JP4877869B2 - 有機半導体素子の作製方法 - Google Patents
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Description
本発明は、有機半導体膜を有する有機半導体素子及びその作製方法に関する。
近年、薄膜半導体を有する薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴともいう）を備えた表示装置に関する研究が進められ実用化されている。このＴＦＴを備えた表示装置は、多数の画素を構成することが可能となることから高精細な表示装置を実現できる。またＣＲＴと比べ低電圧で動作可能なことから低消費電力なことが知られている。さらにＣＲＴのように大きな表示管を用いずに画面を構成できることから省スペース化が図れ、パーソナルコンピュータやＰＤＡ、そしてＴＶの表示部として広く使用されている。
今後の表示装置としての要求には、さらなる薄型化、軽量化、フレキシブル化があげられる。しかしこれまでのＴＦＴは、半導体層として非晶質珪素や結晶質珪素などの無機半導体材料を用いて作製されるものがほとんどであった。このため無機半導体材料を用いてＴＦＴを形成する場合には、半導体膜の形成に３５０℃を超える処理温度が必要となりプラスチック等の樹脂基板等の採用が制限されていた。
近年、半導体層として有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタ（以下有機ＴＦＴと記す）の研究が進められている。有機ＴＦＴは、有機材料を使用しているので柔軟性に富んでいる。また無機半導体を用いたデバイスと比べると、より低温で形成することができるため、基板にプラスチック等の樹脂材料を使用できる。その結果、軽くて柔軟性があるデバイスを得ることができる。
更に有機ＴＦＴは、印刷法、インクジェット法、蒸着法等によるプロセスの簡略化が期待できるだけでなく、安価な基板材料を用いる事ができるため、装置の製造価格を抑えることができ、コスト的に有利なことが見積もれる。
また、現在作製されている有機ＴＦＴは表面洗浄のみを行なったＳｉＯ２／Ｓｉ基板と、表面洗浄後にＨＭＤＳで表面処理を行なった基板上に同一条件でペンタセンを積層したＴＦＴ素子を作製している（非特許文献１参照。）。
八木巌， 塚越一仁， 青柳克信 「表面処理を行ったＳｉＯ２／Ｓｉ基板 上に作製したペンタセンＦＥＴ」 第５０回応用物理学関係連合講演会講演予稿 集（２００３．３） ｐ．１４１８下段
八木巌， 塚越一仁， 青柳克信 「表面処理を行ったＳｉＯ２／Ｓｉ基板 上に作製したペンタセンＦＥＴ」 第５０回応用物理学関係連合講演会講演予稿 集（２００３．３） ｐ．１４１８下段
非特許文献１によると、表面処理を行なわない有機ＴＦＴは、チャネル長やチャネル幅が長い素子でしか移動度やオンオフ比および閾値において良いＴＦＴ特性が得られていない。
しかし有機ＴＦＴを用いたデバイスを作製する際に、デバイスの小型化にはチャネル長やチャネル幅の短い素子の開発が必要不可欠である。
そこで本発明は上記非特許文献１とは異なる方法により、特性が改善された有機ＴＦＴを提供することを課題とする。
また、有機半導体は大気中に放置すると水や大気の影響で有機半導体が劣化し、ＴＦＴ特性の低下を引き起こすというデメリットがある。さらに、有機半導体膜と電極および絶縁膜との密着性が有機半導体素子の特性の低下に影響を与えている。
本発明は上記課題を鑑み、チャネル長やチャネル幅の短い素子においてもＴＦＴ特性の低下を防ぐことができる有機半導体素子の作製方法を提供する。
本発明は有機半導体膜の蒸着後に素子を加熱（以下ベークと記す）することを特徴とする。
具体的な本発明の有機半導体素子の作製方法は、有機半導体膜を形成した後、有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする。
本発明の有機半導体素子の作製方法は、ゲート電極を形成し、ゲート電極上に有機半導体膜を形成した後、有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱し、加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする。
本発明の有機半導体素子の作製方法は、ゲート電極を形成し、ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成した後、有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする。
本発明の有機半導体素子の作製方法は、無機膜に接して有機半導体膜を形成した後、有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする。
本発明の有機半導体素子の作製方法は、ゲート絶縁膜に接して有機半導体膜を形成した後、有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする。
本発明において、有機半導体膜への加熱は、有機半導体膜材料の融点未満で行うとよい。
本発明において、有機半導体膜への加熱は、２５０℃未満で行うとよい。
本発明において、有機半導体膜への加熱は有機半導体膜の粒界の大きさの平均値が１０％以上成長しない温度で行うとよい。
以上のように形成される有機半導体素子は、作製工程における加熱温度が低いため、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板を用いることができる。
ベークは、大気圧下又は減圧下のどちらでもよいが、減圧下にすることによりベーク温度を低温化することができる。その結果、加熱による有機半導体素子の劣化を低減することが期待できる。特に、基板に合成樹脂を用いる場合、ベーク温度を低温とすると好ましい。またベークは、不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
またゲート電極、又はソース電極及びドレイン電極は、スパッタリング法、インクジェット法、スピンコート法、及び蒸着法のいずれかを用いて、形成することができる。またゲート電極、ソース電極又はドレイン電極は、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、又は元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成することができる。
