JP2014206669A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高速応答が可能であり、しかも、電圧保持率が時間と共に低下するといった問題の発生を回避することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、一対の配向膜のうちの少なくとも一方は、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物を含み、液晶層を構成する液晶組成物は、一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、液晶分子は、架橋した化合物によってプレチルトが付与される。【選択図】 図１

Description

本開示は、対向面に配向膜を有する一対の基板の間に液晶層が封止された液晶表示素子を備えた液晶表示装置に関する。

近年、液晶テレビジョン受像機やノート型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置等の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が多く用いられている。この液晶表示装置は、基板間に挟持された液晶層中に含まれる液晶分子の分子配列（配向）によって様々な表示モード（方式）に分類される。表示モードとして、例えば、電圧をかけない状態で液晶分子がねじれて配向しているＴＮ（Twisted Nematic；ねじれネマティック）モードがよく知られている。ＴＮモードでは、液晶分子は、正の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて大きい性質を有している。このため、液晶分子は、基板面に対して平行な面内において、液晶分子の配向方位を順次回転させつつ、基板面に垂直な方向に整列させた構造となっている。

この一方で、電圧をかけない状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向しているＶＡ（Vertical Alignment）モードに対する注目が高まっている。ＶＡモードでは、液晶分子は、負の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて小さい性質を有しており、ＴＮモードに比べて広視野角を実現できる。

このようなＶＡモードの液晶表示装置では、電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子が、負の誘電率異方性により、基板に対して平行方向に倒れるように応答することによって、光を透過させる構成となっている。ところが、基板に対して垂直方向に配向した液晶分子の倒れる方向は任意であるため、電圧印加により液晶分子の配向が乱れ、よって、電圧に対する応答特性を悪化させる要因となっていた。

そこで、応答特性を向上させるために、液晶分子が電圧に応答して倒れる方向を規制する技術が検討されている。具体的には、例えば、特開２０１１−０９５６９６には、一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層とを有する液晶表示素子を備え、一対の配向膜のうちの少なくとも一方は、側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物を含み、液晶分子は、架橋した化合物によってプレチルトが付与される液晶表示装置の発明が開示されている。尚、この特許公開公報に開示された技術は、ＦＰＡ方式（Field-induced Photo-reactive Alignment方式）と呼ばれる。

一方、高速応答化のために、アルケニル化合物を含む液晶組成物を用いることが検討されている（例えば、特開２００９−１４９６６７、特開２００８−１０６２８０参照）。アルケニル化合物が液晶組成物中に含まれることで液晶組成物の粘性が低下し、液晶表示装置の高速応答が可能となる。

特開２０１１−０９５６９６ 特開２００９−１４９６６７ 特開２００８−１０６２８０

しかしながら、アルケニル化合物を含む液晶組成物と、垂直配向の状態で液晶分子を駆動させる垂直配向膜とを組み合わせた場合、電圧保持率が時間と共に低下するという問題がある。一方、特開２０１１−０９５６９６には、液晶層を構成する材料としてアルケニル化合物を含む液晶組成物を用いることに関して、何ら言及されていない。

従って、本開示の目的は、高速応答が可能であり、しかも、電圧保持率が時間と共に低下するといった問題の発生を回避することができる、液晶層を構成する材料としてアルケニル化合物を含む液晶組成物を用いた液晶表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の液晶表示装置は、
一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、
一対の配向膜のうちの少なくとも一方は、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物（便宜上、『配向処理後・化合物』と呼ぶ）を含み、
液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、
液晶分子は、架橋した化合物（配向処理後・化合物）によってプレチルトが付与される。また、上記の目的を達成するための液晶表示素子は、本開示の液晶表示装置における液晶表示素子から成る。ここで、『架橋性官能基』とは、架橋構造（橋かけ構造）を形成することが可能な基を意味する。

但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至１０のアルキル基、アルケニル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN1，Ｒ_AN2の少なくとも一方はアルケニル基であり、

は、それぞれ、独立に、

であり、
Ｌ₁，Ｌ₂は、それぞれ、独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子であり、
ｐは０又は１である。

本開示の液晶表示装置を、以下、便宜上、『本開示の第１の態様に係る液晶表示装置』と呼ぶ場合がある。ここで、「液晶分子と相互作用する」とは、液晶分子が、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることを意味し、これによって、液晶分子にプレチルトが付与される。また、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物を架橋させることで、液晶分子のプレチルト状態が固定される。

本開示の液晶表示装置にあっては、液晶層を構成する液晶組成物は一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、しかも、一対の配向膜のうちの少なくとも一方は、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物を含んでいる。それ故、高速応答が可能であり、しかも、電圧保持率が時間と共に低下するといった問題の発生を回避することができる液晶表示装置を提供することが可能となる。しかも、架橋した化合物により液晶分子にプレチルトが付与されるので、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保される。その上、架橋した化合物によって液晶分子にプレチルトが付与されているため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度が早くなり、架橋した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。

図１Ａ及び図１Ｂは、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物の概念図である。 図２は、実施の形態１の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。 図３は、図２に示した液晶表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図４は、図２に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図５は、図４に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図６は、図５に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図７は、実施の形態３の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。 図８は、実施の形態３の液晶表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。 図９は、実施の形態４の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。 図１０は、図２に示した液晶表示装置の回路構成図である。 図１１は、液晶分子のプレチルトを説明するための模式図である。 図１２Ａ及び図１２Ｂは、オーダーパラメータを説明するための模式的な断面図である。

以下、図面を参照して、実施の形態及び実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、実施の形態及び実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の液晶表示装置、全般に関する説明
２．実施の形態に基づく本開示の液晶表示装置の説明
３．実施例に基づく本開示の液晶表示装置の説明、その他

［本開示の液晶表示装置、全般に関する説明］
上記の目的を達成するための液晶表示装置を、その他、
一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、
一対の配向膜のうちの少なくとも一方は、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物（便宜上、『配向処理後・化合物』と呼ぶ）を含み、
液晶層を構成する液晶組成物は、上記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、
液晶分子は、変形した化合物（配向処理後・化合物）によってプレチルトが付与される液晶表示装置とすることもできる。このような液晶表示装置を、便宜上、『第１参考態様に係る液晶表示装置』と呼ぶ。また、上記の目的を達成するための液晶表示素子は、第１参考態様に係る液晶表示装置における液晶表示素子から成る。ここで、『感光性官能基』とは、エネルギー線を吸収することが可能な基を意味する。

第１参考態様に係る液晶表示装置にあっては、一対の配向膜のうちの少なくとも一方が、第２の側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物を含み、変形した化合物により液晶分子にプレチルトが付与される。このため、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保される。その上、変形した化合物によって液晶分子にプレチルトが付与されているため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度が早くなり、変形した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。

本開示の第１の態様に係る液晶表示装置は、
一対の基板の一方に、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成する工程と、
一対の基板の他方に、第２配向膜を形成する工程と、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含み、上記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む液晶組成物から構成された液晶層を封止する工程と、
液晶層を封止した後、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させて、液晶分子にプレチルトを付与する工程、
とを含む製造方法によって得ることができる。尚、このような液晶表示装置の製造方法を、便宜上、『第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法』と呼ぶ。

ここで、第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）においては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、紫外線を照射して高分子化合物（配向処理前・化合物）の第２の側鎖を架橋させる形態とすることができる。

そして、この場合、液晶分子を一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場を印加しながら紫外線を照射することが好ましく、更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されており、画素電極を有する基板側から紫外線を照射することがより好ましい。一般に、対向電極を有する基板側にはカラーフィルタが形成されており、このカラーフィルタによって紫外線が吸収され、配向膜材料の架橋性官能基の反応が生じ難くなる可能性があるが故に、上述したとおり、カラーフィルタが形成されていない画素電極を有する基板側から紫外線を照射することが一層好ましい。画素電極を有する基板側にカラーフィルタが形成されている場合、対向電極を有する基板側から紫外線を照射することが好ましい。尚、基本的に、プレチルトが付与されるときの液晶分子の方位角（偏角）は電場の方向によって規定され、極角（天頂角）は電場の強さによって規定される。後述する第１参考態様あるいは第２参考態様に係る液晶表示装置の製造方法においても、同様である。

このような第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、架橋性官能基を有する高分子化合物を含む第１配向膜を形成した後、第１配向膜及び第２配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第１配向膜及び第２配向膜により、全体として第１配向膜及び第２配向膜表面に対して所定の方向（例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向）に配列した状態となる。次いで、電場を印加しながら、架橋性官能基を反応させることにより高分子化合物を架橋させる。これにより、架橋した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。即ち、液晶分子が配列した状態で高分子化合物を架橋させることにより、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大掛かりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度が向上する。

また、第１参考態様に係る液晶表示装置は、
一対の基板の一方に、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成する工程と、
一対の基板の他方に、第２配向膜を形成する工程と、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含み、上記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む液晶組成物から構成された液晶層を封止する工程と、
液晶層を封止した後、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する工程、
とを含む製造方法によって得ることができる。尚、このような液晶表示装置の製造方法を、便宜上、『第１参考態様に係る液晶表示装置の製造方法』と呼ぶ。

ここで、第１参考態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）においては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、紫外線を照射して高分子化合物（配向処理前・化合物）の第２の側鎖を変形させる形態とすることができる。

第１参考態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、感光性官能基を有する高分子化合物を含む第１配向膜を形成した後、第１配向膜及び第２配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第１配向膜及び第２配向膜により、全体として第１配向膜及び第２配向膜表面に対して所定の方向（例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向）に配列した状態となる。次いで、電場を印加しながら、高分子化合物を変形させる。これにより、変形した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。即ち、液晶分子が配列した状態で高分子化合物を変形させることにより、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大掛かりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度が向上する。

あるいは又、本開示の第１の態様に係る液晶表示装置又は第１参考態様に係る液晶表示装置は、
一対の基板の一方に、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成する工程と、
一対の基板の他方に、第２配向膜を形成する工程と、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含み、上記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む液晶組成物から構成された液晶層を封止する工程と、
液晶層を封止した後、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する工程、
とを含む製造方法によって得ることができる。尚、このような液晶表示装置の製造方法を、便宜上、『第２参考態様に係る液晶表示装置の製造方法』と呼ぶ。ここで、エネルギー線として、紫外線、Ｘ線、電子線を挙げることができる。

第２参考態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）においては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、高分子化合物にエネルギー線として紫外線を照射する形態とすることができる。

第２参考態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する。即ち、液晶分子が配列した状態で高分子化合物の第２の側鎖を架橋あるいは変形させることにより、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大掛かりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度が向上する。

