JPH0290124A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH0290124A JPH0290124A JP24160388A JP24160388A JPH0290124A JP H0290124 A JPH0290124 A JP H0290124A JP 24160388 A JP24160388 A JP 24160388A JP 24160388 A JP24160388 A JP 24160388A JP H0290124 A JPH0290124 A JP H0290124A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は強誘電性液晶を用いた液晶電気光学素子に関す
る。
る。
［従来の技術］
従来の強誘電性液晶を用いた液晶電気光学素子に於いて
は、良好な特性を発現させるために種々の工夫がなされ
ているが、例えば整理特願昭６２−２９９１８６で述べ
られているように、シランカップリング剤を基板番ご塗
布してラビング法による配向処理を施し、さらに強誘電
相において交流電圧を印加して（以下通電処理と称す）
液晶の配向状態を規制するという方法が現在では最も優
れている。
は、良好な特性を発現させるために種々の工夫がなされ
ているが、例えば整理特願昭６２−２９９１８６で述べ
られているように、シランカップリング剤を基板番ご塗
布してラビング法による配向処理を施し、さらに強誘電
相において交流電圧を印加して（以下通電処理と称す）
液晶の配向状態を規制するという方法が現在では最も優
れている。
Ｃ発明が解決しようとする課！］
しかし、従来の技術では、通電処理を施した接、ある一
定の期間は非常によい特性が得られるが、それ以降は通
電処理の効果が低下してコントラスト比と光透過率が減
少してしまうという問題点があった。本発明は、上記ｒ
！！ｉｕ点を解決するもので、その目的とするところは
、非常によい特性を常に安定して得られる液晶電気光学
素子を提供することである。
定の期間は非常によい特性が得られるが、それ以降は通
電処理の効果が低下してコントラスト比と光透過率が減
少してしまうという問題点があった。本発明は、上記ｒ
！！ｉｕ点を解決するもので、その目的とするところは
、非常によい特性を常に安定して得られる液晶電気光学
素子を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、透明電極を有する２枚の基板のうち少なくと
も一方の基板表面に液晶配向処理を施し、前記基板間に
強誘電性液晶を封入後、前記強誘電性液晶の強誘電相に
て前記強誘電性液晶層に電界を印加することによって前
記強誘電性液晶の配向状態を規制する液晶電気光学者子
において、前記液晶電気光学素子の駆動回路を起動した
後、前記強誘電性液晶層を加熱し、少なくとも前記強誘
電性液晶層の温度が上昇し始めてから加熱前の温度に下
がるまでの間の任意の時間を含む５ｍ５ｅｃ以上の期間
に前記強誘電性液晶の分子が充分に反転することの出来
る周波数以下の交流電圧を前記強誘電性液晶層に印加す
ることを特徴とする。
も一方の基板表面に液晶配向処理を施し、前記基板間に
強誘電性液晶を封入後、前記強誘電性液晶の強誘電相に
て前記強誘電性液晶層に電界を印加することによって前
記強誘電性液晶の配向状態を規制する液晶電気光学者子
において、前記液晶電気光学素子の駆動回路を起動した
後、前記強誘電性液晶層を加熱し、少なくとも前記強誘
電性液晶層の温度が上昇し始めてから加熱前の温度に下
がるまでの間の任意の時間を含む５ｍ５ｅｃ以上の期間
に前記強誘電性液晶の分子が充分に反転することの出来
る周波数以下の交流電圧を前記強誘電性液晶層に印加す
ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例］
（実施例１）
第１図に本実施例で用いた液晶電気光学素子の略断面図
を示す。２１はガラス基板、２２は走査電極、２３は信
号電極、２４は絶縁層、２５は配向膜、２６は液晶層、
２７はスペーサー、２８は偏光板、２９は加熱用電極、
画素数は６４０Ｘ４００、画素サイズは０． ３ｘ０．
３ｍｒＩｉ′であり、加熱用電極は走査電極の上に重
なるように配置し、それらの幅は互いに等しくしである
。走査電極、信号電極、加熱用電極としてＩＴ○透明電
極を、まに絶縁層として ５ｉ０２を設けた基板上に、
シランカップリング剤の膜を形成しその表面にラビング
処理を施した。ここで用いたシランカップリング剤とし
ては、アミン基を有する化合物であるところのγ−アミ