また本発明は、このように形成された有機半導体素子を得ることが出来、該有機半導体素子を液晶表示装置又は発光素子を有する表示装置の画素部に設け、半導体素子として使用することができる。特に合成樹脂上に有機半導体素子を設けることにより、液晶表示装置又は発光素子を有する表示装置のフレキシブル性を高め、軽量化を達成することができる。
このような発明により、オンオフの閾値を変化させることができ、さらにオフ時のリーク電流を下げることができる。
これにより、オンオフの閾値を０Ｖに近づけることができ、オンオフ比を上げることができる。
このように有機半導体素子の特性を改善することができる。
これにより、オンオフの閾値を０Ｖに近づけることができ、オンオフ比を上げることができる。
このように有機半導体素子の特性を改善することができる。
また、この改善により、短いチャネル長とチャネル幅の素子でも、実用可能なＴＦＴ特性を得ることが出来るようになり、表示装置等のデバイスの小型化が可能となる。
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
但し、本発 明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から 逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に 理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
但し、本発 明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から 逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に 理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、ボトムコンタクト型の有機半導体素子として、有機ＴＦＴの作製方法について説明する。
本実施の形態では、ボトムコンタクト型の有機半導体素子として、有機ＴＦＴの作製方法について説明する。
図１にボトムコンタクト型の有機ＴＦＴの断面図を示す。ボトムコンタクト型有機ＴＦＴとは、ソース電極及びドレイン電極を形成後、有機半導体膜を形成する素子構造を有する。
まず、絶縁表面を有する基板１００上にゲート電極として機能する導電膜（以下、ゲート電極と表記する）１０１を形成する。なお本実施の形態では絶縁表面を有する基板として、石英基板を用い、該石英基板上に導電膜としてタングステン（Ｗ）を用い、スパッタリング法にてゲート電極を形成する例で説明するが、本発明はこれに限定されない。
絶縁表面を有する基板には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、ステンレス基板等を用いることができる。また好ましくは、ポリエチレン−テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板を用いるとよい。このような合成樹脂から成る基板は、可撓性を有し、さらに軽量である。
また基板の平坦性を高めるため、化学的又は機械的ポリッシング法、いわゆるＣＭＰ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により、表面研磨してから用いると好ましい。ＣＭＰの研磨剤（スラリー）には、例えば、塩化シリコンガスを熱分解して得られるフュームドシリカ粒子をＫＯＨ水溶液に分散したものを用いることができる。
基板上には、必要に応じて下地膜を形成してもよい。下地膜は、基板中に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐ機能を有する。そのため、アルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化チタン、窒化チタンなどの絶縁膜を用いて下地膜を形成することができる。
またゲート電極はタングステン以外に、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。さらにゲート電極は、単層構造又は積層構造を有することができる。またゲート電極はスパッタリング法の他、スクリーン印刷法、ロールコーター法又は液滴吐出法、スピンコート法、蒸着法などで形成しても良いし、電極材料は金属及び金属化合物の他、導電性高分子などを使用しても良い。
液滴吐出法は、選択的にパターンを形成可能な方法であり、導電膜や絶縁膜などの材料が混入された組成物の液滴（ドットとも表記する）を選択的に吐出（噴出）して導電膜を形成する方法である。液滴吐出法は、その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。
液滴吐出法により導電膜を形成する場合、溶媒に混在される導電体として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、若しくはアルミニウム（Ａｌ）、これらからなる合金、これらの分散性ナノ粒子、又はハロゲン化銀の微粒子を用いることができる。
またスクリーン印刷法等により導電膜を形成する場合、導電性ペーストを用いる。導電性ペーストとしては、導電性カーボンペースト、導電性銀ペースト、導電性銅ペースト、導電性ニッケルなどを用いることができる。導電性ペーストで所定のパターンに形成した後は、レベリング、乾燥後、１００〜２００℃で硬化させるとよい。
ゲート電極１０１を形成した後にゲート絶縁膜として機能する絶縁膜（以下、ゲート絶縁膜と表記する）１０２を形成する。なお本実施の形態のＴＦＴは、ゲート絶縁膜１０２はＳｉＯＮをＣＶＤ法にて成膜した例で説明するが、ゲート絶縁膜１０２はＣＶＤ法の他、スパッタ法、スピンコート法、蒸着法などで成膜しても良い。
ゲート絶縁膜の材料は、窒化酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ポリビニルアルコール、シロキサン、ポリシラザン等の無機物又は有機物を使用しても良い。シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有するポリマー材料、を出発原料として形成される。またポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料、いわゆるポリシラザンを含む液体材料を出発原料として形成される。
またゲート絶縁膜として用いる絶縁膜には、ゲート電極を陽極酸化して得られる絶縁膜を用いてもよい。
