JPH08194225A - 液晶配向修正方法及び液晶配向修正装置 - Google Patents
液晶配向修正方法及び液晶配向修正装置Info
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- JPH08194225A JPH08194225A JP447795A JP447795A JPH08194225A JP H08194225 A JPH08194225 A JP H08194225A JP 447795 A JP447795 A JP 447795A JP 447795 A JP447795 A JP 447795A JP H08194225 A JPH08194225 A JP H08194225A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶パネル内の部分的な配向不良領域の修正
を行い、パネル内全域で均一な液晶分子初期配向を得る
ことを目的とする。 【構成】 液晶配向不良部が存在する液晶表示装置にお
いて、配向不良部をスポットヒーターで加熱し、磁界，
電界，圧力，光，超音波などを印加しながら冷却する。
を行い、パネル内全域で均一な液晶分子初期配向を得る
ことを目的とする。 【構成】 液晶配向不良部が存在する液晶表示装置にお
いて、配向不良部をスポットヒーターで加熱し、磁界，
電界，圧力，光，超音波などを印加しながら冷却する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶配向不良部が存在
する液晶パネルの液晶配向修正法及び液晶配向修正装置
に関する。
する液晶パネルの液晶配向修正法及び液晶配向修正装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、低消費電力，低電圧駆
動，携帯性，省スペース性などの優れた特性を持ってい
るため、テレビやワープロ，パーソナルコンピューター
などのＯＡ用ディスプレイとして広く利用されている。
これらの液晶表示装置は、パネル内側に設けられた電極
間に電圧を印加することによって、表示が行われてい
る。パネル内の液晶分子は、電圧を印加しないときは一
定の秩序で配向（配列）しており、電圧を印加すると初
期配向状態すなわち元の液晶分子配向状態に変化を生
じ、これにともなって光学的性質も変化し表示を行う。
つまり、電圧印加部と非印加部との光学的性質の違いに
よって、表示が可能となる。従って、良好な表示特性を
得るためには、電圧を印加していない状態つまり初期配
向状態で液晶分子が一定の秩序で配向している必要があ
る。例えば、ツイステッドネマティック（ＴＮ）モード
やスーパーツイステッドネマティック（ＳＴＮ）モード
において図５（ｂ）のように一部初期配向状態に不良５
０１が生じていると、その部分がリタデーションの違い
により色づいたり、しきい値ムラになってしまい、高コ
ントラストなどの良好な表示を得ることができない。図
５（ａ）は初期液晶配向が均一なパネルの上から見たモ
デル図であり、（ｂ）は初期液晶配向に不良が存在する
モデル図である。このような部分的に配向不良５０１が
存在する液晶パネルはパネル全体を加熱することによっ
て再生処理を施していた。
動，携帯性，省スペース性などの優れた特性を持ってい
るため、テレビやワープロ，パーソナルコンピューター
などのＯＡ用ディスプレイとして広く利用されている。
これらの液晶表示装置は、パネル内側に設けられた電極
間に電圧を印加することによって、表示が行われてい
る。パネル内の液晶分子は、電圧を印加しないときは一
定の秩序で配向（配列）しており、電圧を印加すると初
期配向状態すなわち元の液晶分子配向状態に変化を生
じ、これにともなって光学的性質も変化し表示を行う。
つまり、電圧印加部と非印加部との光学的性質の違いに
よって、表示が可能となる。従って、良好な表示特性を
得るためには、電圧を印加していない状態つまり初期配
向状態で液晶分子が一定の秩序で配向している必要があ
る。例えば、ツイステッドネマティック（ＴＮ）モード
やスーパーツイステッドネマティック（ＳＴＮ）モード
において図５（ｂ）のように一部初期配向状態に不良５
０１が生じていると、その部分がリタデーションの違い
により色づいたり、しきい値ムラになってしまい、高コ
ントラストなどの良好な表示を得ることができない。図
５（ａ）は初期液晶配向が均一なパネルの上から見たモ
デル図であり、（ｂ）は初期液晶配向に不良が存在する
モデル図である。このような部分的に配向不良５０１が
存在する液晶パネルはパネル全体を加熱することによっ
て再生処理を施していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、部分的
に配向不良が存在する液晶パネルを加熱処理しても、ふ
つう初期配向不良部は配向膜と液晶分子とのアンカリン
グエネルギーが弱いので修正が困難であった。アンカリ
ングエネルギーを説明するためのモデル図を図６に示
す。電極付き基板６０５上に配向膜６０６が形成されて
おり、この配向膜６０６と液晶分子６０４との吸着強度
を示すものである。アンカリングエネルギーには２種類
あり、方位角方向のアンカリングエネルギー６０３と極
角方向のアンカリングエネルギー６０２とに分けること
ができる。特に、方位角方向のアンカリングエネルギー
６０３が弱いと基板面内で液晶分子の配向の秩序が低下
し、均一な液晶分子配向を得ることができない。また、
近年一つの基板内で異なる配向処理を施す方法が、特開
昭５４−５７５４号，特開昭６０−２１１４２１号，特
開昭６２−６７５１７号，特開昭６３−１０６６２４
号，特開昭６４−８８５２０号，特開平０５−１０７５
４４号，特開平０５−１７３１３７号，特開平０５−１
８８３７４号，特開平０５−１９６９４２号，特開平０
５−２０３９５１号，特開平０５−２１００９９号，特
開平０５−２８１５４５号などの公報で提案されてい
る。これらの技術は、１画素内で異なる配向処理領域を
つくるためフォトレジストなどの有機材料を配向膜上で
用いる。このため、アンカリングエネルギーの低下が起
き、配向不良ができやすいという問題を有していた。こ
れらの配向不良は、製造工程の歩留まり低下の主要原因
の一つである。さらに、液晶表示装置の大画面化が進
み、パネル内全域で均一配向を得にくくなってきてい
る。
に配向不良が存在する液晶パネルを加熱処理しても、ふ
つう初期配向不良部は配向膜と液晶分子とのアンカリン
グエネルギーが弱いので修正が困難であった。アンカリ
ングエネルギーを説明するためのモデル図を図６に示
す。電極付き基板６０５上に配向膜６０６が形成されて
おり、この配向膜６０６と液晶分子６０４との吸着強度
を示すものである。アンカリングエネルギーには２種類
あり、方位角方向のアンカリングエネルギー６０３と極
角方向のアンカリングエネルギー６０２とに分けること
ができる。特に、方位角方向のアンカリングエネルギー
６０３が弱いと基板面内で液晶分子の配向の秩序が低下
し、均一な液晶分子配向を得ることができない。また、
近年一つの基板内で異なる配向処理を施す方法が、特開
昭５４−５７５４号，特開昭６０−２１１４２１号，特
