JP2000111959A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2000111959A JP2000111959A JP28173498A JP28173498A JP2000111959A JP 2000111959 A JP2000111959 A JP 2000111959A JP 28173498 A JP28173498 A JP 28173498A JP 28173498 A JP28173498 A JP 28173498A JP 2000111959 A JP2000111959 A JP 2000111959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- temperature range
- phase
- temperature
- chiral smectic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示ムラの発生を低減する。
【解決手段】 室温にてカイラルスメクチックＣＡ相を
発現する液晶を利用して液晶パネルを作成するに当た
り、室温にあってカイラルスメクチックＣＡ相を発現し
ている液晶パネルを符号Ｓ1 で示す温度（すなわち、カ
イラルスメクチックＣ相を発現する温度）まで昇温した
後に室温まで冷却し（符号Ｔ1 及びＴ2 参照）、再び符
号Ｓ2 で示す温度（すなわち、カイラルスメクチックＣ
相を発現する温度）まで昇温した後に室温まで冷却して
（符号Ｔ1 及びＴ2 参照）熱処理を施す。これにより、
液晶の配向状態が均一となって表示ムラの発生が低減さ
れる。
発現する液晶を利用して液晶パネルを作成するに当た
り、室温にあってカイラルスメクチックＣＡ相を発現し
ている液晶パネルを符号Ｓ1 で示す温度（すなわち、カ
イラルスメクチックＣ相を発現する温度）まで昇温した
後に室温まで冷却し（符号Ｔ1 及びＴ2 参照）、再び符
号Ｓ2 で示す温度（すなわち、カイラルスメクチックＣ
相を発現する温度）まで昇温した後に室温まで冷却して
（符号Ｔ1 及びＴ2 参照）熱処理を施す。これにより、
液晶の配向状態が均一となって表示ムラの発生が低減さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、第１の温度範囲に
おいてカイラルスメクチックＣＡ相を発現する液晶を備
えた液晶素子を製造する液晶素子の製造方法に係り、詳
しくは、表示ムラの発生を低減するための熱処理に関す
る。
おいてカイラルスメクチックＣＡ相を発現する液晶を備
えた液晶素子を製造する液晶素子の製造方法に係り、詳
しくは、表示ムラの発生を低減するための熱処理に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、強誘電性を示す液晶（以下、“強
誘電性液晶”とする）の屈折率異方性を利用し、偏光素
子と組み合わせることによって透過光線を制御する型の
液晶パネル（以下、“強誘電性液晶パネル”とする）が
クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォール（Ｌａｇｅ
ｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０
７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。
誘電性液晶”とする）の屈折率異方性を利用し、偏光素
子と組み合わせることによって透過光線を制御する型の
液晶パネル（以下、“強誘電性液晶パネル”とする）が
クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォール（Ｌａｇｅ
ｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０
７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。
【０００３】この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域
においてカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ
相（ＳｍＨ＊）を有し、この状態において、加えられる
電界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安
定状態のいずれかを取り、かつ電界の印加のないときは
その状態を維持する性質、すなわち双安定性を有してお
り、また、この強誘電性液晶パネルは、神辺らが米国特
許第４６５５５６１号公報などで提案したマルチプレク
シング駆動を適用でき、大画面で高精細なディスプレイ
として期待されている。
においてカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ
相（ＳｍＨ＊）を有し、この状態において、加えられる
電界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安
定状態のいずれかを取り、かつ電界の印加のないときは
その状態を維持する性質、すなわち双安定性を有してお
り、また、この強誘電性液晶パネルは、神辺らが米国特
許第４６５５５６１号公報などで提案したマルチプレク