ノプロピルメチルジェトキシシラン （Ｃ２ＩＳＯ） ２Ｓ ｉ （ＣＨ３） ＣｚＨｅＮＨ
ｐである。膜形成にあたっては上記化合物の０． ２％
エタノール溶液を基板上にスピンコードし、８０°Ｃで
約６０分焼成した。このようにして得られた基板を、上
下基板でラビング方向が１８０°となるように組み立て
た。液晶層厚は約２μｍとした。第１図においては上下
基板上に５ｉＯｚ絶縁層を設けであるが、これはどちら
か一方のみでもよい。また、ラビング処理についても片
側基板のみに施してもよい。
を示す。２１はガラス基板、２２は走査電極、２３は信
号電極、２４は絶縁層、２５は配向膜、２６は液晶層、
２７はスペーサー、２８は偏光板、２９は加熱用電極、
画素数は６４０Ｘ４００、画素サイズは０． ３ｘ０．
３ｍｒＩｉ′であり、加熱用電極は走査電極の上に重
なるように配置し、それらの幅は互いに等しくしである
。走査電極、信号電極、加熱用電極としてＩＴ○透明電
極を、まに絶縁層として ５ｉ０２を設けた基板上に、
シランカップリング剤の膜を形成しその表面にラビング
処理を施した。ここで用いたシランカップリング剤とし
ては、アミン基を有する化合物であるところのγ−アミ
ノプロピルメチルジェトキシシラン （Ｃ２ＩＳＯ） ２Ｓ ｉ （ＣＨ３） ＣｚＨｅＮＨ
ｐである。膜形成にあたっては上記化合物の０． ２％
エタノール溶液を基板上にスピンコードし、８０°Ｃで
約６０分焼成した。このようにして得られた基板を、上
下基板でラビング方向が１８０°となるように組み立て
た。液晶層厚は約２μｍとした。第１図においては上下
基板上に５ｉＯｚ絶縁層を設けであるが、これはどちら
か一方のみでもよい。また、ラビング処理についても片
側基板のみに施してもよい。
上記基板間に１５４１Ｉ誘電性液晶を等方相の状態で封
入し、室温（２５°Ｃ）まで冷却した。ここで、液晶に
はメルク社製のＺＬＩ−３７７５を用いた。
入し、室温（２５°Ｃ）まで冷却した。ここで、液晶に
はメルク社製のＺＬＩ−３７７５を用いた。
そして、この素子を駆動回路に接続し、その駆動回路を
起動した直後に通電加熱処理を施した。通電加熱処理に
ついては、用いた液晶のキュリー点は６１ ’Ｃであっ
たので、液晶層の温度が最高的５０°Ｃになるように線
順次でそれぞれの加熱用電極にＬ ＯＷ ／ ｃイの熱
量を１５０ ｍ５ｅｃ間づつ与えて液晶層を加熱した。
起動した直後に通電加熱処理を施した。通電加熱処理に
ついては、用いた液晶のキュリー点は６１ ’Ｃであっ
たので、液晶層の温度が最高的５０°Ｃになるように線
順次でそれぞれの加熱用電極にＬ ＯＷ ／ ｃイの熱
量を１５０ ｍ５ｅｃ間づつ与えて液晶層を加熱した。
また、加熱の走査に同期させて走査電極には線順次で±
２５ Ｖ、 １５ Ｈｚの方形波を印加した。この時
、信号電極の電位はＯＶとしておいた。
２５ Ｖ、 １５ Ｈｚの方形波を印加した。この時
、信号電極の電位はＯＶとしておいた。
このような通電加熱処理を行った後で駆動したところ、
１： ３８のコントラスト比が得られた。
１： ３８のコントラスト比が得られた。
次に、この液晶電気光学素子を３力月間信頼性の加速試
験を行った後、再び本発明による方法で駆動してみた。
験を行った後、再び本発明による方法で駆動してみた。
その結果、１： ３７のコントラスト比が得られた。ま
た、さらにその３力月後にも１：３７のコントラスト比
が（与られた。それに対して、従来の方法で（通電処理
を初期のみに施す）駆動した場合、初期のコントラスト
比は１；３８であったが、最初の３力月後には１：３３
、次の３力月壕には１： ２９まで低下した。 なお
、本実施例においてはアミノ系シランカップリング剤と
してγ−アミノプロピルメチルジェトキシシランを用い
たが、 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ｃ２ＨｓＯ）
３ｓｉｏ３ＨａＮＨ２ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン Ｈ２ＮＣ２Ｈ４ＮＨ２Ｃ３Ｈ６Ｓ ｉ （ＯＣＨ３）３
Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン Ｈ２ＮＣ２Ｈ４ＮＨＣｉＨａ（ＣＨ３）−３ｉ （ＯＣ
Ｈ３） ２ 等によっても同様な結果を得ることが出来た。
た、さらにその３力月後にも１：３７のコントラスト比
が（与られた。それに対して、従来の方法で（通電処理
を初期のみに施す）駆動した場合、初期のコントラスト
比は１；３８であったが、最初の３力月後には１：３３
