JPH06202114A - 液晶装置、液晶装置の製造方法及びそれを用いた情報伝達装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶分子の配向性が均一で、且つ、安定な配向
状態を達成して配向欠陥の発生を防止する。 【構成】２枚の配向規制力が付与されたガラス基板１１
ａ，１１ｂを所定間隙を保って貼り合わせ、該間隙に強
誘電性液晶注入が行われる前までの製造工程を前工程と
し、強誘電性液晶注入から液晶装置が完成するまでを後
工程とした時、前工程で強誘電性液晶１５が経験する最
高経験温度Ｔ₁ と後工程で経験する最高経験温度Ｔ₂ と
が、２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ の関係を満たす様に熱処理条件
を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶装置、液晶装置の
製造方法及びそれを用いた情報伝達装置に係り、詳しく
は、２枚の透明基板に挟持された液晶をユニホーム配向
させる熱処理条件に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、強誘電性液晶の複屈折異方性を利
用して偏向板と組み合わせることにより、透過光を制御
する型の液晶装置がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウ
ェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の
温度領域において、カイラルスメクティック相を有し、
電界が印加されると、この電界に応答して第１の光学的
安定状態又は第２の光学的安定状態のいずれかを取り、
且つ、電界無印加時には、その状態を維持する性質（双
安定性）を有している。また、この強誘電性液晶は電界
の変化に対する応答も速やかであり、高速並びに記憶型
の液晶装置等に応用が期待されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強誘電
性液晶を液晶装置に用いるには、液晶分子の配向性をそ
ろえる必要がある。ところが強誘電性液晶は配向欠陥が
生じやすく、この欠陥がコントラストの低下や表示ムラ
の原因となる問題があった。

【０００４】そこで、本発明は、良好な配向状態を安定
に達成して表示品位の高い液晶装置、液晶装置の製造方
法及びそれを用いた情報伝達装置を提供することを目的
とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記事情に鑑
みなされたものであって、液晶パネルにカイラルスメク
チック液晶を所定の注入温度で注入し、注入口を封止し
た後、該液晶をコレステリック相が生じる温度より高い
温度で、且つ、該液晶の液晶分子の基板に対する傾斜角
であるプレチルト角が安定化するのに十分な時間に亘っ
て一定のエージング温度で維持してなる、ことを特徴と
する。

【０００６】また、前記エージング温度を前記注入温度
と等しいく設定するか又は該注入温度より高く設定して
なる。

【０００７】また、本発明に係る液晶装置の製造方法と
しては、配向規制力が付与された２枚の透明基板を所定
間隙で貼り合わせてパネルを製造する前工程と、該パネ
ルに液晶を注入して液晶装置を完成する後工程と、を有
する液晶装置の製造方法において、前記前工程で前記透
明基板が経験する最高経験温度をＴ₁ とし、前記後工程
で透明基板が経験する最高経験温度をＴ₂ とした時、２
Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ なる関係を満たして、前記液晶をユニ
ホーム配向をしてなる、ことを特徴とする。

【０００８】また、前記前工程における前記最高経験温
度Ｔ₁ と前記後工程における前記最高経験温度Ｔ₂ とが
ほぼ等しくなる様に設定されてなる。

【０００９】なお、本発明で用いた最高経験温度Ｔ₁ は
シール材の加熱硬化温度に対応し、一般には１００℃〜
１８０℃、好ましくは１２０℃〜１６０℃の温度に設定
される。また、最高経験温度Ｔ₂ はコレステリック相又
は等方相の状態で液晶パネルに液晶物質を注入する時の
温度（注入温度）又は注入後の液晶パネルの注入口を封
止した後、スメクチックＡ相又はコレステリック相での
プレチルト角（５°〜２０°、好ましくは７°〜１８
°）を安定化するために数時間にわたってコレステリッ
ク相または等方相の温度でエージングを行う温度（エー
ジング温度）に対応している。最高経験温度Ｔ₂ が注入
温度に設定された場合には、コレステリック相の温度範
囲内に設定するのが良い。注入温度Ｔ₂ をコレステリッ
ク相の温度範囲内に設定すると、等方相の温度に設定し
ていた時に発生していた注入不良の問題を解決すること
が出来た。

