測長器34、被検査基板高さ測定器35の信号から位置や高さのずれをモニタし、その結果により補正信号を生成し、電子線が常に正しい位置に照射されるよう対物レンズ電源45や走査信号発生器44に補正信号を送る。
被検査基板(試料)9の画像を取得するためには、細く絞った電子線19を該被検査基板9に照射し、二次電子51を発生させ、これらを電子線19の走査およびXステージ31、Yステージ32の移動と同期して検出することで該被検査基板9の画像を得る。
SEM式外観検査装置では検査速度が速いことが必須となる。従って、通常の従来方式のSEMのようにpAオーダの電子線電流の電子線を低速で走査したり、多数回の走査および各々の画像の重ね合せは行わないようにしても良い。また、絶縁材料への帯電を抑制するためにも、電子線走査は高速で一回あるいは数回程度にして多数回の走査は行わないようにする必要がある。そこで、本実施形態では、一回走査の場合には、従来方式のSEMに比べて約1000倍以上の、例えば100nAの大電流の電子線を用いて画像を形成する構成とする。
電子銃10には拡散補給型の熱電界放出電子源が使用される。この電子銃10を用いることにより、従来の電子源、例えばタングステン・フィラメント電子源や冷電界放出型電子源に比べて、安定した電子線電流を確保することができる。そのため、明るさ変動の少ない電子線画像が得られる。また、この電子銃10により電子線電流を大きく設定することができるため、後述するような高速検査を実現できる。電子線19は、電子銃10と引き出し電極11との間に電圧を印加することで、電子銃10から引き出される。
電子線19の加速は、電子銃10に高電圧の負の電位を印加することでなされる。これにより、電子線19はその電位に相当するエネルギーで試料台30の方向に進み、コンデンサレンズ12で収束され、さらに対物レンズ16により細く絞られて試料台30の上のXステージ31、Yステージ32の上に搭載された被検査基板9に照射される。被検査基板9は半導体ウェハ、チップあるいは液晶、マスク等の微細回路パターンを有する基板である。ブランキング偏向器13には、走査信号およびブランキング信号を発生する走査信号発生器44が接続され、対物レンズ16には対物レンズ電源45が接続されている。なお、図1には示されていないが、対物レンズ16の下であって、試料の電子線照射位置近傍には、図3等で示されるように、帯電制御電極212が設けられている。
被検査基板9には、高圧電源36により負の電圧を印加できるようになっている。この高圧電源36の電圧を調節することにより、電子線19を減速し、電子銃10の電位を変えずに被検査基板9への電子線照射エネルギーを最適な値に調節することができる。
被検査基板9上に電子線19を照射することによって発生した二次電子51は、被検査基板9に印加された負の電圧により加速される。被検査基板9の上方に、電界と磁界の両方によって電子線19の軌道へは影響を与えずに二次電子の軌道を曲げるためのExB偏向器18が配置され、これにより加速された二次電子51は所定の方向へ偏向される。ExB偏向器18にかける電界と磁界の強度により、この偏向量を調整することができる。また、この電界と磁界は、被検査基板9に印加した負の電圧に連動させて可変させることができる。
ExB偏向器18により偏向された二次電子51は、所定の条件で反射板17に衝突する。この反射板17は円錐形状をしており、被検査基板9に照射する電子線19をシールドするシールドパイプの機能も有している。この反射板17に加速された二次電子51が衝突すると、反射板17からは数eVから50eVのエネルギーを持つ第二の二次電子52が発生する。
二次電子検出部7には、真空排気された検査室2内に二次電子検出器20が設けられ、検査室2の外にプリアンプ21、AD変換器22、光変換手段23、光伝送手段24、電気変換手段25、高圧電源26、プリアンプ駆動電源27、AD変換器駆動電源28、逆バイアス電源29が設けられ、これらによって構成されている。
二次電子検出部7のうち、二次電子検出器20が検査室2内の対物レンズ16の上方に配置されている。二次電子検出器20、プリアンプ21、AD変換器22、光変換手段23、プリアンプ駆動電源27、AD変換器駆動電源28は、高圧電源26により正の電位にフローティングしている。反射板17に衝突して発生した第二の二次電子52は、この正の電位によってつくられた吸引電界により二次電子検出器20へ導かれる。
二次電子検出器20は、二次電子51が反射板17に衝突して発生した第二の二次電子52を、電子線19の走査のタイミングと連動して検出するように構成されている。二次電子検出器20の出力信号は、検査室2の外に設置されたプリアンプ21で増幅され、AD変換器22によりデジタルデータとなる。