上記の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置あるいは第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『第１の態様』と呼ぶ場合があるし、上記の好ましい形態、構成を含む第１参考態様に係る液晶表示装置あるいは第１参考態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『第１参考態様』と呼ぶ場合があるし、上記の好ましい形態、構成を含む第２参考態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、単に、『第２参考態様』と呼ぶ場合がある。

第１の態様、第１参考態様、第２参考態様において、液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む形態とすることができるし、あるいは又、下記の一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む形態とすることができるし、あるいは又、下記の一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む形態とすることができるし、あるいは又、下記の一般式（ＡＮ−５−１）又は一般式（ＡＮ−５−２）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む形態とすることができる。液晶組成物中におけるアルケニル化合物は、例えば、ガスクロマトグラフィー装置を用いることで検出することができる。

但し、Ｒ_AN21は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN22は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。

但し、Ｒ_AN31は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN32は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。

但し、Ｒ_AN41は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN42は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。

但し、Ｒ_AN51は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN52は、炭素数１乃至１０のアルコキシ基であり、Ｌ₁，Ｌ₂は、それぞれ、独立に、フッ素原子又は塩素原子である。

尚、アルケニル化合物の組合せとして、例えば、
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−４）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−５−１）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）の組合せ
一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−５−１）の組合せ
一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）の組合せ
一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−５−１）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）の組合せ
一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
一般式（ＡＮ−２）と一般式（ＡＮ−３）と一般式（ＡＮ−４）と一般式（ＡＮ−５−１）と一般式（ＡＮ−５−２）の組合せ
を挙げることができる。

あるいは又、第１の態様、第１参考態様、第２参考態様において、液晶層を構成する液晶組成物は、少なくとも、電気的にネガティブなアルケニル化合物と、電気的にニュートラルなアルケニル化合物との混合物を含む形態とすることができる。ここで、電気的にネガティブなアルケニル化合物とは、アルケニル基を含み、負の誘電異方性を持つ化合物と定義することができるし、電気的にニュートラルなアルケニル化合物とは、アルケニル基を含み、誘電異方性を持たない化合物と定義することができる。

以上に説明した好ましい形態を含む第１の態様において、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖及び第２の側鎖のそれぞれは、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。尚、このような構造の概念図を、図１Ａに示すが、以下の説明において、第１の側鎖を「Ｌ」で表示し、第２の側鎖を「Ａ」で表示する場合がある。あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む第１参考態様において、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖及び第２の側鎖のそれぞれは、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む第２参考態様において、
高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖及び第２の側鎖のそれぞれは、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。

あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む第１の態様において、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖と第２の側鎖とは結合しており、
第１の側鎖又は第２の側鎖は、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。尚、このような構造の概念図を、図１Ｂに示す。あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む第１参考態様において、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖と第２の側鎖とは結合しており、
第１の側鎖又は第２の側鎖は、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む第２参考態様において、
高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖と第２の側鎖とは結合しており、
第１の側鎖又は第２の側鎖は、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。

そして、これらの場合、
第１の側鎖は、
（Ａ₁₁）_n11−Ｒ_SD11−（Ａ₁₂）_n12−Ｒ_SD12−Ｒ_SD13 （ＳＤ−１）
から成り、
Ａ₁₁及びＡ₁₂は、それぞれ、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は、−ＯＣＯ−であり、
ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ、０又は１であり、
Ｒ_SD11は、炭素数０乃至４０のアルキル基、又は、炭素数１乃至４０のフルオロアルキル基であり、
Ｒ_SD12は、少なくとも１つの環構造を含む２価の有機基であり、
Ｒ_SD13は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、カーボネート基を有する１価の基、若しくは、それらの誘導体である構成とすることができる。尚、Ａ₁₁は、Ｒ_SD11を他の部分と結合させる部分であり、Ａ₁₂は、Ｒ_SD11とＲ_SD12とを結合させる部分である。また、Ｒ_SD11は、所謂スペーサとして機能する。更には、Ｒ_SD12は、液晶分子と相互作用する部分であり、具体的には、メソゲン基から構成され、液晶性を発現するものでも、液晶性を発現しないものでもよく、あるいは又、液晶分子と同じ構造を有し、あるいは又、液晶分子に類似した構造を有し、より具体的な構造として、ステロイド誘導体、コレステロール誘導体、ビフェニル、トリフェニル、ナフタレン等を挙げることができる。また、Ｒ_SD13は末端基である。

更には、これらの場合、
第２の側鎖は、
（Ａ₂₁）_n21−Ｒ_SD21−（Ａ₂₂）_n22−Ｒ_SD22−Ｒ_SD23 （ＳＤ−２）
から成り、
Ａ₂₁及びＡ₂₂は、それぞれ、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は、−ＯＣＯ−であり、
ｎ２１及びｎ２２は、それぞれ、０又は１であり、
Ｒ_SD21は、炭素数０乃至４０のアルキル基、又は、炭素数１乃至４０のフルオロアルキル基であり、
Ｒ_SD22は、ビニル、アクリロイル、メタクリロイル、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール及びキトサンから成る群から選択された少なくとも１種類の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基であり、
Ｒ_SD23は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、カーボネート基を有する１価の基、若しくは、それらの誘導体である構成とすることができる。尚、Ａ₂₁は、Ｒ_SD21を他の部分と結合させる部分であり、Ａ₂₂は、Ｒ_SD21とＲ_SD22とを結合させる部分である。また、Ｒ_SD21は、所謂スペーサとして機能する。更には、Ｒ_SD22は、反応成分であり、Ｒ_SD23は末端基である。

更には、以上に説明した第１の態様、第１参考態様、第２参考態様の好ましい各種構成において、主鎖は、ポリイミド構造を有し（即ち、主鎖は繰り返し単位中にイミド結合を含み）、又は、ポリシロキサン構造を有し、又は、ポリアミック酸から成る構成とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む第１の態様、第１参考態様、第２参考態様においては、電極に形成されたスリット部又は基板に設けられた突起から成る配向規制部が設けられている形態とすることができる。あるいは又、電極に形成された凹凸部から成る配向規制部が設けられている形態とすることができる。また、第１配向膜の表面粗さＲａは１ｎｍ以下であり、あるいは又、一対の配向膜のうちの少なくとも一方の表面粗さＲａは１ｎｍ以下である形態とすることができる。ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に規定されている。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む第１の態様、第１参考態様、第２参考態様において、第２配向膜は第１配向膜を構成する高分子化合物（配向処理前・化合物）から成り、あるいは又、一対の配向膜は同じ組成を有する形態とすることができる。但し、第１の態様、第１参考態様、第２参考態様において規定される高分子化合物（配向処理前・化合物）から構成される限り、一対の配向膜は、異なる組成を有する構成としてもよいし、第２配向膜は、第１配向膜を構成する高分子化合物（配向処理前・化合物）とは異なる高分子化合物から成る構成としてもよい。また、高分子化合物（配向処理後・化合物）は、液晶分子を一対の基板に対して所定の方向に配列させる構造を含む形態とすることができる。更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されている形態とすることができる。

配向膜材料中あるいは配向膜中における配向処理前・化合物あるいは配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体（後述する）の含有量を、１質量％以上、３０質量％以下とすることが好ましく、３質量％以上、１０質量％以下とすることがより好ましい。また、配向膜材料には、必要に応じて、光重合開始剤等を混合してもよい。

［主鎖に関する説明］
以下、高分子化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）を構成する主鎖に関する説明を行う。

配向処理前・化合物は、主鎖として耐熱性が高い構造を含むことが好ましい。これにより、液晶表示装置（液晶表示素子）が高温環境下に曝されても、配向膜中の配向処理後・化合物が液晶分子に対する配向規制能を維持するため、応答特性と共にコントラスト等の表示特性が良好に維持され、信頼性が確保される。ここで、主鎖は、例えば、上述したとおり、繰り返し単位中にイミド結合を含むことが好ましい。主鎖中にイミド結合を含む配向処理前・化合物として、例えば、式（１）で表されるポリイミド構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（１）に示すポリイミド構造を含む高分子化合物は、式（１）に示すポリイミド構造のうちの１種から構成されていてもよいし、複数種がランダムに連結して含まれていてもよいし、式（１）に示す構造の他に、他の構造を含んでいてもよい。

ここで、Ｒ１は４価の有機基であり、Ｒ２は２価の有機基であり、ｎ１は１以上の整数である。

式（１）におけるＲ１及びＲ２は、炭素を含んで構成された４価あるいは２価の基であれば任意であるが、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか一方に、第２の側鎖としての架橋性官能基を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。

配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体が、式（１）に示したポリイミド構造を含む場合、このような高分子化合物前駆体として、ポリアミック酸を挙げることができる。高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸は、例えば、ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させて合成される。ここで用いるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一方が、架橋性官能基を有している。ジアミン化合物として、例えば、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１５）で表される架橋性官能基を有する化合物が挙げられ、テトラカルボン酸二無水物として、式（ａ−１）〜式（ａ−１０）で表される架橋性官能基を有する化合物が挙げられる。

ここで、Ｘ１〜Ｘ４は単結合あるいは２価の有機基である。

ここで、Ｘ５〜Ｘ７は単結合あるいは２価の有機基である。

また、配向処理前・化合物が垂直配向誘起構造部を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−３６）で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物や、テトラカルボン酸二無水物として式（ｂ−１）〜式（ｂ−３）で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物を用いてもよい。

ここで、ａ４〜ａ６は０以上、２１以下の整数である。

ここで、ａ４は０以上、２１以下の整数である。

ここで、ａ４は０以上、２１以下の整数である。

また、高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−２０）で表される基を有する化合物を用いてもよい。

あるいは又、高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式（Ｄ−１）〜式（Ｄ−７）で表される基を有する化合物を用いてもよい。

ここで、ｎは３以上、２０以下の整数である。

更に、配向処理前・化合物が式（１）におけるＲ２として垂直配向誘起構造部を含む構造と、架橋性官能基を含む構造との２種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１５）に示した架橋性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−３６）、式（ｂ−１）〜式（ｂ−３）に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。尚、式（Ｅ−２３）におけるＲ１及びＲ２は、同一又は異なるアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、ハロゲン原子の種類は任意である。

ここで、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。

また、配向処理前・化合物が式（１）におけるＲ２として２種の構造を含むように、高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１５）に示した架橋性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−２０）に示した化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）に示したテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。

