TWI528564B - 薄膜電晶體及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種半導體元件及其製作方法，且特別是有關於一種薄膜電晶體及其製作方法。
隨著現代資訊科技的進步，各種不同規格的顯示器已被廣泛地應用在消費者電子產品的螢幕之中，例如手機、筆記型電腦、數位相機以及個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)等。在這些顯示器中，由於液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有機電激發光顯示器(Organic Electro-luminescent Display，OELD或稱為OLED)具有輕薄以及消耗功率低的優點，因此在市場中成為主流商品。LCD與OLED的製程包括將半導體元件陣列排列於基板上，而半導體元件包含薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)。
隨著顯示器的解析度越來越高，薄膜電晶體的尺寸也越來越小。目前已發展了一種自行對準式的頂閘極(self-align top-gate)結構的薄膜電晶體以克服微影製程中對位的限制，並且改
善閘極-汲極與閘極-源極之寄生電容(parasitic capacitance)(亦即，Cgd與Cgs)的問題。在現行技術中，需要進行整面性的鋁薄膜濺鍍且厚度需控制在5奈米左右，並搭配退火過程使高阻值的氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)與鋁薄膜進行氧化反應而變成低阻值的氧化銦鎵鋅。然而，由於現行技術的導電電極會透過接觸窗與側邊的氧化鋁或反應不完全的鋁接觸，因此容易造成漏電流偏高的問題，進而導致元件失效。
本發明提供一種薄膜電晶體及其製作方法，使得自行對準式的頂閘極結構的薄膜電晶體具有較佳的元件特性。
本發明提出一種薄膜電晶體，其配置於基板上。此薄膜電晶體包括氧化物半導體層、閘絕緣層、閘極、氧吸收層、絕緣層以及多個導電電極。氧化物半導體層配置於所述基板上，氧化物半導體層包括通道區以及多個低氧區，通道區位於低氧區之間。閘絕緣層覆蓋通道區而暴露出低氧區。閘絕緣層位於氧化物半導體層與閘極之間。氧吸收層配置於氧化物半導體層的低氧區上，並具有多個第一開口。各第一開口暴露出具有第一面積的其中一低氧區。絕緣層配置於所述基板上，其覆蓋氧吸收層、氧化物半導體層以及閘極，且絕緣層具有多個第二開口。各第二開口位於其中一第一開口之內以暴露出具有第二面積的其中一低氧區，其中第二面積小於第一面積。多個導電電極分別設置於第二
開口中以接觸具有第二面積的低氧區。
本發明另提出一種薄膜電晶體的製作方法，其包括以下步驟。於基板上形成氧化物半導體層，氧化物半導體層具有通道區及多個低氧區，且通道區位於低氧區之間。於基板上形成閘絕緣層，閘絕緣層覆蓋氧化物半導體層的通道區。於基板上形成閘極，閘絕緣層位於閘極與氧化物半導體層之間。於基板上形成氧吸收層，氧吸收層接觸於氧化物半導體的低氧區。於氧吸收層中形成多個第一開口，各第一開口暴露出具有第一面積的其中一低氧區。於基板上形成絕緣層，絕緣層覆蓋氧吸收層、氧化物通半導體層以及閘極。於絕緣層中形成多個第二開口，各第二開口位於其中一第一開口之內以暴露出具有第二面積的其中一低氧區，其中第二面積小於第一面積。於第二開口中形成多個導電電極。
基於上述，在本發明的薄膜電晶體及其製作方法中，氧吸收層可設置有第一開口，絕緣層可設置有第二開口，且第二開口位於第一開口內。再者，導電電極位於第二開口中以與低氧區接觸而不接觸氧吸收層。因此，本發明的絕緣層被配置於導電電極與氧吸收層之間以使此兩者不接觸且電性絕緣。如此一來，本發明可避免導電電極與側邊的氧吸收層中的氧吸收材料(例如氧化鋁或反應不完全的鋁)接觸，進而可改善漏電流以使薄膜電晶體具有較佳的元件特性。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200‧‧‧薄膜電晶體
110‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧氧化物半導體層
132‧‧‧通道區
134‧‧‧低氧區
140‧‧‧島狀結構
142‧‧‧閘絕緣層
144‧‧‧閘極
150‧‧‧氧吸收層
150a‧‧‧第一開口
152‧‧‧第一部分
154‧‧‧第二部分
160‧‧‧絕緣層
160a‧‧‧第二開口