AD変換器22は、二次電子検出器20が検出したアナログ信号をプリアンプ21によって増幅された後に直ちにデジタル信号に変換して、画像処理部5に伝送するように構成されている。検出したアナログ信号を検出直後にデジタル化してから伝送するので、従来よりも高速で且つSN比の高い信号を得ることができる。
Xステージ31、Yステージ32上には被検査基板9が搭載されており、検査実行時にXステージ31、Yステージ32を静止させて電子線19を二次元に走査する方法と、検査実行時にXステージ31、Yステージ32をY方向に連続して一定速度で移動させて電子線19をX方向に直線的に走査する方法とのいずれかを選択できる。ある特定の比較的小さい領域を検査する場合には前者の被検査基板9を静止させて検査する方法が有効である。一方、比較的広い領域を検査する場合には、被検査基板9を連続的に一定速度で移動させて検査する方法が有効である。なお、電子線19をブランキングする必要がある時には、ブランキング偏向器13により電子線19が偏向されて、電子線が絞り14を通過しないように制御できる。
Xステージ31およびYステージ32の位置をモニタする位置モニタ用測長器34として、本実施形態ではレーザ干渉による測長計を用いた。Xステージ31およびYステージ32の位置が実時間でモニタでき、その結果が制御部6に転送されるようになっている。また、Xステージ31、Yステージ32のモータの回転数等のデータも同様に、各々のドライバから制御部6に転送されるように構成されており、制御部6はこれらのデータに基いて電子線19が照射されている領域や位置が正確に把握できるようになっている。したがって、必要に応じて実時間で電子線19の照射位置の位置ずれを補正制御回路43で補正できるようになっている。また、被検査基板9毎に、電子線19を照射した領域を記憶できるようになっている。
被検査基板高さ測定器35は、光学式測定器、例えば、レーザ干渉測定器や反射光の位置で変化を測定する反射光式測定器が使用され、Xステージ上31、Yステージ32に搭載された被検査基板9の高さを実時間で測定できるように構成されている。本実施形態では、スリット53及び54を通過した細長い白色光を透明な窓越しに被検査基板9に照射し、反射光の位置を位置検出モニタにて検出し、位置の変動から高さの変化量を算出する方式が用いられている。この光学式高さ測定器35の測定データに基づいて、対物レンズ16の焦点距離がダイナミックに補正され、常に被検査領域に焦点が合った電子線19を照射できるようになっている。また、被検査基板9の反りや高さ歪みを電子線照射前に予め測定しておき、そのデータをもとに対物レンズ16の被検査領域毎の補正条件を設定するように構成することも可能である。
画像処理部5は、第一画像記憶部46と、第二画像記憶部47と、演算部48と、欠陥判定部49と、モニタ50とにより構成されている。二次電子検出器20で検出された被検査基板9の画像信号は、プリアンプ21で増幅され、AD変換器22でデジタル化された後に光変換手段23で光信号に変換され、光伝送手段24によって伝送され、電気変換手段25にて再び電気信号に変換された後に、第一画像記憶部46あるいは第二画像記憶部47に記憶される。演算部48は、第一画像記憶部46に記憶された画像信号と第二画像記憶部47に記憶された画像信号との位置合せ、信号レベルの規格化、ノイズ信号を除去するための各種画像処理を施し、双方の画像信号を比較演算する。欠陥判定部49は、演算部48にて比較演算された差画像信号の絶対値を所定のしきい値と比較し、所定のしきい値よりも差画像信号レベルが大きい場合に、その画素を欠陥候補と判定し、モニタ50にその位置や欠陥数等を表示する。
<高さ補正処理の概要>
図2は、本発明の第1の実施形態で実行される測定された高さ情報を補正する処理の概要を示す機能ブロック図である。まず、ウェハロード部201は、表面に回路パターンを形成した試料(ウェハ)9を移動可能なステージ(図3の31及び32参照)上にロードする。その後、高さ計測部202がロードされたウェハ9の高さを計測した後、検査部203は、ウェハ9に電子線ビームを繰り返し走査させ、ウェハ9から発生する2次電子または反射電子に基づき生成された画像から欠陥部を検出する。本発明の特徴は、この高さ計測部202がステージ31及び32で移動することによる補正処理部204を含むことにある。ここで、検査部203は、ステージ31及び32による連続移動しながらの検査であってもよい。また、高さ計測部202は、上述の被検査基板高さ測定器35で構成される。