あるいは又、配向処理前・化合物が式（１）におけるＲ２として２種の構造を含むように、高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１５）に示した架橋性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｄ−１）〜式（Ｄ−７）に示した化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。

配向処理前・化合物は、液晶分子を基板面に対して垂直方向に配向させるための構造（以下、『垂直配向誘起構造部』と呼ぶ）を含んでいることが好ましい。配向膜が配向処理後・化合物とは別に垂直配向誘起構造部を有する化合物（所謂、通常の垂直配向剤）を含まなくても、液晶分子全体の配向規制が可能になるからである。その上、垂直配向誘起構造部を有する化合物を別に含む場合よりも、液晶層に対する配向規制機能をより均一に発揮可能な配向膜が形成され易いからである。垂直配向誘起構造部は、配向処理前・化合物においては、主鎖に含まれていてもよいし、第２の側鎖に含まれていてもよいし、双方に含まれていてもよい。また、配向処理前・化合物が上記した式（１）に示したポリイミド構造を含む場合、Ｒ２として垂直配向誘起構造部を含む構造（繰り返し単位）と、Ｒ２として架橋性官能基を含む構造（繰り返し単位）との２種の構造を含んでいることが、容易に入手可能であるといった観点から、好ましい。尚、垂直配向誘起構造部は、配向処理前・化合物に含まれていれば、配向処理後・化合物においても含まれる。

垂直配向誘起構造部として、例えば、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のハロゲン化アルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基、炭素数１０以上のハロゲン化アルコキシ基あるいは環構造を含む有機基等が挙げられる。具体的には、垂直配向誘起構造部を含む構造として、例えば、式（１１−１）〜式（１１−６）で表される構造等が挙げられる。但し、式（１１−１）〜式（１１−６）で表される構造は、第１の側鎖（Ｌ）として機能させることもできる。

ここで、Ｙ１は炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基である。また、Ｙ２〜Ｙ１５は水素原子、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基であり、Ｙ２及びＹ３のうちの少なくとも一方、Ｙ４〜Ｙ６のうちの少なくとも１つ、Ｙ７及びＹ８のうちの少なくとも一方、Ｙ９〜Ｙ１２のうちの少なくとも１つ、及び、Ｙ１３〜Ｙ１５のうちの少なくとも１つは、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基である。但し、Ｙ１１及びＹ１２は結合して環構造を形成してもよい。

また、垂直配向誘起構造部としての環構造を含む１価の有機基として、例えば、式（１２−１）〜式（１２−２３）で表される基等が挙げられる。垂直配向誘起構造部としての環構造を含む２価の有機基として、例えば、式（１３−１）〜式（１３−７）で表される基等が挙げられる。但し、式（１２−１）〜式（１２−２３）、式（１３−１）〜式（１３−７）で表される構造は、第１の側鎖（Ｌ）として機能させることもできる。

ここで、ａ１〜ａ３は０以上、２１以下の整数である。

ここで、ａ１は０以上、２１以下の整数である。

尚、垂直配向誘起構造部は、液晶分子を基板面に対して垂直方向に配列させるように機能する構造を含んでいれば、上記した基に限定されない。また、配向膜は、上記した配向処理後・化合物の他に、他の垂直配向剤を含んでいてもよい。他の垂直配向剤として、垂直配向誘起構造部を有するポリイミドや、垂直配向誘起構造部を有するポリシロキサン等が挙げられる。

配向処理後・化合物は、未反応の架橋性官能基を含んでいてもよいが、駆動中に反応した場合に液晶分子の配向を乱す虞があるため、未反応の架橋性官能基は少ない方が好ましい。配向処理後・化合物が未反応の架橋性官能基を含んでいるか否かは、例えば、液晶表示装置を解体して、配向膜を透過型又は反射型のＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）で分析することにより確認することができる。具体的には、先ず、液晶表示装置を解体し、配向膜の表面を有機溶媒等により洗浄する。この後、配向膜をＦＴ−ＩＲで分析することによって、例えば、架橋構造を形成する二重結合が配向膜中に残留していれば、二重結合に由来する吸収スペクトルが得られ、未反応の架橋性官能基の存在を確認することができる。

前述したとおり、第２の側鎖は、式（ＳＤ−２）で表すことができる。
（Ａ₂₁）_n21−Ｒ_SD21−（Ａ₂₂）_n22−Ｒ_SD22−Ｒ_SD23 （ＳＤ−２）

ここで、式（ＳＤ−２）にて示される第２の側鎖の具体的な構造として、例えば、式（２１−１）〜式（２１−２７）で表される基を有する化合物を挙げることができるし、以下の式（Ｆ−１）〜式（Ｆ−１８）で表される基を有する化合物をあげることもできる。

［本開示の液晶表示装置に関する説明］
次に、本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）における共通の構成、構造を説明する。第１の態様及び第１参考態様に係る液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の模式的な一部断面図を、図２に示す。この液晶表示装置は、一対の基板２０，３０の対向面側に設けられた一対の配向膜２２，３２と、一対の配向膜２２，３２の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶組成物から構成された液晶層４０とを有する液晶表示素子を備えている。

具体的には、液晶表示装置は、複数の画素１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・）を有している。この液晶表示装置（液晶表示素子）においては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板２０とＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板３０との間に、配向膜２２，３２を介して液晶分子４１を含む液晶層４０が設けられている。この液晶表示装置（液晶表示素子）は、所謂透過型であり、表示モードは垂直配向（ＶＡ）モードである。図２では、駆動電圧が印加されていない非駆動状態を表している。

ＴＦＴ基板２０には、ガラス基板２０ＡのＣＦ基板３０と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されている。更に、複数の画素電極２０Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等（図示せず）が設けられている。画素電極２０Ｂは、ガラス基板２０Ａ上に画素分離部５０によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有するスリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、スリット部２１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための配向規制部であり、ここでは、このスリット部２１によって駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子４１の方位角は電場の方向によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。スリット部２１の代わりに、画素電極２０Ｂに、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する凹凸部を設けてもよい。

ＣＦ基板３０には、ガラス基板３０ＡのＴＦＴ基板２０との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のストライプ状のカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極３０Ｂとが配置されている。対向電極３０Ｂは、画素電極２０Ｂと同様に、例えばＩＴＯ等の透明性を有する材料により構成されている。

配向膜２２は、ＴＦＴ基板２０の液晶層４０側の表面に画素電極２０Ｂ及びスリット部２１（あるいは凹凸部）を覆うように設けられている。配向膜３２は、ＣＦ基板３０の液晶層４０側の表面に対向電極３０Ｂを覆うように設けられている。配向膜２２，３２は、液晶分子４１の配向を規制するものであり、ここでは、液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配向させると共に、基板近傍の液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）に対してプレチルトを付与する機能を有している。尚、図２に示す液晶表示装置（液晶表示素子）にあっては、ＣＦ基板３０の側には、スリット部は設けられていない。

図１０は、図２に示した液晶表示装置の回路構成を表している。

図１０に示すように、液晶表示装置は、表示領域６０内に設けられた複数の画素１０を有する液晶表示素子を含んで構成されている。この液晶表示装置では、表示領域６０の周囲には、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２を制御するタイミングコントローラ６３と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２に電力を供給する電源回路６４とが設けられている。

表示領域６０は、映像が表示される領域であり、複数の画素１０がマトリックス状に配列されることにより映像を表示可能に構成された領域である。尚、図１０では、複数の画素１０を含む表示領域６０を示しているほか、４つの画素１０に対応する領域を別途拡大して示している。

表示領域６０では、行方向に複数のソース線７１が配列されていると共に、列方向に複数のゲート線７２が配列されており、ソース線７１及びゲート線７２が互いに交差する位置に画素１０がそれぞれ配置されている。各画素１０は、画素電極２０Ｂ及び液晶層４０と共に、トランジスタ１２１及びキャパシタ１２２を含んで構成されている。各トランジスタ１２１では、ソース電極がソース線７１に接続され、ゲート電極がゲート線７２に接続され、ドレイン電極がキャパシタ１２２及び画素電極２０Ｂに接続されている。各ソース線７１は、ソースドライバ６１に接続されており、ソースドライバ６１から画像信号が供給される。各ゲート線７２は、ゲートドライバ６２に接続されており、ゲートドライバ６２から走査信号が順次供給される。

ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２は、複数の画素１０の中から特定の画素１０を選択する。

タイミングコントローラ６３は、例えば、画像信号（例えば、赤、緑、青に対応するＲＧＢの各映像信号）と、ソースドライバ６１の動作を制御するためのソースドライバ制御信号とを、ソースドライバ６１に出力する。また、タイミングコントローラ６３は、例えば、ゲートドライバ６２の動作を制御するためのゲートドライバ制御信号をゲートドライバ６２に出力する。ソースドライバ制御信号として、例えば、水平同期信号、スタートパルス信号あるいはソースドライバ用のクロック信号等が挙げられる。ゲートドライバ制御信号として、例えば、垂直同期信号や、ゲートドライバ用のクロック信号等が挙げられる。

この液晶表示装置では、以下の要領で画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に駆動電圧を印加することにより、映像が表示される。具体的には、ソースドライバ６１が、タイミングコントローラ６３からのソースドライバ制御信号の入力により、同じくタイミングコントローラ６３から入力された画像信号に基づいて所定のソース線７１に個別の画像信号を供給する。これと共に、ゲートドライバ６２が、タイミングコントローラ６３からのゲートドライバ制御信号の入力により所定のタイミングでゲート線７２に走査信号を順次供給する。これにより、画像信号が供給されたソース線７１と走査信号が供給されたゲート線７２との交差領域に位置する画素１０が選択され、画素１０に駆動電圧が印加される。

次に、実施の形態及び実施例に基づき、本開示の液晶表示装置を説明する。

［実施の形態１］
実施の形態１は、本開示の第１の態様に係るＶＡモードの液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）、並びに、第１の態様、及び、第２参考態様に係る液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の製造方法に関する。

実施の形態１にあっては、一対の配向膜２２，３２のうちの少なくとも一方は、液晶分子４１と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物（配向処理後・化合物）を含み、液晶層４０を構成する液晶組成物は、上述した一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、液晶分子４１には、架橋した化合物（配向処理後・化合物）によってプレチルトが付与される。尚、第１の側鎖、第２の側鎖、一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物等の具体例に関しては、実施例において説明する。

