JP2005167225A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005167225A5
JP2005167225A5 JP2004326481A JP2004326481A JP2005167225A5 JP 2005167225 A5 JP2005167225 A5 JP 2005167225A5 JP 2004326481 A JP2004326481 A JP 2004326481A JP 2004326481 A JP2004326481 A JP 2004326481A JP 2005167225 A5 JP2005167225 A5 JP 2005167225A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
layer
gate insulating
emitting device
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004326481A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4656916B2 (ja
JP2005167225A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004326481A priority Critical patent/JP4656916B2/ja
Priority claimed from JP2004326481A external-priority patent/JP4656916B2/ja
Publication of JP2005167225A publication Critical patent/JP2005167225A/ja
Publication of JP2005167225A5 publication Critical patent/JP2005167225A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4656916B2 publication Critical patent/JP4656916B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2004326481A 2003-11-14 2004-11-10 発光装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4656916B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004326481A JP4656916B2 (ja) 2003-11-14 2004-11-10 発光装置の作製方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003386003 2003-11-14
JP2004326481A JP4656916B2 (ja) 2003-11-14 2004-11-10 発光装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005167225A JP2005167225A (ja) 2005-06-23
JP2005167225A5 true JP2005167225A5 (enExample) 2007-11-29
JP4656916B2 JP4656916B2 (ja) 2011-03-23

Family

ID=34741815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004326481A Expired - Fee Related JP4656916B2 (ja) 2003-11-14 2004-11-10 発光装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4656916B2 (enExample)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010064301A1 (ja) * 2008-12-02 2010-06-10 株式会社島津製作所 光マトリックスデバイスの製造方法
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6717700B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2701738B2 (ja) * 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
JP2003080694A (ja) * 2001-06-26 2003-03-19 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP4042099B2 (ja) * 2002-04-22 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
JP2003318401A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105280681B (zh) 有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法
CN102569307B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN110036458B (zh) 形成结晶半导体层的方法、制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示设备
JP2011103452A5 (enExample)
US20180197901A1 (en) Thin film transistor, display substrate and display panel having the same, and fabricating method thereof
US20150102344A1 (en) Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same
US20200185535A1 (en) Oxide thin film transistor, array substrate, and preparation methods thereof
CN103594521B (zh) 半导体元件
WO2017107274A1 (zh) 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法
CN105633170A (zh) 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置
CN104752203A (zh) 一种薄膜晶体管的制作方法
US20180226511A1 (en) Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and s/d contacts
JP2004343018A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2017208532A (ja) 完全自己整合デュアルゲート薄膜トランジスタを製造するための方法
WO2017219412A1 (zh) 顶栅型薄膜晶体管的制作方法
JP5284582B2 (ja) 有機薄膜トランジスタの製造方法
CN108474986B (zh) 薄膜晶体管及其制造方法、具有该薄膜晶体管的显示基板和显示面板
CN102437196B (zh) 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
TWI389211B (zh) 影像顯示系統及其製造方法
CN107170811B (zh) 一种金属氧化物薄膜晶体管结构背板及其制备方法
JP2005167225A5 (enExample)
TWI528564B (zh) 薄膜電晶體及其製作方法
JP2005157323A5 (enExample)
JP2009206388A (ja) 薄膜トランジスタとその製造方法
CN107068549B (zh) 电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置