図2は、本発明の第1の実施形態で実行される測定された高さ情報を補正する処理の概要を示す機能ブロック図である。まず、ウェハロード部201は、表面に回路パターンを形成した試料(ウェハ)9を移動可能なステージ(図3の31及び32参照)上にロードする。その後、高さ計測部202がロードされたウェハ9の高さを計測した後、検査部203は、ウェハ9に電子線ビームを繰り返し走査させ、ウェハ9から発生する2次電子または反射電子に基づき生成された画像から欠陥部を検出する。本発明の特徴は、この高さ計測部202がステージ31及び32で移動することによる補正処理部204を含むことにある。ここで、検査部203は、ステージ31及び32による連続移動しながらの検査であってもよい。また、高さ計測部202は、上述の被検査基板高さ測定器35で構成される。
ここで、ステージ移動による補正処理部204による高さ補正の必要性について述べる。図3は、ウェハ9にビームを照射した状態を示している。SEM式検査装置の場合、ウェハ9上の欠陥を照射ビームや周囲電界により帯電させることにより電位コントラストをつけ、欠陥検出させることができる。この場合、ビーム照射近傍においては、ウェハ9上の帯電を制御する目的で帯電制御電極212が配置される。このため、ワーキングディスタンスの確保が困難になり、例えば、ビーム照射時(検査時)にリアルタイムでの高さ計測などができなくなるという問題が発生する。すなわち、図3のように、ビーム光軸より距離Lだけずらした位置(ウェハ上の位置は同一だが、ステージ上ではLだけオフセットした位置)を高さ計測しなければならなくなる。この状態ではステージガイドの傾きθ211分だけ高さ計測に誤差が発生することになる。これにより、高さ計測方法の種類に依らず、検査画像のフォーカス精度劣化を引き起こし、ひいては欠陥検出性能の悪化につながる恐れがある。この問題を解決すためには、ステージ移動による補正処理が必要となる。
続いて、図4を用いて、補正処理部204によって行われるステージ移動による高さの補正処理について説明する。図4は、ステージ座標がxの時の今求めたい実際のウェハ高さZon(x)221と、図3のように、ビーム光軸から距離Lだけずれた位置に高さセンサが設置してある場合の計測値Zoff(x-L)222の関係を図示したものである。この関係は式で表すと、次の式(1)のようになる。
Zon(x)=Zoff(x-L)+DZ(x) ・・・(1)
Zon(x)=Zoff(x-L)+DZ(x) ・・・(1)
ここで、ガイド傾き補正曲線DZ(x)は、DZ(x)=Zon_opt(x)−Zoff(x-L)であり、Zon_opt(x)は標準ウェハ等を用いて画像処理で求めた光学的焦点位置による高さを表している。
すなわち、求めたいZon(x)221は、計測されるZoff(x-L)222にガイド傾き補正値DZ(x)223を足したものとなる。そのガイド傾き補正値DZ(x)223は、差分値であるため、リアルタイムに実ウェハで計測する必要はなく、標準ウェハ等を用いて予めオフラインで、光学的焦点位置による高さZon_opt(x)と計測値Zoff(x-L)222との差で求めておくことができる。図4(a)のDZ(x)223がその分布を表している。このDZ(x)223が、結局図3で示したステージガイドの傾きθ211により発生する高さ計測の誤差を補正する成分であり、例えば、テーブルに格納しておき、読み出して来て高さ補正処理に用いられる。なお、テーブル値DZ(x)を定期的に校正することにより、より正確な高さ測定が実現でき、よってより高精度なフォーカス制御が実現できる。
図4(b)は、高さ計測位置(Z計測位置)とビーム光軸とがステージ上で距離Lだけ離れた2つの状態の遷移状況を表す図である。まず、ビーム光軸のある位置が検査位置であり、その位置を表す座標がステージ座標(この場合x座標)となる。図4(b)の上の図は、ステージ座標はx-Lであり、そこを検査している状態である。その時、ウェハ上をLだけ進んだウェハ座標xではzを計測している状態225である。そこから検査が進みステージがLだけ動いた状態が図4(b)の下の図である。従って、このときのステージ座標はxであり、そこを検査している状態226である。
すなわち、ウェハ座標xだけに注目すれば、上側のステージ座標x-Lでは、ウェハ座標x位置をz計測し、Zoff(x-L)222として記憶する。そしてLだけ進んでウェハ座標x位置を検査する際、Zon(x)が必要になり、先程記憶したZoff(x-L)222に予め計測し記憶してあるDZ(x)223を足すことでZon(x)を求め、それに基づいてウェハ座標x位置をオートフォーカスし、ボケの無い鮮明な検査画像を得ることが可能となる。このz計測と検査を連続的に繰り返していくことで良好な検査を進めることができる。