ここで、配向処理後・化合物は、主鎖、第１の側鎖及び第２の側鎖を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）の１種あるいは２種以上を含む状態で配向膜２２，３２を形成した後、液晶層４０を設け、次いで、高分子化合物を架橋させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、より具体的には、電場又は磁場を印加しながら架橋性官能基を反応させることにより生成される。そして、配向処理後・化合物は、液晶分子４１を一対の基板（具体的には、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向）に配列させる構造を含んでいる。このように、高分子化合物を架橋させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後・化合物が配向膜２２，３２中に含まれることにより、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与できるため、応答速度が早くなり、表示特性が向上する。

配向処理前・化合物にあっては、複数種の第２の側鎖が主鎖に結合していてもよい。あるいは又、複数種の側鎖が主鎖に結合しており、そのうちの少なくとも１つの側鎖が第２の側鎖であってもよい。即ち、配向処理前・化合物は、架橋性を有する第２の側鎖の他に、架橋性を示さない側鎖を含んでいてもよい。架橋性官能基を含む第２の側鎖は、１種であってもよいし、複数種であってもよい。架橋性官能基は、液晶層４０を形成した後に架橋反応可能な官能基であれば任意であり、光反応によって架橋構造を形成する基であってもよいし、熱反応によって架橋構造を形成する基であってもよいが、中でも、光反応によって架橋構造を形成する、光反応性の架橋性官能基（感光性を有する感光基）が好ましい。液晶分子４１の配向を所定の方向に規制し易く、応答特性が向上すると共に良好な表示特性を有する液晶表示装置（液晶表示素子）の製造が容易になるからである。光反応性の架橋性官能基（感光性を有する感光基であり、例えば、光二量化感光基）として、例えば、ビニル、アクリロイル、メタクリロイル、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、及び、キトサンのうちのいずれか１種の構造を含む基が挙げられる。尚、『架橋性官能基』には、光二量化反応を示す架橋性官能基だけでなく、重合反応を示す架橋性官能基も包含される。云い換えれば、本開示にあっては、『架橋』という概念には、光二量化反応だけでなく重合反応も含まれる。

液晶層４０は、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含んでいる。液晶分子４１は、例えば、互いに直交する長軸及び短軸をそれぞれ中心軸として回転対称な形状をなし、負の誘電率異方性を有している。

液晶分子４１は、配向膜２２との界面近傍において、配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａと、配向膜３２との界面近傍において配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂと、それら以外の液晶分子４１Ｃとに分類することができる。液晶分子４１Ｃは、液晶層４０の厚み方向における中間領域に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ｃの長軸方向（ダイレクタ）がガラス基板２０Ａ，３０Ａに対してほぼ垂直になるように配列されている。ここで、駆動電圧がオンになると、液晶分子４１Ｃのダイレクタがガラス基板２０Ａ，３０Ａに対して平行になるように傾いて配向する。このような挙動は、液晶分子４１Ｃにおいて、長軸方向の誘電率が短軸方向よりも小さいという性質を有することに起因している。液晶分子４１Ａ，４１Ｂも同様の性質を有することから、駆動電圧のオン・オフの状態変化に応じて、基本的には、液晶分子４１Ｃと同様の挙動を示す。但し、駆動電圧がオフの状態において、液晶分子４１Ａは配向膜２２によってプレチルトθ₁が付与され、そのダイレクタがガラス基板２０Ａ，３０Ａの法線方向から傾斜した姿勢となる。同様に、液晶分子４１Ｂは配向膜３２によってプレチルトθ₂が付与され、そのダイレクタがガラス基板２０Ａ，３０Ａの法線方向から傾斜した姿勢となる。尚、ここで、「保持される」とは、配向膜２２，３２と液晶分子４１Ａ，４１Ｃとが固着せずに、液晶分子４１の配向を規制していることを表している。また、「プレチルトθ（θ₁，θ₂）」とは、図１１に示すように、ガラス基板２０Ａ，３０Ａの表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度を指す。

液晶層４０では、プレチルトθ₁，θ₂の双方が０°よりも大きな値を有している。この液晶層４０では、プレチルトθ₁，θ₂は、同じ角度（θ₁＝θ₂）であってもよいし、異なる角度（θ₁≠θ₂）であってもよいが、中でも、プレチルトθ₁，θ₂は、異なる角度であることが好ましい。これにより、プレチルトθ₁，θ₂の双方が０°である場合よりも駆動電圧の印加に対する応答速度が向上すると共に、プレチルトθ₁，θ₂の双方が０°である場合とほぼ同等のコントラストを得ることができる。よって、応答特性を向上させつつ、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを向上させることができる。プレチルトθ₁，θ₂を異なる角度とする場合、プレチルトθ₁，θ₂のうちの大きい方のプレチルトθは、１°以上、４°以下であることがより望ましい。大きい方のプレチルトθを上記した範囲内にすることにより、特に、高い効果が得られる。

次に、上記の液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法について、図３に表したフローチャートと共に、図４、図５及び図６に表した液晶表示装置等の模式的な一部断面図を参照して説明する。尚、図４、図５及び図６では、簡略化のため、一画素分についてのみ示す。

最初に、ＴＦＴ基板２０の表面に配向膜２２を形成すると共に、ＣＦ基板３０の表面に配向膜３２を形成する（ステップＳ１０１）。

具体的には、先ず、ガラス基板２０Ａの表面に、所定のスリット部２１（あるいは凹凸部）を有する画素電極２０Ｂを例えばマトリクス状に設けることによりＴＦＴ基板２０を作製する。また、カラーフィルタが形成されたガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、対向電極３０Ｂを設けることによりＣＦ基板３０を作製する。

一方、例えば、配向処理前・化合物あるいは配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体と、溶剤と、必要に応じて垂直配向剤とを混合することにより液状の配向膜材料を調製する。

そして、調製した配向膜材料を、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、画素電極２０Ｂ及びスリット部２１（あるいは凹凸部）、並びに、対向電極３０Ｂを覆うように塗布あるいは印刷した後、加熱処理をする。加熱処理の温度は８０゜Ｃ以上が好ましく、１５０゜Ｃ以上、２００゜Ｃ以下とすることがより好ましい。また、加熱処理は、加熱温度を段階的に変化させてもよい。これにより、塗布あるいは印刷された配向膜材料に含まれる溶剤が蒸発し、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）を含む配向膜２２，３２が形成される。この後、必要に応じて、ラビング等の処理を施してもよい。

次に、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを配向膜２２と配向膜３２とが対向するように配置し、配向膜２２と配向膜３２との間に液晶層４０を封止する（ステップＳ１０２）。具体的には、ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０のどちらか一方の、配向膜２２，３２の形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いてシール部を印刷する。この後、図４に示すように、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを、配向膜２２，３２が対向するように、スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせ、液晶組成物（液晶材料）を注入する。その後、加熱するなどしてシール部の硬化を行うことにより、液晶組成物をＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に封止する。図４は、配向膜２２及び配向膜３２の間に封止された液晶層４０の断面構成を表している。

次に、図５に示すように、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、電圧印加手段１を用いて、電圧Ｖ１を印加する（ステップＳ１０３）。電圧Ｖ１は、例えば、５ボルト〜３０ボルトである。これにより、ガラス基板２０Ａ，３０Ａの表面に対して所定の角度をなす方向の電場（電界）が生じ、液晶分子４１が、ガラス基板２０Ａ，３０Ａの垂直方向から所定方向に傾いて配向する。即ち、このときの液晶分子４１の方位角（偏角）は電場の方向によって規定され、極角（天頂角）は電場の強さによって規定される。そして、液晶分子４１の傾斜角と、後述する工程で、配向膜２２との界面近傍において配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａ及び配向膜３２との界面近傍において配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂに付与されるプレチルトθ₁，θ₂は、概ね等しくなる。従って、電圧Ｖ１の値を、適宜、調節することにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルトθ₁，θ₂の値を制御することが可能である。

更に、図６に示すように、電圧Ｖ１を印加した状態のまま、エネルギー線（具体的には紫外線ＵＶ）を、例えば、ＴＦＴ基板２０の外側から配向膜２２，３２に対して照射する。即ち、液晶分子４１を一対の基板２０，３０の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層４０に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物が有する架橋性官能基を反応させ、配向処理前・化合物を架橋させる（ステップＳ１０４）。こうして、配向処理後・化合物により液晶分子４１の応答すべき方向が記憶され、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１にプレチルトが付与される。そして、この結果、配向膜２２，３２中において配向処理後・化合物が形成され、非駆動状態において、液晶層４０における配向膜２２，３２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂにプレチルトθ₁，θ₂が付与される。紫外線ＵＶとして、波長３６５ｎｍ程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子４１が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線ＵＶをＴＦＴ基板２０の外側から照射したが、ＣＦ基板３０の外側から照射してもよく、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線ＵＶを照射することが好ましい。また、ＣＦ基板３０の外側から紫外線ＵＶを照射した場合、紫外線ＵＶの波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて架橋反応し難くなる虞がある。このため、ＴＦＴ基板２０の外側（画素電極を有する基板側）から照射することが好ましい。

以上の工程により、図２に示した液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。

液晶表示装置（液晶表示素子）の動作にあっては、選択された画素１０では、駆動電圧が印加されると、液晶層４０に含まれる液晶分子４１の配向状態が、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間の電位差に応じて変化する。具体的には、液晶層４０では、図２に示した駆動電圧の印加前の状態から、駆動電圧が印加されることにより、配向膜２２，３２の近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂが自らの傾き方向に倒れ、且つ、その動作がその他の液晶分子４１Ｃに伝播する。その結果、液晶分子４１は、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に対してほぼ水平（平行）となる姿勢をとるように応答する。これにより、液晶層４０の光学的特性が変化し、液晶表示素子への入射光が変調された出射光となり、この出射光に基づいて階調表現されることで、映像が表示される。

ここで、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子及びそれを備えた液晶表示装置では、液晶分子の配向を規制するためのスリット部等の配向規制部が基板に設けられていても、駆動電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子は、そのダイレクタが基板の面内方向において任意の方位を向くように倒れる。このように駆動電圧に応答した液晶分子では、各液晶分子のダイレクタの方位がぶれた状態となり、全体としての配向に乱れが生じる。これにより、応答速度が遅くなり、応答特性が劣化し、その結果、表示特性を悪化させるという問題がある。また、初期の駆動電圧を表示状態の駆動電圧よりも高く設定して駆動（オーバードライブ駆動）させると、初期駆動電圧印加時において、応答した液晶分子と、殆ど応答していない液晶分子とが存在し、それらの間でダイレクタの傾きに大きな差が生じる。その後に表示状態の駆動電圧が印加されると、初期駆動電圧印加時に応答した液晶分子は、その動作が他の液晶分子に対して殆ど伝播しないうちに、表示状態の駆動電圧に応じたダイレクタの傾きとなり、この傾きが他の液晶分子に伝播する。その結果、画素全体として、初期駆動電圧印加時に表示状態の輝度に達するが、その後、輝度が低下し、再度、表示状態の輝度に達する。即ち、オーバードライブ駆動すれば、オーバードライブ駆動しない場合よりも見かけの応答速度は早くなるが、十分な表示品位が得られ難いという問題がある。尚、これらの問題は、ＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示素子では生じ難く、ＶＡモードの液晶表示素子において特有の問題と考えられる。

