JPH02195325A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
- Publication number
- JPH02195325A JPH02195325A JP1440189A JP1440189A JPH02195325A JP H02195325 A JPH02195325 A JP H02195325A JP 1440189 A JP1440189 A JP 1440189A JP 1440189 A JP1440189 A JP 1440189A JP H02195325 A JPH02195325 A JP H02195325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- optical element
- driving circuit
- voltage
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶電気光学素子に関
する。
する。
従来の強誘電性液晶を用いた液晶電気光学素子は、特願
昭６２−２９９１８６号で述べられているように、シラ
ンカップリング剤を基板に塗布してラビング法による配
向処理を施し、さらに強誘電相にて交流電圧を印加して
（以下通電処理と呼ぶ）液晶の配向状態を規制すること
によって良好な特性を発現させている。
昭６２−２９９１８６号で述べられているように、シラ
ンカップリング剤を基板に塗布してラビング法による配
向処理を施し、さらに強誘電相にて交流電圧を印加して
（以下通電処理と呼ぶ）液晶の配向状態を規制すること
によって良好な特性を発現させている。
従来技術においては、通電処理を施した後、ある一定の
期間は非常に良い特性が得られるが、それ以後は通電処
理の効果が低下してコントラスト比が減少してしまうと
いう問題があった。
期間は非常に良い特性が得られるが、それ以後は通電処
理の効果が低下してコントラスト比が減少してしまうと
いう問題があった。
本発明は上記問題点を解決するもので、その１］的とす
るところは、非常に良い特性を常に安定して得られる液
晶電気光学素子を提１ｊ（することである。
るところは、非常に良い特性を常に安定して得られる液
晶電気光学素子を提１ｊ（することである。
本発明の液晶電気光学素子は、その駆動回路を起動した
後、液晶分子が充分に反転できる周波数以下の交流電圧
を少くとも５ｍｓｅｃ以上印加することを特徴とする。
後、液晶分子が充分に反転できる周波数以下の交流電圧
を少くとも５ｍｓｅｃ以上印加することを特徴とする。
（実施例１）
第１図は、本発明の実施例における基本構成を示す電気
光字素ｒの断面図である。ＩＴＯ透明電極及び５ｉｎ２
絶縁層を設けた基板上に、シランカップリング剤の膜を
形成し、その表面にラビング処理を施した。ここで用い
たシランカップリング剤としては、アミノ基を有する化
合物であるところのγ−アミノプロピルメチルジェトキ
シシラノ （Ｃ２Ｈｑ Ｏ） ２ Ｓ ｉ （ＣＨｓ ）
Ｃｓ Ｈ６Ｎｌ２である。膜形成にあたっては、
上記化合物の０゜２％エタノール溶液を基板上にスピン
コードし、８０℃で約６０分焼成した。このようにして
得られた基板を、上下基板でラビング方向が１８０”と
なるように組立てた。セル厚は約２μ「ｎとした。
光字素ｒの断面図である。ＩＴＯ透明電極及び５ｉｎ２
絶縁層を設けた基板上に、シランカップリング剤の膜を
形成し、その表面にラビング処理を施した。ここで用い
たシランカップリング剤としては、アミノ基を有する化
合物であるところのγ−アミノプロピルメチルジェトキ
シシラノ （Ｃ２Ｈｑ Ｏ） ２ Ｓ ｉ （ＣＨｓ ）
Ｃｓ Ｈ６Ｎｌ２である。膜形成にあたっては、
上記化合物の０゜２％エタノール溶液を基板上にスピン
コードし、８０℃で約６０分焼成した。このようにして
得られた基板を、上下基板でラビング方向が１８０”と
なるように組立てた。セル厚は約２μ「ｎとした。
第１図においては上下両基板上にＳｉｎ、絶縁層を設け
であるが、これは、どちらか一方のみでもよい。また、
ラビング処理についてもＪ１側基板のみ施してもよい。
であるが、これは、どちらか一方のみでもよい。また、
ラビング処理についてもＪ１側基板のみ施してもよい。
上記基板間に強誘電性液晶を加熱封入し、室温（約２５
℃）まで冷却した。ここで液晶には、メルク社製ＺＬＩ
−３７７５を用いた。そして、この素子を駆動回路に接
続し、その駆動回路を起動した直後、±２５Ｖ、１５Ｈ
ｚの方形波を約８秒間印加してから駆動したところ、コ
ントラスト比１：３８が得られた。次に、この液晶電気
光学素子を２ケ月間放置した後、前記通電処理機能を持
たない駆動回路に接続して駆動した（従来技術に準する
）ところ、コントラスト比は１：２５まで低下していた
が、本発明に従って通電処理機能を持つ駆動回路に接続
して駆動したところ、１＝３５のコントラスト比が得ら
れた。又、さらに２ケ月後にも１：３５が得られた。
℃）まで冷却した。ここで液晶には、メルク社製ＺＬＩ
−３７７５を用いた。そして、この素子を駆動回路に接