開昭６２−６７５１７号，特開昭６３−１０６６２４
号，特開昭６４−８８５２０号，特開平０５−１０７５
４４号，特開平０５−１７３１３７号，特開平０５−１
８８３７４号，特開平０５−１９６９４２号，特開平０
５−２０３９５１号，特開平０５−２１００９９号，特
開平０５−２８１５４５号などの公報で提案されてい
る。これらの技術は、１画素内で異なる配向処理領域を
つくるためフォトレジストなどの有機材料を配向膜上で
用いる。このため、アンカリングエネルギーの低下が起
き、配向不良ができやすいという問題を有していた。こ
れらの配向不良は、製造工程の歩留まり低下の主要原因
の一つである。さらに、液晶表示装置の大画面化が進
み、パネル内全域で均一配向を得にくくなってきてい
る。
【０００４】そこで、本発明は液晶パネル内の部分的な
配向不良領域の修正を行い、パネル内全域で均一な液晶
分子初期配向を得ることを目的とする。
配向不良領域の修正を行い、パネル内全域で均一な液晶
分子初期配向を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明においては、相対向して設けられ、内面に電
極と配向膜が順次積層されてなる一対の基板間に液晶を
封入してなる液晶パネルを加熱することにより、前記液
晶の液晶配向不良部の配向を修正する液晶配向修正方法
であって、 イ）前記配向不良部に磁界を印加しながら、前記液晶配
向不良部を加熱もしくは加熱後冷却することを特徴とす
る。
めに本発明においては、相対向して設けられ、内面に電
極と配向膜が順次積層されてなる一対の基板間に液晶を
封入してなる液晶パネルを加熱することにより、前記液
晶の液晶配向不良部の配向を修正する液晶配向修正方法
であって、 イ）前記配向不良部に磁界を印加しながら、前記液晶配
向不良部を加熱もしくは加熱後冷却することを特徴とす
る。
【０００６】ロ）前記磁界の印加方向は、前記配向膜の
ラビング方向と平行または磁界の基板面内成分が平行で
あることを特徴とする。
ラビング方向と平行または磁界の基板面内成分が平行で
あることを特徴とする。
【０００７】ハ）フレデリックス遷移の臨界以上の磁界
が前記配向膜のラビング方向にかかるように磁界を印加
することを特徴とする。
が前記配向膜のラビング方向にかかるように磁界を印加
することを特徴とする。
【０００８】ニ）前記配向不良部に電界を印加しなが
ら、前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却する
ことを特徴とする。
ら、前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却する
ことを特徴とする。
【０００９】ホ）前記配向不良部に圧力を加えながら、
前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却すること
を特徴とする。
前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却すること
を特徴とする。
【００１０】ヘ）前記配向不良部に光を照射しながら、
前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却すること
を特徴とする。
前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却すること
を特徴とする。
【００１１】ト）前記配向不良部に超音波を印加しなが
ら、前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却する
ことを特徴とする。
ら、前記液晶配向不良部を加熱もしくは加熱後冷却する
ことを特徴とする。
【００１２】チ）前記液晶パネルを、液晶−等方相転移
温度以上で加熱することを特徴とする。
温度以上で加熱することを特徴とする。
【００１３】また、本発明の液晶配向修正装置は、 リ）液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネル加熱手段に
より加熱された液晶パネルを冷却するための液晶パネル
冷却手段と、前記液晶パネルに磁界を印加するための磁
界印加手段と、液晶パネルの配向不良部を特定するため
の光学手段を有する。
より加熱された液晶パネルを冷却するための液晶パネル
冷却手段と、前記液晶パネルに磁界を印加するための磁
界印加手段と、液晶パネルの配向不良部を特定するため
の光学手段を有する。
【００１４】ヌ）液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネ
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに電界を印加
するための電界印加手段と、液晶パネルの配向不良部を
特定するための光学手段を有する。
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに電界を印加
するための電界印加手段と、液晶パネルの配向不良部を
特定するための光学手段を有する。
【００１５】ル）液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネ
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに圧力を加え
るための加圧手段と、液晶パネルの配向不良部を特定す
るための光学手段を有する。
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに圧力を加え
るための加圧手段と、液晶パネルの配向不良部を特定す
るための光学手段を有する。
【００１６】ヲ）液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネ
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに光を照射す
るための光照射手段と、液晶パネルの配向不良部を特定
するための光学手段を有する。
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに光を照射す
るための光照射手段と、液晶パネルの配向不良部を特定
するための光学手段を有する。
【００１７】ワ）液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネ
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに超音波を印
加するための超音波印加手段と、液晶パネルの配向不良
部を特定するための光学手段を有する。
ル加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するため
の液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに超音波を印
加するための超音波印加手段と、液晶パネルの配向不良
部を特定するための光学手段を有する。
【００１８】カ）前記液晶配向修正装置のうち少なくと
も２つ以上を搭載したことを特徴とする。
も２つ以上を搭載したことを特徴とする。