シング駆動を適用でき、大画面で高精細なディスプレイ
として期待されている。
【０００４】さらに最近では、反強誘電性液晶相（Ｓｍ
ＣＡ＊相）を応用することで、高速スイッチングを有す
る階調表示可能なディスプレイが期待されている。
ＣＡ＊相）を応用することで、高速スイッチングを有す
る階調表示可能なディスプレイが期待されている。
【０００５】ところで、このような強誘電性液晶パネル
を製造するに際しては、岡田らが米国特許第４６３９０
８９号公報等で明らかにしているように、高温側の等方
相から５℃／時間程度の冷却速度で液晶を徐冷し、コレ
ステリック相（Ｃｈ相）やスメクチックＡ相（ＳｍＡ
相）を通過させてカイラルスメクチック相（ＳｍＣ＊
相、ＳｍＣＡ＊相）を生じさせて、モノドメインの配向
状態を生じさせることを必要としていた。
を製造するに際しては、岡田らが米国特許第４６３９０
８９号公報等で明らかにしているように、高温側の等方
相から５℃／時間程度の冷却速度で液晶を徐冷し、コレ
ステリック相（Ｃｈ相）やスメクチックＡ相（ＳｍＡ
相）を通過させてカイラルスメクチック相（ＳｍＣ＊
相、ＳｍＣＡ＊相）を生じさせて、モノドメインの配向
状態を生じさせることを必要としていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような方法で液晶パネルを製造した場合には液晶の配向
が不均一となって配向ムラ、並びに該配向ムラに起因す
る表示ムラが発生し易いという問題があった。そのた
め、表示品位の良い大画面で高精細の液晶パネルが作成
できないという問題があった。
ような方法で液晶パネルを製造した場合には液晶の配向
が不均一となって配向ムラ、並びに該配向ムラに起因す
る表示ムラが発生し易いという問題があった。そのた
め、表示品位の良い大画面で高精細の液晶パネルが作成
できないという問題があった。
【０００７】そこで、本発明は、配向ムラや表示ムラが
低減された液晶素子を製造する、液晶素子の製造方法を
提供することを目的とするものである。
低減された液晶素子を製造する、液晶素子の製造方法を
提供することを目的とするものである。
【０００８】また、本発明は、表示品位の良い大画面で
高精細な液晶素子を製造する、液晶素子の製造方法を提
供することを目的とするものである。
高精細な液晶素子を製造する、液晶素子の製造方法を提
供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、第１の温度範囲においてカイ
ラルスメクチックＣＡ相を発現する液晶と、該液晶に電
圧を印加してこれを駆動する電極と、を備えた液晶素子
を製造する、液晶素子の製造方法において、前記第１の
温度範囲に保持されてカイラルスメクチックＣＡ相を発
現している液晶を、前記第１の温度範囲よりも高い温度
範囲であって前記カイラルスメクチックＣＡ相の発現し
ない温度範囲にまで昇温した後、該カイラルスメクチッ
クＣＡ相の発現しない温度範囲から前記第１の温度範囲
にまで冷却する工程を２回以上繰り返して熱処理を施
す、ことを特徴とする。
してなされたものであり、第１の温度範囲においてカイ
ラルスメクチックＣＡ相を発現する液晶と、該液晶に電
圧を印加してこれを駆動する電極と、を備えた液晶素子
を製造する、液晶素子の製造方法において、前記第１の
温度範囲に保持されてカイラルスメクチックＣＡ相を発
現している液晶を、前記第１の温度範囲よりも高い温度
範囲であって前記カイラルスメクチックＣＡ相の発現し
ない温度範囲にまで昇温した後、該カイラルスメクチッ
クＣＡ相の発現しない温度範囲から前記第１の温度範囲
にまで冷却する工程を２回以上繰り返して熱処理を施
す、ことを特徴とする。
【００１０】この場合、前記熱処理を行っている場合で
あって前記液晶が前記第１の温度範囲にある場合（或
は、前記第１の温度範囲及び前記第２の温度範囲にある
場合）に、該液晶に対して交流電界を印加すると良い。
あって前記液晶が前記第１の温度範囲にある場合（或
は、前記第１の温度範囲及び前記第２の温度範囲にある
場合）に、該液晶に対して交流電界を印加すると良い。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図１乃至図４を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。
本発明の実施の形態について説明する。
【００１２】本発明を実施することによって製造される
液晶素子Ｐは、図１に示すように、第１の温度範囲にお
いてカイラルスメクチックＣＡ相（ＳｍＣＡ＊相）を発
現する液晶３と、該液晶３に電圧を印加してこれを駆動
する電極２ａ，２ｂと、を備えている。
液晶素子Ｐは、図１に示すように、第１の温度範囲にお
いてカイラルスメクチックＣＡ相（ＳｍＣＡ＊相）を発
現する液晶３と、該液晶３に電圧を印加してこれを駆動
する電極２ａ，２ｂと、を備えている。
【００１３】なお、上述した液晶３は、図に示すよう
に、平行に配置された一対の基板１ａ，１ｂの間隙に配
置すれば良く、前記電極２ａ，２ｂは、これら一対の基
板１ａ，１ｂにそれぞれ形成すれば良い。また、それぞ
れの電極２ａ，２ｂを覆うように、ショート防止のため
の絶縁膜４ａ，４ｂや、液晶３の配向のための配向制御
膜５ａ，５ｂを配置しても良い。さらに、これら一対の
基板１ａ，１ｂの間隙は、該間隙に配置したスペーサー