【００１０】またエージングは、コレステリック相又は
等方相の温度範囲内に設定した温度で数時間に亘って行
われる。このエージングプロセスを用いることによっ
て、スメクチックＡ相又はコレステリック相でのプレチ
ルト角を経時に亘って安定化をはかることが出来た。特
にこのエージングプロセスを省略した場合では、後プロ
セスでの熱印加（例えば米国特許台４９６４７００号後
方に開示の異方性導電接着剤を用いた接続プロセスやカ
イラルスメクティック液晶の再配向プロセスの時の熱印
加）の影響を受けてプレチルト角に変動を生じ、この結
果配向不良の液晶装置を生じたり、液晶装置の特性がロ
ット内でバラツキを生じたりする問題を生んでいたが、
上述のエージングプロセスを用いることによって、プレ
チルト角の熱印加に対する不安定性を解消した。

【００１１】また、本発明に係る液晶装置の製造方法を
用いた液晶装置として、前記配向規制力が、一軸配向処
理により一方向性を持つべく付与され、且つ、前記２枚
の透明基板を貼り合わせる際に、該２枚の透明基板が有
する前記配向規制力の前記一方向性のなす角θｃを、０
°＜θｃ＜２０°の範囲に設定してなる。

【００１２】また、本発明に係る製造方法による液晶装
置を用いた情報伝達装置としては、データ信号及び走査
方式信号を出力するグラフィックコントローラと、走査
線アドレスデータ及び走査方式信号を出力する走査信号
制御回路と、表示データ及び走査方式信号を出力する情
報信号制御回路と、を有し、情報を表示・伝達してな
る。

【００１３】

【作用】以上構成に基づき、液晶の配向性を規制する配
向規制力が付与された２枚の透明基板を所定間隙で貼り
合わせてパネルを製造する前工程において前記透明基板
が経験する最高経験温度Ｔ₁ と、パネルに液晶を注入し
て液晶装置を完成する後工程において透明基板が経験す
る最高経験温度Ｔ₂ とが、２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ を満たす
様に熱処理温度を設定する。

【００１４】

【実施例】本発明の実施例の説明に先立ち発明の原理を
説明する。本発明者は、液晶装置の製造工程での最高経
験温度が強誘電性液晶の配向状態の不安定性に大きく関
係していることを発見した。特に、一軸配向処理した後
から液晶注入までに加えられる最高経験温度Ｔ₁ 、液晶
を注入した後に加えられる最高経験温度Ｔ₂ とが重要な
要因であることを見いだした。即ち、液晶装置の製造に
おいて、一軸配向処理後から液晶注入までの最高経験温
度と液晶注入後の最高経験温度とが適当な関係を保つな
らば、欠陥の無い良好な配向状態を安定に作成すること
が可能になる。

【００１５】次に配向欠陥が生じる原因について説明す
る。なお、以下の説明では、配向規制力を付与後、液晶
注入前までの製造工程を前工程、液晶注入からの液晶装
置の製造工程を後工程と呼ぶことにする。

【００１６】配向欠陥は、図１に示すようなスメクッチ
ェック層のシェブロン構造を含む配向状態Ｃ１およびＣ
２の２種類の配向モデルで説明できる。図１で、３１は
スメクッチェック層、３２はＣ１配向の領域、３３はＣ
２配向の領域を表している。スメクッチェック液晶は一
般に層構造をもつが、ＳＡ相からＳＣ相またはＳＣ^*相
に転移すると層間隔が縮むので液晶層がその中央で折れ
曲がった構造（シェブロン構造）をとるようになる。折
れ曲がる方向は図１に示すようにＣ１とＣ２との２通り
有り、よく知られているようにラビング処理によって基
板界面の液晶分子は基板に対して或る角度をなし（プレ
チルト角）、その方向はラビング方向Ａに向かって液晶
分子が頭をもたげる（先端が浮いた格好になる）向きで
ある。このプレチルト角のためにＣ１配向とＣ２配向と
は弾性エネルギー的に等価とならず、上述のようにある
温度で転移が起こる。また、機械的な歪みで転移が起こ
ることもある。図１の層構造を平面的にみると、ラビン
グ方向Ａに向ってＣ１配向からＣ２配向に移るときの境
界３４はジグザグの稲妻状でライトニング欠陥と呼ば
れ、Ｃ２からＣ１に移るときの境界３５は幅の広い、緩
やかな曲線状でヘアピン欠陥と呼ばれている。