図5は、上述したDZ(x)223を事前に準備しておく方法を示している。上述したように、事前に標準ウェハ等を用意し、検査で動作させるステージ方向(本実施形態ではx軸)に端から端まで動かしながら、光学的焦点位置による高さZon_opt(x)と計測値Zoff(x-L)222を計測し、その差から各ステージ座標でのDZ(x)223(曲線)を求めていく。図5で示される例では、32点測定している。そして、その各点間を領域に分割し、各領域内を線形近似することで、図中の式231に示すような比例係数Axiとオフセット係数Bxi232という各32個のデータでDZ(x)223を離散化して記憶することが可能となる。これを使う場合には、求めたいx座標Xtと、そのXtに該当する領域の係数を式231に代入してDZ(x)223を求めることになる。
なお、本実施形態では、x軸方向に距離Lだけオフセットした位置を用いているので、x軸方向の傾きが支配的であるとして処理している。そのため、x軸方向の検査の例を取り上げたが、勿論その限りではない。また、本実施形態では、y方向にx方向ガイド傾きが変化しないことを前提にしているが、その限りでもない。y方向に変化する場合は、設定係数232がy方向にも2次元的に拡張されるだけである。また、この係数232は、ステージ状態やその他の環境条件により変化することも考えられるため、定期的に計測更新してもよい。
また、以上のようなステージ移動による補正処理が必要になる高さ測定器は、本実施形態で取り上げているような反射光式測定器35だけではない。高さ測定器の種類の問題ではなく、むしろその使い方にある。すなわち、図3や図4で示した高さの計測点をビーム光軸(検査点)から距離Lだけずらした使い方、換言すると、高さ計測が検査に対し実時間処理ではなくなっているところにある。逆に言うと、実時間処理でさえあれば、どんな高さ計測器であってもステージ連続移動による検査の場合、検査時のステージ位置がそのまま高さ計測位置となることから、ステージ移動による高さ検出誤差は入りようがない。
<GUIの例>
図6は、本発明のGUIを第3の実施形態として示す。図5に示した補正データDZ(x)223を作成するため、もしくはそのデータを使用している最中のデータの確認手段として図6に示したGUI画面241を用いる。画面中、242が取得した補正データを線形近似した際の設定係数を表し、243がその係数によるグラフ表示を表している。このグラフ表示には、過去のデータとの重ね書き表示機能を持っており、データの正常/異常もわかり易くなっている。また、この補正データを定期的に取得更新していくことにより、装置状態、特にステージガイド周辺の変化も把握できるようになり、メンテナンス時期も決め易くなるというメリットもある。
図6は、本発明のGUIを第3の実施形態として示す。図5に示した補正データDZ(x)223を作成するため、もしくはそのデータを使用している最中のデータの確認手段として図6に示したGUI画面241を用いる。画面中、242が取得した補正データを線形近似した際の設定係数を表し、243がその係数によるグラフ表示を表している。このグラフ表示には、過去のデータとの重ね書き表示機能を持っており、データの正常/異常もわかり易くなっている。また、この補正データを定期的に取得更新していくことにより、装置状態、特にステージガイド周辺の変化も把握できるようになり、メンテナンス時期も決め易くなるというメリットもある。
(2)第2の実施形態
第2の実施形態では、高さ計測器が第1の実施形態とは別方式のもの、例えばレーザ干渉計式形状測定器及び静電容量型変位計を用いた場合について説明する。その他の構成は第1の実施形態と同様であるので説明は省略する。
第2の実施形態では、高さ計測器が第1の実施形態とは別方式のもの、例えばレーザ干渉計式形状測定器及び静電容量型変位計を用いた場合について説明する。その他の構成は第1の実施形態と同様であるので説明は省略する。
図7は、レーザ干渉計式形状測定器(フィゾー干渉計)250の概略構成を示す図であり、これを用いて高さ計測の原理について説明する。レーザ干渉計式形状測定器250では、レーザーヘッド251からのレーザービームは発散レンズ252、ビームスプリッター253、コリメーターレンズ254を透過後に平行光となり、基準板255と呼ばれる高精度に研磨された平面ガラス板に到達する。一部の光は参照面259で反射し、残りの光は基準板を透過後サンプル(ウェハ)256の被検面260に到達して反射する。参照面259からの反射光と被検面260からの反射光は元の光路を逆戻りし、干渉してビームスプリッター253により撮像素子(CCDカメラ)257へと導かれ、干渉縞画像258が得られる。参照面は非常に高精度に研磨されており、波長の1/20以下(30nm以下)の凹凸しかない。フィゾー干渉計では、参照面と被検面の間には空気間隔があるだけで、参照面以前の光路は共通であり、参照面と被検面の差が干渉縞となって捉えられる(参照面は高精度な平面であり、この差は事実上被検面であるウェハ表面の形状となっている)。