６にて規定すれば良く、シール接着剤７にて封止するよ
うにしてもよい（図２参照）。
に、平行に配置された一対の基板１ａ，１ｂの間隙に配
置すれば良く、前記電極２ａ，２ｂは、これら一対の基
板１ａ，１ｂにそれぞれ形成すれば良い。また、それぞ
れの電極２ａ，２ｂを覆うように、ショート防止のため
の絶縁膜４ａ，４ｂや、液晶３の配向のための配向制御
膜５ａ，５ｂを配置しても良い。さらに、これら一対の
基板１ａ，１ｂの間隙は、該間隙に配置したスペーサー
６にて規定すれば良く、シール接着剤７にて封止するよ
うにしてもよい（図２参照）。
【００１４】一方、液晶３としては、前記第１の温度範
囲より高い第２の温度範囲においてカイラルスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ＊相）を発現するものを挙げることがで
き、該第２の温度範囲よりも高い第３の温度範囲におい
てスメクチックＡ相（ＳｍＡ相）を発現し、該第３の温
度範囲よりも高い第４の温度範囲において等方性液体相
（Ｉｓｏ相）を発現する反強誘電性液晶等を挙げること
ができる。
囲より高い第２の温度範囲においてカイラルスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ＊相）を発現するものを挙げることがで
き、該第２の温度範囲よりも高い第３の温度範囲におい
てスメクチックＡ相（ＳｍＡ相）を発現し、該第３の温
度範囲よりも高い第４の温度範囲において等方性液体相
（Ｉｓｏ相）を発現する反強誘電性液晶等を挙げること
ができる。
【００１５】なお、本明細書においては、２つ（或は２
組）ある構成部材につきそれらを区別する必要がある場
合には“ａ”及び“ｂ”を付した符号で示し（例えば、
基板１ａ，１ｂ、電極２ａ，２ｂ等）、区別する必要が
ない場合には“ａ”及び“ｂ”を付さない符号（例え
ば、基板１、電極２等）で示す。
組）ある構成部材につきそれらを区別する必要がある場
合には“ａ”及び“ｂ”を付した符号で示し（例えば、
基板１ａ，１ｂ、電極２ａ，２ｂ等）、区別する必要が
ない場合には“ａ”及び“ｂ”を付さない符号（例え
ば、基板１、電極２等）で示す。
【００１６】次に、本発明に係る液晶素子の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１７】液晶素子Ｐを製造するに当たっては、図３
に示すように、第１の温度範囲（例えば、３０℃）に保
持されＳｍＣＡ＊相が発現している液晶３を、前記第１
の温度範囲よりも高い温度範囲であって前記ＳｍＣＡ＊
相の発現しない温度範囲にまで昇温した後（符号Ｔ1 参
照）、該ＳｍＣＡ＊相の発現しない温度範囲から前記第
１の温度範囲にまで冷却してＳｍＣＡ＊相を発現させる
（符号Ｔ2 参照）工程を、２回以上繰り返して熱処理
（すなわち、液晶３にカイラルスメクチック相内を昇降
温させる熱処理）を施す。
に示すように、第１の温度範囲（例えば、３０℃）に保
持されＳｍＣＡ＊相が発現している液晶３を、前記第１
の温度範囲よりも高い温度範囲であって前記ＳｍＣＡ＊
相の発現しない温度範囲にまで昇温した後（符号Ｔ1 参
照）、該ＳｍＣＡ＊相の発現しない温度範囲から前記第
１の温度範囲にまで冷却してＳｍＣＡ＊相を発現させる
（符号Ｔ2 参照）工程を、２回以上繰り返して熱処理
（すなわち、液晶３にカイラルスメクチック相内を昇降
温させる熱処理）を施す。
【００１８】この場合、前記Ｔ1 における昇温を、前記
第２の温度範囲にまで行ってカイラルスメクチックＣ相
を発現させると共に、かかる昇温工程を２回以上繰り返
すと良い。前記第２の温度範囲にまで２回昇温される場
合の液晶３の最高到達温度を、図３に符号Ｓ1 及びＳ2
で示すようにほぼ等しくしても良く、図４に符号Ｓ3及
びＳ4 で示すように異ならせても良い。
第２の温度範囲にまで行ってカイラルスメクチックＣ相
を発現させると共に、かかる昇温工程を２回以上繰り返
すと良い。前記第２の温度範囲にまで２回昇温される場
合の液晶３の最高到達温度を、図３に符号Ｓ1 及びＳ2
で示すようにほぼ等しくしても良く、図４に符号Ｓ3及
びＳ4 で示すように異ならせても良い。
【００１９】また、前記熱処理における液晶３の１回目
の昇温を前記第２の温度範囲にまで行い、２回目の昇温
を前記第２の温度範囲以外の温度にまで行うようにして
もよい。
の昇温を前記第２の温度範囲にまで行い、２回目の昇温
を前記第２の温度範囲以外の温度にまで行うようにして
もよい。
【００２０】さらに、上記熱処理を行っている場合であ
って前記液晶３が前記第１の温度範囲にある場合、或は
前記液晶３が前記第１の温度範囲及び前記第２の温度範
囲にある場合に、該液晶３に対して交流電界を印加する
ようにすると良い。この場合の交流電界としては、矩形
の電圧パルスからなるものを挙げることができるが、周
波数が１ｋＨｚ以下で、波高値が５Ｖ／μｍ以上のもの
が好ましい。
って前記液晶３が前記第１の温度範囲にある場合、或は
前記液晶３が前記第１の温度範囲及び前記第２の温度範
囲にある場合に、該液晶３に対して交流電界を印加する
ようにすると良い。この場合の交流電界としては、矩形
の電圧パルスからなるものを挙げることができるが、周
波数が１ｋＨｚ以下で、波高値が５Ｖ／μｍ以上のもの
が好ましい。
【００２１】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