170‧‧‧導電電極
510、520、530、540、550、560、610、620、630、640、650、660‧‧‧曲線
A‧‧‧區域
A1‧‧‧第一面積
A2‧‧‧第二面積
OS‧‧‧長度
T‧‧‧厚度
圖1是依照本發明的第一實施例的薄膜電晶體的剖面示意圖。
圖2是圖1中的A區域的上視示意圖。
圖3A至圖3D是依照本發明的第一實施例的薄膜電晶體的製作方法的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的第二實施例的薄膜電晶體的剖面示意圖。
圖5為比較例的薄膜電晶體的汲極電流-閘極電壓曲線圖。
圖6為實驗例的薄膜電晶體的汲極電流-閘極電壓曲線圖。
圖1是依照本發明的第一實施例的薄膜電晶體100的剖面示意圖，而圖2是圖1中的A區域的上視示意圖，其中所述A區域為其中一個第一開口的區域。
薄膜電晶體100配置於基板110上。基板110的材質例如是玻璃、石英、有機聚合物或是金屬等等。再者，在本實施例中，緩衝層120配置於薄膜電晶體100與基板110之間，亦即在基板110上可配置有緩衝層120。緩衝層120的材質例如是氧化物。然而，本發明不限於此。在本發明的其他實施例中，亦可不
包括緩衝層120，只要基板110可忍受薄膜電晶體100的製作方法中的微影蝕刻製程即可。
請同時參照圖1及圖2，此薄膜電晶體100包括氧化物半導體層130、閘絕緣層142、閘極144、氧吸收層150、絕緣層160以及多個導電電極170。
氧化物半導體層130配置於緩衝層120上。氧化物半導體層130的材質例如是金屬氧化物半導體材料，而金屬氧化物半導體材料包括氧化銦鎵鋅(IGZO)或其他合適的材料。氧化物半導體層130包括通道區132以及多個低氧區134，其中通道區132位於兩相鄰的低氧區134之間。再者，氧化物半導體層130的低氧區134的氧濃度低於通道區132的氧濃度。
閘絕緣層142覆蓋通道區132而暴露出低氧區134。閘絕緣層142的材質例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其他合適的絕緣材料。再者，閘極144配置於閘絕緣層142上，亦即閘絕緣層142位於氧化物半導體層130與閘極144之間。閘極144的材質包括金屬、金屬氧化物、有機導電材料或上述之組合。閘極144與閘絕緣層142共同構成島狀結構140，且島狀結構140位於氧化物半導體層130的通道區132上。在本實施例中，閘極144的寬度與閘絕緣層142的寬度大致接近，但本發明不限於此。在本發明的其他實施例中，閘極144的寬度也可以是小於閘絕緣層142的寬度。
氧吸收層150配置於氧化物半導體層130的低氧區134
上，並具有多個第一開口150a。各第一開口150a暴露出具有第一面積A1的其中一低氧區134(如圖2所示，A區域為其中一個第一開口150a的區域)。再者，在本實施例中，氧吸收層150可共形地覆蓋閘極144，並且可更延伸至氧化物通道層130之外。換言之，氧吸收層150可包括第一部分152與第二部分154，其中第一部分152接觸於氧化物半導體層130的低氧區134，而第二部分154接觸於閘極144、閘絕緣層142或緩衝層120。第一部分152具有第一氧濃度，而第二部分154具有第二氧濃度，其中第一氧濃度高於第二氧濃度。氧吸收層150的材質包括鎂、鋁、矽、鈦、釩、鉻、鎳、釔、鋯、鈮、鉬、鈰、釹、鉿、鉭、鎢或上述之組合，但本發明不限於此。在本發明的其他實施例中，氧吸收層150也可以是其他合適的氧吸收材料，只要此氧吸收材料可吸收低氧區134的氧以獲得所需的低阻值的低氧區134即可。氧吸收層150的厚度T例如是2nm~20nm，較佳是4nm~10nm。
絕緣層160配置於氧吸收層150上，且部分絕緣層160配置於第一開口150a中。絕緣層160的材質例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其他合適的絕緣材料。詳言之，絕緣層160覆蓋氧吸收層150、氧化物半導體層130以及閘極144，且絕緣層160具有多個第二開口160a。各第二開口160a位於其中一第一開口150a之內以暴露出具有第二面積A2的其中一低氧區134，其中第二面積A2小於第一面積A1。
多個導電電極170分別設置於第二開口160a中以接觸具
有第二面積A2的低氧區134。導電電極170的材質包括金屬、金屬氧化物、有機導電材料或上述之組合。另外，在圖1中OS長度是表示介於通道區132邊界到導電電極170(源極/汲極)邊界的長度，此區域為低阻值的區域。