次にゲート絶縁膜１０２の上にＴＦＴのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜（以下、ソース電極またはドレイン電極と表記する）１０３を形成する。なお本実施の形態のＴＦＴは、ソース電極またはドレイン電極１０３としてタングステンをスパッタ法にて形成した例で説明するが、電極はスパッタ法の他、インクジェット法、スピンコート法、蒸着法などで形成しても良いし、電極材料は金属及び金属化合物の他、導電性高分子などを使用しても良い。すなわち、ゲート電極の材料又は作製方法を参照して、ソース電極またはドレイン電極１０３を形成することができる。
しかしながらソース電極またはドレイン電極は、有機半導体膜とオーミック接合する必要があるので、ｐ型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも大きい仕事関数を持った材料を用いることが望ましく、ｎ型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも小さい仕事関数を持った材料を用いることが望ましい。本実施の形態においては有機半導体材料としてｐ型のペンタセンを用いているので、仕事関数が比較的高いタングステンを用いる。
そして、絶縁膜１０２とソース電極またはドレイン電極１０３上に有機半導体膜１０４を成膜する。なお、本実施の形態の有機半導体材料としてはペンタセンを用いる例で説明するが、有機半導体膜材料としては、有機分子性結晶、有機高分子化合物を用いればよい。具体的な有機分子性結晶は、多環芳香族化合物、共役二重結合系化合物、カロテン、マクロ環化合物又はその錯体、フタロシアニン、電荷移動型錯体（ＣＴ錯体）等が挙げられる。例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、６Ｔ（ヘキサチオフェン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）：ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）錯体、ＤＤＰＨ（ジフェニルピクリルヒドラジル）、色素、タンパク、ＰＴＣＤＡなどのペリレンテトラカルボン酸誘導体、ＮＴＣＤＡなどのナフタレンテトラカルボン酸誘導体などを用いることができる。また、具体的な有機高分子化合物は、π共役系高分子、カーボンナノチューブ、ポリビニルピリジン、フロタシアニン金属錯体、ヨウ素錯体等が挙げられる。特に骨格が共役二重結合から構成されるπ共役系高分子である、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチエニレン、ポリチオフェン誘導体、ポリ（３アルキルチオフェン）、ポリパラフェニレン誘導体又はポリパラフェニレンビニレン誘導体を用いると好ましい。
また成膜方法としては、膜厚の均一な膜が形成できる方法を用いればよい。具体的な方法としては、蒸着法、スピンコート法、バーコート法、溶液キャスト法、ディッピング法を用いればよい。
また有機半導体膜形成前処理として、被形成面に対してプラズマ処理を行ったり、密着性又は界面状態を向上させるための膜、例えば自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）や配向膜を形成してもよい。
なお本実施の形態では、有機材料であるペンタセンを真空蒸着法によって飛ばすことにより、ゲート絶縁膜１０２と、ソース電極またはドレイン電極１０３上に有機半導体膜１０４を形成する。
そして、有機半導体膜の形成後に素子基板１１０をベークする。このときの温度は、有機半導体膜１０４が蒸発又は分解するよりも低い温度を上限とする。この温度範囲であって、高温の方が有機ＴＦＴ特性の改善に効果的である。また、このときの温度は、有機半導体膜の融点以下が望ましい。ベークすることによりＴＦＴ特性が改善する要因の１つとして、ベークにより有機半導体膜１０４とソース電極またはドレイン電極１０３および絶縁膜１０２との密着性が向上し、注入障壁が小さくなるためキャリア輸送性が向上するためと推測される。また、高温のほうが、より有機半導体膜１０４とソース電極またはドレイン電極１０３及び絶縁膜１０２との密着性が向上し、ＴＦＴ特性の改善に効果的であると推測される。さらに、ベークの効果で、有機半導体膜１０４中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜１０４の劣化が抑えられ、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善すると予想される。
実施例６で示す、有機半導体材料としてペンタセンを用いたベーク前後の結果を見ると、ベーク時の温度はベーク前後のペンタセンの粒界（結晶粒）が成長しない温度が好ましい。
実施例１で示す、有機半導体材料としてペンタセンを用いた大気下ベークの結果をみると、１２０℃、１５０℃、２００℃と温度が高くなるにつれて、閾値のシフトが小さくなっている。すなわち、高温の方が有機ＴＦＴ特性の改善に効果的であることが分かる。また実施例１により、有機半導体材料としてペンタセンを用いた場合、２５０℃が蒸発又は分解する温度付近であることがわかり、加熱温度は２５０℃未満がよい。ベークにより有機半導体材料とソース電極またはドレイン電極及び絶縁膜との密着性が向上し、注入障壁が小さくなるためキャリア輸送性が向上し、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。高温のほうが、より有機半導体膜とソース電極またはドレイン電極および絶縁膜との密着性が向上し、ＴＦＴ特性の改善にさらに効果的であると推測される。また、ベークにより有機半導体膜中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜の劣化が抑えられ、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が向上していると推測される。
またベーク中の雰囲気は、大気中で行なっても効果があるが、酸素や水による有機半導体膜の劣化を考慮して窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気で行なっても良い。さらに、有機半導体膜の劣化を抑えることとベーク温度の低温化を狙って減圧中（例えば１．３×１０-3Ｐａ〜６．７×１０4Ｐａ）でベークを行なっても良い。
実施例３で示す、有機半導体材料としてペンタセンを用いた減圧下（１．２×１０4Ｐａ）ベークの結果を示すが、大気下でのベークと比較して同じ温度（１２０℃、１５０℃）において減圧時の方が効果的であることが分かる。更に、減圧下で行なうことで、より低い温度でベークの効果が得られることが分かる。減圧下でベークすることにより、大気中の酸素の影響による有機半導体膜の酸化などの劣化が抑えられるため、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。
