JP2005210087A5 - - Google Patents
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- ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で、前記有機半導体膜の粒界の大きさの平均値が10%以上成長しない温度で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で、前記有機半導体膜の粒界の大きさの平均値が10%以上成長しない温度で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を大気圧に放置後、大気圧下又は減圧下で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を大気圧に放置後、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
不活性ガス雰囲気において、前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記有機半導体膜の融点未満で前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
250℃未満で前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記有機半導体膜を形成する処理室で、前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
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