值得一提的是，氧吸收層150與導電電極170由絕緣層160分隔開來。詳言之，部分絕緣層160配置於第一開口150a中，並且此部分絕緣層160位於導電電極170(位於第二開口160a中)與氧吸收層150(位於第一開口150a以外的區域)之間以使此兩者不接觸且電性絕緣。如此一來，本發明可避免導電電極170透過第二開口160a(亦即，接觸窗開口)與側邊的氧吸收層150中的氧吸收材料(例如氧化鋁或反應不完全的鋁)接觸，進而可改善漏電流以使薄膜電晶體100具有較佳的元件特性。
關於薄膜電晶體100的製作方法將於下文中詳細地描述。圖3A至圖3D是依照本發明的第一實施例的薄膜電晶體100的製作方法的剖面示意圖。
請參照圖3A，首先，於基板110上形成緩衝層120以整面性地覆蓋基板110。接著，於緩衝層120上形成氧化物半導體層130。形成氧化物半導體層130的方法包括將氧化物半導體材料層(未繪示)形成於緩衝層120上，再將氧化物半導體材料層圖案化以形成氧化物半導體層130。圖案化的方法包括進行微影蝕刻製程或其他合適的方法。再者，氧化物半導體層130具有通道區132及多個低氧區134，且通道區132位於兩相鄰的低氧區134之間。
然後，於氧化物半導體層130上形成閘絕緣層142與閘極144。閘極144與閘絕緣層142共同構成島狀結構140，且島狀結構140位於氧化物半導體層130的通道區132上。詳言之，閘絕緣層142覆蓋氧化物半導體層130的通道區132，且閘絕緣層142位於閘極144與氧化物半導體層130之間。形成閘絕緣層142與閘極144的方法包括依序將絕緣材料層(未繪示)與導電層(未繪示)形成於氧化物半導體層130及緩衝層120上，再將導電層與絕緣材料層圖案化以形成閘極144以及閘絕緣層142。圖案化的方法包括進行微影蝕刻製程或其他合適的方法。在本實施例中，採用同一個圖案化步驟形成閘絕緣層142與形成閘極144，但本發明不限於此。在本發明的其他實施例中，亦可以是採用不同的圖案化步驟形成閘絕緣層142與形成閘極144，以使閘極144的寬度小於閘絕緣層142的寬度。
請參照圖3A，之後，於基板110上形成氧吸收層150，氧吸收層150至少接觸於氧化物半導體130的低氧區134。在本實施例中，形成氧吸收層150的方法包括先將氧吸收材料(未繪示)形成於基板110上，使得至少部分的氧吸收材料接觸氧化物半導體層130。此時，進行退火製程使氧吸收材料吸收氧化物半導體層130的氧而形成低氧區134。因而，氧吸收層150具有第一氧濃度的第一部分152以及具有第二氧濃度的第二部分154，其中第一氧濃度高於第二氧濃度。並且，第一部分152即直接接觸氧化物半導體層130，而第二部分154沒有接觸氧化物半導體層130。
接著，請參照圖3B，於氧吸收層150的第一部分152中形成多個第一開口150a，各第一開口150a暴露出具有第一面積A1的其中一個低氧區134。形成第一開口150a的方法包括在氧吸收層150吸收低氧區134的氧使低氧區134的氧濃度低於通道區132的氧濃度之後，進行圖案化步驟以移除部分的氧吸收層150而形成第一開口150a。圖案化的方法包括進行微影蝕刻製程或其他合適的方法。
請參照圖3C，接著，於基板110上形成絕緣層160，且絕緣層160覆蓋氧吸收層150、氧化物半導體層130以及閘極144。在本實施例中，形成絕緣層160的方法包括先將絕緣材料(未繪示)形成於氧吸收層150上並填入第一開口150a中。接著，於絕緣層160中形成多個第二開口160a，各第二開口160a位於其中一第一開口150a之內以暴露出具有第二面積A2的其中一低氧區134，其中第二面積A2小於第一面積A1。形成第二開口160a的方法包括進行圖案化步驟以移除部分的絕緣層160而形成第二開口160a。圖案化的方法包括進行微影蝕刻製程或其他合適的方法。
值得一提的是，在本發明的一實施例中，第一開口150a與第二開口160a可藉由相同一個光罩(未繪示)並採用不同的圖案化步驟來形成，因此不需要製作額外的光罩，進而可避免增加成本。此時，為了讓第一開口150a與第二開口160a的尺寸不同，兩道圖案化步驟的製程條件，諸如曝光強度、光阻厚度、蝕刻深度等，可以有所不同。然而，本發明不限於此。在本發明的其他
實施例中，也可以是藉由不同光罩(未繪示)分別形成第一開口150a與形成第二開口160a。