【００１７】また、このＣ１配向状態は４つの配向状態
を有し、従来のＣ１配向状態とは異なっており、なかで
も４つのＣ１配向状態のうちの２つの状態は、双安定状
態（ユニフォーム状態）を形成している。ここで、無電
界時のみかけのチルト角をθａ、コーン角をθとすれ
ば、Ｃ１配向状態における４つの状態のうち、次式の関
係を示す状態をユニフォーム状態と定義される。

【００１８】Θ＞θａ＞Θ／２ ユニフォーム状態には、その光学的性質からみてダイレ
クタが上下基板間でねじれていない状態と考えられる。
図２(a) はＣ１配向の各状態における基板間の各位置で
のダイレクタの配置を示す模式図である。同図において
５１〜５４は各状態においてダイレクタをコーンの対面
に投影し、これを底面から見た様子を示しており、５１
および５２がスプレー状態、５３および５４がユニフォ
ーム状態と考えられるダイレクタの配置である。同図か
らわかる様に、ユニフォームの２状態である５３と５４
においては、上下いずれかの基板界面の液晶分子の位置
がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図２(b) は
Ｃ２配向を示しており、界面のスイッチングはなく液晶
層内部でのスイッチングで２状態の５５と５６とがあ
る。このＣ１配向のユニフォーム状態は、従来用いてい
たＣ２配向における双安定状態よりも大きなチルト角θ
ａを生じ、輝度が大きくコントラストが高い特質を有し
ている。

【００１９】また、前工程での最高経験温度Ｔ₁ を後工
程での最高経験温度Ｔ₂ に対して大きくし過ぎると、Ｃ
１配向のユニフォーム状態の中にＣ２配向や垂直配向が
混在してくる様になる。特に、駆動する電圧値を高くし
たり、或は、装置の温度を低くするとＣ２配向の混在が
顕著になってくる。また、最高経験温度Ｔ₂ を大きくし
すぎるとＣ１配向のユニフォーム状態の中にスプレイ状
態が混在してくるようになる。これは、特に駆動する電
圧値を高くしたり、或は、液晶装置の温度を高くすると
Ｃ１配向のスプレイ状態の混在が顕著になる。そして、
この結果配向欠陥が生じる。

【００２０】そこで、本発明は、これらＴ₁ 及びＴ₂ の
最適な関係を求めることにより配向欠陥の発生を防止す
る。以下本発明の実施例を具体的に説明する。図３は液
晶装置の断面を示したもので、液晶装置は平行に配置し
たガラス基板１１ａ，１１ｂとを有し、それぞれのガラ
ス基板１１ａ，１１ｂには厚さが約４００Å〜３０００
Åの透明電極１２ａ、１２ｂが配設されている。また、
透明電極１２ａ，１２ｂの上には、スパッタリング法に
より厚さ１００Å〜３０００Åの酸化タンタルの絶縁膜
１３ａ，１３ｂが形成されている。なお絶縁膜１３ａ，
１３ｂとしては、塗布焼成タイプの無機酸化物又はスパ
ッタリング膜でも良く、又は２層構成以上の多層膜でも
良い。また、１４ａ，１４ｂは配向制御膜で、フッ素系
ポリイミドの１％ＮＭＰ溶液をスピーナで塗布し、２７
０℃で１時間焼成することにより５０Å〜１０００Åの
膜厚みの薄膜を形成した。次に、配向制御膜１４ａ，１
４ｂに配向規制力を付与するためにラビング処理を行っ
た。この時のラビング処理はプレチルト角が１０°〜３
０°になる様にするのが望ましい。このようにラビング
処理された２枚のガラス基板１１ａ，１１ｂをラビング
方向が１０°の角度をなす様に対向させ、１．５μｍの
間隙を保ってシール材により貼り合わせた。このシール
材には、ＵＶ硬化シールを用い、熱を加えないよう工夫
した。ガラス基板１１ａ，１１ｂの貼り合わせ後、ガラ
ス基板１１ａ，１１ｂの間に強誘電性液晶１５を注入し
た。この強誘電性液晶は室温で１４°のコーン角を有す
るフェニルピリミジンを主成分とする混合液晶のであ
り、相転移温度は以下の通りであった。