続し、その駆動回路を起動した直後、±２５Ｖ、１５Ｈ
ｚの方形波を約８秒間印加してから駆動したところ、コ
ントラスト比１：３８が得られた。次に、この液晶電気
光学素子を２ケ月間放置した後、前記通電処理機能を持
たない駆動回路に接続して駆動した（従来技術に準する
）ところ、コントラスト比は１：２５まで低下していた
が、本発明に従って通電処理機能を持つ駆動回路に接続
して駆動したところ、１＝３５のコントラスト比が得ら
れた。又、さらに２ケ月後にも１：３５が得られた。
なお、本実施例においてはアミノ系シランカップリング
剤としてγ−アミノプロピルメチルジェトキシシランを
用いたが、 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ｃ２Ｈ，Ｏ）
、Ｓ ｉ Ｃ，Ｈ６ＮＨ２Ｎ−β（アミノエチル）γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン Ｈ２ＮＣ２Ｈ，Ｎｌ２ ＣＩ Ｈ６Ｓ ｉ （ＱＣＨ
３）３ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン Ｈ２ＮＣｚＨ４ＮＨＣＩＨ６（ＣＨ＊） Ｓ ｉ （
ＯＣト）２ などによっても同様な結果を得るｊＪｌができた。
剤としてγ−アミノプロピルメチルジェトキシシランを
用いたが、 γ−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ｃ２Ｈ，Ｏ）
、Ｓ ｉ Ｃ，Ｈ６ＮＨ２Ｎ−β（アミノエチル）γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン Ｈ２ＮＣ２Ｈ，Ｎｌ２ ＣＩ Ｈ６Ｓ ｉ （ＱＣＨ
３）３ Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン Ｈ２ＮＣｚＨ４ＮＨＣＩＨ６（ＣＨ＊） Ｓ ｉ （
ＯＣト）２ などによっても同様な結果を得るｊＪｌができた。
実施例−２
液晶組成物にチッソｉｔ製Ｃ９−１０１８を用い、配向
膜にエポキシ系シランカップリング剤のγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランの５％エタノール溶液を
スピンコードし、１２０’Ｃ６０分間熱処理したものを
使用した場合の実施例を示す。実施例−１と同一な方法
で素子を構成し、液晶を加熱封入、冷却後±３０Ｖ、２
００Ｈ２の交番波形を５秒間印加した。配向を規制する
ために印加する電界は、方形波、三角波、サイン波等の
交流波形で、その周波数は、使用する液晶の応答速度に
応じて、液晶分子が充分に反転する周波数以下であれば
有効である。このようにして得られた素子を実施例１と
同様に作製直後と２ケ月後の特性を比較した。、その結
果、作製直後のコントラスト比は１：４３．２ケ月後、
従来技術によれば１：２９本発明によれば１：４０が得
られた。又、さらに２ケ月後には１：４１が得られた。
膜にエポキシ系シランカップリング剤のγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランの５％エタノール溶液を
スピンコードし、１２０’Ｃ６０分間熱処理したものを
使用した場合の実施例を示す。実施例−１と同一な方法
で素子を構成し、液晶を加熱封入、冷却後±３０Ｖ、２
００Ｈ２の交番波形を５秒間印加した。配向を規制する
ために印加する電界は、方形波、三角波、サイン波等の
交流波形で、その周波数は、使用する液晶の応答速度に
応じて、液晶分子が充分に反転する周波数以下であれば
有効である。このようにして得られた素子を実施例１と
同様に作製直後と２ケ月後の特性を比較した。、その結
果、作製直後のコントラスト比は１：４３．２ケ月後、
従来技術によれば１：２９本発明によれば１：４０が得
られた。又、さらに２ケ月後には１：４１が得られた。
以上述べたように本発明によれば、液晶電気光学素子の
駆動回路を起動した後、液晶分子が充分に反転できる周
波数以ドの交流電圧を印加することによって、非常に良
い特性を常に安定して得ることができる。本発明は大容
量デイスプレィ、ライトバルブ、各種型ｒ・シャッター
などに応用できる。
駆動回路を起動した後、液晶分子が充分に反転できる周
波数以ドの交流電圧を印加することによって、非常に良
い特性を常に安定して得ることができる。本発明は大容
量デイスプレィ、ライトバルブ、各種型ｒ・シャッター
などに応用できる。
第１図は本発明実施例１及び２の液晶電気光学素子の断
面図である。 １１ ・ − １３◆壷 １５争番 ・基板 ・電極 ・配向膜 ・液晶層 ・絶縁層 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
面図である。 １１ ・ − １３◆壷 １５争番 ・基板 ・電極 ・配向膜 ・液晶層 ・絶縁層 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）透明電極を有する２枚の基板のうち、少なくとも
