JP2005182066A - 強誘電性液晶素子の配向方法、強誘電性液晶素子、及び配向装置 - Google Patents
強誘電性液晶素子の配向方法、強誘電性液晶素子、及び配向装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005182066A JP2005182066A JP2004372563A JP2004372563A JP2005182066A JP 2005182066 A JP2005182066 A JP 2005182066A JP 2004372563 A JP2004372563 A JP 2004372563A JP 2004372563 A JP2004372563 A JP 2004372563A JP 2005182066 A JP2005182066 A JP 2005182066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal element
- pressure
- temperature
- lower substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】 強誘電性液晶素子の配向方法及び配向装置を提供する。
【解決手段】 一定温度に維持されたチャンバ内に液晶素子パネルを導入する段階と、前記液晶素子の下部基板を、液晶が等方相になる温度まで加熱する段階と、前記液晶素子に、1kPa〜100kPaの圧力を印加する段階と、前記液晶素子の下部基板を徐々に冷却する段階とを含む強誘電性液晶の配向方法。
【選択図】図2
【解決手段】 一定温度に維持されたチャンバ内に液晶素子パネルを導入する段階と、前記液晶素子の下部基板を、液晶が等方相になる温度まで加熱する段階と、前記液晶素子に、1kPa〜100kPaの圧力を印加する段階と、前記液晶素子の下部基板を徐々に冷却する段階とを含む強誘電性液晶の配向方法。
【選択図】図2
Description
本発明は強誘電性液晶素子の配向方法及び配向装置に係り、さらに詳細には電圧を印加せずとも均一に液晶素子を配向させうる配向方法、強誘電性液晶素子、及び配向装置に関する。
近年、応答速度や他の特性において優秀な素子性能を示す強誘電性液晶媒体が適用されたディスプレイ、メモリに対する関心が増加しつつある。
強誘電性液晶(Ferroelectric Liquid Crystal、以下、FLCという)のうちCDR(Continuos Director Rotation)FLCは、一般的なFLCとは違って、スメクチックA(SmA*)相のない相転移様相(カイラルスメクチックC(SmC*)−カイラルネマチック(N*))を表す。
このようなCDR FLCは、一般的なFLCとは違って、ブックシェルフ構造を有するため、光効率が高く、かつジグザグ欠陥が現れない。
また、バイステーブルではないモノステーブル構造であるため、アナログ階調が可能であるという長所を有している。
また、バイステーブルではないモノステーブル構造であるため、アナログ階調が可能であるという長所を有している。
一方、一般的なFLCとは違って、CDR FLCの配向は、N*相とSmC*相との相転移温度の付近で液晶に適切な電圧を印加して達成される。
上部電極とピクセル電極との間に電圧が印加されると、液晶分子の自発分極(spontaneous polarization)が印加された電界と相互作用して、液晶分子が一方向に配向する(例えば、特許文献1、特許文献2、及び非特許文献1参照)。
電界配向方法の場合、外部から印加された電圧により、ピクセル電極と上部電極との間には、平行な電界が形成される一方、ピクセル電極とシーラントとの間の外側の領域に、電界が形成されないか、または非常に弱いフリンジ電場のみが形成されて液晶を配向させることが難しくなる。
図1は、従来の配向方法によって電圧を印加してFLC素子を配向する配向装置を示している。
この装置では、電源19(DCまたはAC)に接続された上部電極ピンパッド17とピクセル電極ピンパッド18とを介して、上部電極12とピクセル電極15とのぞれぞれに電圧を印加することによって、FLC素子の配向が行われる。
この装置では、電源19(DCまたはAC)に接続された上部電極ピンパッド17とピクセル電極ピンパッド18とを介して、上部電極12とピクセル電極15とのぞれぞれに電圧を印加することによって、FLC素子の配向が行われる。
この場合、ピクセル電極15とシーラントとの間(A領域)に、必要な電圧が十分に印加されないと、液晶素子の中央部位において液晶が均一に配向されるとしても、ピクセル電極15とシーラントとの間では、液晶配向が均一に形成されずに欠陥が形成されるので、駆動時に画質不良を誘発する。
これをブラックマトリックスで遮蔽するとしても、長時間駆動した時に欠陥のサイズが大きくなりつつ、結局、活性領域まで欠陥が進められるので、応用製品(TFT−LCDパネルまたはLCoS(Liquidcrystalonsilicon)パネル)の信頼性の側面で問題を発生させる。
また、従来のように電圧を印加して液晶を配向させる方法を量産工程に適用する場合、それぞれのLCDパネルに上部電極用印加端子及びピクセル電極用印加端子を設けたジグ(治具:jig)を構成して、これを各LCDパネルに連結して配向しなければならない。
このような方法は、LCDパネルそれぞれに必要なジグを製作しなければならず、一回に一つのLCDパネルしか扱えないので、高コストになる問題点がある。