【００１９】
（実施例１）対角２１インチの薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）素子基板及びカラーフィルター付き基板上にポリイ
ミド薄膜１０６を形成して、ラビング配向処理を施す。
この２枚の基板を用いて、ギャップ約４．５μｍ厚のパ
ネルを構成して、液晶材料（液晶−等方相転移温度：９
０℃）を注入する。このようにラビングなどの配向処理
を施して、パネル内全域で液晶の初期配向を得る。しか
し、本実施例のように大画面液晶パネルは部分的な液晶
の初期配向不良領域１０８がパネル検査で発見される。
そこで、図１のように配向不良部１１１にスポットヒー
ター１１２を当て、約８０℃に加熱した後に約２０ｋＧ
（キロガウス）の磁界１１３を配向不良部１１１に印加
しながら約３０℃まで冷却した。この時の磁界１１３
は、磁界の印加方向と配向膜のラビング方向１０２とが
平行となるように印加するか、もしくは配向膜面のラビ
ング方向１０２と、磁界の基板面内成分（余弦成分）１
１４が平行となるように印加する。図１（ｂ）のように
配向不良領域１１１は液晶分子とラビング配向膜とのア
ンカリング力が弱いので、スポットヒーター１１２で加
熱すると配向膜近傍の液晶分子１１０は簡単に脱離す
る。図１（ｃ）のように冷却して再び配向膜に吸着する
ときに磁界１１３が存在するので、磁界の余弦方向１１
４つまりラビング方向１０２に液晶分子１１０の長軸を
向けて吸着させることができる。この時、配向不良領域
以外つまり液晶配向が良好な領域や対向基板の配向アン
カリングが良好な領域にも熱と共に磁界１１３が印加さ
れるが、液晶配向が良好な領域はアンカリングエネルギ
ーが強いためこのような外力を印加しても液晶配向に全
く影響が生じない。
Ｔ）素子基板及びカラーフィルター付き基板上にポリイ
ミド薄膜１０６を形成して、ラビング配向処理を施す。
この２枚の基板を用いて、ギャップ約４．５μｍ厚のパ
ネルを構成して、液晶材料（液晶−等方相転移温度：９
０℃）を注入する。このようにラビングなどの配向処理
を施して、パネル内全域で液晶の初期配向を得る。しか
し、本実施例のように大画面液晶パネルは部分的な液晶
の初期配向不良領域１０８がパネル検査で発見される。
そこで、図１のように配向不良部１１１にスポットヒー
ター１１２を当て、約８０℃に加熱した後に約２０ｋＧ
（キロガウス）の磁界１１３を配向不良部１１１に印加
しながら約３０℃まで冷却した。この時の磁界１１３
は、磁界の印加方向と配向膜のラビング方向１０２とが
平行となるように印加するか、もしくは配向膜面のラビ
ング方向１０２と、磁界の基板面内成分（余弦成分）１
１４が平行となるように印加する。図１（ｂ）のように
配向不良領域１１１は液晶分子とラビング配向膜とのア
ンカリング力が弱いので、スポットヒーター１１２で加
熱すると配向膜近傍の液晶分子１１０は簡単に脱離す
る。図１（ｃ）のように冷却して再び配向膜に吸着する
ときに磁界１１３が存在するので、磁界の余弦方向１１
４つまりラビング方向１０２に液晶分子１１０の長軸を
向けて吸着させることができる。この時、配向不良領域
以外つまり液晶配向が良好な領域や対向基板の配向アン
カリングが良好な領域にも熱と共に磁界１１３が印加さ
れるが、液晶配向が良好な領域はアンカリングエネルギ
ーが強いためこのような外力を印加しても液晶配向に全
く影響が生じない。
【００２０】図７に液晶配向秩序度Ｓと、ラビング方向
における磁界の強さＨとの関係を示す。パラメータに３
つの温度状態を用いた。高温時に１０ｋＧ以上の磁界を
印加することで、良好な結果が得られることが分かる。
本実施例においては、約８０℃に加熱した後に約２０ｋ
Ｇの磁界１１３を配向不良部１１１に印加しながら約３
０℃まで冷却した。
における磁界の強さＨとの関係を示す。パラメータに３
つの温度状態を用いた。高温時に１０ｋＧ以上の磁界を
印加することで、良好な結果が得られることが分かる。
本実施例においては、約８０℃に加熱した後に約２０ｋ
Ｇの磁界１１３を配向不良部１１１に印加しながら約３
０℃まで冷却した。
【００２１】このような配向修正を行った液晶パネルを
搭載した液晶表示装置は、配向不良の全くない液晶表示
装置と区別がつかないほど良好な液晶分子初期配向を示
した。また、電圧を印加して駆動しても、この領域のコ
ントラストは１５０以上あり、配向不良の全くない液晶
表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
搭載した液晶表示装置は、配向不良の全くない液晶表示
装置と区別がつかないほど良好な液晶分子初期配向を示
した。また、電圧を印加して駆動しても、この領域のコ
ントラストは１５０以上あり、配向不良の全くない液晶
表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
【００２２】本実施例は、磁界１１３を液晶パネルに斜
め方向から印加したが、配向膜のラビング方向１０２と
平行に印加すると最も良い結果が得られた。また、液晶
材料の磁化率異方性を大きくすることで磁界強度を小さ
くすることもできた。
め方向から印加したが、配向膜のラビング方向１０２と
平行に印加すると最も良い結果が得られた。また、液晶
材料の磁化率異方性を大きくすることで磁界強度を小さ
くすることもできた。
【００２３】（実施例２）実施例１と同様に部分的に液
晶の初期配向不良領域１０８が存在する液晶パネルの配
向不良領域１１１にスポットヒーター１１２を当て、液
晶−等方相転移温度以上で加熱しながら約２０ｋＧ（キ
ロガウス）の磁界１１３を印加した。その後、磁界１１
３中で冷却する。磁界１１３の方向は実施例１と同じ方
向である。
晶の初期配向不良領域１０８が存在する液晶パネルの配
向不良領域１１１にスポットヒーター１１２を当て、液
晶−等方相転移温度以上で加熱しながら約２０ｋＧ（キ
ロガウス）の磁界１１３を印加した。その後、磁界１１
３中で冷却する。磁界１１３の方向は実施例１と同じ方
向である。
【００２４】図８に液晶の配向秩序度Ｓと加熱温度Ｔの
関係を示す。このグラフから、液晶−等方相転移温度以
上で高い配向秩序度が得られ、良好な結果を示すことが
分かる。本実施例においては、液晶−等方相転移温度以
上の約１００℃で加熱しながら約２０ｋＧの磁界１１３
を印加し、その後約３０℃まで冷却した。
関係を示す。このグラフから、液晶−等方相転移温度以
上で高い配向秩序度が得られ、良好な結果を示すことが
分かる。本実施例においては、液晶−等方相転移温度以
上の約１００℃で加熱しながら約２０ｋＧの磁界１１３
を印加し、その後約３０℃まで冷却した。
【００２５】このような配向修正を行った液晶パネルを
搭載した液晶表示装置は、配向不良の全くない液晶表示
装置と区別がつかないほど良好な液晶分子初期配向を示
した。また、電圧を印加して駆動しても、この領域のコ
ントラストは１８０以上あり、配向不良の全くない液晶
表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
搭載した液晶表示装置は、配向不良の全くない液晶表示
装置と区別がつかないほど良好な液晶分子初期配向を示