【００２１】

【外１】 試料の製作条件は、前工程の熱処理を１００℃、１５０
℃、２００℃、２５０℃で６時間行った試料と熱処理を
行わない試料の計５種を制作した。また、後工程におけ
る強誘電性液晶を注入する時の温度は１００℃で行い、
そして液晶注入後に１００℃、６時間の熱処理を行なっ
てカイラルスメクティックＣ相まで徐冷した。

【００２２】また、強誘電性液晶の物性パラメータ（コ
ーン角Θ、層の傾き角δ、見かけのチルト角θａおよび
プレチルト角）は以下のようにして測定した。

【００２３】［コーン角Θの測定］１０〜３０ＶのＤＣ
電圧を液晶装置の透明電極１２ａ，１２ｂに印加しなが
らクロスニコル下、その間に配置された液晶装置を偏光
板と水平に回転させ第１の消光位（透過率が最も低くな
る位置）を求め、次に逆極性のＤＣ電圧を透明電極１２
ａ，１２ｂに印加しながら第２の消光位を求める。この
ときの第１の消光位から第２の消光位までの角度の１／
２をコーン角Θとした。

【００２４】［見かけのチルト角θａの測定］強誘電性
液晶のしきい値の単発パルスを印加した後、無電界下且
つクロスニコル下、その間に配置された液晶装置を偏光
板と水平に回転させ第１の消光位を求め、次に先の単発
パルスと逆極性のパルスを印加した後、無電界下、第２
の消光位を求める。このときの第１の消光位から第２の
消光位までの角度１／２をθａとした。

【００２５】［スメクティック層構造回析］スメクティ
ック層構造は、Ｘ線回析法を用いて解析した。測定法
は、基本的にはＣｌａｒｋとｌａｇｅｒｗａｌｌによっ
て発表された方法（Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’ ８
６．Ｓｅｐ． ３０−Ｏｃｔ．２，１９８６，ｐｐ４５
６−４５８）あるいは、大内らの方法（Ｊ．Ｊ．Ａ．
Ｐ．，２７（５）（１９８８）ｐｐ７２５−７２８）と
同様な方法を用いた。まず液晶の層間隔は液晶を試料ガ
ラス上に塗り、通常の粉末Ｘ線回析と同様に２θ／θス
キャンを行い、Ｂｒａｇｇの式より求めた。そして、パ
ネル内に形成されたスメクティック液晶の層構造は、さ
きに求めた層間隔に相当する回析角２θにＸ線検出器を
あわせパネルをθスキャンし、前文献に示された方法で
行った。

【００２６】Ｘ線回析装置は回転対陰極方式（ＭＡＣサ
イエンス社製ＭＸＰ−１８）を用い、銅のＫα線を分析
線とした。

【００２７】Ｘ線回析装置の設定条件は、 Ｘ線出力 ５０ｋＶ×３００ｍＡ＝１５ｋＷ 発散スリット ０．５° 走査スリット ０．５° 受光スリット ０．１５ｍｍ サンプリング角０．０５° 走査速度 １０°／ｍｉｎ で照射面積はパネル治具とスリットによって決まり、
８．０×１．８ｍｍ² でパネル厚は１．５μｍである。
なお、バックグランド除去にはＳｏｎｎｅｖｅｌｄ法を
用いた。

【００２８】このようにして制作された液晶装置を、 (1) 駆動前の配向状態 (2) １５℃で駆動電圧２５Ｖで駆動した時の配向状態 (3) ３０℃で駆動電圧２５Ｖで駆動した時の配向状態 (4) ４５℃で駆動電圧２５Ｖで駆動した時の配向状態 の４項目について評価を行った。表１はその結果を示し
ている。