このような方法は、LCDパネルそれぞれに必要なジグを製作しなければならず、一回に一つのLCDパネルしか扱えないので、高コストになる問題点がある。
一方、非特許文献2は、上下基板にそれぞれ異なる配向規制力(anchoring energy)を有する配向膜を使用して電界印加なしに配向する方法を発表した。
この方法では、基板間の配向規制力の差が均一な配向状態を有するように誘導している。
しかし、このような異種の配向膜は、実際工程に適用した時に表面で電荷蓄積が激しくて画像粘着などの画質不良の問題を発生させるので、量産工程に適用し難い。
米国特許第5,164,852号公報
米国特許第5,798,814号公報
J.S.Partel et al、J.Appl.Phys.59,2355(1986)
Y.村上ら、IDW165(2002)
この方法では、基板間の配向規制力の差が均一な配向状態を有するように誘導している。
しかし、このような異種の配向膜は、実際工程に適用した時に表面で電荷蓄積が激しくて画像粘着などの画質不良の問題を発生させるので、量産工程に適用し難い。
本発明が解決しようとする目的は、上下基板の温度差と圧力とを利用してピクセル電極とシーラントとの間の部分でも均一に液晶を配向する方法、この方法により製造された強誘電性液晶素子、及び装置を提供することである。
前記目的を解決するために本発明では、一定の温度を維持するチャンバ内に液晶素子パネルを入れる段階と、前記液晶素子の下部基板を液晶が等方状になる温度まで加熱する段階と、前記液晶素子に1kPaないし100kPaの圧力を印加する段階と、前記液晶素子の下部基板を徐々に冷却させる段階と、を含むFLC素子の配向方法を提供する。
また、本発明では一定の温度に維持されうるチャンバと、前記チャンバ内の液晶素子の基板の上部に圧力を加える手段と、前記チャンバ内の液晶素子の基板の下部を加熱させる手段と、を含むFLC素子の配向装置を提供する。
本発明は、CDR FLCを実際パネルに入れて電界配向させたときに発生しうる電極とシーラント境界面の画質不良を解決して、従来の技術とは違って、LCDパネルのすべての部分を均一に配向させて実際TFT−LCDパネルやLCoSパネルを製作したときに発生しうる信頼性の問題を解決できる。
また、従来の電界配向方法を適用する場合、それぞれのパネル当り電圧を印加できるジグを製作しなければならず、内部ショーティングバーを除去する前の工程でのみ適用できるが、本発明の配向方法は、液晶注入以後のいかなる工程でも適用可能であり、ジグ製作が不要になって、工程の適用が容易で、工程コストが大きく節減される。
したがって、本発明の配向方法及び装置を量産に適用したとき、電界配向で発生しうる工程を単純化できて、工程コストを最小化でき、LCDパネルにDC電圧を加えなくてもよいので、液晶自体の信頼性を大きく向上させることが可能である。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に係る配向方法は、一定の温度に維持されたチャンバ内に液晶素子パネル(liquid crystal device panel)を導入する段階と、液晶素子の下部基板を液晶が等方状(等方相:isotropic phase)になる温度まで加熱する段階と、前記液晶素子に1kPaないし100kPaの圧力を印加する段階と、前記液晶素子の下部基板を徐々に冷却させる段階と、を含む。
本発明に係る配向方法は、一定の温度に維持されたチャンバ内に液晶素子パネル(liquid crystal device panel)を導入する段階と、液晶素子の下部基板を液晶が等方状(等方相:isotropic phase)になる温度まで加熱する段階と、前記液晶素子に1kPaないし100kPaの圧力を印加する段階と、前記液晶素子の下部基板を徐々に冷却させる段階と、を含む。
すなわち、液晶素子の上部基板と下部基板との間に温度差を誘導して人為的に上下方向にベンディングスプレイ変形(bending−spray deformation)を作り、これを通じてプレクソエレクトリック分極(flexoelectric polarization)を発生させる。
プレクソエレクトリック分極は、自発分極と同じ方向へ誘導されうるが、このような分極によって発生した表面電荷が液晶素子に電界を形成して液晶分子を配向する。
このように誘導された電界は、印加電圧の有無と関係なく液晶自体によって発生するため、液晶素子のすべての領域で液晶分子が均一に配向する。
この時、液晶素子に加えられる圧力は、液晶に一定の応力を加えてプレクソエレクトリック効果を増大させる結果をもたらす。
この時、液晶素子に加えられる圧力は、液晶に一定の応力を加えてプレクソエレクトリック効果を増大させる結果をもたらす。
チャンバ内の温度は一定に維持されるが、このために加熱手段、すなわち、ヒータを備えることが望ましく、常温(約20℃)ないし約40℃で維持されることが特に望ましい。
前記チャンバ内に液晶素子を位置させた後、前記液晶素子を加圧手段を通じて一定の圧力で加圧する。
加圧手段としては、圧力印加ジグまたは加圧ガスを使用できる。
加圧手段としては、圧力印加ジグまたは加圧ガスを使用できる。
圧力印加ジグのサイズを大きくすることによって、複数の液晶素子に同時に均一な圧力を加えることが可能なので、製造コスト面で有利になる。
加圧ガスとしては、アルゴン、窒素などを使用できる。
この時、加えられる圧力は、1kPaないし100kPaであることが望ましい。1kPaより小さな圧力を加えれば、プレクソエレクトリック効果を増大させる効果が微小であり、100kPaより大きい圧力を加えれば、前記例の基板が損傷される恐れがあるためである。