上述のように、ウェハのような平滑面に対し、レーザ光のようなコヒーレントな光を照射すると、平滑面の微妙な起伏に伴って干渉縞が発生するため、それを読み取ることにより平滑面の相対的な起伏情報を得ることができる。この方式は、ウェハ全面を一度に計測できる長所がある反面、あくまで相対的な高さしか得られないという短所もある。従って、高さ計測を行うためには、図8に示す静電容量型変位計270のような計測範囲は部分的であるが、絶対位置が計測できるセンサと組み合わせる必要がある。
静電容量型変位計270は、2枚の平行平板間の静電容量が2極間の距離に反比例することを測定原理としており、平板はそれぞれ片側を被測定物(ウェハ)256、もう一方をセンサ(プローブ)271として構成される。センサはmmオーダの大きさになることから、一回で計測できる範囲は局所的になるが、前述のレーザ干渉計式250とは異なり絶対位置(今の場合は高さ)が計測できるという特長を持っている。
これらの2方式(レーザ干渉計式形状測定器及び静電容量型変位計)とも一長一短があり、それぞれ単独で本発明の対象としている高さセンサに適用することは困難である。そこで、これら2方式を組み合わせて高さセンサを構成することを考える。
図9は、レーザ干渉計式形状測定器及び静電容量型変位計を組み合せて構成される高さセンサの概略構成を示す図である。測定の順番はどちらが先でもよいが、例えば、レーザ干渉計式形状測定器250によりウェハ全体の相対的な高さ情報を計測し、続いてその一部の絶対的な高さを静電容量型変位計270により測定することでウェハ全体の絶対的な高さを求める。
以上のような形でウェハ高さを計測する方法は、必然的にステージ移動を伴う検査動作にリンクした形での実時間処理は困難である。静電容量型プローブセンサの大きさからしても、レーザ干渉計の測定原理からしても、ビーム照射される部分の高さを逐一計測することは不可能である。従って、電子ビーム照射前に静止したウェハ面にレーザを照射し、また静電容量型センサで一部の絶対的高さを計測することになる。このようにして予め測定したウェハ全面もしくは一部の高さデータを離散的なテーブルデータとして記憶しておき、検査の際、ステージ位置座標からそのテーブルデータを参照する形で高さ情報を求めることになる。
前述したように、この場合も高さデータを測定した時と、参照する時(ウェハ検査時)のステージ位置が異なることから、その位置のずれ分に対応したステージガイドの傾き誤差が高さデータに発生することになる。この位置のずれが、第1の実施形態で示した方式の場合、距離Lと常に一定であったが、第2の実施形態の場合は、図9に示すように、高さデータを測定する時のステージ位置が一箇所となるため、L(x)とx座標の関数となる。従って、第1の実施形態で示した関係式は式(2)のようになる。
Zon(x)=Zoff(x-L(x))+DZ(x) ・・・(2)
Zon(x)=Zoff(x-L(x))+DZ(x) ・・・(2)
ここで、ガイド傾き補正曲線DZ(x)は、DZ(x)=Zon_opt(x)−Zoff(x-L(x))と表せ、Zon_opt(x)は第1の実施形態と同様に表せる。
また、ここで、L(x)は式(3)のように表せる。
L(x)=L+x−w/2 ・・・(3)
なお、ここでwは、ウェハ直径(例えば300mm)を示している。
また、ここで、L(x)は式(3)のように表せる。
L(x)=L+x−w/2 ・・・(3)
なお、ここでwは、ウェハ直径(例えば300mm)を示している。
すなわち、検査ポイントがウェハ中心(x=w/2)のとき、L(x)=Lとなる(図9の状態)。また、検査ポイントがそれより小さければ(x<w/2)、L(x)はLより小さくなり、逆に大きければ(x>w/2)、Lより大きくなる。平均的にはLとなり(図9状態)、第1の実施形態に比較すればかなり大きなステージ位置のずれということになる。この位置ずれに対応したガイド傾き誤差は全く無視できない量と考えられ、本発明の補正方式なしでは、対物レンズの良好な焦点精度を実現することは困難と言える。
従って、本発明によるフォーカス精度の向上やそれによる欠陥検出性能の向上は、本実施例においても期待できる。
また、第1の実施形態における図4及び図5に相当するものは、第2の実施形態においては、L→L(x)となることを加味して考えれば全く同様の図となり、実際の補正式の適用も全く同じになる。よって、ここではそれらの説明は省略する。