これに対して、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法では、上記した配向膜２２，３２が液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して所定のプレチルトθ₁，θ₂を付与する。これにより、プレチルト処理が全く施されていない場合の問題が生じ難くなり、駆動電圧に対する応答速度が大幅に向上し、オーバードライブ駆動時における表示品位も向上する。その上、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のうちの少なくとも一方には、液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部としてスリット部２１（あるいは凹凸部）が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上する。

また、従来の液晶表示装置の製造方法（光配向膜技術）では、配向膜は、基板面上に設けられた所定の高分子材料を含む前駆体膜に対して直線偏光の光や基板面に対する斜め方向の光（以下、『斜め光』と呼ぶ）を照射して形成され、これによりプレチルト処理が施される。このため、配向膜を形成する際に、直線偏光の光を照射する装置や、斜め光を照射する装置といった大掛かりな光照射装置が必要とされるという問題がある。また、より広い視野角を実現するためのマルチドメインを有する画素の形成には、より大掛かりな装置が必要とされる上、製造工程が複雑になるという問題もある。特に、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、基板上にスペーサ等の構造物あるいは凹凸があると、構造物等の陰になり、斜め光が届かない領域が生じ、この領域において液晶分子に対する所望の配向規制が難しくなる。この場合、例えば、画素内にマルチドメインを設けるためにフォトマスクを用いて斜め光を照射するには、光の回り込みを考慮した画素設計が必要となる。即ち、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、高精細な画素形成が難しいという問題もある。

更に、従来の光配向膜技術の中でも、高分子材料として架橋性高分子化合物を用いる場合、前駆体膜中において架橋性高分子化合物に含まれる架橋性官能基は、熱運動によりランダムな方位（方向）を向いているため、架橋性官能基同士の物理的距離が近づく確率が低くなる。その上、ランダム光（非偏光）を照射した場合、架橋性官能基同士の物理的距離が近づくことにより反応するが、直線偏光の光を照射して反応する架橋性官能基は、偏光方向と反応部位の方向とが所定の方向に揃う必要がある。また、斜め光は、垂直光と比較して、照射面積が広がる分だけ、単位面積当たりの照射量が低下する。即ち、直線偏光の光あるいは斜め光に反応する架橋性官能基の割合は、ランダム光（非偏光）を基板面に対して垂直方向から照射した場合と比較して低くなる。よって、形成された配向膜中における架橋密度（架橋度合い）が低くなり易い。

これに対して、実施の形態１では、配向処理前・化合物を含む配向膜２２，３２を形成した後、配向膜２２と配向膜３２の間に液晶層４０を封止する。次いで、液晶層４０に電圧を印加することにより、液晶分子４１が所定の配向をとると共に、液晶分子４１によって架橋性官能基の向きが整えられながら（即ち、液晶分子４１によって、基板あるいは電極に対する第２の側鎖の方向、更には、第１の側鎖の方向が規定されながら）、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋させる。これにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂにプレチルトθを付与する配向膜２２，３２を形成することができる。即ち、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法によれば、大掛かりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることができる。その上、配向処理前・化合物を架橋させる際に、紫外線の照射方向に依存することなく液晶分子４１に対してプレチルトθを付与することができるため、高精細な画素を形成することができる。更に、配向処理前・化合物において架橋性官能基の向きが整った状態で配向処理後・化合物が生成するため、配向処理後・化合物の架橋度合いは、上記の従来の製造方法による配向膜よりも高くなっていると考えられる。よって、長時間駆動しても、駆動中に架橋構造が新たに形成され難いため、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルトθ₁，θ₂が製造時の状態に維持され、信頼性を向上させることもできる。

この場合において、実施の形態１では、配向膜２２，３２の間に液晶層４０を封止した後、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋させているため、液晶表示素子の駆動時の透過率を連続的に増加するように変化させることができる。

詳細には、従来の光配向膜技術を用いた場合、図１２Ａに示すように、プレチルト処理を施すために照射した斜め光Ｌの一部がガラス基板３０の裏面で反射するため、液晶分子４１の一部（４１Ｐ）ではプレチルトの方向が乱れてしまう。この場合、一部の液晶分子４１のプレチルトの方向が他の液晶分子４１のプレチルトの方向からずれてしまうため、液晶分子４１の配向状態（配向状態がどれぐらい均一であるか）を表す指標であるオーダーパラメータが小さくなる。これにより、液晶表示素子の駆動時の初期において、プレチルトの方向がずれている一部の液晶分子４１Ｐが他の液晶分子４１とは異なる挙動を示し、他の液晶分子４１とは異なる方向に配向することにより、透過率が高くなる。しかし、その後、他の液晶分子４１の配向と揃うように液晶分子４１Ｐが配向しようとするため、一時的に傾いた液晶分子４１Ｐのダイレクタ方向が基板面に対して垂直になった後に、他の液晶分子４１のダイレクタ方向と揃うことになる。このため、液晶表示素子の透過率が連続的に増加せず、局所的に減少する可能性がある。

これに対して、液晶層４０を封止した後に配向処理前・化合物の架橋反応によりプレチルト処理が施される実施の形態１では、スリット部２１等の液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部によって、駆動時の液晶分子４１の配向方向に応じて、プレチルトが付与される。よって、図１２Ｂに示すように、液晶分子４１のプレチルトの方向が揃い易いため、オーダーパラメータが大きくなる（１に近づく）。これにより、液晶表示素子の駆動時において、液晶分子４１が均一な挙動を示すため、透過率が連続的に増加する。

更に、他の従来の液晶表示素子の製造方法では、光重合性を有するモノマー等を含む液晶材料を用いて液晶層を形成した後、モノマーを含んだ状態で、液晶層中の液晶分子を所定の配向させながら光照射してモノマーを重合させる。このようにして形成されたポリマーが、液晶分子に対してプレチルトを付与している。ところが、製造された液晶表示素子では、未反応の光重合性のモノマーが液晶層中に残留し、信頼性を低下させるという問題がある。また、未反応のモノマーを少なくするためには光照射時間を長くする必要があり、製造に要する時間（タクト）が長くなるという問題もある。

これに対して、実施の形態１では、上記したようにモノマーを添加した液晶組成物（液晶材料）を用いて液晶層を形成しなくても、配向膜２２，３２が液晶層４０中の液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対してプレチルトθ₁，θ₂を付与するため、信頼性を向上させることができる。更に、タクトが長くなることも抑制することができる。更に、ラビング処理といった従来の液晶分子に対するプレチルトを付与する技術を用いなくても、良好に液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対してプレチルトθを付与できる。このため、ラビング処理の問題点である、配向膜に傷が付くラビング傷によるコントラストの低下や、ラビング時の静電気による配線の断線や、異物による信頼性等の低下が生じることもない。

実施の形態１では、主にポリイミド構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物を含有する配向膜２２，３２を用いた場合について説明したが、配向処理前・化合物が有する主鎖は、ポリイミド構造を含むものに限定されない。例えば、主鎖が、ポリシロキサン構造、ポリアクリレート構造、ポリメタクリレート構造、マレインイミド重合体構造、スチレン重合体構造、スチレン／マレインイミド重合体構造、ポリサッカライド構造又はポリビニルアルコール構造等を含んでいてもよく、中でも、ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物が好ましい。また、主鎖を構成する化合物のガラス転移温度Ｔ_gは２００゜Ｃ以上であることが望ましい。上記したポリイミド構造を含む高分子化合物と同様の効果が得られるからである。ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物として、例えば、式（２）で表されるポリシラン構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（２）におけるＲ１０及びＲ１１は、炭素を含んで構成された１価の基であれば任意であるが、Ｒ１０及びＲ１１のうちのいずれか一方に、第２の側鎖としての架橋性官能基を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。

ここで、Ｒ１０及びＲ１１は１価の有機基であり、ｍ１は１以上の整数である。

更に、実施の形態１では、画素電極２０Ｂにスリット部２１（あるいは凹凸部）を設けることにより、配向分割させて視野角特性を向上させるようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、スリット部２１の代わりに、画素電極２０Ｂと配向膜２２との間に、配向規制部としての突起を設けてもよい。このように突起を設けることによっても、スリット部２１を設けた場合と同様の効果を得ることができる。更に、ＣＦ基板３０の対向電極３０Ｂと配向膜３２との間にも、配向規制部としての突起を設けてもよい。この場合、ＴＦＴ基板２０上の突起とＣＦ基板３０上の突起とは、基板間で対向しないように配置されている。この場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。

次に、他の実施の形態について説明するが、実施の形態１と共通の構成要素については、同一の符号を付して説明は省略する。また、実施の形態１と同様の作用及び効果についても、適宜、省略する。更には、実施の形態１において説明した以上の各種の技術的事項は、適宜、他の実施の形態にも適用される。

［実施の形態２］
実施の形態２は、実施の形態１の変形である。実施の形態１では、配向膜２２，３２をその近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルトθ₁，θ₂がほぼ同一となるように形成した液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、実施の形態２にあっては、プレチルトθ₁とプレチルトθ₂とを異ならせる。