る。
【００２２】本実施の形態によれば、対角長が１４イン
チ程度の大画面の液晶素子や高精細な液晶素子において
も、液晶３の均一な配向状態を実現すると共に配向ムラ
に伴う表示ムラの発生を抑制でき、表示品位を良好にで
きる。
チ程度の大画面の液晶素子や高精細な液晶素子において
も、液晶３の均一な配向状態を実現すると共に配向ムラ
に伴う表示ムラの発生を抑制でき、表示品位を良好にで
きる。
【００２３】特に、液晶３に交流電界を印加した状態で
前記熱処理を行った場合には、電極２ａ，２ｂの幅が狭
い高精細な液晶素子においても液晶３の配向が均一とな
り、表示ムラが改善される。
前記熱処理を行った場合には、電極２ａ，２ｂの幅が狭
い高精細な液晶素子においても液晶３の配向が均一とな
り、表示ムラが改善される。
【００２４】
【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００２５】（実施例１）本実施例においては、図１及
び図２に示す液晶パネル（液晶素子）Ｐを作成した。
び図２に示す液晶パネル（液晶素子）Ｐを作成した。
【００２６】本実施例においては、液晶パネルＰを一対
の基板１ａ，１ｂにて構成し、それぞれの基板１ａ，１
ｂの表面には多数のストライプ状の電極２ａ，２ｂを形
成した。また、各基板１ａ，１ｂには、電極２ａ，２ｂ
を覆うように絶縁膜４ａ，４ｂや配向制御膜５ａ，５ｂ
を形成し、基板間隙は、スペーサー６にて規定すると共
にシール接着剤７にて封止した。さらに、液晶３は基板
間隙に配置した。
の基板１ａ，１ｂにて構成し、それぞれの基板１ａ，１
ｂの表面には多数のストライプ状の電極２ａ，２ｂを形
成した。また、各基板１ａ，１ｂには、電極２ａ，２ｂ
を覆うように絶縁膜４ａ，４ｂや配向制御膜５ａ，５ｂ
を形成し、基板間隙は、スペーサー６にて規定すると共
にシール接着剤７にて封止した。さらに、液晶３は基板
間隙に配置した。
【００２７】なお、本実施例においては、基板１ａ，１
ｂに、寸法が約２７０mm×３２０mm×１．１mmのガラス
基板を用い、電極２ａ，２ｂには、ＩＴＯ（インジウム
・ティン・オキサイド）からなる透明電極を用いた。ま
た、この透明電極２ａ，２ｂは、膜厚を１５００Åと
し、幅を１００μｍとし、隣接される透明電極相互の間
隙を３０μｍとした。
ｂに、寸法が約２７０mm×３２０mm×１．１mmのガラス
基板を用い、電極２ａ，２ｂには、ＩＴＯ（インジウム
・ティン・オキサイド）からなる透明電極を用いた。ま
た、この透明電極２ａ，２ｂは、膜厚を１５００Åと
し、幅を１００μｍとし、隣接される透明電極相互の間
隙を３０μｍとした。
【００２８】さらに、絶縁膜４ａ，４ｂには、厚さが９
００ÅのＴａ2 Ｏ5 からなる膜を用い、配向制御膜５
ａ，５ｂには約２００Åの厚さのポリアミド膜を用い
た。
００ÅのＴａ2 Ｏ5 からなる膜を用い、配向制御膜５
ａ，５ｂには約２００Åの厚さのポリアミド膜を用い
た。
【００２９】またさらに、シール接着剤７にはエポキシ
樹脂の接着剤を用いた。このシール接着剤７は、図２に
示すように、ガラス基板１ａ，１ｂの周縁部に沿って
０．２７mmの幅でライン状に配置し、シール接着剤７で
囲まれた領域の寸法（但し、シール接着剤７の塗布幅の
中心を基準とした寸法）を２５７mm×３１５mmとした。
ここで、符号７ａに示す部分は、液晶３を注入するため
の注入口を示し、液晶３を注入する前にはシール接着剤
７を塗布せず、液晶３を注入した後に封止される部分で
あって、その寸法は、図示上下方向のシール接着剤７の
塗布長（すなわち、シール接着剤７の塗布幅の中心を基
準とした寸法で２５７mm）の約３分の１程度とした。
樹脂の接着剤を用いた。このシール接着剤７は、図２に
示すように、ガラス基板１ａ，１ｂの周縁部に沿って
０．２７mmの幅でライン状に配置し、シール接着剤７で
囲まれた領域の寸法（但し、シール接着剤７の塗布幅の
中心を基準とした寸法）を２５７mm×３１５mmとした。
ここで、符号７ａに示す部分は、液晶３を注入するため
の注入口を示し、液晶３を注入する前にはシール接着剤
７を塗布せず、液晶３を注入した後に封止される部分で
あって、その寸法は、図示上下方向のシール接着剤７の
塗布長（すなわち、シール接着剤７の塗布幅の中心を基
準とした寸法で２５７mm）の約３分の１程度とした。
【００３０】一方、液晶３には、下記の相転移温度を示
す強誘電性液晶（チッソ社製のＣＳ−４０００）を用い
た。
す強誘電性液晶（チッソ社製のＣＳ−４０００）を用い
た。
【００３１】
【化１】 また、液晶パネルＰの有効光学変調領域を２３５mm×２
９４mmとした。
９４mmとした。
【００３２】次に、本実施例に係る液晶パネルの製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００３３】まず、スパッタ法を用いてガラス基板１の
表面にＩＴＯ膜を成膜し、該ＩＴＯ膜をフォトリソグラ
フ法によってパターニングして透明電極２を形成し、こ
の透明電極２を覆うように絶縁膜４をスパッタ法で形成
した。
表面にＩＴＯ膜を成膜し、該ＩＴＯ膜をフォトリソグラ
フ法によってパターニングして透明電極２を形成し、こ
の透明電極２を覆うように絶縁膜４をスパッタ法で形成
した。
【００３４】次に、配向制御膜５を形成した。この配向
制御膜５の形成に際しては、絶縁膜４の表面にポリアミ