加圧ガスとしては、アルゴン、窒素などを使用できる。
この時、加えられる圧力は、1kPaないし100kPaであることが望ましい。1kPaより小さな圧力を加えれば、プレクソエレクトリック効果を増大させる効果が微小であり、100kPaより大きい圧力を加えれば、前記例の基板が損傷される恐れがあるためである。
圧力を加えた状態において、液晶素子24の下部基板(図2の24a)を液晶24bが一定の温度に至るまで加熱する。
下部基板24aは、他の加熱手段を用いて加熱しても良いが、ホットプレート25を使用することが望ましい。
下部基板24aは、他の加熱手段を用いて加熱しても良いが、ホットプレート25を使用することが望ましい。
下部基板24aの温度は、使われるFLC素子が等方状になる温度まで加熱されるが、これは液晶素子の特性によって変わる。通常的には、100℃ないし150℃の温度である。
次いで、液晶素子の下部基板24aの温度を徐々に段階的に低下させて上部基板24cの温度付近まで低下させる。この時、液晶の相変化を観察すれば、カイラルスメクチックC相(chiral smectic C phase)になる。
これにより、下部基板24aと上部基板24cとの温度差は、約70℃から約0℃に変化する。
前記のような配向方法により、ピクセル電極の有無と関係なく、全位置で均一に液晶24bが配向する。
また、圧力ジグのサイズを大きく調節して、数個のLCDパネルに一度に圧力を印加して液晶を配向させることができ、本発明に係る方法は、工程が簡単で、工程コストを低く抑えることができるので、量産に好適である。
また、圧力ジグのサイズを大きく調節して、数個のLCDパネルに一度に圧力を印加して液晶を配向させることができ、本発明に係る方法は、工程が簡単で、工程コストを低く抑えることができるので、量産に好適である。
以下では、本発明の配向装置を図面を参考として詳細に説明する。
本発明のFLC素子の配向装置は、一定の温度に維持されうるチャンバ21と、チャンバ21内の液晶素子の基板の上部(上部基板)に圧力を印加する手段と、チャンバ21内の液晶素子の基板の下部(下部部基板)を加熱させる手段とを含む。
本発明のFLC素子の配向装置は、一定の温度に維持されうるチャンバ21と、チャンバ21内の液晶素子の基板の上部(上部基板)に圧力を印加する手段と、チャンバ21内の液晶素子の基板の下部(下部部基板)を加熱させる手段とを含む。
図2は、LCDを配向するための本発明の一具現例による配向装置を示す図面である。
チャンバ21には、一定の温度に維持されなければならないので、別途の加熱装置、例えば、ヒータが備えられている。
チャンバ21には、チャンバ21の内部にガスを注入するためのガス流入口22が設置されており、これを介してアルゴン、窒素ガスが供給される。
チャンバ21には、一定の温度に維持されなければならないので、別途の加熱装置、例えば、ヒータが備えられている。
チャンバ21には、チャンバ21の内部にガスを注入するためのガス流入口22が設置されており、これを介してアルゴン、窒素ガスが供給される。
液晶素子(LCD)24に一定の圧力を加えるための手段として圧力印加ジグ23が設置されており、この圧力印加ジグ23のサイズは、特別に制限はないが、複数のLCDを一度に処理するためにはサイズを大きくする必要がある。
前記したように、圧力印加ジグ23を通じて1kPaないし100kPaの圧力が前記液晶素子24に印加される。
前記したように、圧力印加ジグ23を通じて1kPaないし100kPaの圧力が前記液晶素子24に印加される。
液晶素子24の下部基板24a下には、下部基板24aを加熱するための加熱手段としてホットプレート25が設置され、これを通じて下部基板の温度を液晶24bの等方状になる温度まで加熱する。
LCD 24の下部基板をホットプレート25で加熱して等方状温度に至った後、徐々に冷却させてカイラルスメクチックC相になる温度に至らせることによって液晶が配向する。
LCD 24の下部基板をホットプレート25で加熱して等方状温度に至った後、徐々に冷却させてカイラルスメクチックC相になる温度に至らせることによって液晶が配向する。
以下、実施例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。
下記の実施例は、説明するためのものであり、本発明はこれに限定されない。
下記の実施例は、説明するためのものであり、本発明はこれに限定されない。
[実施例1]
常温に維持されたチャンバ内のホットプレートに強誘電性LCDを置いた。 ホットプレートの温度を徐々に上げて液晶の相変化を顕微鏡で観察しつつ等方状になるまで加熱した。
この場合は、約110℃付近であった。圧力印加ジグを通じて前記LCDサンプルに1.14kPaの圧力を加えた。
圧力を加えたままの状態で、LCDサンプルの下部基板の温度を徐々に低下させて常温に至らせた。
この時、液晶の相変化を顕微鏡で観察すれば、カイラルスメクチックC相であった。
加圧を中止し、LCDサンプルを顕微鏡で観察して液晶の配向状態を観察し、その結果を図4に示した。
常温に維持されたチャンバ内のホットプレートに強誘電性LCDを置いた。 ホットプレートの温度を徐々に上げて液晶の相変化を顕微鏡で観察しつつ等方状になるまで加熱した。
この場合は、約110℃付近であった。圧力印加ジグを通じて前記LCDサンプルに1.14kPaの圧力を加えた。
圧力を加えたままの状態で、LCDサンプルの下部基板の温度を徐々に低下させて常温に至らせた。
