JP2005209980A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、シリコン基板11に溝パターン13を形成した後、溝パターン13内に、シリコンよりもキャリア移動度の高い材料層15を含むチャネル領域15’を形成する第1工程と、チャネル領域15’上を含むシリコン基板11上に、ゲート絶縁膜16を介してゲート電極膜17を成膜した後、ゲート電極膜17をパターニングすることで、チャネル領域15’上にゲート電極17’を形成する第2工程と、ゲート電極17’が形成されたシリコン基板11の表面側に不純物を導入し、拡散することで、チャネル領域15’を挟む状態でソース・ドレイン領域20を形成する第3工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。
【選択図】図3
Description
本発明の半導体装置の製造方法に係わる実施の形態を、CMOSトランジスタの製造方法を例にとり、図1〜図3の製造工程断面図に示す。ここで、本実施形態においては、半導体装置の構成を製造工程順に説明する。
域、21…シリサイド層
Claims (6)
- シリコン基板に溝パターンを形成した後、当該溝パターン内に、シリコンよりもキャリア移動度の高い材料層を含むチャネル領域を形成する第1工程と、
前記チャネル領域上を含む前記シリコン基板上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極膜を成膜した後、当該ゲート電極膜をパターニングすることで、前記チャネル領域上にゲート電極を形成する第2工程と、
前記ゲート電極が形成されたシリコン基板の表面側に不純物を導入し、拡散することで、前記チャネル領域を挟む状態でソース・ドレイン領域を形成する第3工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記材料層は、歪み層、または、シリコンとは格子定数の異なる原子の単体層である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程の後、前記ソース・ドレイン領域の表面側に、シリサイド層を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - シリコン基板に設けられた溝パターン内に、シリコンよりもキャリア移動度の高い材料層を含むように設けられたチャネル領域と、
前記チャネル領域を挟む状態で、前記シリコン基板の表面側に設けられたソース・ドレイン領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えた
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記材料層は、歪み層、または、シリコンとは格子定数の異なる原子の単体層である
ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 前記ソース・ドレイン領域の表面側に、シリサイド層が設けられている
ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008160131A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 電界効果トランジスタ素子およびその製造方法 |
JP2011044659A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2012013009A1 (zh) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件结构及其制造方法 |
WO2012022109A1 (zh) * | 2010-08-19 | 2012-02-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体器件结构及其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04335538A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000269501A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003092399A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-01-26 JP JP2004016568A patent/JP2005209980A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04335538A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000269501A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003092399A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008160131A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 電界効果トランジスタ素子およびその製造方法 |
JP2011044659A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8384167B2 (en) | 2009-08-24 | 2013-02-26 | Sony Corporation | Semiconductor device with field effect transistor and manufacturing method thereof |
WO2012013009A1 (zh) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件结构及其制造方法 |
CN102347234A (zh) * | 2010-07-29 | 2012-02-08 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件结构及其制造方法 |
GB2488634A (en) * | 2010-07-29 | 2012-09-05 | Inst Of Microelectronics Cas | Semiconductor device structure and manufacturing method thereof |
US8759923B2 (en) | 2010-07-29 | 2014-06-24 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Semiconductor device structure and method for manufacturing the same |
GB2488634B (en) * | 2010-07-29 | 2014-09-24 | Inst Of Microelectronics Cas | Semiconductor device structure and method for manufacturing the same |
WO2012022109A1 (zh) * | 2010-08-19 | 2012-02-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体器件结构及其制造方法 |
GB2488401A (en) * | 2010-08-19 | 2012-08-29 | Inst Of Microelectronics Cas | Semiconductor device structure and manufacturing method thereof |
GB2488401B (en) * | 2010-08-19 | 2015-02-18 | Inst Of Microelectronics Cas | Method of manufacturing semiconductor device structure |
US9653358B2 (en) | 2010-08-19 | 2017-05-16 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Semiconductor device structure and method for manufacturing the same |
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