した。また、電圧を印加して駆動しても、この領域のコ
ントラストは１８０以上あり、配向不良の全くない液晶
表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
【００２６】図９に本実施例または実施例１に用いた液
晶配向修正装置を示す。この装置は、温度調整装置９０
４，磁界印加装置９０３，光学装置９０１を有し、光学
装置９０１によって液晶の配向不良部を特定し、磁界中
で加熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修正
する。
晶配向修正装置を示す。この装置は、温度調整装置９０
４，磁界印加装置９０３，光学装置９０１を有し、光学
装置９０１によって液晶の配向不良部を特定し、磁界中
で加熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修正
する。
【００２７】（実施例３）図２は、本実施例を説明する
ためのモデル図である。実施例１と同様に部分的に液晶
の初期配向不良領域２０８が存在する液晶パネルの配向
不良領域２１１にスポットヒーター２１２を当て、図２
（ｃ）のように約８０℃で加熱しながら約１０Ｖの電圧
を印加した。その後、電界２１４中で３０℃まで冷却す
る。電界２１４は液晶パネルに垂直方向に印加した。配
向不良領域２１１は液晶分子２１０とラビング配向膜と
のアンカリング力が弱いので、スポットヒーター２１２
で加熱し電界２１４を印加すると配向膜近傍の液晶分子
２１０は簡単に脱離する。冷却して再び配向膜に吸着す
るときに弱いながらもラビング配向処理によるアンカリ
ングエネルギーが存在するので、ラビング方向２０２に
液晶分子２１０の長軸を向けて吸着させることができ
る。
ためのモデル図である。実施例１と同様に部分的に液晶
の初期配向不良領域２０８が存在する液晶パネルの配向
不良領域２１１にスポットヒーター２１２を当て、図２
（ｃ）のように約８０℃で加熱しながら約１０Ｖの電圧
を印加した。その後、電界２１４中で３０℃まで冷却す
る。電界２１４は液晶パネルに垂直方向に印加した。配
向不良領域２１１は液晶分子２１０とラビング配向膜と
のアンカリング力が弱いので、スポットヒーター２１２
で加熱し電界２１４を印加すると配向膜近傍の液晶分子
２１０は簡単に脱離する。冷却して再び配向膜に吸着す
るときに弱いながらもラビング配向処理によるアンカリ
ングエネルギーが存在するので、ラビング方向２０２に
液晶分子２１０の長軸を向けて吸着させることができ
る。
【００２８】このような配向修正を行った液晶パネルを
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
【００２９】本実施例では、液晶パネル垂直方向に電界
２１４を印加したが、実施例１の磁界と同様に斜め方向
や平行方向に印加しても良い。
２１４を印加したが、実施例１の磁界と同様に斜め方向
や平行方向に印加しても良い。
【００３０】図１０に本実施例に用いた液晶配向修正装
置を示す。この装置は、温度調整装置１００４，電界印
加装置１００３，光学装置１００１を有し、光学装置１
００１によって液晶の配向不良部を特定し、電界中で加
熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修正す
る。
置を示す。この装置は、温度調整装置１００４，電界印
加装置１００３，光学装置１００１を有し、光学装置１
００１によって液晶の配向不良部を特定し、電界中で加
熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修正す
る。
【００３１】（実施例４）図３は、本実施例を説明する
ためのモデル図である。実施例１と同様に部分的に液晶
の初期配向不良領域３０８が存在する液晶パネルの配向
不良領域３１１にスポットヒーター３１２を当て、約８
０℃で加熱しながら図３（ｃ）のように圧力３１３を加
えた。その後、室温まで冷却する。配向不良領域３１１
は液晶分子３１０とラビング配向膜とのアンカリング力
が弱いので、スポットヒーター３１２で加熱し圧力３１
３を加えると配向膜近傍の液晶分子３１０は簡単に脱離
して、冷却中再び配向膜に吸着するときに弱いながらも
ラビング配向処理によるアンカリングエネルギーが存在
するので、ラビング方向３０２に液晶分子３１０の長軸
を向けて吸着させることができる。
ためのモデル図である。実施例１と同様に部分的に液晶
の初期配向不良領域３０８が存在する液晶パネルの配向
不良領域３１１にスポットヒーター３１２を当て、約８
０℃で加熱しながら図３（ｃ）のように圧力３１３を加
えた。その後、室温まで冷却する。配向不良領域３１１
は液晶分子３１０とラビング配向膜とのアンカリング力
が弱いので、スポットヒーター３１２で加熱し圧力３１
３を加えると配向膜近傍の液晶分子３１０は簡単に脱離
して、冷却中再び配向膜に吸着するときに弱いながらも
ラビング配向処理によるアンカリングエネルギーが存在
するので、ラビング方向３０２に液晶分子３１０の長軸
を向けて吸着させることができる。
【００３２】このような配向修正を行った液晶パネルを
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
【００３３】図１１に本実施例に用いた液晶配向修正装
置を示す。この装置は、温度調整装置１１０４，加圧装
置１１０３，光学装置１１０１を有し、光学装置１１０
１によって液晶の配向不良部を特定し、圧力を加えなが
ら加熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修正
する。
置を示す。この装置は、温度調整装置１１０４，加圧装
置１１０３，光学装置１１０１を有し、光学装置１１０
１によって液晶の配向不良部を特定し、圧力を加えなが
ら加熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修正
する。
【００３４】（実施例５）図４は、本実施例を説明する
ためのモデル図である。実施例１と同様に部分的に液晶
の初期配向不良領域４０８が存在する液晶パネルの配向
不良領域４１０にスポットヒーター４１２を当て、液晶
−等方相転移温度以上の約１００℃で加熱しながら波長
２６０ｎｍの直線偏光紫外線４１４を照射した。その
後、図４（ｃ）のように直線偏光紫外線４１４を照射し
たまま３０℃まで冷却する。直線偏光方向４１３は液晶
パネルのラビング方向４０２に平行にした。配向不良領
域４１０は液晶分子４１１とラビング配向膜とのアンカ
リング力が弱いので、スポットヒーター４１２で加熱し
すると配向膜近傍の液晶分子４１１は簡単に脱離する。
冷却して再び配向膜に吸着するときラビング方向４０２
に振動する直線偏光４１４が存在するので、ラビング方
向４０２に液晶分子４１１の長軸を向けて吸着させるこ
とができる。
ためのモデル図である。実施例１と同様に部分的に液晶
の初期配向不良領域４０８が存在する液晶パネルの配向
不良領域４１０にスポットヒーター４１２を当て、液晶
−等方相転移温度以上の約１００℃で加熱しながら波長
２６０ｎｍの直線偏光紫外線４１４を照射した。その