この時、液晶の相変化を顕微鏡で観察すれば、カイラルスメクチックC相であった。
加圧を中止し、LCDサンプルを顕微鏡で観察して液晶の配向状態を観察し、その結果を図4に示した。
[実施例2]から[実施例6]
圧力印加ジグの圧力をそれぞれ1.27kPa、1.42kPa、1.77kPa及び1.96kPaとしたことを除いては、実施例1と同じ方法でLCDを配向させた後、配向状態を顕微鏡で観察した。その結果を図4に示した。
圧力印加ジグの圧力をそれぞれ1.27kPa、1.42kPa、1.77kPa及び1.96kPaとしたことを除いては、実施例1と同じ方法でLCDを配向させた後、配向状態を顕微鏡で観察した。その結果を図4に示した。
[実施例7]
常温に維持されたチャンバ内のホットプレートにLCoSパネルを置いた。
ホットプレートの温度を徐々に上げて液晶の相変化を顕微鏡で観察しつつ等方状になるまで加熱した。圧力印加ジグを通じて前記LCoSサンプルに5.75kPaの圧力を加えた。圧力を加えたままに、LCDサンプルの下部基板の温度を徐々に低下させて常温に至らせた。
この時、液晶の相変化を顕微鏡で観察すれば、カイラルスメクチックC相であった。加圧を中止し、LCoSパネルを顕微鏡で観察して液晶の配向状態を観察した。その結果を図5に示した。
常温に維持されたチャンバ内のホットプレートにLCoSパネルを置いた。
ホットプレートの温度を徐々に上げて液晶の相変化を顕微鏡で観察しつつ等方状になるまで加熱した。圧力印加ジグを通じて前記LCoSサンプルに5.75kPaの圧力を加えた。圧力を加えたままに、LCDサンプルの下部基板の温度を徐々に低下させて常温に至らせた。
この時、液晶の相変化を顕微鏡で観察すれば、カイラルスメクチックC相であった。加圧を中止し、LCoSパネルを顕微鏡で観察して液晶の配向状態を観察した。その結果を図5に示した。
[実施例8]から[実施例12]
圧力印加ジグの圧力をそれぞれ6.48kPa、8.1kPa、10.13及び12.66kPaとしたことを除いては、実施例7と同じ方法でLCoSパネルを配向させた後、配向状態を顕微鏡で観察してその結果を図5に示した。
圧力印加ジグの圧力をそれぞれ6.48kPa、8.1kPa、10.13及び12.66kPaとしたことを除いては、実施例7と同じ方法でLCoSパネルを配向させた後、配向状態を顕微鏡で観察してその結果を図5に示した。
[比較例1]
LCoSパネルの温度を液晶が等方状になる110℃まで上げた後、徐々に温度を低下させて、カイラルSm相からカイラルスメクチックC相に相転移した直後に、上部電極ピンパッドとピクセル電極ピンパッドとに3Vの電圧を印加した。
相転移温度の2〜3℃以下に温度が下がった後に印加された電圧を除去し、前記LCoSパネルの温度を30℃または常温(約20℃)まで下げて液晶を配向させた。前記配向された液晶を顕微鏡で観察してその結果を図3に示した。
LCoSパネルの温度を液晶が等方状になる110℃まで上げた後、徐々に温度を低下させて、カイラルSm相からカイラルスメクチックC相に相転移した直後に、上部電極ピンパッドとピクセル電極ピンパッドとに3Vの電圧を印加した。
相転移温度の2〜3℃以下に温度が下がった後に印加された電圧を除去し、前記LCoSパネルの温度を30℃または常温(約20℃)まで下げて液晶を配向させた。前記配向された液晶を顕微鏡で観察してその結果を図3に示した。
図3に示されたように、従来の電圧を印加して配向した液晶36は、ピクセル電極35とシーラント34との間では均一な配向を示していないことが分かる。
これに比べて、実施例1ないし12で製造した本発明の配向方法による液晶は、図4及び図5に示されたように、位置に関係なく均一な配向を示すことが分かる。
これに比べて、実施例1ないし12で製造した本発明の配向方法による液晶は、図4及び図5に示されたように、位置に関係なく均一な配向を示すことが分かる。
本発明の強誘電性液晶素子の配向方法及び装置は、LCDパネルの全ての部分を均一に配向でき、液晶注入後にいかなる工程でも適用可能であり、工程が単純化されてLCDパネルを経済的に量産できる。
21 チャンバ
22 ガス流入口
23 圧力印加ジグ
24 LCD
25 ホットプレート
22 ガス流入口
23 圧力印加ジグ
24 LCD
25 ホットプレート
Claims (11)
- 一定温度に維持されたチャンバ内に液晶素子パネルを導入する段階と、
前記液晶素子の下部基板を、液晶が等方相になる温度まで加熱する段階と、
前記液晶素子に、1kPa〜100kPaの圧力を印加する段階と、
前記液晶素子の下部基板を徐々に冷却する段階と
を含む強誘電性液晶の配向方法。 - 前記チャンバが、20℃〜40℃の温度に維持されている
ことを特徴とする請求項1に記載の強誘電性液晶の配向方法。 - 圧力印加ジグを使用して、圧力を印加する
ことを特徴とする請求項1に記載の強誘電性液晶の配向方法。 - 加圧ガスを使用して、圧力を印加する
ことを特徴とする請求項1に記載の強誘電性液晶の配向方法。 - ホットプレートを使用して、下部基板を加熱する
ことを特徴とする請求項1に記載の強誘電性液晶の配向方法。 - 液晶素子の上部基板と前記下部基板との温度差が0℃〜70℃の範囲内となるように、前記下部基板の加熱及び冷却が行われる
ことを特徴とする請求項1に記載の強誘電性液晶の配向方法。 - 下部基板と、
上部基板と、
前記下部基板と前記上部基板との間に位置する強誘電性液晶とを有し、
前記強誘電性液晶は、請求項1に記載の方法により配向されている