また、ベークは蒸着後一旦大気圧に開放してから大気下又は減圧下でベークを行なっても良い。また、蒸着後そのまま減圧下でベーク行なっても良い。すなわち有機半導体膜を形成する処理室で、有機半導体膜を加熱してもよい。
実施例４に一旦大気圧に開放後に減圧下でベークした結果を示し、実施例５に蒸着後そのまま減圧下ベークの結果を示す。どちらの場合もベークによる効果が得られていることが分かる。
またさらに実施例４より、いったん大気圧に開放後、ベークすることにより、有機ＴＦＴの特性が回復していることが分かる。
このように、本発明は有機半導体膜を形成後、ベークすることによって、有機ＴＦＴの特性が改善することが分かる。ベークすることにより有機半導体膜中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜の劣化が抑えられ、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。また、ベークすることによりソース電極またはドレイン電極および絶縁膜と有機半導体膜との密着性が向上し、有機半導体膜の結晶性の向上、キャリア輸送性の向上が図られるため、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。減圧下ベークでは、さらに大気中の酸素の影響による有機半導体膜の劣化が抑えられるため、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。
以上のようにして、ボトムコンタクト型の有機ＴＦＴが完成する。
このような有機ＴＦＴは液晶表示装置のスイッチング素子として用いることができる。たとえばソース電極、ドレイン電極のいずれか一方に画素電極（ＩＴＯや金属膜）を形成し、液晶層を設けることにより液晶表示装置を作製することができる。また、発光素子を有する表示装置のスイッチング素子等に、本発明の有機ＴＦＴを用いても良い。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なり、有機半導体膜形成後、ソース電極及びドレイン電極を形成するトップコンタクト型の有機ＴＦＴの場合を、図２を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態１とは異なり、有機半導体膜形成後、ソース電極及びドレイン電極を形成するトップコンタクト型の有機ＴＦＴの場合を、図２を用いて説明する。
まず、実施の形態１と同様に、ゲート電極２０１を基板２００上に形成し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜２０２が形成された素子基板２１０を用意する。ゲート電極及びゲート絶縁膜の材料や作製方法は実施の形態１を参照することができる。
そして、素子基板に有機半導体膜２０３を成膜する。有機半導体膜材料としては、有機分子性結晶、有機高分子化合物材料を用いればよい。具体的な有機分子性結晶は、多環芳香族化合物、共役二重結合系化合物、カロテン、マクロ環化合物又はその錯体、フタロシアニン、電荷移動型錯体（ＣＴ錯体）等が挙げられる。例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、６Ｔ（ヘキサチオフェン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）：ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）錯体、ＤＤＰＨ（ジフェニルピクリルヒドラジル）、色素、タンパク、ＰＴＣＤＡなどのペリレンテトラカルボン酸誘導体、ＮＴＣＤＡなどのナフタレンテトラカルボン酸誘導体などを用いることができる。また、具体的な有機高分子化合物は、π共役系高分子、カーボンナノチューブ、ポリビニルピリジン、フタロシアニン金属錯体、ヨウ素金属錯体等が挙げられる。特に骨格が共役二重結合から構成されるπ共役系高分子である、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチエニレン、ポリチオフェン誘導体、ポリ（３アルキルチオフェン）、ポリパラフェニレン誘導体又はポリパラフェニレンビニレン誘導体を用いると好ましい。
また、成膜方法としては、素子基板に膜厚の均一な膜が形成できる方法を用いればよい。具体的な方法としては、蒸着法、スピンコート法、バーコート法、溶液キャスト法、ディッピング法を用いればよい。
また有機半導体膜２０３の形成前処理として、被形成面に対してプラズマ処理を行ったり、密着性又は界面状態を向上させるための膜、例えば自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）や配向膜を形成してもよい。
その後更に、ＴＦＴのソース電極２０４、ドレイン電極２０４として機能する電極を形成する。ソース電極及びドレイン電極の材料は、実施の形態１を参照すればよい。
ソース電極またはドレイン電極は、有機半導体膜とオーミック接合する必要があるので、ｐ型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも大きい仕事関数を持った材料を用いることが望ましく、ｎ型の有機半導体材料のときは、有機半導体材料のイオン化ポテンシャルよりも小さい仕事関数を持った材料を用いることが望ましい。また、成膜方法としては、素子基板に膜厚の均一な膜が形成できる方法を用いればよい。具体的な方法は、実施の形態１を参照すればよい。
そして、ソース電極またはドレイン電極２０４の形成後に素子をベークする。このときの温度は、有機半導体膜が蒸発又は分解するよりも低い温度を上限とする。さらに融点以下の温度範囲であって、高温の方が有機ＴＦＴ特性を改善に効果的である。なお、有機半導体膜２０３の形成後、ソース電極またはドレイン電極２０４の形成前にベークしてもよい。
また、ベーク中の雰囲気は、大気中で行なっても効果があるが、酸素や水による有機半導体膜の劣化を考慮して窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気で行なっても良いし、有機半導体膜の劣化とベーク温度の低温化を狙って減圧中（１．３×１０-3Ｐａ〜６．７×１０4Ｐａ）でベークを行なっても良いことは、上述した通りである。
以上のようにして、トップコンタクト型の有機ＴＦＴが完成する。