後、図４（ｃ）のように直線偏光紫外線４１４を照射し
たまま３０℃まで冷却する。直線偏光方向４１３は液晶
パネルのラビング方向４０２に平行にした。配向不良領
域４１０は液晶分子４１１とラビング配向膜とのアンカ
リング力が弱いので、スポットヒーター４１２で加熱し
すると配向膜近傍の液晶分子４１１は簡単に脱離する。
冷却して再び配向膜に吸着するときラビング方向４０２
に振動する直線偏光４１４が存在するので、ラビング方
向４０２に液晶分子４１１の長軸を向けて吸着させるこ
とができる。
【００３５】このような配向修正を行った液晶パネルを
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
【００３６】本実施例では、照射光の偏光方向４１３を
ラビング方向４０２と平行にしたが、偏光方向の余弦成
分がラビング方向４０２と平行になるように斜め方向か
ら照射しても良い。
ラビング方向４０２と平行にしたが、偏光方向の余弦成
分がラビング方向４０２と平行になるように斜め方向か
ら照射しても良い。
【００３７】図１２に本実施例に用いた液晶配向修正装
置を示す。この装置は、温度調整装置１２０４，光照射
装置１２０３，光学装置１２０１を有し、光学装置１２
０１によって液晶の配向不良部を特定し、光を照射しな
がら加熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修
正する。
置を示す。この装置は、温度調整装置１２０４，光照射
装置１２０３，光学装置１２０１を有し、光学装置１２
０１によって液晶の配向不良部を特定し、光を照射しな
がら加熱・冷却することによって液晶の配向の乱れを修
正する。
【００３８】（実施例６）実施例１と同様に部分的に液
晶の初期配向不良領域が存在する液晶パネルの配向不良
領域にスポットヒーターを当て、約１００℃で加熱しな
がら超音波を印加した。その後、超音波を印加しながら
３０℃まで冷却する。配向不良領域は液晶分子とラビン
グ配向膜とのアンカリング力が弱いので、スポットヒー
ターで加熱し超音波を印加すると配向膜近傍の液晶分子
は簡単に脱離する。冷却して再び配向膜に吸着するとき
に弱いながらもラビング配向処理によるアンカリングエ
ネルギーが存在するので、ラビング方向に液晶分子の長
軸を向けて吸着させることができる。
晶の初期配向不良領域が存在する液晶パネルの配向不良
領域にスポットヒーターを当て、約１００℃で加熱しな
がら超音波を印加した。その後、超音波を印加しながら
３０℃まで冷却する。配向不良領域は液晶分子とラビン
グ配向膜とのアンカリング力が弱いので、スポットヒー
ターで加熱し超音波を印加すると配向膜近傍の液晶分子
は簡単に脱離する。冷却して再び配向膜に吸着するとき
に弱いながらもラビング配向処理によるアンカリングエ
ネルギーが存在するので、ラビング方向に液晶分子の長
軸を向けて吸着させることができる。
【００３９】このような配向修正を行った液晶パネルを
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
搭載した液晶表示装置は、電圧を印加して駆動しても、
コントラストが１５０以上あり、配向不良の全くない液
晶表示装置と同様に良好な表示特性を示した。
【００４０】図１３に本実施例に用いた液晶配向修正装
置を示す。この装置は、温度調整装置１３０４，超音波
発生装置１３０３，光学装置１３０１を有し、光学装置
１３０１によって液晶の配向不良部を特定し、超音波を
印加しながら加熱・冷却することによって液晶の配向の
乱れを修正する。
置を示す。この装置は、温度調整装置１３０４，超音波
発生装置１３０３，光学装置１３０１を有し、光学装置
１３０１によって液晶の配向不良部を特定し、超音波を
印加しながら加熱・冷却することによって液晶の配向の
乱れを修正する。
【００４１】実施例１から実施例６では、ネマティック
液晶，コレステリック液晶，スメクティック液晶材料を
用いた液晶表示装置についてであったが、ポリマー材料
が添加された液晶材料を用いた液晶表示装置についても
同様に配向修正ができた。
液晶，コレステリック液晶，スメクティック液晶材料を
用いた液晶表示装置についてであったが、ポリマー材料
が添加された液晶材料を用いた液晶表示装置についても
同様に配向修正ができた。
【００４２】（実施例７）部分的に液晶の初期配向不良
領域が存在する液晶パネルを設置することができ、実施
例１から実施例６で説明した機能を持つ液晶配向修正装
置を構成した。装置の模式図を図９から図１３に示して
ある。この装置は、偏光顕微鏡などの光学装置で液晶配
向不良領域を見つけ出し、スポットヒーターなどの温度
調整装置で不良領域を加熱しながら外力（磁界，電界，
圧力，光，超音波）を加える。さらに外力を印加したま
まで室温まで冷却する構成となっている。個々の装置に
ついての説明は、それぞれの実施例の中で説明してある
ので、ここでは省くことにする。
領域が存在する液晶パネルを設置することができ、実施
例１から実施例６で説明した機能を持つ液晶配向修正装
置を構成した。装置の模式図を図９から図１３に示して
ある。この装置は、偏光顕微鏡などの光学装置で液晶配
向不良領域を見つけ出し、スポットヒーターなどの温度
調整装置で不良領域を加熱しながら外力（磁界，電界，
圧力，光，超音波）を加える。さらに外力を印加したま
まで室温まで冷却する構成となっている。個々の装置に
ついての説明は、それぞれの実施例の中で説明してある
ので、ここでは省くことにする。
【００４３】このような液晶配向修正装置を液晶パネル
検査装置に搭載すると、液晶パネルを検査しながら、初
期配向不良領域を見つけたとき、すぐに配向修正ができ
る。
検査装置に搭載すると、液晶パネルを検査しながら、初
期配向不良領域を見つけたとき、すぐに配向修正ができ
る。
【００４４】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、加熱され
た前記液晶パネルの配向不良部に磁界を印加しながら、
加熱された液晶パネルを冷却するので、磁界の基板成分
方向に配向不良部の液晶分子を配向させることができ
る。この時、配向不良領域以外つまり液晶配向が良好な
領域や対向基板の配向アンカリングが良好な領域にも熱
と共に磁界が印加されるが、液晶配向が良好な領域はア
ンカリングエネルギーが強いためこのような外力を印加
しても液晶配向に全く影響が生じない。
た前記液晶パネルの配向不良部に磁界を印加しながら、
加熱された液晶パネルを冷却するので、磁界の基板成分
方向に配向不良部の液晶分子を配向させることができ
る。この時、配向不良領域以外つまり液晶配向が良好な
領域や対向基板の配向アンカリングが良好な領域にも熱
と共に磁界が印加されるが、液晶配向が良好な領域はア
ンカリングエネルギーが強いためこのような外力を印加
しても液晶配向に全く影響が生じない。
【００４５】請求項２記載の発明によれば、磁界の印加
方向が、配向膜のラビング方向と平行または磁界の基板
面内成分が平行であるので、磁界によってラビング方向
に配向不良部の液晶分子を再配向させることができる。
方向が、配向膜のラビング方向と平行または磁界の基板
面内成分が平行であるので、磁界によってラビング方向