ことを特徴とする強誘電性液晶素子。 - 一定の温度に維持されるチャンバと、
前記チャンバ内に載置される液晶素子の上部基板に圧力を印加する圧力印加手段と、
前記液晶素子の下部基板を加熱する加熱手段と
を含む強誘電性液晶素子の配向装置。 - 前記上部基板への圧力の印加は、圧力印加ジグ又は加圧ガスを用いる
ことを特徴とする請求項8に記載の配向装置。 - 前記加熱手段は、ホットプレートである
ことを特徴とする請求項8に記載の配向装置。 - 前記チャンバは、20℃〜40℃の温度に維持される
ことを特徴とする請求項8に記載の配向装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030095529A KR20050065716A (ko) | 2003-12-23 | 2003-12-23 | 강유전성 액정 소자의 배향 방법 및 배향 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005182066A true JP2005182066A (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=34709252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004372563A Pending JP2005182066A (ja) | 2003-12-23 | 2004-12-24 | 強誘電性液晶素子の配向方法、強誘電性液晶素子、及び配向装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050146672A1 (ja) |
JP (1) | JP2005182066A (ja) |
KR (1) | KR20050065716A (ja) |
TW (1) | TWI302623B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101495700B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2015-03-02 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 액정 표시 소자 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4691995A (en) * | 1985-07-15 | 1987-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal filling device |
US5915164A (en) * | 1995-12-28 | 1999-06-22 | U.S. Philips Corporation | Methods of making high voltage GaN-A1N based semiconductor devices |
GB9604461D0 (en) * | 1996-03-01 | 1996-05-01 | Secr Defence | Alignment of ferroelectric liquid crystal displays |
KR100571071B1 (ko) * | 1996-12-04 | 2006-06-21 | 소니 가부시끼 가이샤 | 전계효과트랜지스터및그제조방법 |
US6495409B1 (en) * | 1999-01-26 | 2002-12-17 | Agere Systems Inc. | MOS transistor having aluminum nitride gate structure and method of manufacturing same |
US20040224459A1 (en) * | 1999-07-07 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered structure, method for manufacturing the same, and semiconductor element |
US6376350B1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-04-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming low resistance gate electrode |
DE10120877A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Anordnung mit einem Halbleiterbauelement |
KR100646296B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2006-11-23 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US7027122B2 (en) * | 2002-03-12 | 2006-04-11 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Bonding apparatus having compensating system for liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US6864109B2 (en) * | 2003-07-23 | 2005-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for determining a component concentration of an integrated circuit feature |