ド酸溶液をスピナー（スピナーの回転速度を２０００ｒ
ｐｍとし、回転時間を２０ｓｅｃ）で塗布し、２７０℃
の温度で１時間の焼成を行い、その後、ラビング処理を
行った。
制御膜５の形成に際しては、絶縁膜４の表面にポリアミ
ド酸溶液をスピナー（スピナーの回転速度を２０００ｒ
ｐｍとし、回転時間を２０ｓｅｃ）で塗布し、２７０℃
の温度で１時間の焼成を行い、その後、ラビング処理を
行った。
【００３５】このようにして、ガラス基板１に透明電極
２や配向制御膜５等を形成したものを２枚作成し、一方
のガラス基板１ａには、シリカやアルミナ等からなる所
定の平均粒径のビーズスペーサー６を所定の密度となる
ように散布し、他方のガラス基板１ｂの周縁部にはディ
スペンサーを用いてシール接着剤７を塗布し、これらの
ガラス基板１ａ，１ｂを、ラビング方向が略平行となる
ように貼り合わせて液晶セルを作成した。その後、１６
０℃の温度と１ｋｇ／ｃｍ2 の圧力とを加えた状態で１
時間保持し、シール接着剤７を硬化させた。
２や配向制御膜５等を形成したものを２枚作成し、一方
のガラス基板１ａには、シリカやアルミナ等からなる所
定の平均粒径のビーズスペーサー６を所定の密度となる
ように散布し、他方のガラス基板１ｂの周縁部にはディ
スペンサーを用いてシール接着剤７を塗布し、これらの
ガラス基板１ａ，１ｂを、ラビング方向が略平行となる
ように貼り合わせて液晶セルを作成した。その後、１６
０℃の温度と１ｋｇ／ｃｍ2 の圧力とを加えた状態で１
時間保持し、シール接着剤７を硬化させた。
【００３６】最後に、減圧下に置いた液晶セルに対して
毛細管現象を利用して液晶３を注入し、その後、注入口
７ａを封止した。
毛細管現象を利用して液晶３を注入し、その後、注入口
７ａを封止した。
【００３７】ところで、本実施例においては、この液晶
３の注入に際して、図３に示す熱処理を施した。すなわ
ち、 ＊ ３０℃の温度で１０分間放置し、 ＊ その後、３０分かけて１１０℃にまで昇温して３０
分間放置し（液晶３はＩｓｏ相を発現する）、 ＊ さらに、３０分かけて３０℃に徐冷して１０分間放
置し（液晶３はＳｍＣＡ＊相を発現する）、 ＊ 符号Ｔ1 に示すように、３０分かけて８３℃（符号
Ｓ1 参照）にまで昇温して３０分間放置し（液晶３はＳ
ｍＣ＊相を発現する）、 ＊ 符号Ｔ2 に示すように、３０分かけて３０℃に徐冷
して１０分間放置し（液晶３はＳｍＣＡ＊相を発現す
る）、 ＊ 符号Ｔ1 に示すように、３０分かけて８３℃（符号
Ｓ2 参照）にまで昇温して３０分間放置し（液晶３はＳ
ｍＣ＊相を発現する）、 ＊ 符号Ｔ2 に示すように、３０分かけて３０℃に徐冷
した（液晶３はＳｍＣＡ＊相を発現する）。
３の注入に際して、図３に示す熱処理を施した。すなわ
ち、 ＊ ３０℃の温度で１０分間放置し、 ＊ その後、３０分かけて１１０℃にまで昇温して３０
分間放置し（液晶３はＩｓｏ相を発現する）、 ＊ さらに、３０分かけて３０℃に徐冷して１０分間放
置し（液晶３はＳｍＣＡ＊相を発現する）、 ＊ 符号Ｔ1 に示すように、３０分かけて８３℃（符号
Ｓ1 参照）にまで昇温して３０分間放置し（液晶３はＳ
ｍＣ＊相を発現する）、 ＊ 符号Ｔ2 に示すように、３０分かけて３０℃に徐冷
して１０分間放置し（液晶３はＳｍＣＡ＊相を発現す
る）、 ＊ 符号Ｔ1 に示すように、３０分かけて８３℃（符号
Ｓ2 参照）にまで昇温して３０分間放置し（液晶３はＳ
ｍＣ＊相を発現する）、 ＊ 符号Ｔ2 に示すように、３０分かけて３０℃に徐冷
した（液晶３はＳｍＣＡ＊相を発現する）。
【００３８】次に、本実施例の効果について説明する。
【００３９】本実施例によれば、液晶３の配向状態は均
一となって、表示ムラは全く発生しなかった。
一となって、表示ムラは全く発生しなかった。
【００４０】なお、本発明者は、本発明の効果と熱処理
との相関性を確認すべく、図５(a)(b) 及び図６(a) (b)
の条件の熱処理を上記液晶パネルＰに施して表示ムラ
の発生の有無を確認した。なお、図５(a) に示すもの
は、液晶３がＩｓｏ相を発現するように加熱し、その後
ＳｍＣＡ＊相を発現するように単に徐冷しただけの熱処
理であり、図５(b) に示すものは、図３における８３℃
への昇温を１回のみ行う熱処理である。また、図６(a)
に示すものは、図５(b) に似ているが最高到達温度は８
３℃ではなく８０℃（ＳｍＣＡ＊相を発現する温度範囲
のほぼ上限の温度）に過ぎないものであり、図６(b) に
示すものは、図３に似ているが最高到達温度は８３℃で
はなく８０℃（ＳｍＣＡ＊相を発現する温度範囲のほぼ
上限の温度）に過ぎないものである。なお、このような
熱処理条件以外については上述と同じ構成及び製造方法
とした。
との相関性を確認すべく、図５(a)(b) 及び図６(a) (b)
の条件の熱処理を上記液晶パネルＰに施して表示ムラ
の発生の有無を確認した。なお、図５(a) に示すもの
は、液晶３がＩｓｏ相を発現するように加熱し、その後
ＳｍＣＡ＊相を発現するように単に徐冷しただけの熱処
理であり、図５(b) に示すものは、図３における８３℃
への昇温を１回のみ行う熱処理である。また、図６(a)
に示すものは、図５(b) に似ているが最高到達温度は８
３℃ではなく８０℃（ＳｍＣＡ＊相を発現する温度範囲
のほぼ上限の温度）に過ぎないものであり、図６(b) に
示すものは、図３に似ているが最高到達温度は８３℃で