に配向不良部の液晶分子を再配向させることができる。
【００４６】請求項３記載の発明によれば、フレデリッ
クス遷移の臨界以上の磁界が配向膜のラビング方向にか
かるので、さらに効果的に配向不良部の液晶分子を再配
向させることができる。
クス遷移の臨界以上の磁界が配向膜のラビング方向にか
かるので、さらに効果的に配向不良部の液晶分子を再配
向させることができる。
【００４７】請求項４記載の発明によれば、配向不良部
に電界を印加しながら、液晶配向不良部を加熱もしくは
加熱後冷却するので、配向不良領域の配向膜近傍の液晶
分子を容易に脱離させることができ、さらに電界によっ
て垂直配向した液晶分子が再び配向膜に吸着するとき配
向処理方向に再配向させることができる。
に電界を印加しながら、液晶配向不良部を加熱もしくは
加熱後冷却するので、配向不良領域の配向膜近傍の液晶
分子を容易に脱離させることができ、さらに電界によっ
て垂直配向した液晶分子が再び配向膜に吸着するとき配
向処理方向に再配向させることができる。
【００４８】請求項５記載の発明によれば、配向不良部
に圧力を加えながら、液晶配向不良部を加熱もしくは加
熱後冷却するので、配向不良領域の配向膜近傍の液晶分
子を容易に脱離させることができ、配向処理方向に再配
向させることができる。
に圧力を加えながら、液晶配向不良部を加熱もしくは加
熱後冷却するので、配向不良領域の配向膜近傍の液晶分
子を容易に脱離させることができ、配向処理方向に再配
向させることができる。
【００４９】請求項６記載の発明によれば、配向不良部
に光を照射しながら、前記液晶配向不良部を加熱もしく
は加熱後冷却するので、光の偏光方向に液晶を再配向さ
せることができる。
に光を照射しながら、前記液晶配向不良部を加熱もしく
は加熱後冷却するので、光の偏光方向に液晶を再配向さ
せることができる。
【００５０】請求項７記載の発明によれば、前記配向不
良部に超音波を印加しながら、前記液晶配向不良部を加
熱もしくは加熱後冷却するので、配向不良領域の配向膜
近傍の液晶分子を容易に脱離させることができ、配向処
理方向に再配向させることができる。
良部に超音波を印加しながら、前記液晶配向不良部を加
熱もしくは加熱後冷却するので、配向不良領域の配向膜
近傍の液晶分子を容易に脱離させることができ、配向処
理方向に再配向させることができる。
【００５１】請求項８記載の発明によれば、熱温度が液
晶−等方相転移温度以上であるため、配向不良領域の配
向膜近傍の液晶分子を容易に脱離させることができる。
晶−等方相転移温度以上であるため、配向不良領域の配
向膜近傍の液晶分子を容易に脱離させることができる。
【００５２】請求項９記載の発明によれば、液晶配向修
正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と磁
界印加手段と光学手段を有しているので、光学手段によ
り配向不良部を特定し、容易に磁界中で加熱・冷却をす
ることができる。
正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と磁
界印加手段と光学手段を有しているので、光学手段によ
り配向不良部を特定し、容易に磁界中で加熱・冷却をす
ることができる。
【００５３】請求項１０記載の発明によれば、液晶配向
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
電界印加手段と光学手段を有しているので、光学手段に
より配向不良部を特定し、容易に電界中で加熱・冷却を
することができる。
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
電界印加手段と光学手段を有しているので、光学手段に
より配向不良部を特定し、容易に電界中で加熱・冷却を
することができる。
【００５４】請求項１１記載の発明によれば、液晶配向
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
加圧手段と光学手段を有しているので、光学手段により
配向不良部を特定し、容易に加圧しながら加熱・冷却を
することができる。
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
加圧手段と光学手段を有しているので、光学手段により
配向不良部を特定し、容易に加圧しながら加熱・冷却を
することができる。
【００５５】請求項１２記載の発明によれば、液晶配向
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
光照射手段と光学手段を有しているので、光学手段によ
り配向不良部を特定し、容易に光を照射しながら加熱・
冷却をすることができる。
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
光照射手段と光学手段を有しているので、光学手段によ
り配向不良部を特定し、容易に光を照射しながら加熱・
冷却をすることができる。
【００５６】請求項１３記載の発明によれば、液晶配向
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
超音波印加手段と光学手段を有しているので、光学手段
により配向不良部を特定し、容易に超音波を印加しなが
ら加熱・冷却をすることができる。
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
超音波印加手段と光学手段を有しているので、光学手段
により配向不良部を特定し、容易に超音波を印加しなが
ら加熱・冷却をすることができる。
【００５７】請求項１４記載の発明によれば、液晶配向
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
外力（磁界，電界，圧力，光，超音波）印加手段と光学
手段を少なくとも２つ以上有しているので、配向不良部
に複数の配向修正を行うことができる。
修正装置は液晶パネル加熱手段と液晶パネル冷却手段と
外力（磁界，電界，圧力，光，超音波）印加手段と光学
手段を少なくとも２つ以上有しているので、配向不良部
に複数の配向修正を行うことができる。
【図１】実施例１における本発明の液晶配向修正法を説
明するための図。
明するための図。
【図２】実施例３における本発明の液晶配向修正法を説
明するための図。
明するための図。
【図３】実施例４における本発明の液晶配向修正法を説
明するための図。
明するための図。
【図４】実施例５における本発明の液晶配向修正法を説
明するための図。
明するための図。
【図５】液晶パネルの初期液晶配向状態を示す図。
【図６】液晶パネルにおけるアンカリングを説明するた
めの図。
めの図。
【図７】加熱温度をパラメータとした時の磁界の強さに
対する液晶の配向秩序度を示す図。
対する液晶の配向秩序度を示す図。
【図８】磁界の強さを２０ｋＧ一定とした時の加熱温度
に対する液晶の配向秩序度を示す図。
に対する液晶の配向秩序度を示す図。
【図９】実施例１及び実施例２における本発明の液晶配
向修正装置を説明するための図。
向修正装置を説明するための図。
【図１０】実施例３における本発明の液晶配向修正装置