US20050124121A1 (en) * | 2003-12-09 | 2005-06-09 | Rotondaro Antonio L. | Anneal of high-k dielectric using NH3 and an oxidizer |
US20050136580A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-23 | Luigi Colombo | Hydrogen free formation of gate electrodes |
-
2003
- 2003-12-23 KR KR1020030095529A patent/KR20050065716A/ko not_active Application Discontinuation
-
2004
- 2004-11-30 US US10/998,965 patent/US20050146672A1/en not_active Abandoned
- 2004-12-14 TW TW093138697A patent/TWI302623B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-24 JP JP2004372563A patent/JP2005182066A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200528880A (en) | 2005-09-01 |
US20050146672A1 (en) | 2005-07-07 |
TWI302623B (en) | 2008-11-01 |
KR20050065716A (ko) | 2005-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100220756B1 (ko) | 반강유전성 액정을 포함하는 액정판넬 및 그의 제조방법 | |
JP4420869B2 (ja) | 液晶表示装置の配向膜形成方法 | |
JP2641389B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
JP2005182066A (ja) | 強誘電性液晶素子の配向方法、強誘電性液晶素子、及び配向装置 | |
US6897937B2 (en) | Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof | |
US7388645B2 (en) | Pressure sealing apparatus and method for ferro-electric liquid crystal display | |
US6774976B2 (en) | Method of fabricating ferroelectric liquid crystal display | |
KR100690005B1 (ko) | 강유전성 액정주입장치의 제조 방법 | |
JP2768339B2 (ja) | 液晶配向膜製造方法及び装置 | |
JP2023051486A (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
JPH07159792A (ja) | 液晶パネル体とその製造方法及び製造装置 | |
JPS62237422A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
JPH0527211A (ja) | 強誘電液晶素子 | |
JPH11231354A (ja) | 液晶素子の製造方法、及び液晶素子の製造装置 | |
KR960003480B1 (ko) | 액정표시소자 구조 및 제조방법 | |
JPH08194225A (ja) | 液晶配向修正方法及び液晶配向修正装置 | |
JP2000298278A (ja) | 液晶表示装置の製造装置と製造方法並びにこの方法を記録した記録媒体 | |
KR19980023046A (ko) | 강유전성 액정표시장치의 제조방법 | |
JP2005031686A (ja) | 強誘電性液晶素子の液晶配向方法 | |
JPH11231323A (ja) | 反強誘電性液晶表示素子 | |
KR19980017303A (ko) | 액정주입장치 및 방법 | |
JPH1010536A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPS62265622A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH0290124A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
JPH06202114A (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法及びそれを用いた情報伝達装置 |