はなく８０℃（ＳｍＣＡ＊相を発現する温度範囲のほぼ
上限の温度）に過ぎないものである。なお、このような
熱処理条件以外については上述と同じ構成及び製造方法
とした。
【００４１】図５(a) 及び図６(a) (b) に示す条件の熱
処理を施した場合には表示ムラが発見され、図５(b) に
示す条件の熱処理を施した場合には表示ムラが多少発見
され、図３に示す条件の熱処理を施すことが表示ムラの
防止の点から有効であることがわかった。
処理を施した場合には表示ムラが発見され、図５(b) に
示す条件の熱処理を施した場合には表示ムラが多少発見
され、図３に示す条件の熱処理を施すことが表示ムラの
防止の点から有効であることがわかった。
【００４２】（実施例２）実施例１では透明電極２ａ，
２ｂの幅を１００μｍとしたが、本実施例においては透
明電極２ａ，２ｂの幅を７０μｍ及び１５０μｍの２種
類として多数の液晶パネルを作成し、それぞれの液晶パ
ネルに図３並びに図５(a) (b) に示す条件の熱処理を施
した。それ以外の構成及び製造方法は実施例１と同じに
し、表示ムラの有無を観察した。その結果は、下表に示
す通りである。
２ｂの幅を１００μｍとしたが、本実施例においては透
明電極２ａ，２ｂの幅を７０μｍ及び１５０μｍの２種
類として多数の液晶パネルを作成し、それぞれの液晶パ
ネルに図３並びに図５(a) (b) に示す条件の熱処理を施
した。それ以外の構成及び製造方法は実施例１と同じに
し、表示ムラの有無を観察した。その結果は、下表に示
す通りである。
【００４３】
【表１】 この実験によれば、液晶パネルが高精細になればなる程
（すなわち、透明電極２ａ，２ｂの幅が狭くなればなる
程）表示ムラが発生し易くなるものの、図３に示す条件
の熱処理を施すことによって電極幅の如何にかかわらず
表示ムラの発生が抑えられることが分かった。
（すなわち、透明電極２ａ，２ｂの幅が狭くなればなる
程）表示ムラが発生し易くなるものの、図３に示す条件
の熱処理を施すことによって電極幅の如何にかかわらず
表示ムラの発生が抑えられることが分かった。
【００４４】（実施例３）本実施例においては、透明電
極２ａ，２ｂの幅を７０μｍとし、図４に示す条件の熱
処理を施した。それ以外の構成及び製造方法は実施例１
と同じにした。
極２ａ，２ｂの幅を７０μｍとし、図４に示す条件の熱
処理を施した。それ以外の構成及び製造方法は実施例１
と同じにした。
【００４５】実施例２に示したように、同一電極幅（７
０μｍ）で図３に示す条件の熱処理を施した場合には多
少の表示ムラが発生していたが（表１参照）、本実施例
の場合には表示ムラは全く発見されなかった。つまり、
本実施例のように最高到達温度Ｓ3 ，Ｓ4 が異なる条件
での熱処理の方が表示ムラの低減に有効であることが分
かった。
０μｍ）で図３に示す条件の熱処理を施した場合には多
少の表示ムラが発生していたが（表１参照）、本実施例
の場合には表示ムラは全く発見されなかった。つまり、
本実施例のように最高到達温度Ｓ3 ，Ｓ4 が異なる条件
での熱処理の方が表示ムラの低減に有効であることが分
かった。
【００４６】なお、透明電極２ａ，２ｂの幅が１００μ
ｍ及び１５０μｍの液晶パネルに同一条件の熱処理（図
４に示す熱処理）を施しても、表示ムラが改善されてい
ることが分かった。
ｍ及び１５０μｍの液晶パネルに同一条件の熱処理（図
４に示す熱処理）を施しても、表示ムラが改善されてい
ることが分かった。
【００４７】（実施例４）本実施例においては、透明電
極２ａ，２ｂの幅を７０μｍとし、図３に示す条件の熱
処理を施した。また、該熱処理を施している間であって
液晶３の温度が３０℃（すなわち、第１の温度範囲）の
ときに、周波数が１００Ｈｚで波高値が±５Ｖ／μｍで
デューティ比が５０％の矩形波の交流電界を印加した。
それ以外の構成及び製造方法は実施例１と同じにした。
極２ａ，２ｂの幅を７０μｍとし、図３に示す条件の熱
処理を施した。また、該熱処理を施している間であって
液晶３の温度が３０℃（すなわち、第１の温度範囲）の
ときに、周波数が１００Ｈｚで波高値が±５Ｖ／μｍで
デューティ比が５０％の矩形波の交流電界を印加した。
それ以外の構成及び製造方法は実施例１と同じにした。
【００４８】実施例２に示したように、同一電極幅（７
０μｍ）で同一条件の熱処理（図３に示す条件の熱処
理）を施した場合（すなわち、交流電界を印加しない場
合）には多少の表示ムラが発生していたが（表１参
照）、本実施例のように交流電界を印加した場合には表
示ムラは全く発見されなかった。つまり、本実施例のよ
うに交流電界を印加することが表示ムラの低減に有効で
あることが分かった。
０μｍ）で同一条件の熱処理（図３に示す条件の熱処
理）を施した場合（すなわち、交流電界を印加しない場
合）には多少の表示ムラが発生していたが（表１参
照）、本実施例のように交流電界を印加した場合には表
示ムラは全く発見されなかった。つまり、本実施例のよ
うに交流電界を印加することが表示ムラの低減に有効で
あることが分かった。
【００４９】なお、“交流電界の波高値”と“交流電界
を印加する場合の液晶３の温度”とをそれぞれ変えて同
様の実験を行ったところ、下表のようになり、波高値が
±５Ｖ／μｍ以上で、温度が８３℃以下であれば（すな
わち、液晶３がＳｍＣ＊相にあるときに交流電界を印加
すれば）表示ムラが改善されることが分かった。
を印加する場合の液晶３の温度”とをそれぞれ変えて同