【００２９】

【表１】 表１からわかるように、駆動前には未処理（Ｔ₂ ＞Ｔ
₁ ）の試料ではＣ１スプレイ状態が混在していた。ま
た、Ｔ₁ ＝２５０℃（２Ｔ₂ ＜Ｔ₁ ）の試料では垂直配
向の混在が見られた。Ｔ₁ ＝１５０℃（２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞
Ｔ₂ ）、Ｔ₁ ＝１００℃（Ｔ₁ ＝Ｔ₂ ）、Ｔ₁ ＝２００
℃（２Ｔ₂ ＝Ｔ₁ ）の試料では均一なユニフォーム状態
が得られていた。

【００３０】さらに、駆動特性を評価するために図４
(a) に示す駆動波形を用いて駆動時の配向特性を評価し
た。駆動条件は、ｃｏｍ信号とｓｅｇ信号の合成波形の
ピーク間電圧Ｖｐｐ＝５０Ｖでパルス幅は液晶のスイッ
チングが正常に行える範囲で適当に合わせた（図４(a)
、(b) 参照）。

【００３１】駆動温度が１５℃での評価では、Ｔ₁ ＝２
００℃（２Ｔ₂ ＝Ｔ₁ ）の試料でＣ２状態の混在が見ら
れジグザグ欠陥が多数発生していた。また、駆動温度が
４５℃の評価では、Ｔ₁ ＝１００℃（Ｔ₂ ＝Ｔ₁ ）の試
料で、Ｃ１スプレイ状態の混在が見られ、コントラスト
の著しい低下が確認された。

【００３２】以上のことからわかるように、前工程での
最高経験温度Ｔ₁ と後工程での最高経験温度Ｔ₂ を ２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ とすることで、駆動条件にかかわらず、均一なユニフォ
ーム配向を得られてことがわかる。これは、液晶分子の
配向膜界面となすプレチルト角が最高経験温度により影
響を受け、しかも、Ｔ₁ とＴ₂ とでそれぞれプレチルト
角に与える影響が相反する方向であるためと考えられ
る。即ち、Ｔ₁ はプレチルト角を下げる方向に影響し、
Ｔ₂ は、プレチルト角を上げる方向に影響するものであ
ると考えられる。従って、一軸配向処理により制御した
配向状態（Ｔ₁ ＝未処理、Ｔ₂ ＝未処理）を安定に作成
するためには、Ｔ₁ とＴ₂ を管理しなければならない。

【００３３】次に前工程の熱処理条件を１３０℃、６時
間で行い、後工程での強誘電性液晶注入温度を１００
℃、注入後の熱処理条件を未処理、８０℃、１００℃、
１５０℃で６時間行ってカイラルスメクティックＣ相ま
で徐冷した試料を作成した。これらの試料の評価結果を
表２に示す。

【００３４】

【表２】 表２からわかるように、Ｔ₂ ＝１５０℃（Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ）
の試料では、駆動前、３０℃駆動、４５℃駆動でＣ１ス
プレイ状態が混在し、コントラストの著しい低下が認め
られた。そして、未処理、８０℃、１００℃の試料では
全ての評価項目で良好なユニフォーム状態が得られてい
た。これは、液晶を注入する時の温度が１００℃であっ
たため、未処理、８０℃の試料はＴ₂ ＝１００℃の温度
を実質的に経験し、２Ｔ₂ ＞１３０℃＞Ｔ₂ の条件を満
たしためと考えられる。つまり、液晶を注入するため
に、完全に液晶が注入されるよう、１００℃に保つ時間
を長目にしていることが影響している。従って、 ２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ の関係の場合に良好なユニフォーム状態が得られること
がいえる。

【００３５】そこで、このことを確認するために前工程
の熱処理条件を１８０℃、６時間とし、液晶注入温度を
８７℃として実験を行った。その他のパネルの作成条件
は全て上述した条件で行った。評価結果を表３に示す。
この実験では、Ｔ₂ が未処理、８０℃の試料は、その後
８７℃の熱（注入温度）を受けるので、実質的にＴ₂＝
８７℃と考えられ、Ｔ₁ ＞２Ｔ₂ が成り立つはずであ
る。このことは表３の評価結果においてＣ２混在状態が
見られジグザグ欠陥が発生していることより理解出来
る。