を説明するための図。
を説明するための図。
【図１１】実施例４における本発明の液晶配向修正装置
を説明するための図。
を説明するための図。
【図１２】実施例５における本発明の液晶配向修正装置
を説明するための図。
を説明するための図。
【図１３】実施例６における本発明の液晶配向修正装置
を説明するための図。
を説明するための図。
１０１，２０１，３０１，４０１・・・上基板のラビン
グ配向処理方向 １０２，２０２，３０２，４０２・・・下基板のラビン
グ配向処理方向 １０３，２０３，３０３，４０３，５０３，６０４・・
・液晶分子 １０４，２０４，３０４，４０４・・・基板 １０５，２０５，３０５，４０５・・・電極 １０６，２０６，３０６，４０６，５０４，６０６・・
・配向膜 １０７，２０７，３０７，４０７・・・配向不良膜上の
液晶分子 １０８，２０８，３０８，４０８・・・配向不良領域 １０９，２０９，３０９，４０９・・・良好な配向を示
す配向膜上の液晶分子 １１０，２１０，３１０，４１１・・・熱によって配向
不良膜上から脱離した液晶分子 １１１，２１１，３１１，４１０・・・加熱された配向
不良領域 １１２，２１２，３１２，４１２・・・スポットヒータ
ー １１３・・・磁界 １１４・・・磁界の余弦成分 １１５・・・磁界の正弦成分 ２１３・・・熱と電界が同時に印加された配向不良領域 ２１４・・・電界 ３１３・・・圧力 ３１４・・・熱と圧力が同時に印加された配向不良領域 ４１３・・・照射光の偏光方向 ４１４・・・照射光の進行方向 ５０１・・・配向不良領域 ５０２，６０１・・・ラビング配向処理方向 ６０２・・・極角方向のアンカリング ６０３・・・方位角方向のアンカリング ６０５・・・電極付き基板 ７０１・・・液晶−等方相温度以上での磁界の強さに対
する液晶の配向秩序度を示す曲線 ７０２・・・液晶−等方相温度から１０℃低い温度での
磁界の強さに対する液晶の配向秩序度を示す曲線 ７０３・・・室温での磁界の強さに対する液晶の配向秩
序度を示す曲線 ８０１・・・磁界の強さ２０ｋＧ一定とした時の加熱温
度に対する液晶の配向秩序度を示す曲線 ９０１，１００１，１１０１，１２０１，１３０１・・
・光学装置 ９０２，１００２，１１０２，１２０２，１３０２・・
・液晶パネルの位置調整装置 ９０３・・・磁界印加装置 ９０４，１００４，１１０４，１２０４，１３０４・・
・温度調整装置 ９０５，１００５，１１０５，１２０５，１３０５・・
・ガラス基板 ９０６，１００６，１１０６，１２０６，１３０６・・
・液晶層 １００３・・・電界印加装置 １１０３・・・加圧装置 １２０３・・・光照射装置 １３０３・・・超音波発生装置
グ配向処理方向 １０２，２０２，３０２，４０２・・・下基板のラビン
グ配向処理方向 １０３，２０３，３０３，４０３，５０３，６０４・・
・液晶分子 １０４，２０４，３０４，４０４・・・基板 １０５，２０５，３０５，４０５・・・電極 １０６，２０６，３０６，４０６，５０４，６０６・・
・配向膜 １０７，２０７，３０７，４０７・・・配向不良膜上の
液晶分子 １０８，２０８，３０８，４０８・・・配向不良領域 １０９，２０９，３０９，４０９・・・良好な配向を示
す配向膜上の液晶分子 １１０，２１０，３１０，４１１・・・熱によって配向
不良膜上から脱離した液晶分子 １１１，２１１，３１１，４１０・・・加熱された配向
不良領域 １１２，２１２，３１２，４１２・・・スポットヒータ
ー １１３・・・磁界 １１４・・・磁界の余弦成分 １１５・・・磁界の正弦成分 ２１３・・・熱と電界が同時に印加された配向不良領域 ２１４・・・電界 ３１３・・・圧力 ３１４・・・熱と圧力が同時に印加された配向不良領域 ４１３・・・照射光の偏光方向 ４１４・・・照射光の進行方向 ５０１・・・配向不良領域 ５０２，６０１・・・ラビング配向処理方向 ６０２・・・極角方向のアンカリング ６０３・・・方位角方向のアンカリング ６０５・・・電極付き基板 ７０１・・・液晶−等方相温度以上での磁界の強さに対
する液晶の配向秩序度を示す曲線 ７０２・・・液晶−等方相温度から１０℃低い温度での
磁界の強さに対する液晶の配向秩序度を示す曲線 ７０３・・・室温での磁界の強さに対する液晶の配向秩
序度を示す曲線 ８０１・・・磁界の強さ２０ｋＧ一定とした時の加熱温
度に対する液晶の配向秩序度を示す曲線 ９０１，１００１，１１０１，１２０１，１３０１・・
・光学装置 ９０２，１００２，１１０２，１２０２，１３０２・・
・液晶パネルの位置調整装置 ９０３・・・磁界印加装置 ９０４，１００４，１１０４，１２０４，１３０４・・
・温度調整装置 ９０５，１００５，１１０５，１２０５，１３０５・・
・ガラス基板 ９０６，１００６，１１０６，１２０６，１３０６・・
・液晶層 １００３・・・電界印加装置 １１０３・・・加圧装置 １２０３・・・光照射装置 １３０３・・・超音波発生装置
Claims (14)
- 【請求項１】相対向して設けられ、内面に電極と配向膜
が順次積層されてなる一対の基板間に液晶を封入してな
る液晶パネルを加熱することにより、前記液晶の液晶配
向不良部の配向を修正する液晶配向修正方法であって、 前記配向不良部に磁界を印加しながら、前記液晶配向不
良部を加熱もしくは加熱後冷却することを特徴とする液
晶配向修正方法。 - 【請求項２】前記磁界の印加方向は、前記配向膜のラビ
ング方向と平行または磁界の基板面内成分が平行である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶配向修正方法。 - 【請求項３】フレデリックス遷移の臨界以上の磁界が前
記配向膜のラビング方向にかかるように磁界を印加する
ことを特徴とする請求項１記載の液晶配向修正方法。 - 【請求項４】相対向して設けられ、内面に電極と配向膜
が順次積層されてなる一対の基板間に液晶を封入してな
る液晶パネルを加熱することにより、前記液晶の液晶配
向不良部の配向を修正する液晶配向修正方法であって、 前記配向不良部に電界を印加しながら、前記液晶配向不
良部を加熱もしくは加熱後冷却することを特徴とする液
晶配向修正方法。 - 【請求項５】相対向して設けられ、内面に電極と配向膜
が順次積層されてなる一対の基板間に液晶を封入してな
る液晶パネルを加熱することにより、前記液晶の液晶配
向不良部の配向を修正する液晶配向修正方法であって、 前記配向不良部に圧力を加えながら、前記液晶配向不良
部を加熱もしくは加熱後冷却することを特徴とする液晶
配向修正方法。 - 【請求項６】相対向して設けられ、内面に電極と配向膜
が順次積層されてなる一対の基板間に液晶を封入してな
る液晶パネルを加熱することにより、前記液晶の液晶配
向不良部の配向を修正する液晶配向修正方法であって、 前記配向不良部に光を照射しながら、前記液晶配向不良
部を加熱もしくは加熱後冷却することを特徴とする液晶
配向修正方法。 - 【請求項７】相対向して設けられ、内面に電極と配向膜
が順次積層されてなる一対の基板間に液晶を封入してな
る液晶パネルを加熱することにより、前記液晶の液晶配
向不良部の配向を修正する液晶配向修正方法であって、 前記配向不良部に超音波を印加しながら、前記液晶配向
不良部を加熱もしくは加熱後冷却することを特徴とする