(3)まとめ
本発明によれば、光学画像では検出困難な欠陥を、電子線画像を用いて検出するため、高精度に検出することができる。
本発明によれば、光学画像では検出困難な欠陥を、電子線画像を用いて検出するため、高精度に検出することができる。
また、帯電の影響を抑えるため帯電制御電極を試料の電子線照射位置近傍に設けているため、対物レンズと試料との距離(高さ)を測定する測定位置(高さセンサの設置位置)を、ステージ座標上で電子線光軸の位置と同じにすることができない。そこで、本発明では、電子線光軸とはオフセットした位置において試料の高さを測定し、欠陥検査時にステージを移動させた場合には、その移動による高さのずれを補正する。そして、その補正値をフォーカス制御のために用いることとしているため、検査画像のフォーカス精度劣化を極力防止することができる。
さらに、ウェハの特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた検査を実現することができる。
1…SEM式外観検査装置、5…画像処理部、6…制御部、7…二次電子検出部、9…被検査基板、19…電子線、31,32…ステージ、35…被検査基板高さ測定器、43…補正制御回路、46…第一画像記憶部、47…第二画像記憶部、49…欠陥判定部、50…モニタ、51…二次電子、52…第二の二次電子、202…高さ計測、204…ステージ移動による補正処理、211…ガイド傾き、212…帯電制御電極、221…実際のウェハ高さ、222…Zoff計測値、223…ガイド傾き補正値、241…GUI画面
Claims (18)
- 試料に電子線を照射し、前記試料から発生する2次電子又は反射電子に基づいて生成される画像から前記試料の欠陥を検査する試料検査装置であって、
前記試料を移動可能なステージ上にロード後、前記試料における前記電子線照射位置の高さを計測する高さ計測部と、
前記測定された高さを補正する高さ補正処理部と、
前記高さ補正処理部によって補正された高さに応じて、前記電子線のフォーカスを調整する制御部と、を備え、
前記高さ計測部による高さ計測時のステージ位置と前記電子線照射時のステージ位置とが異なり、
前記高さ補正処理部は、前記高さ測定時のステージ位置から前記電子線照射時のステージ位置への移動によって生じる高さのずれを補正することを特徴とする試料検査装置。 - さらに、前記電子線照射時の前記試料位置近傍に、前記試料の帯電を制御する帯電制御電極を備えることを特徴とする請求項1に記載の試料検査装置。
- 前記高さ補正処理部は、前記試料の欠陥検査時又は前記試料の画像取得時にオンライン処理として高さ補正を実行することを特徴とする請求項1に記載の試料検査装置。
- 前記高さ補正処理部は、前記試料の欠陥検査時や前記試料の画像取得時とは別のタイミングでオフライン処理として前記高さ補正を実行することを特徴とする請求項1に記載の試料検査装置。
- さらに、前記高さ測定時のステージ位置から前記電子線照射時のステージ位置へのステージ移動に伴う補正データを記憶する補正データ記憶部を備え、
前記高さ補正処理部は、前記補正データ記憶部に記憶された前記補正データに基づいて、前記計測された高さを補正することを特徴とする請求項4に記載の試料検査装置。 - 前記試料の欠陥検査は、前記ステージを連続移動することによって実行され、
前記高さ補正処理部は、前記ステージの移動の度に、高さ補正を実行することを特徴とする請求項1に記載の試料検査装置。 - 前記高さ測定時のステージ位置から前記電子線照射時のステージ位置への移動によって生じる高さのずれは、前記ステージの傾きによって生じることを特徴とする請求項1に記載の試料検査装置。
- 前記高さ計測部は、反射光式測定器、又はレーザ干渉計式形状測定器及び静電容量型変位計の組み合わせを用いて前記試料の高さを計測することを特徴とする請求項1に記載の試料検査装置。
- さらに、前記補正データを画面上に表示する表示手段を備えることを特徴とする請求項5に記載の試料検査装置。
- 試料検査装置を用いて、試料に電子線を照射し、前記試料から発生する2次電子又は反射電子に基づいて生成される画像から前記試料の欠陥を検査する試料検査方法であって、
高さ計測部が、前記試料を移動可能なステージ上にロード後、前記試料における前記電子線照射位置の高さを計測する高さ計測工程と、
高さ補正処理部が、前記測定された高さを補正する高さ補正処理工程と、
制御部が、前記高さ補正処理部によって補正された高さに応じて、前記電子線のフォーカスを調整するフォーカス調整工程と、を備え、
前記高さ計測部による高さ計測時のステージ位置と前記電子線照射時のステージ位置とが異なり、