、次の３力月壕には１： ２９まで低下した。 なお
、本実施例においてはアミノ系シランカップリング剤と
してγ−アミノプロピルメチルジェトキシシランを用い
たが、 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ｃ２ＨｓＯ）
３ｓｉｏ３ＨａＮＨ２ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン Ｈ２ＮＣ２Ｈ４ＮＨ２Ｃ３Ｈ６Ｓ ｉ （ＯＣＨ３）３
Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン Ｈ２ＮＣ２Ｈ４ＮＨＣｉＨａ（ＣＨ３）−３ｉ （ＯＣ
Ｈ３） ２ 等によっても同様な結果を得ることが出来た。
（実施例２）
本実施例では、液晶組成物にチッソ社製Ｃ８−１０１８
を用い、配向膜としてはエポキシ系シランカップリング
剤のγ−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン ＣＨ２−ＣＨＣＨ２０Ｃ３ＨａＳｉ （ＯＣＨｔ）３の
５％エタノール溶液をスピンコードし、 １２０°Ｃ６
０分間熱処理したものを用いた。
を用い、配向膜としてはエポキシ系シランカップリング
剤のγ−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン ＣＨ２−ＣＨＣＨ２０Ｃ３ＨａＳｉ （ＯＣＨｔ）３の
５％エタノール溶液をスピンコードし、 １２０°Ｃ６
０分間熱処理したものを用いた。
そして、第１の実施例と同様に通電加熱処理を行なった
。用いた液晶のキュリー点は５８°Ｃであったので、液
晶層の温度が最高的５０°Ｃになるように線順次でそれ
ぞれの加熱用電極にＩＯＷ／ｃイの熱量を１５０ ｍ５
ｅｃ間づつ与えて液晶層を加熱した。また、すべての画
素の加熱が季寄わるまでの間、全ての信号電極に２５
Ｖ、 １５ Ｈｚの方形波を印加し続けた。この時走
査電極の電位はＯｖとしておいた。その後駆動したとこ
ろ、１： ３５のコントラスト比が得られた。また、３
力月の信頼性加速試験後には１： ３２となり、６力月
後は１：３３であった。それに対して従来の方法で駆動
した場合、初期は１： ３５であったが最初の３力月漫
には１：２７、次の３力月後には１： ２０まで低下し
た。
。用いた液晶のキュリー点は５８°Ｃであったので、液
晶層の温度が最高的５０°Ｃになるように線順次でそれ
ぞれの加熱用電極にＩＯＷ／ｃイの熱量を１５０ ｍ５
ｅｃ間づつ与えて液晶層を加熱した。また、すべての画
素の加熱が季寄わるまでの間、全ての信号電極に２５
Ｖ、 １５ Ｈｚの方形波を印加し続けた。この時走
査電極の電位はＯｖとしておいた。その後駆動したとこ
ろ、１： ３５のコントラスト比が得られた。また、３
力月の信頼性加速試験後には１： ３２となり、６力月
後は１：３３であった。それに対して従来の方法で駆動
した場合、初期は１： ３５であったが最初の３力月漫
には１：２７、次の３力月後には１： ２０まで低下し
た。
上記の実施例では、通電処理として方形波を印加したが
、三角波、サイン波等の交流波形でもよい。また、加熱
する時の最高到達温度については、液晶材料によって通
電処理が最も有効に作用する温度が異なるため、液晶材
料によって適当に設定すればよく、その熱量と加熱時間
は、液晶素子の熱容量、環境温度や最高到達温度によっ
て適当に調節すればよい。加熱する手段としては、熱ヘ
ツドなどを用いて液晶素子の外部から加熱してもよい。
、三角波、サイン波等の交流波形でもよい。また、加熱
する時の最高到達温度については、液晶材料によって通
電処理が最も有効に作用する温度が異なるため、液晶材
料によって適当に設定すればよく、その熱量と加熱時間
は、液晶素子の熱容量、環境温度や最高到達温度によっ
て適当に調節すればよい。加熱する手段としては、熱ヘ
ツドなどを用いて液晶素子の外部から加熱してもよい。
液晶配向処理材については、アミノシラン系配向処理材
のみならず、ポリイミド、ポリアミド、５ｉ０２等によ
っても同様の効果が得られる。
のみならず、ポリイミド、ポリアミド、５ｉ０２等によ
っても同様の効果が得られる。
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
ず、広く表示素子、空間光変調器、光シヤツターなどに
応用が可能である。
ず、広く表示素子、空間光変調器、光シヤツターなどに
応用が可能である。
第１図は、本発明の実施例で用いた液晶電気光学素子の