様の実験を行ったところ、下表のようになり、波高値が
±５Ｖ／μｍ以上で、温度が８３℃以下であれば（すな
わち、液晶３がＳｍＣ＊相にあるときに交流電界を印加
すれば）表示ムラが改善されることが分かった。
【００５０】
【表２】
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
対角長が１４インチ程度の大画面の液晶素子や高精細な
液晶素子においても、液晶の均一な配向状態を実現する
と共に配向ムラに伴う表示ムラの発生を抑制でき、表示
品位を良好にできる。
対角長が１４インチ程度の大画面の液晶素子や高精細な
液晶素子においても、液晶の均一な配向状態を実現する
と共に配向ムラに伴う表示ムラの発生を抑制でき、表示
品位を良好にできる。
【００５２】特に、液晶に交流電界を印加した状態で熱
処理を行った場合には、電極の幅が狭い高精細な液晶素
子においても液晶の配向が均一となり、表示ムラが改善
される。
処理を行った場合には、電極の幅が狭い高精細な液晶素
子においても液晶の配向が均一となり、表示ムラが改善
される。
【図１】本発明を適用して製造する液晶パネル（液晶素
子）の構造の一例を示す断面図。
子）の構造の一例を示す断面図。
【図２】本発明を適用して製造する液晶パネル（液晶素
子）の構造の一例を示す平面図。
子）の構造の一例を示す平面図。
【図３】本発明に適用される熱処理条件の一例を示す
図。
図。
【図４】本発明に適用される熱処理条件の一例を示す
図。
図。
【図５】比較例として、本発明に適用されない熱処理条
件の一例を示す図。
件の一例を示す図。
【図６】比較例として、本発明に適用されない熱処理条
件の一例を示す図。
件の一例を示す図。
３ 液晶 ２ａ，２ｂ 透明電極（電極） Ｐ 液晶パネル（液晶素子） Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ，Ｓ4 最高到達温度
Claims (11)
- 【請求項１】 第１の温度範囲においてカイラルスメク
チックＣＡ相を発現する液晶と、該液晶に電圧を印加し
てこれを駆動する電極と、を備えた液晶素子を製造す
る、液晶素子の製造方法において、 前記第１の温度範囲に保持されてカイラルスメクチック
ＣＡ相を発現している液晶を、前記第１の温度範囲より
も高い温度範囲であって前記カイラルスメクチックＣＡ
相の発現しない温度範囲にまで昇温した後、該カイラル
スメクチックＣＡ相の発現しない温度範囲から前記第１
の温度範囲にまで冷却する工程を２回以上繰り返して熱
処理を施す、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記液晶が、前記第１の温度範囲よりも
高い第２の温度範囲においてカイラルスメクチックＣ相
を発現し、かつ、 前記第１の温度範囲に保持されてカイラルスメクチック
ＣＡ相を発現している液晶を、前記第２の温度範囲にま
で昇温してカイラルスメクチックＣ相を発現させた後、
該第２の温度範囲から前記第１の温度範囲にまで冷却す
る工程を２回以上繰り返して熱処理を施す、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項３】 前記液晶が前記第２の温度範囲にまで２
回昇温される場合の最高到達温度がほぼ等しい、 ことを特徴とする請求項２に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項４】 前記液晶が前記第２の温度範囲にまで２
回昇温される場合の最高到達温度が異なる、 ことを特徴とする請求項２に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記液晶が、前記第１の温度範囲よりも
高い第２の温度範囲においてカイラルスメクチックＣ相
を発現し、かつ、 前記第１の温度範囲に保持されてカイラルスメクチック
ＣＡ相を発現している液晶を、前記第２の温度範囲にま
で昇温してカイラルスメクチックＣ相を発現させた後該
第２の温度範囲から前記第１の温度範囲にまで冷却する
工程と、前記第１の温度範囲に保持されてカイラルスメ
クチックＣＡ相を発現している液晶を、前記第２の温度
範囲以外の温度にまで昇温した後該温度から前記第１の
温度範囲にまで冷却する工程と、を繰り返して熱処理を
施す、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項６】 前記熱処理を行っている場合であって前
記液晶が前記第１の温度範囲にある場合に、該液晶に対
して交流電界を印加する、 ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載
の液晶素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記熱処理を行っている場合であって前
記液晶が前記第１の温度範囲及び前記第２の温度範囲に
ある場合に、該液晶に対して交流電界を印加する、 ことを特徴とする請求項６に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項８】 前記交流電界が矩形の電圧パルスからな
る、 ことを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶素子の製
造方法。 - 【請求項９】 前記交流電界が１ｋＨｚ以下の周波数で