このような有機ＴＦＴは液晶表示装置のスイッチング素子として用いることができる。たとえばソース電極、ドレイン電極のいずれか一方に画素電極（ＩＴＯや金属膜）を形成し、液晶層を設けることにより液晶表示装置を作製することができる。また、発光素子を有する表示装置のスイッチング素子等に、本発明の有機ＴＦＴを用いても良い。
本実施例では、上記実施の形態１に基づき大気下でベークし作製した有機ＴＦＴの電気特性の温度依存性を測定した結果を示す。なお測定試料の有機ＴＦＴは、図３に示すように大気中において石英基板上にタングステンからなるゲート電極３０１を設け、ゲート電極上にゲート絶縁膜を設け、ゲート絶縁膜上にタングステンからなるソース電極３０２とドレイン電極３０３を設け、ソース電極３０２とドレイン電極３０３との間に有機半導体膜が設けられている構造である。そして、各ソース電極３０２、ドレイン電極３０３、ゲート電極３０１には測定電圧を印加したり、電流を検出したりするための測定用パッド（ソース電極用パッド３０４、ドレイン電極用パッド３０５、ゲート電極用パッド３０６）が設けられている。
また、有機ＴＦＴのチャネル長はソース電極とドレイン電極との間（図３においてＬで示す）の長さで与えられ、Ｌは５μｍであり、チャネル幅はソース電極とドレイン電極とが重なる領域の長さ（図３においてＷで示す）で与えられ、Ｗは８０００μｍである。
また有機半導体の材料はペンタセンを用い、膜厚は５０ｎｍで成膜した。成膜方法としては蒸着法を用いた。
蒸着後のベーク条件は、以下のとおりである。
（１）ベークなし
（２）大気下において、１２０℃で、１０分ベーク
（３）大気下において、１５０℃で、１０分ベーク
（４）大気下において、２００℃で、１０分ベーク
（５）大気下において、２５０℃で、１０分ベーク
（１）ベークなし
（２）大気下において、１２０℃で、１０分ベーク
（３）大気下において、１５０℃で、１０分ベーク
（４）大気下において、２００℃で、１０分ベーク
（５）大気下において、２５０℃で、１０分ベーク
図４にはベーク条件（１）〜（５）におけるＶｄとして−１０Ｖの電圧を印加したときの、ドレイン電極の電流とゲート電圧とを測定したＶｇ−Ｉｄ特性の結果を示す。
図４より、蒸着後のベークによって、オンオフの閾値が０Ｖに近づいていることが分かり、大気下においては、（２）１２０℃１０分より（３）１５０℃１０分の方が、閾値のシフトが大きく、（３）１５０℃１０分と（４）２００℃１０分では余り変化が無いことが分かる。また、図４より、蒸着ベークによって、オフ時のリーク電流が減っていることが分かる。この変化も（２）１２０℃１０分より（３）１５０℃１０分、（３）１５０℃１０分より（４）２００℃１０分の方が大きいことが分かる。これは、ベークすることにより有機半導体膜中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜の劣化が抑えられることにより、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。また、ベークすることによりソース電極またはドレイン電極および絶縁膜と有機半導体膜との密着性が向上し、有機半導体膜の結晶性の向上、キャリア輸送性の向上が図られるため、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。さらに、高温のほうが、より有機半導体膜とソース電極またはドレイン電極および絶縁膜との密着性が向上し、ＴＦＴ特性の改善に効果的であると推測される。
以上から、蒸着後のベークは有機ＴＦＴの特性改善に有効であると考えられる。
また（５）２５０℃１０分でベークする場合、有機ＴＦＴの特性の改善が見られなかった。２５０℃近傍から、ペンタセンが熱分解や酸化してしまい、有機ＴＦＴの特性消失したと考えられる。そのため、有機半導体材料としてペンタセンを用いた場合、加熱温度は２５０℃未満がよいことが分かる。
本実施例では、上記実施の形態１に基づき大気下でベークし作製した有機ＴＦＴの電気特性の時間依存性を測定した結果を示す。なお測定試料である有機ＴＦＴの蒸着後ベーク以外の作製条件は、実施例１と同様である。
蒸着後のベーク条件は、以下のとおりである。
（１）蒸着後のベーク前
（２）（１）を大気下において、１２０℃で、１０分ベーク
（３）（２）をさらに大気下において、１２０℃で、３０分ベーク
（１）蒸着後のベーク前
（２）（１）を大気下において、１２０℃で、１０分ベーク
（３）（２）をさらに大気下において、１２０℃で、３０分ベーク
図５にはベーク条件（１）〜（３）におけるＶｄとして−１０Ｖの電圧を印加したときの、ドレイン電極の電流とゲート電圧とを測定したＶｇ−Ｉｄ特性の結果を示す。
図５より、蒸着後のベークによって、オンオフの閾値が０Ｖに近づいていることがわかり、ベークする時間が長いほど大きくシフトしていることが分かる。これは、ベークすることにより有機半導体膜中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜の劣化が抑えられることにより、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。また、ベークすることにより電極および絶縁膜と有機半導体膜との密着性が向上し、有機半導体層の結晶性の向上、キャリア輸送性の向上が図られるため、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。さらに、長時間ベークすることにより、有機半導体膜中の水分の減少および電極および絶縁膜と有機半導体膜との密着性の向上が促進され、有機半導体の特性の改善に高い効果を示していると推測される。
以上から、蒸着後のベークは有機ＴＦＴの特性改善に有効であると考えられる。
以上から、蒸着後のベークは有機ＴＦＴの特性改善に有効であると考えられる。
本実施例では、上記実施の形態１に基づき、蒸着後一旦大気圧に開放してから減圧下（１．２×１０4Ｐａ）でベークし作製した有機ＴＦＴの電気特性の温度依存性を測定した結果を示す。なお測定試料である有機ＴＦＴの蒸着後ベーク以外の作製条件は、実施例１と同様である。
ベーク条件は、以下のとおりである。
（１）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１２０℃で、１０分ベーク
（２）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、１０分ベーク
（３）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、２００℃で、１０分ベーク
（１）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１２０℃で、１０分ベーク