具体的には、実施の形態２にあっては、先ず、上記したステップＳ１０１と同様にして、配向膜２２を有するＴＦＴ基板２０及び配向膜３２を有するＣＦ基板３０を作製する。次に、液晶層４０中に、例えば、紫外線吸収剤を含ませて封止する。続いて、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に所定の電圧を印加してＴＦＴ基板２０側から紫外線を照射して、配向膜２２中の配向処理前・化合物を架橋させる。この際、液晶層４０中に紫外線吸収剤が含まれているので、ＴＦＴ基板２０側から入射した紫外線は、液晶層４０中の紫外線吸収剤に吸収され、ＣＦ基板３０側には殆ど到達しない。このため、配向膜２２中において、配向処理後・化合物が生成される。続いて、上記の所定の電圧とは異なる電圧を画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に印加し、ＣＦ基板３０側から紫外線を照射して配向膜３２中の配向処理前・化合物を反応させ、配向処理後・化合物を形成する。これにより、ＴＦＴ基板２０側から紫外線を照射する場合に印加する電圧と、ＣＦ基板３０側から紫外線を照射する場合に印加する電圧とに応じて、配向膜２２，３２の近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルトθ₁，θ₂が設定可能となる。よって、プレチルトθ₁とプレチルトθ₂とを異ならせることができる。但し、ＴＦＴ基板２０にはＴＦＴスイッチング素子や各種バスラインが設けられており、駆動時には種々の横電場が生じている。このことから、ＴＦＴ基板２０の側の配向膜２２を、その近傍に位置する液晶分子４１Ａのプレチルトθ₁が配向膜３２近傍に位置する液晶分子４１Ｂのプレチルトθ₂よりも大きくなるように形成することが望ましい。これにより、横電場による液晶分子４１Ａの配向乱れを効果的に低減することができる。

［実施の形態３］
実施の形態３は、実施の形態１〜実施の形態２の変形である。実施の形態３に係る液晶表示装置（液晶表示素子）の模式的な一部断面図を図７に示す。実施の形態３では、実施の形態１と異なり、配向膜２２が、配向処理後・化合物を含まずに構成されている。即ち、実施の形態３にあっては、配向膜３２近傍に位置する液晶分子４１Ｂのプレチルトθ₂が０°よりも大きい値を有している一方、配向膜２２近傍に位置する液晶分子４１Ａのプレチルトθ₁が０°となるように構成されている。

ここで、配向膜２２は、例えば、上記した他の垂直配向剤により構成されている。

実施の形態３の液晶表示装置（液晶表示素子）は、ＴＦＴ基板２０の上に配向膜２２を形成する際（図３のステップＳ１０１）において、配向処理前・化合物あるいは配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体に代えて、上記の他の垂直配向剤を用いることにより製造することができる。

実施の形態３の液晶表示装置（液晶表示素子）では、液晶層４０において、液晶分子４１Ａのプレチルトθ₁が０°となり、且つ、液晶分子４１Ｂのプレチルトθ₂が０°よりも大きくなる。これにより、プレチルト処理が施されていない液晶表示素子にと比較して、駆動電圧に対する応答速度を大幅に向上させることができる。更に、液晶分子４１Ａがガラス基板２０Ａ，３０Ａの法線方向に近い状態で配向しているので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、実施の形態１〜実施の形態２における液晶表示装置（液晶表示素子）と比較してコントラストを向上させることができる。即ち、この液晶表示装置（液晶表示素子）では、例えば、ＴＦＴ基板２０側に位置する液晶分子４１Ａのプレチルトθ₁を０°とすることによりコントラストを向上させつつ、ＣＦ基板３０側に位置する液晶分子４１Ｂのプレチルトθ₂を０°よりも大きくすることにより応答速度の向上を図ることができる。よって、駆動電圧に対する応答速度とコントラストとを、バランス良く向上させることができる。

また、実施の形態３の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法によれば、ＴＦＴ基板２０の上に配向処理前・化合物を含まない配向膜２２を形成すると共に、ＣＦ基板３０の上に配向処理前・化合物を含む配向膜３２を形成する。次いで、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の間に液晶層４０を封止した後、配向膜３２中の配向処理前・化合物を反応させて、配向処理後・化合物を生成する。よって、大掛かりな光照射装置を用いなくても、液晶分子４１Ｂに対してプレチルトθを付与する配向膜３２を形成することができるため、容易に応答特性を向上させることができる。また、例えば、光重合性モノマーを含む液晶組成物（液晶材料）を用いて液晶層を封止した後に光重合性モノマーを重合させた場合と比較して、高い信頼性を確保することができる。

実施の形態３に関する他の効果は、実施の形態１と同様である。

尚、実施の形態３では、図７に示すように、ＣＦ基板３０を覆う配向膜３２が、配向処理後・化合物を含み、液晶層４０のうちのＣＦ基板３０の側に位置する液晶分子４１Ｂにプレチルトθ₂を付与する構成としたが、これに限定されない。即ち、図８に示すように、配向膜３２が配向処理後・化合物を含まずに、ＴＦＴ基板２０を覆う配向膜２２が配向処理後・化合物を含み、液晶層４０のうちのＴＦＴ基板２０の側に位置する液晶分子４１Ａにプレチルトθ₁を付与する構成としてもよい。この場合においても、実施の形態３と同様に作用し、同様の効果を得ることができる。但し、上記したようにＴＦＴ基板２０では、駆動時には種々の横電場が生じていることから、ＴＦＴ基板２０の側の配向膜２２を、その近傍に位置する液晶分子４１Ａに対してプレチルトθ₁を付与するように形成することが望ましい。これにより、横電場による液晶分子４１の配向乱れを、効果的に低減することができる。

［実施の形態４］
実施の形態４も、実施の形態１〜実施の形態２の変形である。実施の形態４に係る液晶表示装置（液晶表示素子）の模式的な一部断面図を図９に示す。実施の形態４では、ＣＦ基板３０が有する対向電極３０Ｂの構成が異なることを除き、実施の形態１〜実施の形態２の液晶表示装置（液晶表示素子）と同様の構成を有している。

具体的には、対向電極３０Ｂには、各画素内において、画素電極２０Ｂと同様のパターンで、スリット部３１が設けられている。スリット部３１は、スリット部２１と基板間で対向しないように配置されている。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１のダイレクタに対して斜めの電場が付与されることで、電圧に対する応答速度が向上すると共に、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。

実施の形態４の液晶表示装置（液晶表示素子）は、図３のステップＳ１０１において、ＣＦ基板３０として、ガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、所定のスリット部３１を有する対向電極３０Ｂが設けられた基板を用いることにより製造することができる。

実施の形態４の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法によれば、架橋前の高分子化合物を含む配向膜２２，３２を形成した後、配向膜２２と配向膜３２との間に液晶層４０を封止する。次いで、配向膜２２，３２中の架橋前の高分子化合物を反応させて、架橋した高分子化合物を生成する。これにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して所定のプレチルトθ₁，θ₂を付与する。よって、プレチルト処理が施されていない液晶表示素子にと比較して、駆動電圧に対する応答速度を大幅に向上させることができる。このため、大掛かりな光照射装置を用いなくても、液晶分子４１に対してプレチルトθを付与する配向膜２２，３２を形成することができる。従って、容易に応答特性を向上させることができる。更に、例えば、光重合性モノマーを含む液晶組成物（液晶材料）を用いて液晶層を封止した後に光重合性モノマーを重合させて、プレチルト処理を施す場合と比較して、高い信頼性を確保することができる。

実施の形態４の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法の作用、効果は、上記した実施の形態１〜実施の形態２の作用、効果と同様である。

尚、実施の形態４では、配向膜２２，３２をその近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対してプレチルトθ₁，θ₂を付与するように形成したが、実施の形態３において説明した製造方法と同様の方法を用いて配向膜２２，３２のうちのいずれか一方の近傍に位置する液晶分子４１に対してプレチルトθを付与してもよい。この場合においても、実施の形態３と同様の作用、効果が得られる。

［実施の形態５］
実施の形態１〜実施の形態４では、液晶層４０を設けた状態で配向膜２２，３２のうちの少なくとも一方において配向処理前・化合物を反応させ、配向処理後・化合物を生成することにより、その近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与した。これに対して、実施の形態５では、液晶層４０を設けた状態で、配向膜２２，３２のうちの少なくとも一方において高分子化合物の構造を分解することにより、その近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与する。即ち、実施の形態５の液晶表示装置（液晶表示素子）は、配向膜２２，３２の形成方法が異なることを除き、上記した実施の形態１〜実施の形態４と同様の構成を有している。

実施の形態５の液晶表示装置（液晶表示素子）は、液晶分子４１Ａ、４１Ｂが所定のプレチルトθ₁，θ₂を有する場合、例えば、以下のように製造される。先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の上に、例えば、上記した他の垂直配向剤等の高分子化合物を含む配向膜２２，３２を形成する。次に、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを、配向膜２２及び配向膜３２が対向するように配置し、配向膜２２，３２の間に液晶層４０を封止する。次に、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に電圧を印加し、この電圧を印加した状態のまま、上記した紫外線ＵＶよりも、波長２５０ｎｍ程度の短波長域の光成分を多く含む紫外線ＵＶを配向膜２２，３２に照射する。この際、短波長域の紫外線ＵＶによって、配向膜２２，３２中の高分子化合物が、例えば分解されることにより構造が変化する。これにより、配向膜２２近傍に位置する液晶分子４１Ａと、配向膜３２近傍に位置する液晶分子４１Ｂとに、所定のプレチルトθ₁，θ₂を付与することができる。

液晶層４０を封止する前に配向膜２２，３２が含む高分子化合物として、例えば、式（３１）で表されるポリイミド構造を有する高分子化合物が挙げられる。式（３１）に示すポリイミド構造は、式（Ｉ）の化学反応式に示すように、紫外線ＵＶの照射により式（３２）におけるシクロブタン構造が解裂し、式（３２）で表される構造となる。

ここで、Ｒ２０は２価の有機基であり、ｐ１は１以上の整数である。

実施の形態５では、配向膜２２近傍に位置する液晶分子４１Ａと配向膜３２近傍に位置する液晶分子４１Ｂとが所定のプレチルトθ₁，θ₂を有することにより、プレチルト処理を施されていない液晶表示素子と比較して、応答速度を大幅に向上させることができる。また、大掛かりな装置を用いなくても、液晶分子４１に対してプレチルトθを付与することが可能な配向膜２２，３２のうちの少なくとも一方を形成することができる。このため、容易に応答特性を向上させることができる。但し、配向膜２２，３２に対して照射する紫外線により液晶分子４１の分解等が生じる虞があるため、上記した実施の形態１〜実施の形態４の方が、より高い信頼性を確保し易い。

［実施の形態６］
実施の形態６は、第１参考態様に係る液晶表示装置、並びに、第１参考態様及び第２参考態様に係る液晶表示装置の製造方法に関する。

実施の形態１〜実施の形態４にあっては、配向処理後・化合物は、第２の側鎖として架橋性官能基を有する配向処理前・化合物における架橋性官能基が架橋することで得られる。一方、実施の形態６にあっては、配向処理後・化合物は、エネルギー線の照射による変形を伴う感光性官能基を第２の側鎖として有する配向処理前・化合物に基づき得られる。即ち、実施の形態６の液晶表示装置にあっては、一対の配向膜２２，３２のうちの少なくとも一方は、液晶分子４１と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物（配向処理後・化合物）を含み、液晶層４０を構成する液晶組成物は、前述した一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、液晶分子４１は、変形した化合物（配向処理後・化合物）によってプレチルトが付与される。