【００３６】

【表３】 表３より、２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ の関係の時に良好なユニ
フォーム状態が得られることが理解でき、また、これは
液晶注入時の温度がＴ₂ に影響していることことからも
うかがえる。従って、Ｔ₂ を決定するには液晶注入に必
要な時間も考慮する必要が生じる。

【００３７】以上より、前工程の最高経験温度Ｔ₁ と後
工程の最高経験温度Ｔ₂ とを、 ２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ の関係を満たす様にすることにより、ジグザグ欠陥やＣ
１スプレイ状態、垂直配向状態のない良好なユニフォー
ム配向状態を安定に得ることが可能になった。

【００３８】なお、２枚のガラス基板１１ａ，１１ｂを
貼り合わせる際に、これら２枚のガラス基板１１ａ，１
１ｂに施されたラビング方向のなす角度は０°〜２０°
の範囲であればよい。この角度にすることにより前述の
ユニフォーム状態５３、５４を安定化することが可能と
なり、より高いコントラストを得ることできる。

【００３９】また、強誘電性液晶としは、カイラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＨ^* ）、Ｉ相（ＳｍＩ^* ）、Ｋ相
（ＳｍＫ^* ）やＧ相（ＳｍＧ^* ）の液晶を用いることが
できる。特に好ましい液晶としては、高温側でコレステ
リック相を示すものであり、例えば下記の相転移温度お
よび物性値を示すピリミジン系混合液晶を用いることが
好ましい。

【００４０】

【外２】 なお、本発明で用いた最高経験温度Ｔ₁ はシール材の加
熱硬化温度に対応し、一般には１００℃〜１８０℃、好
ましくは１２０℃〜１６０℃の温度に設定される。ま
た、最高経験温度Ｔ₂ はコレステリック相又は等方相の
状態で液晶パネルに液晶物質を注入する時の温度（注入
温度）又は注入後の液晶パネルの注入口を封止した後、
スメクチックＡ相又はコレステリック相でのプレチルト
角（５°〜２０°、好ましくは７°〜１８°）を安定化
するために数時間にわたってコレステリック相または等
方相の温度でエージングを行う温度（エージング温度）
に対応している。最高経験温度Ｔ₂ が注入温度に設定さ
れた場合には、コレステリック相の温度範囲内に設定す
るのが良い。注入温度Ｔ₂ をコレステリック相の温度範
囲内に設定すると、等方相の温度に設定していた時に発
生していた注入不良の問題を解決することが出来た。

【００４１】またエージングは、コレステリック相又は
等方相の温度範囲内に設定した温度で数時間に亘って行
われる。このエージングプロセスを用いることによっ
て、スメクチックＡ相又はコレステリック相でのプレチ
ルト角を経時に亘って安定化をはかることが出来た。特
にこのエージングプロセスを省略した場合では、後プロ
セスでの熱印加（例えば米国特許台４９６４７００号後
方に開示の異方性導電接着剤を用いた接続プロセスやカ
イラルスメクティック液晶の再配向プロセスの時の熱印
加）の影響を受けてプレチルト角に変動を生じ、この結
果配向不良の液晶装置を生じたり、液晶装置の特性がロ
ット内でバラツキを生じたりする問題を生んでいたが、
上述のエージングプロセスを用いることによって、プレ
チルト角の熱印加に対する不安定性を解消した。

【００４２】なお、液晶パネルにカイラルスメクチック
液晶を所定の注入温度で注入し、注入口を封止した後、
該液晶をコレステリック相が生じる温度より高い温度
で、且つ、該液晶の液晶分子の基板に対する傾斜角であ
るプレチルト角が安定化するのに十分な時間に亘って一
定のエージング温度で維持すると良い。また、エージン
グ温度を注入温度と等しいく設定するか又は注入温度よ
り高く設定すると良い。