液晶配向修正方法。 - 【請求項８】前記液晶パネルを、液晶−等方相転移温度
以上で加熱することを特徴とする請求項１から請求項６
いずれか記載の液晶配向修正方法。 - 【請求項９】液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネル加
熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するための液
晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに磁界を印加する
ための磁界印加手段と、液晶パネルの配向不良部を特定
するための光学手段を有する液晶配向修正装置。 - 【請求項１０】液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネル
加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するための
液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに電界を印加す
るための電界印加手段と、液晶パネルの配向不良部を特
定するための光学手段を有する液晶配向修正装置。 - 【請求項１１】液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネル
加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するための
液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに圧力を加える
ための加圧手段と、液晶パネルの配向不良部を特定する
ための光学手段を有する液晶配向修正装置。 - 【請求項１２】液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネル
加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するための
液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに光を照射する
ための光照射手段と、液晶パネルの配向不良部を特定す
るための光学手段を有する液晶配向修正装置。 - 【請求項１３】液晶パネル加熱手段と、前記液晶パネル
加熱手段により加熱された液晶パネルを冷却するための
液晶パネル冷却手段と、前記液晶パネルに超音波を印加
するための超音波印加手段と、液晶パネルの配向不良部
を特定するための光学手段を有する液晶配向修正装置。 - 【請求項１４】請求項９から請求項１３の液晶配向修正
装置のうち少なくとも２つ以上を搭載した液晶配向修正
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP447795A JPH08194225A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 液晶配向修正方法及び液晶配向修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP447795A JPH08194225A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 液晶配向修正方法及び液晶配向修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08194225A true JPH08194225A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11585199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP447795A Pending JPH08194225A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 液晶配向修正方法及び液晶配向修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08194225A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0818705A3 (en) * | 1996-07-10 | 1998-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and device for aligning liquid crystals and liquid crystal display element |
| KR20100026997A (ko) * | 2008-08-28 | 2010-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| KR20130015588A (ko) * | 2011-08-04 | 2013-02-14 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디 셀 열처리장치 및 방법 |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP447795A patent/JPH08194225A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0818705A3 (en) * | 1996-07-10 | 1998-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and device for aligning liquid crystals and liquid crystal display element |
| US6295112B1 (en) | 1996-07-10 | 2001-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for aligning liquid crystals, alignment device and liquid crystal display element |
| KR20100026997A (ko) * | 2008-08-28 | 2010-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| JP2010054753A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Lg Display Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR20130015588A (ko) * | 2011-08-04 | 2013-02-14 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디 셀 열처리장치 및 방법 |
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