ここで、実施の形態６においても、配向膜２２，３２は、第２の側鎖に架橋構造を有する高分子化合物（配向処理後・化合物）の１種あるいは２種以上を含んで構成されている。そして、液晶分子４１は、変形した化合物によってプレチルトが付与される。ここで、配向処理後・化合物は、主鎖、第１の側鎖及び第２の側鎖を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）の１種あるいは２種以上を含む状態で配向膜２２，３２を形成した後、液晶層４０を設け、次いで、高分子化合物を変形させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、より具体的には、電場又は磁場を印加しながら第２の側鎖に含まれる感光性官能基を変形させることにより生成される。そして、配向処理後・化合物は、液晶分子４１を一対の基板（具体的には、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向）に配列させる構造を含んでいる。このように、高分子化合物を変形させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後・化合物が配向膜２２，３２中に含まれることにより、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与できるため、応答速度が早くなり、表示特性が向上する。

感光性官能基として、アゾ基を有するアゾベンゼン系化合物、イミンとアルジミンとを骨格に有する化合物（便宜上、『アルジミンベンゼン』と呼ぶ）、スチレン骨格を有する化合物（便宜上、『スチルベン』と呼ぶ）を例示することができる。これらの化合物は、エネルギー線（例えば、紫外線）に応答して変形する結果、即ち、トランス状態からシス状態へ遷移する結果、液晶分子４１にプレチルトを付与することができる。

式（ＡＺ−０）で表されるアゾベンゼン系化合物における「Ｘ」として、具体的には、例えば、以下の式（ＡＺ−１）〜式（ＡＺ−９）を例示することができる。

ここで、Ｒ，Ｒ”のいずれか一方は、ジアミンを含むベンゼン環と結合し、他方は末端基となり、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体であり、Ｒ”はジアミンを含むベンゼン環と直接結合する。

実施の形態６の液晶表示装置及びその製造方法は、エネルギー線（具体的には、紫外線）の照射による変形を伴う感光性官能基を有する配向処理前・化合物を用いることを除き、基本的、実質的には、実施の形態１〜実施の形態４において説明した液晶表示装置及びその製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

［実施例１−Ａ］
実施例１−Ａは、第１の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）、並びに、第１の態様及び第２参考態様に係る液晶表示装置の製造方法に関する。実施例１−Ａにあっては、以下の手順により、図２に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を作製した。

先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を準備した。ＴＦＴ基板２０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０Ａの一面側に、スリットパターン（線幅６０μｍ、線間１０μｍ：スリット部２１）を有するＩＴＯから成る画素電極２０Ｂが形成された基板を用いた。また、ＣＦ基板３０として、カラーフィルタが形成された厚さ０．７ｍｍのガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、ＩＴＯから成る対向電極（所謂、ベタ電極）３０Ｂが形成された基板を用いた。この画素電極２０Ｂに形成されたスリットパターンによって、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に斜め電界が加わる。続いて、ＴＦＴ基板２０の上に３．２μｍのスペーサ突起物を形成した。

一方、配向膜材料を調製した。この場合、先ず、ジアミン化合物である、式（Ａ−７）に示した架橋性官能基を有する化合物１モルと、式（Ｂ−６）に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物１モルと、式（Ｅ−２）に示したテトラカルボン酸二無水物２モルとを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させた。続いて、この溶液を６０゜Ｃで６時間、反応させた後、反応後の溶液に対して、大過剰の純水を注いで反応生成物を沈殿させた。続いて、沈殿した固形物を分離した後、純水で洗浄し、減圧下、４０゜Ｃで１５時間、乾燥させ、これにより、配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体であるポリアミック酸が合成された。最後に、得られたポリアミック酸３．０グラムをＮＭＰに溶解させることにより、固形分濃度３質量％の溶液とした後、０．２μｍのフィルタで濾過した。得られた配向処理前・化合物の構造式を以下に示す。

続いて、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、調製した配向膜材料をスピンコート法に基づき塗布した後、塗布膜を８０゜Ｃのホットプレートで８０秒間、乾燥させた。続いて、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を、窒素ガス雰囲気下、２００゜Ｃのオーブンで１時間、加熱した。これにより、画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂ上における厚さが９０ｎｍの配向膜２２，３２を形成した。

続いて、ＣＦ基板３０上の画素部周縁に、粒径３．２μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、以下の表１Ａに示す液晶組成物（液晶材料）を滴下、注入した。尚、いずれの実施例においても、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１としてＭＬＣ−６６０８（メルク社製）を使用した。その後、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。続いて、１２０゜Ｃのオーブンで１時間、加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層４０が封止され、液晶セルを完成させることができた。

［表１Ａ］ 実施例１−Ａの液晶組成物
（ａ）ＭＬＣ−６６０８ ：５８質量％
（ｂ）一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物：３８質量％
但し、Ｒ_AN21：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN22：炭素数３のアルキル基
（ｃ）一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物： ４質量％
但し、Ｒ_AN21：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN22：炭素数３のアルキル基

続いて、このように作製された液晶セルに対して、実効値電圧２０ボルトの矩形波の交流電界（６０Ｈｚ）を印加した状態で、５００ｍＪ（波長３６５ｎｍでの測定）の均一な紫外線を照射し、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を反応させた。これにより、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方に、配向処理後・化合物を含む配向膜２２，３２を形成した。以上により、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０側の液晶分子４１Ａ，４１Ｂがプレチルトをなす図２に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。

こうして得られた実施例１−Ａ、あるいは又、後述する実施例１−Ｂ〜実施例１−Ｋの液晶表示装置における３０００時間経過後の電圧保持率測定結果を、表２に示す。尚、液晶表示装置におけるバックライトは、常時、点灯状態とした。併せて、τ_fの値を表２に示す。ここで、「τ_f」とは、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、駆動電圧（７．５ボルト）を印加した状態から、印加しない状態（０ボルト）としたときの、輝度９０％から１０％の輝度となるまでの時間を意味する。尚、測定装置としてＬＣＤ５２００（大塚電子株式会社製）を用いた。

［実施例１−Ｂ］
実施例１−Ｂにおいては、以下の表１Ｂに示す液晶組成物を用いた以外は、実施例１−Ａと同様とした。

［表１Ｂ］ 実施例１−Ｂの液晶組成物
（ａ）ＭＬＣ−６６０８ ：６１質量％
（ｂ）一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物：１５質量％
但し、Ｒ_AN21：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN22：炭素数４のアルキル基
（ｃ）一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物：１３質量％
但し、Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数１のアルキル基
（ｄ）一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物：１１質量％
但し、Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数２のアルキル基

［実施例１−Ｃ］
実施例１−Ｃにおいては、以下の表１Ｃに示す液晶組成物を用いた以外は、実施例１−Ａと同様とした。

［表１Ｃ］ 実施例１−Ｃの液晶組成物
（ａ）ＭＬＣ−６６０８ ：５５質量％
（ｂ）一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物：３１質量％
但し、Ｒ_AN21：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN22：炭素数３のアルキル基
（ｃ）一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物：１２質量％
但し、Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数１のアルキル基
（ｄ）一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物： ２質量％
但し、Ｒ_AN41：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN42：炭素数４のアルキル基

［実施例１−Ｄ］
実施例１−Ｄにおいては、以下の表１Ｄに示す液晶組成物を用いた以外は、実施例１−Ａと同様とした。

［表１Ｄ］ 実施例１−Ｄの液晶組成物
（ａ）ＭＬＣ−６６０８ ：８１質量％
（ｂ）一般式（ＡＮ−５−１）で示されるアルケニル化合物：１１質量％
但し、Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数２のアルキル基
（ｃ）一般式（ＡＮ−５−１）で示されるアルケニル化合物： ８質量％
但し、Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数４のアルキル基

［実施例１−Ｅ］
実施例１−Ｅにおいては、以下の表１Ｅに示す液晶組成物を用いた以外は、実施例１−Ａと同様とした。

［表１Ｅ］ 実施例１−Ｅの液晶組成物
（ａ）ＭＬＣ−６６０８ ：７３質量％
（ｂ）一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物：１９質量％
但し、Ｒ_AN21：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN22：炭素数５のアルキル基
（ｃ）一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物： ８質量％
但し、Ｒ_AN21：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN22：炭素数３のアルキル基

［実施例１−Ｆ］
実施例１−Ｆにおいては、以下の表１Ｆに示し、以下の式（ＡＮ−５−２）で示される液晶組成物（但し、Ｌ₁は塩素原子であり、Ｌ₂はフッ素原子）を用いた以外は、実施例１−Ａと同様とした。

［表１Ｆ］ 実施例１−Ｆの液晶組成物
（ａ）ＭＬＣ−６６０８ ：８９質量％
（ｂ）一般式（ＡＮ−５−２）で示されるアルケニル化合物： ４質量％
但し、Ｒ_AN61：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN62：炭素数２のアルコキシ基
（ｃ）一般式（ＡＮ−５−２）で示されるアルケニル化合物： ３質量％
但し、Ｒ_AN61：炭素数４のアルケニル基
Ｒ_AN62：炭素数２のアルコキシ基
（ｄ）一般式（ＡＮ−５−２）で示されるアルケニル化合物： ４質量％
但し、Ｒ_AN61：炭素数５のアルケニル基
Ｒ_AN62：炭素数２のアルコキシ基

［実施例１−Ｇ］
実施例１−Ｇにおいては、以下に構造式を示す配向処理前・化合物を使用した以外は、実施例１−Ｃと同様とした。

［実施例１−Ｈ］
実施例１−Ｈにおいては、以下に構造式を示す配向処理前・化合物を使用した以外は、実施例１−Ｃと同様とした。

［実施例１−Ｉ］
実施例１−Ｉにおいては、以下に構造式を示す配向処理前・化合物を使用した以外は、実施例１−Ｃと同様とした。尚、混合割合を、下記の上段に示す要素（材料）と、下記の下段に示す要素（材料）との混合割合を、モル基準で４／１とした。

［実施例１−Ｊ］
実施例１−Ｊにおいては、以下に構造式を示す配向処理前・化合物を使用した以外は、実施例１−Ｃと同様とした。尚、混合割合を、下記の上段に示す要素（材料）と、下記の下段に示す要素（材料）との混合割合を、モル基準で４／１とした。