前記高さ補正処理部は、前記高さ測定時のステージ位置から前記電子線照射時のステージ位置への移動によって生じる高さのずれを補正することを特徴とする試料検査方法。 - 前記試料検査装置が、前記電子線照射時の前記試料位置近傍に、前記試料の帯電を制御する帯電制御電極を有することを特徴とする請求項10に記載の試料検査方法。
- 前記高さ補正工程において、前記高さ補正処理部は、前記試料の欠陥検査時又は前記試料の画像取得時にオンライン処理として高さ補正を実行することを特徴とする請求項10に記載の試料検査方法。
- 前記高さ補正工程において、前記高さ補正処理部は、前記試料の欠陥検査時や前記試料の画像取得時とは別のタイミングでオフライン処理として前記高さ補正を実行することを特徴とする請求項10に記載の試料検査方法。
- 前記試料検査装置は、さらに、前記高さ測定時のステージ位置から前記電子線照射時のステージ位置へのステージ移動に伴う補正データを記憶する補正データ記憶部を備え、
前記高さ補正工程において、前記高さ補正処理部は、前記補正データ記憶部に記憶された前記補正データに基づいて、前記計測された高さを補正することを特徴とする請求項13に記載の試料検査方法。 - 前記試料の欠陥検査は、前記ステージを連続移動することによって実行され、
前記高さ補正工程において、前記高さ補正処理部は、前記ステージの移動の度に、高さ補正を実行することを特徴とする請求項10に記載の試料検査方法。 - 前記高さ測定時のステージ位置から前記電子線照射時のステージ位置への移動によって生じる高さのずれは、前記ステージの傾きによって生じることを特徴とする請求項10に記載の試料検査方法。
- 高さ計測工程において、前記高さ計測部は、反射光式測定器、又はレーザ干渉計式形状測定器及び静電容量型変位計の組み合わせを用いて前記試料の高さを計測することを特徴とする請求項10に記載の試料検査方法。
- さらに、表示手段が、前記補正データを画面上に表示する補正データ表示工程を備えることを特徴とする請求項14に記載の試料検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008153638A JP2009301812A (ja) | 2008-06-12 | 2008-06-12 | 試料検査装置、及び試料検査方法 |
US12/480,443 US20090309022A1 (en) | 2008-06-12 | 2009-06-08 | Apparatus for inspecting a substrate, a method of inspecting a substrate, a scanning electron microscope, and a method of producing an image using a scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008153638A JP2009301812A (ja) | 2008-06-12 | 2008-06-12 | 試料検査装置、及び試料検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009301812A true JP2009301812A (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=41548520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008153638A Pending JP2009301812A (ja) | 2008-06-12 | 2008-06-12 | 試料検査装置、及び試料検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009301812A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012009247A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Topcon Corp | 電子顕微鏡装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162337A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JP2008027737A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査・計測装置 |
-
2008