一方の基板表面にアミノ基もしくはエポキシ基を有する
シランカップリング剤を塗布してラビング法による配向
処理を施し、該基板間に強誘電性液晶を封入後、強誘電
性液晶相において上記電極間に電界を印加する事によっ
て液晶の配向状態を規制する液晶電気光学素子において
、前記液晶電気光学素子の駆動回路を起動した後、交流
電圧を上記電極間に印加することを特徴とする液晶電気
光学素子。 - （２）前記交流電圧を印加する時間は少くとも５ｍｓｅ
ｃ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶電
気光学素子。 - （３）前記交流電圧の周波数は前記強誘電性液晶の分子
が充分に反転できる周波数以下であることを特徴とする
請求項１に記載の液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1440189A JPH02195325A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1440189A JPH02195325A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02195325A true JPH02195325A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11860026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1440189A Pending JPH02195325A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02195325A (ja) |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1440189A patent/JPH02195325A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02195325A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP2532759B2 (ja) | 配向制御膜と液晶素子 | |
| JPS61165730A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPS62299815A (ja) | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH02311824A (ja) | 配向制御膜と液晶素子 | |
| JPH0290124A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP2800390B2 (ja) | 液晶素子の製法 | |
| JPH02267526A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPS62250419A (ja) | 液晶電気光学素子の製造方法 | |
| JPS62103620A (ja) | 液晶セル | |
| JPH02257120A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPH01245224A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP2532758B2 (ja) | 配向制御膜と液晶素子 | |
| JPH01243022A (ja) | 電気光学的表示素子 | |
| JPS62173433A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH0336524A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPS61269124A (ja) | 強誘電性液晶の配向制御法 | |
| JPH02257121A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPS6380229A (ja) | 液晶光スイツチ素子 | |
| JPH032728A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPH02287323A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JPH02287318A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH0348818A (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPS6330827A (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| JPH0481817A (ja) | 強誘電性液晶パネル |