［実施例１−Ｋ］
実施例１−Ｋにおいては、以下に構造式を示す配向処理前・化合物を使用した以外は、実施例１−Ｃと同様とした。

［比較例１−Ａ］
実施例１−Ａにおいては、液晶組成物として、負の誘電率異方性を有する液晶分子であるＭＬＣ−６６０８（メルク社製）だけを使用した。その他は、実施例１−Ａと同様とした。

［比較例１−Ｂ］
実施例１−Ｂにおいては、液晶組成物として、実施例１−Ａと同様の液晶組成物を使用した。また、配向膜として、一般的な垂直配向膜ＡＬ６０６０１（ＪＳＲ株式会社製）を用いた。その他は、実施例１−Ａと同様とした。

［表２］
電圧保持率（％） τ_f（ミリ秒）
実施例１−Ａ ９７ ３．９
実施例１−Ｂ ９５ ４．０
実施例１−Ｃ ９０ ３．８
実施例１−Ｄ ８７ ４．３
実施例１−Ｅ ９３ ４．０
実施例１−Ｆ ９２ ４．３
実施例１−Ｇ ８９ ３．７
実施例１−Ｈ ８８ ３．８
実施例１−Ｉ ９４ ４．０
実施例１−Ｊ ９０ ３．９
実施例１−Ｋ ９６ ４．４
比較例１−Ａ ８８ ５．５
比較例１−Ｂ ７６ ３．８

比較例１−Ａは、電圧保持率の値は実施例１レベルであったが、τ_fの値が高かった。一方、比較例１−Ａは、τ_fの値は実施例１レベルであったが、電圧保持率の値が高かった。実施例１−Ａ〜実施例１−Ｋにあっては、高い電圧保持率の値、及び、短いτ_fの値のいずれをも達成することができた。

以上、好ましい実施の形態及び実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、実施の形態及び実施例ではＶＡモードの液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示は必ずしもこれに限定されず、ＴＮモード、ＩＰＳ（In Plane Switching ）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードあるいはＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード等の、他の表示モードにも適用可能である。この場合においても同様の効果が得られる。但し、本開示では、プレチルト処理が施されていないものと比較すると、ＶＡモードにおいて、ＩＰＳモードやＦＦＳモードよりも、特に高い応答特性の改善効果を発揮することができる。

また、実施の形態及び実施例では、専ら透過型の液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示では必ずしも透過型に限られず、例えば、反射型としてもよい。反射型とした場合には、画素電極がアルミニウム等の光反射性を有する電極材料により構成される。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［１］《液晶表示装置》
一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、
一対の配向膜のうちの少なくとも一方は、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物を含み、
液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、
液晶分子は、架橋した化合物によってプレチルトが付与される液晶表示装置。

但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至１０のアルキル基、アルケニル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN1，Ｒ_AN2の少なくとも一方はアルケニル基であり、

は、それぞれ、独立に、

であり、
Ｌ₁，Ｌ₂は、それぞれ、独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子であり、
ｐは０又は１である。
［２］液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む［１］に記載の液晶表示装置。

但し、Ｒ_AN21は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN22は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。
［３］液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む［１］に記載の液晶表示装置。

但し、Ｒ_AN31は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN32は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。
［４］液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む［１］に記載の液晶表示装置。

但し、Ｒ_AN41は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN42は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。
［５］液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−５−１）又は一般式（ＡＮ−５−２）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む［１］に記載の液晶表示装置。

但し、Ｒ_AN51は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN52は、炭素数１乃至１０のアルコキシ基であり、Ｌ₁，Ｌ₂は、それぞれ、独立に、フッ素原子又は塩素原子である。
［６］液晶層を構成する液晶組成物は、少なくとも、電気的にネガティブなアルケニル化合物と、電気的にニュートラルなアルケニル化合物との混合物を含む［１］に記載の液晶表示装置。
［７］高分子化合物を架橋させることにより得られた化合物は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖及び第２の側鎖のそれぞれは、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される［１］乃至［６］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［８］高分子化合物を架橋させることにより得られた化合物は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
第１の側鎖と第２の側鎖とは結合しており、
第１の側鎖又は第２の側鎖は、主鎖に結合しており、
液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される［１］乃至［６］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［９］第１の側鎖は、
（Ａ₁₁）_n11−Ｒ_SD11−（Ａ₁₂）_n12−Ｒ_SD12−Ｒ_SD13
から成り、
Ａ₁₁及びＡ₁₂は、それぞれ、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は、−ＯＣＯ−であり、
ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ、０又は１であり、
Ｒ_SD11は、炭素数０乃至４０のアルキル基、又は、炭素数１乃至４０のフルオロアルキル基であり、
Ｒ_SD12は、少なくとも１つの環構造を含む２価の有機基であり、
Ｒ_SD13は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、カーボネート基を有する１価の基、若しくは、それらの誘導体である［７］又は［８］に記載の液晶表示装置。
［１０］第２の側鎖は、
（Ａ₂₁）_n21−Ｒ_SD21−（Ａ₂₂）_n22−Ｒ_SD22−Ｒ_SD23
から成り、
Ａ₂₁及びＡ₂₂は、それぞれ、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は、−ＯＣＯ−であり、
ｎ２１及びｎ２２は、それぞれ、０又は１であり、
Ｒ_SD21は、炭素数０乃至４０のアルキル基、又は、炭素数１乃至４０のフルオロアルキル基であり、
Ｒ_SD22は、ビニル、アクリロイル、メタクリロイル、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール及びキトサンから成る群から選択された少なくとも１種類の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基であり、
Ｒ_SD23は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、カーボネート基を有する１価の基、若しくは、それらの誘導体である［７］乃至［９］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［１１］主鎖は、ポリイミド構造を有し、又は、ポリシロキサン構造を有し、又は、ポリアミック酸から成る［７］乃至［１０］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［１２］電極に形成されたスリット部、電極に形成された凹凸部又は基板に設けられた突起から成る配向規制部が設けられている［１］乃至［１１］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［１３］一対の配向膜のうちの少なくとも一方の表面粗さＲａは１ｎｍ以下である［１］乃至［１２］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

１・・・電圧印加手段、１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ）・・・画素、２０・・・ＴＦＴ基板、３０・・・ＣＦ基板、２０Ａ，３０Ａ・・・ガラス基板、２０Ｂ・・・画素電極、３０Ｂ・・・対向電極、２１，３１・・・スリット部、２２，３２・・・配向膜、４０・・・液晶層、４１（４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ）・・・液晶分子、６０・・・表示領域、６１・・・ソースドライバ、６２・・・ゲートドライバ、６３・・・タイミングコントローラ、６４・・・電源回路、７１・・・ソース線、７２・・・ゲート線

Claims (11)

1. 一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、
   一対の配向膜のうちの少なくとも一方は、液晶分子と相互作用する第１の側鎖を有し、且つ、第２の側鎖として架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物を含み、
   液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含み、
   液晶分子は、架橋した化合物によってプレチルトが付与される液晶表示装置。
   

   

   但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至１０のアルキル基、アルケニル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN1，Ｒ_AN2の少なくとも一方はアルケニル基であり、
   

   

   は、それぞれ、独立に、
   

   

   であり、
   Ｌ₁，Ｌ₂は、それぞれ、独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子であり、
   ｐは０又は１である。
2. 液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む請求項１に記載の液晶表示装置。
   

   

   但し、Ｒ_AN21は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN22は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。
3. 液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む請求項１に記載の液晶表示装置。
   

   

   但し、Ｒ_AN31は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN32は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。
4. 液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む請求項１に記載の液晶表示装置。
   

   

   但し、Ｒ_AN41は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN42は、炭素数１乃至１０のアルキル基である。
5. 液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−５−１）又は一般式（ＡＮ−５−２）で示されるアルケニル化合物を少なくとも１種類、含む請求項１に記載の液晶表示装置。
   

   

   

   但し、Ｒ_AN51は、炭素数１乃至１０のアルケニル基であり、Ｒ_AN52は、炭素数１乃至１０のアルコキシ基であり、Ｌ₁，Ｌ₂は、それぞれ、独立に、フッ素原子又は塩素原子である。
6. 高分子化合物を架橋させることにより得られた化合物は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
   第１の側鎖及び第２の側鎖のそれぞれは、主鎖に結合しており、
   液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 高分子化合物を架橋させることにより得られた化合物は、第１の側鎖、第２の側鎖、及び、基板に対して第１の側鎖及び第２の側鎖を支持する主鎖から構成されており、
   第１の側鎖と第２の側鎖とは結合しており、
   第１の側鎖又は第２の側鎖は、主鎖に結合しており、
   液晶分子は、第１の側鎖に沿い、又は、第１の側鎖に挟まれることでプレチルトが付与される請求項１に記載の液晶表示装置。
8. 第１の側鎖は、
   （Ａ₁₁）_n11−Ｒ_SD11−（Ａ₁₂）_n12−Ｒ_SD12−Ｒ_SD13
   から成り、
   Ａ₁₁及びＡ₁₂は、それぞれ、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は、−ＯＣＯ−であり、
   ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ、０又は１であり、
   Ｒ_SD11は、炭素数０乃至４０のアルキル基、又は、炭素数１乃至４０のフルオロアルキル基であり、
   Ｒ_SD12は、少なくとも１つの環構造を含む２価の有機基であり、
   Ｒ_SD13は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、カーボネート基を有する１価の基、若しくは、それらの誘導体である請求項６又は請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 第２の側鎖は、
   （Ａ₂₁）_n21−Ｒ_SD21−（Ａ₂₂）_n22−Ｒ_SD22−Ｒ_SD23
   から成り、
   Ａ₂₁及びＡ₂₂は、それぞれ、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又は、−ＯＣＯ−であり、
   ｎ２１及びｎ２２は、それぞれ、０又は１であり、
   Ｒ_SD21は、炭素数０乃至４０のアルキル基、又は、炭素数１乃至４０のフルオロアルキル基であり、
   Ｒ_SD22は、ビニル、アクリロイル、メタクリロイル、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール及びキトサンから成る群から選択された少なくとも１種類の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基であり、
   Ｒ_SD23は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、カーボネート基を有する１価の基、若しくは、それらの誘導体である請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
10. 主鎖は、ポリイミド構造を有し、又は、ポリシロキサン構造を有し、又は、ポリアミック酸から成る請求項６に記載の液晶表示装置。
11. 電極に形成されたスリット部、電極に形成された凹凸部又は基板に設けられた突起から成る配向規制部が設けられている請求項１に記載の液晶表示装置。

Images