（２）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、１０分ベーク
（３）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、２００℃で、１０分ベーク
図６にはベーク条件（１）〜（３）におけるＶｄとして−１０Ｖの電圧を印加したときの、ドレイン電極の電流とゲート電圧とを測定したＶｇ−Ｉｄ特性の結果を示す。
図６より、蒸着後のベークによって、オンオフの閾値が０Ｖに近づいていることが分かり、減圧下（１．２×１０4Ｐａ）においては、（１）１２０℃１０分より（２）１５０℃１０分の方が、閾値のシフトが大きいことが分かる。また、図６より、蒸着ベークによって、オフ時のリーク電流が減っていることが分かる。この変化も（１）１２０℃１０分より（２）１５０℃１０分の方が大きいことが分かる。また上記実施例１で行なった大気下でのベークと比べ、スロープの立ち上がりが急峻なことから良好なＳ値が得られていることが分かる。これは実施例１と同様に、ベークすることにより、有機半導体膜中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜の劣化が抑えられ、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。また、ベークすることによりソース電極またはドレイン電極および絶縁膜と有機半導体膜との密着性が向上し、有機半導体膜の結晶性の向上、キャリア輸送性の向上が図られるため、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。さらに、高温のほうが、より有機半導体膜とソース電極またはドレイン電極および絶縁膜との密着性が向上し、ＴＦＴ特性の改善に高い効果を示していると推測される。本実施例ではさらに、減圧下でベークすることにより、大気中の酸素の影響による有機半導体膜の酸化などの劣化が抑えられるため、大気圧下でのベークに比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。
以上から、蒸着後のベークは有機ＴＦＴの特性改善に有効であって、更に減圧下でベークを行うと温度の低温化を図ることができると考えられる。
本実施例では、上記実施の形態１に基づき、蒸着後一旦大気圧に開放してから減圧下（１．２×１０4Ｐａ）でベークし作製した有機ＴＦＴの電気特性の大気中放置による経時変化と、その後の減圧下（１．２×１０4Ｐａ）ベークの効果を評価した。以下に結果を示す。なお測定試料である有機ＴＦＴの蒸着後ベーク以外の作製条件は、実施例１と同様である。
ベーク条件は、以下のとおりである。
（１）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、３０分ベーク
（２）（１）を大気下において４８時間放置
（３）（２）を減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、３０分ベーク
（１）減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、３０分ベーク
（２）（１）を大気下において４８時間放置
（３）（２）を減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、３０分ベーク
図７にはベーク条件（１）〜（３）におけるＶｄとして−１０Ｖの電圧を印加したときの、ドレイン電極の電流とゲート電圧とを測定したＶｇ−Ｉｄ特性の結果を示す。
図７より蒸着後のベークによって、オンオフの閾値が０Ｖに近づいていることが分かり、大気下で４８時間放置することによりＯＮ電流が減少しＴＦＴ特性が劣化していることが分かる。またその後再びベークすることでＯＮ電流が上昇し、有機ＴＦＴ特性が回復していることが分かる。これは、実施例４と同様に、ベークすることにより有機半導体膜中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜の劣化が抑えられることにより、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。また、ベークすることによりソース電極またはドレイン電極および絶縁膜と有機半導体膜との密着性が向上し、有機半導体膜の結晶性の向上、キャリア輸送性の向上が図られるため、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。さらに、減圧下でベークすることにより、大気中の酸素の影響による有機半導体膜の酸化などの劣化が抑えられるため、ＴＦＴ特性が改善していると推測される。
以上から、蒸着後のベークは有機ＴＦＴの特性の大気下放置による劣化を回復するのに有効であると考えられる。
本実施例では、上記実施の形態１に基づき、蒸着直後に蒸着チャンバー内でベークし作製した有機ＴＦＴの電気特性を測定した結果を示す。なお測定試料である有機ＴＦＴの蒸着後ベーク以外の作製条件は、実施例１と同様である。
蒸着後のベーク条件は、蒸着チャンバー内で行なっているので、蒸着時と同じ減圧下（１．３×１０-3Ｐａ）において行なった。ベーク条件は、以下のとおりである。
（１）ベークなし
（２）１２０℃で、１０分ベーク
（１）ベークなし
（２）１２０℃で、１０分ベーク
図８にはベーク条件（１）、（２）におけるＶｄとして−１０Ｖの電圧を印加したときの、ドレイン電極の電流とゲート電圧とを測定したＶｇ−Ｉｄ特性の結果を示す。
図８より、蒸着チャンバー内での蒸着後ベークによって、オンオフの閾値が０Ｖに近づいており、ＴＦＴ特性を改善していることが分かる。これは、ベークすることにより有機半導体膜中に含まれる水分が減少するため有機半導体膜の劣化が抑えられることにより、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。また、ベークすることによりソース電極またはドレイン電極および絶縁膜と有機半導体膜との密着性が向上し、有機半導体膜の結晶性の向上、キャリア輸送性の向上が図られるため、ベーク前に比べてＴＦＴ特性が改善していると推測される。
以上から、蒸着チャンバー内での蒸着後ベークは有機ＴＦＴの特性改善に有効であると考えられる。
本実施例では、蒸着後のベークによるペンタセンの粒界の大きさと有機層の膜厚の変化をＡＦＭで測定した結果を示す。なお測定試料は、実施例１と同様に基板上にペンタセンを膜厚５０ｎｍで成膜した。成膜方法としては、蒸着法を用いた。
測定試料の条件は、以下のとおりである。
（１）蒸着後ベークなし
