JP2005203752A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 まず、電子回路の形成された基板10の能動面側に、この電子回路の接続端子24を埋め込むための孔部H3を形成する。次に、前記孔部H3及びこの孔部H3に連なる能動面上の位置に、接続端子24及び導電パターン(再配置配線42等)となる導電膜Mを一括で形成し、続いて、この導電膜Mの表面を研磨して該導電膜Mの膜厚を均一化する。その後、エッチング等により基板10の厚みを減じて基板10の裏面側に接続端子24の一部を露出させる。
【選択図】 図2
Description
このため、近年においては、W−CSP(Wafer level Chip Scale Package)技術を用いて超小型の半導体チップを製造するための研究・開発が盛んに行われている。W−CSP技術ではウェハの状態において一括して再配置配線(再配線)及び樹脂封止を行なってから個々の半導体チップに分離しているため、チップ面積と同程度の面積を有する半導体装置を製造することができる。
また、更なる高集積化のために、同様の機能を有する半導体チップ同士又は異なる機能を有する半導体チップを積層し、各半導体チップ間の電気的接続をとることで、半導体チップの高密度実装を図る三次元実装技術も案出されている。尚、従来の三次元実装技術の詳細については、例えば以下の特許文献1,2を参照されたい。
しかし、接続端子の形成工程はそれ自体複雑なものであり、これに更に再配置配線を形成する工程を加えると、チップの製造にはかなりのエネルギーと時間が必要となる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、高性能な3次元実装型の半導体装置を容易に製造できるようにした半導体装置の製造方法と、その半導体装置、並びに、この半導体装置を備えた回路基板、電子機器を提供することを目的とする。
図1〜図3は本方法の全体的な流れを説明するための工程図であり、図5〜図10はその電極の形成方法を詳細に示す工程図である。
図1(a)は、本方法が適用される基板の一部を示す概略断面図である。処理対象となる基板10は例えばSi(シリコン)基板であり、その能動面10aにはトランジスタ、メモリ素子、その他の電子素子並びに電気配線及び電極パッド16等からなる電子回路が形成されている。一方、基板10の裏面10bにはこれらの電子回路は形成されていない。基板10の厚みは、例えば500μm程度である。
図5(a)は、基板10の能動面10a側の構成の一部を詳細に示す断面図である。図5(a)に示す通り、基板10上には基板10の基本的な材料であるSiの酸化膜(SiO2)からなる絶縁膜12及び硼燐珪酸ガラス(BPSG)からなる層間絶縁膜14が順に形成されている。
図11は、本発明の一実施形態に係るデバイス(例えば電気光学装置)の外観を示す斜視図である。尚、図11に示した電気光学装置は、液晶表示装置を一例として図示している。この電気光学装置は60は、液晶表示パネル61と中継基板62とから構成される。液晶表示パネル61は、図示せぬシール材によって接着された一対の基板63a,63bを有し、これらの基板63aと基板63bとの間に形成される間隙、所謂セルギャップに液晶が封入される。換言すると、液晶は基板63aと基板63bとによって挟持されている。
図12は本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成を示す斜視図である。図12に示すようにこの携帯電話300は、前記の半導体装置又は前記回路基板を、その筐体内部に備えている。
なお、電子機器としては、前記の携帯電話に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ノート型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
Claims (12)
- 電子回路が形成された基板の能動面側から該基板の裏面側に貫通する接続端子を有し、上記能動面上に上記接続端子と電気的に接続される導電パターンが設けられた半導体装置の製造方法であって、
上記基板の能動面側に、上記接続端子を埋め込むための孔部を形成する工程と、
上記孔部及びこの孔部に連なる能動面上の位置に、上記接続端子及び導電パターンとなる導電膜を一括で形成する工程と、
上記導電膜の表面を研磨して平坦化する工程と、
上記基板の厚みを減じて上記基板の裏面側に上記接続端子の一部を露出させる工程とを備えたことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 上記導電膜がメッキ法により形成されることを特徴とする、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 上記導電パターンが再配置配線であることを特徴とする、請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
- 上記再配置配線の先端部にランドを形成する工程を備えたことを特徴とする、請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 上記ランドの外径を、そのランドが配置される上記再配置配線の配線幅よりも大きく形成することを特徴とする、請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 上記導電膜の研磨をウェットエッチングにより行なうことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記導電膜の研磨を化学的機械研磨により行なうことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記導電膜の研磨を機械研磨により行なうことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれかの項に記載の方法により製造された半導体装置を複数用い、各半導体装置をその接続端子を介して積層する工程を備えたことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれかの項に記載の方法により製造されたことを特徴とする、半導体装置。
- 請求項10記載の半導体装置を備えたことを特徴とする、回路基板。
- 請求項10記載の半導体装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
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