略断面図である。 ２１・・・ガラス基板 ２２・・・走ＩＩｉ電極 ２３・・・信号電極 ２４・・・絶縁層 ２５・・・配向膜 ２６・・・液晶層 ２７・・・スペーサー ２８・・・偏光板 ２９・・・加熱用電極 以 上 〔発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、液晶電気光学装置を
使用するたびに、通電処理の効果が最も有効に作用する
温度において通電処理をすることができるため、非常に
よい電気光学特性を長期間にわたって安定して得られる
という効果を有する。 出願人 セイコーエプソン株式会社
略断面図である。 ２１・・・ガラス基板 ２２・・・走ＩＩｉ電極 ２３・・・信号電極 ２４・・・絶縁層 ２５・・・配向膜 ２６・・・液晶層 ２７・・・スペーサー ２８・・・偏光板 ２９・・・加熱用電極 以 上 〔発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、液晶電気光学装置を
使用するたびに、通電処理の効果が最も有効に作用する
温度において通電処理をすることができるため、非常に
よい電気光学特性を長期間にわたって安定して得られる
という効果を有する。 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (5)
- （１）透明電極を有する２枚の基板の内、少なくとも一
方の基板表面に液晶配向処理を施し、前記基板間に強誘
電性液晶を封入後、前記強誘電性液晶の強誘電相におい
て前記強誘電性液晶層に電界を印加することによって前
記強誘電性液晶の配向状態を規制する液晶電気光学素子
において、前記液晶電気光学素子の駆動回路を起動した
後、交流電圧を前記強誘電性液晶層に印加し、かつ、前
記強誘電性液晶層を加熱する手段を持つことを特徴とす
る液晶電気光学素子。 - （２）前記交流電圧が印加される期間は、少なくとも前
記加熱手段によって加熱された前記強誘電性液晶層の温
度が上昇を始めてから加熱前の温度に下がるまでの任意
の期間を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶電
気光学素子。 - （３）前記交流電圧を印加する時間は少なくとも５ｍｓ
ｅｃ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶
電気光学素子。 - （４）前記交流電圧の周波数は、前記強誘電性液晶の分
子が充分に反転することの出来る周波数以下であること
を特徴とする請求項１に記載の液晶電気光学素子。 - （５）前記配向状態とは、前記強誘電性液晶の分子の配
列状態だけではなく、前記強誘電性液晶が持っている層
構造をも含むことを特徴とする 請求項１に記載の液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24160388A JPH0290124A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24160388A JPH0290124A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290124A true JPH0290124A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17076775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24160388A Pending JPH0290124A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335717B2 (en) * | 1997-06-30 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140126A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP24160388A patent/JPH0290124A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140126A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335717B2 (en) * | 1997-06-30 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
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