（２）蒸着後に減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、１０分ベーク
（１）蒸着後ベークなし
（２）蒸着後に減圧下（１．２×１０4Ｐａ）において、１５０℃で、１０分ベーク
図９には条件（１）、図１０に条件（２）におけるＡＦＭの測定結果を示す。
図９，１０より、蒸着後のベークによって、ベークの有無でペンタセンの粒界の大きさの変化は見られないことがわかる。またこのとき、有機膜の膜厚の変化も見られなかった。
以上の結果より、有機半導体膜を形成後、加熱する温度は、有機半導体が結晶成長しない温度、好ましくは有機半導体膜の粒界の大きさの平均値が１０％以上成長しない温度でよいことがわかる。
（実施の形態３）
本発明の半導体装置を含む液晶装置の態様について、図１１を用いて説明する。なお、液晶装置の構成について特に限定は無く、本形態で示した態様の他、例えば、素子基板上に、駆動回路が設けられたものであってもよい。また、液晶装置に限定されるものではなく、発光素子を有する表示装置のスイッチング素子等に本発明の有機半導体装置を用いても良い。
本発明の半導体装置を含む液晶装置の態様について、図１１を用いて説明する。なお、液晶装置の構成について特に限定は無く、本形態で示した態様の他、例えば、素子基板上に、駆動回路が設けられたものであってもよい。また、液晶装置に限定されるものではなく、発光素子を有する表示装置のスイッチング素子等に本発明の有機半導体装置を用いても良い。
図１１は液晶装置を模式的に表した上面図である。本形態の液晶装置は、素子基板１１０１と対向基板１１０２とが対向するように貼り合わせられている。本形態の液晶装置は、画素部１１０３を有する。そして、画素部１１０３の一端に沿うように設けられた端子部１１０４には、フレキシブルプリント配線（ＦＰＣ）１１０５が装着され、フレキシブルプリント配線１１０５を介して駆動回路から画素部１１０３に信号が入力される。なお、本形態のように、駆動回路とフレキシブルプリント配線とは独立して設けられていてもよいし、または配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップが実装されたＴＣＰ等の様に複合していてもよい。
画素部１１０３について特に限定はなく、例えば図１２（Ａ）または図１２（Ｂ）の断面図で表されるように、液晶素子とそれを駆動するためのトランジスタとを含む。図１２（Ａ）と図１２（Ｂ）とは、それぞれ、液晶装置の断面構造の態様であり、含まれるトランジスタの構造が異なる。ただし、本発明を用いたトランジスタの構造及び形成方法は、本実施の形態に限定されず様々な形態が可能である。
図１２（Ａ）の断面図で表される液晶装置は、有機半導体膜５２４の上にソースまたはドレインとして機能する電極５２５、５２６を有するトランジスタ５２７が設けられた素子基板５２１を有する。
また、画素電極５２９と対向電極５３２との間に液晶層５３４を挟んでいる。画素電極５２９と対向電極５３２の材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）等の透光性材料が挙げられる。また、画素電極５２９の材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の反射性の高い導電性材料を用いても良い。画素電極５２９に透過性材料を用いた場合、透過型液晶パネルが形成され、画素電極５２９の全面が反射性の高い導電性材料で形成された場合、反射型液晶表示装置が形成される。さらに、画素電極５２９の一部に透過性材料、残りの部分に反射性の高い導電性材料を用いて半透過型液晶表示装置を形成しても良い。
画素電極５２９、対向電極５３２のそれぞれにおいて液晶層５３４と接する側の表面には、配向膜５３０、５３３が設けられている。液晶層５３４には、スペーサ５３５が分散し、セルギャップを保っている。
トランジスタ５２７は、コンタクトホールが設けられた絶縁層５２８によって覆われており、電極５２６と画素電極５２９とは電気的に接続している。絶縁層５２８は、テフロン（登録商標）を用いたスパッタ法やプラズマＣＶＤ法等で形成すればよい。また、有機半導体膜の劣化を抑えるために、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ等を用いた熱ＣＶＤ法により形成してもよい。
ここで、対向電極５３２は、対向基板５３１によって支持されている。また、トランジスタ５２７において、有機半導体膜５２４とゲート電極５２２とは、間にゲート絶縁層５２３を挟んで重畳している。
また、図１２（Ｂ）の断面図で表される液晶装置は、ソースまたはドレインとして機能する電極５５５、５５４の少なくとも一部が有機半導体膜５５６によって覆われた構造を有するトランジスタ５５７を含む素子基板５５１を有する。また、画素電極５５９と対向電極５６２との間に液晶層５６４を挟んでいる。画素電極５５９、対向電極５６２のそれぞれにおいて液晶層５６４と接する側の表面には、配向膜５６０、５６３が設けられている。液晶層５６４には、スペーサ５６５が分散し、セルギャップを保っている。
トランジスタ５５７は、コンタクトホールが設けられた絶縁層５５８ａ、５５８ｂによって覆われており、電極５５４と画素電極５５９とは電気的に接続している。なお、トランジスタを覆う絶縁層は、図１２（Ｂ）のように絶縁層５５８ａと絶縁層５５８ｂとから成る多層であってもよいし、図１２（Ａ）のように絶縁層５２８からなる単層であってもよい。また、トランジスタを覆う絶縁層は、図１２（Ｂ）の絶縁層５５８ｂのように表面が平坦化された層であってもよい。ここで、絶縁層５２８ａは図１２（Ａ）の絶縁層５２８と同様に形成すればよい。絶縁層５２８ｂは、スピンコート法によりアクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド等の有機物で形成してもよいし、ポジ型又はネガ型の感光性樹脂を用いて形成してもよい。
ここで、対向電極５６２は、対向基板５６１によって支持されている。また、トランジスタ５５７において、有機半導体膜５５６とゲート電極５５２とは、間にゲート絶縁層５５３を挟んで重畳している。
（実施の形態４）
以上のような表示装置は、図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、携帯電話機や、テレビ受像機等に実装される表示装置として用いることができる。ＩＤカードの様な個人情報を管理する機能を有するカード等に実装してもよい。また、本発明の利用形態は図１３に示した例に限定されず、様々な電子機器に利用することが可能である。