- 2008-06-12 JP JP2008153638A patent/JP2009301812A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04162337A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JP2008027737A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査・計測装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012009247A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Topcon Corp | 電子顕微鏡装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20090309022A1 (en) | Apparatus for inspecting a substrate, a method of inspecting a substrate, a scanning electron microscope, and a method of producing an image using a scanning electron microscope | |
JP5164317B2 (ja) | 電子線による検査・計測方法および検査・計測装置 | |
JP2006332296A (ja) | 電子ビーム応用回路パターン検査における焦点補正方法 | |
CN109298001B (zh) | 电子束成像模块、电子束检测设备及其图像采集方法 | |
JP4634852B2 (ja) | Sem式外観検査装置および検査方法 | |
JPH11108864A (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
US9177759B2 (en) | Processing apparatus and method using a scanning electron microscope | |
JP3823073B2 (ja) | 電子線を用いた検査方法及び検査装置 | |
WO2015050201A1 (ja) | 荷電粒子線の傾斜補正方法および荷電粒子線装置 | |
KR102477184B1 (ko) | 하전 입자 빔 디바이스로 샘플을 검사하는 방법, 및 하전 입자 빔 디바이스 | |
JP2009032445A (ja) | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 | |
JP6632863B2 (ja) | 電子ビーム検査・測長装置用の電子ビーム径制御方法及び電子ビーム径制御装置、並びに電子ビーム検査・測長装置 | |
JP2000286310A (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
US20090261251A1 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP3601382B2 (ja) | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 | |
JP2009301812A (ja) | 試料検査装置、及び試料検査方法 | |
JP5372445B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡装置およびその焦点あわせ方法 | |
JP4028864B2 (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
JP3876668B2 (ja) | 電子線を用いた外観検査装置 | |
JP3765988B2 (ja) | 電子線式外観検査装置 | |
JP2005164608A (ja) | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 | |
JP3608451B2 (ja) | 走査電子顕微鏡を用いた検査装置および検査方法 | |
JP7477364B2 (ja) | マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法 | |
JP2017143034A (ja) | 画像取得方法及び電子ビーム検査・測長装置 | |
JP2015002114A (ja) | 検査装置および検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121113 |