ある、 ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載
の液晶素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記交流電界の波高値が５Ｖ／μｍ以
上である、 ことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載
の液晶素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記液晶が、前記第２の温度範囲より
も高い第３の温度範囲においてスメクチックＡ相を発現
し、該第３の温度範囲よりも高い第４の温度範囲におい
て等方性液体相を発現する、 ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記
載の液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28173498A JP2000111959A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28173498A JP2000111959A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000111959A true JP2000111959A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17643250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28173498A Pending JP2000111959A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000111959A (ja) |
-
1998
- 1998-10-02 JP JP28173498A patent/JP2000111959A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1038204B1 (en) | Phase separated composite organic film and methods for the manufacture thereof | |
| WO2005071475A1 (ja) | 液晶表示素子 | |
| WO2005071476A1 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH03164713A (ja) | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 | |
| KR100751188B1 (ko) | 강유전성 액정표시장치의 제조방법 | |
| JPS62160426A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH09311354A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| KR100412482B1 (ko) | 강유전성 액정 표시소자의 제조방법 | |
| JPS63237031A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2000111959A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JP2927662B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4088705B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3029171B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2819814B2 (ja) | 強誘電性液晶パネル | |
| KR19980023051A (ko) | 강유전성 액정표시장치 의 제조방법 | |
| JPH07181495A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JP2695262B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JPH0446410B2 (ja) | ||
| JP2914889B2 (ja) | 液晶表示素子および製造方法 | |
| JP3207187B2 (ja) | 反強誘電性液晶表示器 | |
| KR20020010857A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2000147529A (ja) | 液晶素子、及び該液晶素子の製造方法 | |
| JPS63280221A (ja) | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH0290124A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP2002122851A (ja) | 液晶素子とその製造方法 |