以上のような表示装置は、図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、携帯電話機や、テレビ受像機等に実装される表示装置として用いることができる。ＩＤカードの様な個人情報を管理する機能を有するカード等に実装してもよい。また、本発明の利用形態は図１３に示した例に限定されず、様々な電子機器に利用することが可能である。
図１３（Ａ）は携帯電話機の図であり、本体１３０２には表示部１３０１と、音声出力部１３０４、音声入力部１３０５、操作スイッチ１３０６、１３０７、アンテナ１３０３等によって構成されている。この携帯電話機は、動作特性が良く、信頼性の高いものである。本発明の有機半導体装置を表示部１３０１に組み込むことでこのような携帯電話機を完成できる。
図１３（Ｂ）は、本発明を適用して作製したテレビ受像機であり、表示部１３１１、筐体１３１２、スピーカー１３１３などによって構成されている。このテレビ受像機は、動作特性が良く、信頼性の高いものである。本発明の有機半導体装置を表示部１３１１に組み込むことでこのようなテレビ受像機を完成できる。
図１３（Ｃ）は、本発明を適用して作製したＩＤカードであり、支持体１３２１、表示部１３２２、支持体１３２１内に組み込まれた集積回路チップ１３２３等によって構成されている。なお、表示部１３２２を駆動するための集積回路１３２４、１３２５についても支持体１３２１内に組み込まれている。このＩＤカードは、信頼性の高いものである。また、例えば、表示部１３２２において、集積回路チップ１３２３において入出力された情報を表示し、どのような情報が入出力されたかを確認することができる。本発明の有機半導体装置を表示部１３２２に組み込むことでこのようなＩＤカードを完成できる。
１００ 基板
１０１ ゲート電極
１０２ ゲート絶縁膜
１０３ ソースまたはドレイン電極
１０４ 有機半導体膜
１１０ 素子基板
２００ 基板
２０１ ゲート電極
２０２ ゲート絶縁膜
２０３ 有機半導体膜
２０４ 電極
２１０ 素子基板
３０１ ゲート電極
３０２ ソース電極
３０３ ドレイン電極
３０４ ソース電極用パッド
３０５ ドレイン電極用パッド
３０６ ゲート電極用パッド
１１０１ 素子基板
１１０２ 対向基板
１１０３ 画素部
１１０４ 端子部
１１０５ フレキシブルプリント配線
５２１ 素子基板
５２２ ゲート電極
５２３ ゲート絶縁層
５２４ 有機半導体膜
５２５ 電極
５２６ 電極
５２７ トランジスタ
５２８ 絶縁層
５２９ 画素電極
５３０ 配向膜
５３１ 対向基板
５３２ 対向電極
５３３ 配向膜
５３４ 液晶層
５３５ スペーサ
５５１ 素子基板
５５２ ゲート電極
５５３ ゲート絶縁層
５５４ 電極
５５５ 電極
５５６ 有機半導体膜
５５７ トランジスタ
５５８ａ 絶縁層
５５８ｂ 絶縁層
５５９ 画素電極
５６０ 配向膜
５６１ 対向基板
５６２ 対向電極
５６３ 配向膜
５６４ 液晶層
５６５ スペーサ
１３０１ 表示部
１３０２ 本体
１３０３ アンテナ
１３０４ 音声出力部
１３０５ 音声入力部
１３０６ 操作スイッチ
１３０７ 操作スイッチ
１３１１ 表示部
１３１２ 筐体
１３１３ スピーカー
１３２１ 支持体
１３２２ 表示部
１３２３ 集積回路チップ
１３２４ 集積回路
１３２５ 集積回路
１０１ ゲート電極
１０２ ゲート絶縁膜
１０３ ソースまたはドレイン電極
１０４ 有機半導体膜
１１０ 素子基板
２００ 基板
２０１ ゲート電極
２０２ ゲート絶縁膜
２０３ 有機半導体膜
２０４ 電極
２１０ 素子基板
３０１ ゲート電極
３０２ ソース電極
３０３ ドレイン電極
３０４ ソース電極用パッド
３０５ ドレイン電極用パッド
３０６ ゲート電極用パッド
１１０１ 素子基板
１１０２ 対向基板
１１０３ 画素部
１１０４ 端子部
１１０５ フレキシブルプリント配線
５２１ 素子基板
５２２ ゲート電極
５２３ ゲート絶縁層
５２４ 有機半導体膜
５２５ 電極
５２６ 電極
５２７ トランジスタ
５２８ 絶縁層
５２９ 画素電極
５３０ 配向膜
５３１ 対向基板
５３２ 対向電極
５３３ 配向膜
５３４ 液晶層
５３５ スペーサ
５５１ 素子基板
５５２ ゲート電極
５５３ ゲート絶縁層
５５４ 電極
５５５ 電極
５５６ 有機半導体膜
５５７ トランジスタ
５５８ａ 絶縁層
５５８ｂ 絶縁層
５５９ 画素電極
５６０ 配向膜
５６１ 対向基板
５６２ 対向電極
５６３ 配向膜
５６４ 液晶層
５６５ スペーサ
１３０１ 表示部
１３０２ 本体
１３０３ アンテナ
１３０４ 音声出力部
１３０５ 音声入力部
１３０６ 操作スイッチ
１３０７ 操作スイッチ
１３１１ 表示部
１３１２ 筐体
１３１３ スピーカー
１３２１ 支持体
１３２２ 表示部
１３２３ 集積回路チップ
１３２４ 集積回路
１３２５ 集積回路
Claims (8)
- ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を減圧下で加熱して前記有機半導体膜を大気中に放置後、減圧下で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を減圧下で加熱して前記有機半導体膜を大気中に放置後、減圧下で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項１又は請求項２において、
前記減圧下、かつ不活性ガス雰囲気において、前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を減圧下で加熱して前記有機半導体膜を大気中に放置後、大気圧下で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を減圧下で加熱して前記有機半導体膜を大気中に放置後、大気圧下で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記有機半導体膜を加熱するときは、前記有機半導体膜の融点未満で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記有機半導体膜を加熱するときは、２５０℃未満で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記有機半導体膜を加熱するときは、前記有機半導体膜の粒界の大きさの平均値が１０％以上成長しない温度で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
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