【００４３】次に、上記製造方法による液晶装置を用い
た情報伝達装置の実施例を説明する。図５はブロック図
を示したもので情報伝達装置は、グラフィックコントロ
ーラ５０と、駆動制御回路５１と、走査信号制御回路５
２と、情報信号制御回路５３と、走査信号印加回路５４
と、情報信号印加回路５５と、液晶パネルＰＮ（先の実
施例における液晶装置）とを有している。そして、グラ
フィックコントローラ５０から出力されるデータと走査
方式信号は駆動制御回路５１により走査信号制御回路５
２と情報信号制御回路５３とに出力される。この際デー
タはアドレスデータと表示データに変換され、走査方式
信号はそのまま走査信号印加回路５４と情報信号印加回
路５５に送られる。走査信号印加回路５４は、走査方式
信号によって決まる走査信号波形を、アドレスデータに
よって決まる走査電極（不図示）に出力し、また情報信
号印加回路５５は、走査方式信号と表示データによって
送られる白又は黒の表示内容との２つによって決まる情
報信号波形を情報電極（不図示）に出力して、液晶パネ
ルＰＮに情報を表示する。

【００４４】以上構成により表示ムラが無く、優れた表
示品質の情報伝達装置が得られた。

【００４５】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれば
一軸配向処理後から液晶を注入するまでの最高経験温度
Ｔ₁ と液晶を注入した後の最高経験温度Ｔ₂ との関係が
２Ｔ₂＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ とすることにより、ジグザグ欠陥や
Ｃ１スプレイ状態、垂直配向状態のない良好なユニフォ
ーム配向状態を安定に得ることが可能となり、高品質な
液晶装置の製造が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するために適用される強誘
電性液晶の配向欠陥を説明する図。

【図２】本発明の原理を説明するために適用される強誘
電性液晶の配向状態を説明する図で、(a) はＣ１配向状
態、(b) はＣ２配向状態を示す図。

【図３】本発明の実施例に適用される液晶装置の断面
図。

【図４】本発明の実施例に適用される液晶装置の評価を
説明する図で(a) は評価信号を示す図、(b) は評価ポイ
ントを示す図。

【図５】本発明に係る液晶装置を用いた液晶装置のブロ
ック図。

【符号の説明】

１１ａ，１１ｂ ガラス基板（透明基板） １５ 強誘電性液晶（液晶） ５０ グラフィックコントローラ ５２ 走査信号制御回路 ５３ 情報信号制御回路 ＰＮ 液晶パネル（液晶装置）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶パネルにカイラルスメクチック液晶
   を所定の注入温度で注入し、注入口を封止した後、該液
   晶をコレステリック相が生じる温度より高い温度で、且
   つ、該液晶の液晶分子の基板に対する傾斜角であるプレ
   チルト角が安定化するのに十分な時間に亘って一定のエ
   ージング温度で維持してなる、 ことを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 前記エージング温度を前記注入温度と等
   しいく設定するか又は該注入温度より高く設定してな
   る、 請求項１記載の液晶装置。
3. 【請求項３】 配向規制力が付与された２枚の透明基板
   を所定間隙で貼り合わせてパネルを製造する前工程と、
   該パネルに液晶を注入して液晶装置を完成する後工程
   と、を有する液晶装置の製造方法において、 前記前工程で前記透明基板が経験する最高経験温度をＴ
   ₁ とし、前記後工程で透明基板が経験する最高経験温度
   をＴ₂ とした時、 ２Ｔ₂ ＞Ｔ₁ ＞Ｔ₂ なる関係を満たして、前記液晶をユニホーム配向をして
   なる、 ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記前工程における前記最高経験温度Ｔ
   ₁ と前記後工程における前記最高経験温度Ｔ₂ とがほぼ
   等しくなる様に設定されてなる、 請求項３記載の液晶装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記配向規制力が、一軸配向処理により
   一方向性を持つべく付与され、且つ、前記２枚の透明基
   板を貼り合わせる際に、該２枚の透明基板が有する前記
   配向規制力の前記一方向性のなす角θｃを、 ０°＜θｃ＜２０° の範囲に設定してなる、 請求項３又は４記載の液晶装置の製造方法を用いた液晶
   装置。
6. 【請求項６】 データ信号及び走査方式信号を出力する
   グラフィックコントローラと、 走査線アドレスデータ及び走査方式信号を出力する走査
   信号制御回路と、 表示データ及び走査方式信号を出力する情報信号制御回
   路と、 請求項１乃至５いずれか１記載の製造方法を用いた液晶
   装置と、を有して、 情報を表示・伝達してなる、 ことを特徴とする情報伝達装置。