請參照圖3D，然後，至少於第二開口160a中形成多個導電電極170。在本實施例中，形成導電電極170的方法包括先將導電電極材料(未繪示)形成於絕緣層160上並填入第二開口160a中，再將絕緣層160上的導電電極170圖案化而形成。圖案化的方法包括進行微影蝕刻製程或其他合適的方法。
圖4是依照本發明的第二實施例的薄膜電晶體200的剖面示意圖。圖4之實施例與上述圖1之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複說明。請參照圖4，圖4之實施例與上述圖1之實施例的不同之處在於氧吸收層150僅包括第一部分152，而不包括第二部分154。
薄膜電晶體200的製作方法與上述薄膜電晶體100的製作方法相似，因此僅針對此兩者不同之處說明而不再加以贅述。薄膜電晶體200的製作方法與上述薄膜電晶體100的製作方法的不同之處在於更包括移除圖3A中氧吸收層150的第二部分154(亦即，未接觸低氧區134的部分的氧吸收層150)的步驟。舉例來說，在進行圖案化步驟以移除部分的氧吸收層150而形成第一開口150a時(如圖3B所示)，可同時藉由此圖案化步驟移除氧吸收層150的第二部分154，但本發明不限於此。在本發明的其它實施例中，也可以在形成第一開口150a之前或之後，增加額外的步驟以移除氧吸收層150的第二部分154。
另外，形成氧吸收層150的氧吸收材料為鋁時，第一部分152的材質例如是氧化鋁，而第二部分154的材質例如是鋁。因此，移除圖3A中所示的第二部分154的方法可藉由氧化鋁與鋁對蝕刻液的選擇性不同來選擇合適的蝕刻液進行濕式蝕刻製程以移除第二部分154。
以下將說明本發明之自行對準式的頂閘極結構的薄膜電晶體的設計具有的元件特性，其中比較例是使用圖1的薄膜電晶體100之結構，不過氧吸收層與導電電極接觸，而實驗例是使用圖1的薄膜電晶體100之結構，並且氧吸收層150與導電電極170由絕緣層160分隔開來。
圖5為比較例的薄膜電晶體的汲極電流-閘極電壓(Ids-Vgs)曲線圖。在圖5中，曲線510~560所表示的薄膜電晶體的通道寬度與長度皆為5微米，曲線510~530所表示的薄膜電晶體的汲極電壓(Vd)為10伏特，而曲線540~560所表示的薄膜電晶體的汲極電壓為0.1伏特。再者，曲線510與曲線540所表示的薄膜電晶體的氧化物半導體層的單邊的OS長度為1微米、曲線520與曲線550所表示的薄膜電晶體的氧化物半導體層的單邊的OS長度為1.5微米以及曲線530與曲線560所表示的薄膜電晶體的氧化物半導體層的單邊的OS長度為2微米。其中，單邊的OS長度是表示介於通道區邊界到導電電極(源極/汲極)邊界的長度，此區域為低阻值的區域。由圖5可得知，由於當閘極電壓為負值時汲極電流偏高(約1.0E-10~1.0E-13安培)，因此比較例的薄膜電晶體
之結構有漏電流偏高的問題。
圖6為實驗例的薄膜電晶體的汲極電流-閘極電壓曲線圖。在圖6中，曲線610~660所表示的薄膜電晶體的通道寬度與長度皆為5微米，曲線610~630所表示的薄膜電晶體的汲極電壓為10伏特，而曲線640~660所表示的薄膜電晶體的汲極電壓為0.1伏特。再者，曲線610與曲線640所表示的薄膜電晶體的氧化物半導體層的單邊的OS長度為1微米、曲線620與曲線650所表示的薄膜電晶體的氧化物半導體層的單邊的OS長度為1.5微米以及曲線630與曲線660所表示的薄膜電晶體的氧化物半導體層的單邊的OS長度為2微米。由圖6可得知，當閘極電壓為負值時汲極電流非常小(約1.0E-12~1.0E-14安培，且如圖6中的雜訊所示已達機台的偵測極限)。相較之下，本發明的薄膜電晶體100之結構由於氧吸收層150與導電電極170被絕緣層160分隔開來，故可改善漏電流的問題而具有較佳的元件特性。
綜上所述，在本發明的薄膜電晶體及其製作方法中，氧吸收層的第一開口暴露出具有第一面積的低氧區，且絕緣層的第二開口位於第一開口內以暴露出具有第二面積的低氧區，其中第二面積小於第一面積。換言之，氧吸收層可配置於第一開口以外的區域，絕緣層可配置於第二開口以外的區域，且第二開口位於第一開口內。再者，導電電極位於第二開口中以與低氧區的第二面積接觸。因此，本發明的絕緣層被配置於導電電極(位於第二開口中)與氧吸收層(位於第一開口以外的區域)之間以使此兩者不接
觸且電性絕緣。如此一來，本發明可避免導電電極透過第二開口(亦即，接觸窗開口)與側邊的氧吸收層中的氧吸收材料(例如氧化鋁或反應不完全的鋁)接觸，進而可改善漏電流以使薄膜電晶體具有較佳的元件特性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧薄膜電晶體
110‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧氧化物半導體層
132‧‧‧通道區
134‧‧‧低氧區
140‧‧‧島狀結構
142‧‧‧閘絕緣層
144‧‧‧閘極
150‧‧‧氧吸收層
150a‧‧‧第一開口
152‧‧‧第一部分
154‧‧‧第二部分
160‧‧‧絕緣層
160a‧‧‧第二開口
170‧‧‧導電電極
A‧‧‧區域
OS‧‧‧長度
T‧‧‧厚度
Claims (21)
- 一種薄膜電晶體，配置於一基板上，該薄膜電晶體包括：一氧化物半導體層，配置於該基板上，該氧化物半導體層包括一通道區以及多個低氧區，該通道區位於該些低氧區之間；一閘絕緣層，覆蓋該通道區而暴露出該些低氧區；一閘極，該閘絕緣層位於該氧化物半導體層與該閘極之間；一氧吸收層，配置於該氧化物半導體層的該些低氧區上，並具有多個第一開口，各該第一開口暴露出具有一第一面積的其中一該低氧區；一絕緣層，配置於該基板上，覆蓋該氧吸收層、該氧化物半導體層以及該閘極，且該絕緣層具有多個第二開口，各該第二開口位於其中一該第一開口之內以暴露出具有一第二面積的其中一該低氧區，其中該第二面積小於該第一面積；以及多個導電電極，分別設置於該些第二開口中以接觸具有該些第二面積的該些低氧區。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該氧吸收層的材質包括鎂、鋁、矽、鈦、釩、鉻、鎳、釔、鋯、鈮、鉬、鈰、釹、鉿、鉭、鎢或上述之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該氧吸收層的一第一部分具有一第一氧濃度，該第一部分接觸於該氧化物半導體層。
- 如申請專利範圍第3項所述的薄膜電晶體，其中該氧吸收 層更包括一第二部分，該第二部分具有一第二氧濃度，且該第一氧濃度高於該第二氧濃度。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該氧吸收層覆蓋該閘極並且更延伸至該氧化物通道層之外。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該氧吸收層的厚度為2nm~20nm。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該氧吸收層的厚度為4nm~10nm。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該氧吸收層與該些導電電極由該絕緣層分隔開來。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該氧化物半導體層的該些低氧區的氧濃度低於該通道區的氧濃度。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該閘極與該閘絕緣層共同構成一島狀結構，且該島狀結構位於該氧化物半導體層的該通道區上。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體，其中該些導電電極的材質包括金屬、金屬氧化物、有機導電材料或上述之組合。
- 一種薄膜電晶體的製作方法，包括：於一基板上形成一氧化物半導體層，具有一通道區及多個低氧區，且該通道區位於該些低氧區之間；於該基板上形成一閘絕緣層，該閘絕緣層覆蓋該氧化物半導 體層的該通道區；於該基板上形成一閘極，該閘絕緣層位於該閘極與該氧化物半導體層之間；於該基板上形成一氧吸收層，該氧吸收層接觸於該氧化物半導體的該些低氧區；於該氧吸收層中形成多個第一開口，各該第一開口暴露出具有一第一面積的其中一該低氧區；於該基板上形成一絕緣層，覆蓋該氧吸收層、該氧化物通半導體層以及該閘極；於該絕緣層中形成多個第二開口，各該第二開口位於其中一該第一開口之內以暴露出具有一第二面積的其中一該低氧區，其中該第二面積小於該第一面積；以及於該些第二開口中形成多個導電電極。
- 如申請專利範圍第12項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中形成該氧吸收層的方法包括先將一氧吸收材料形成於該基板上，該氧吸收材料接觸該氧化物半導體層的該些低氧區以吸收該些低氧區的氧。
- 如申請專利範圍第13項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中形成該些第一開口的方法包括在吸收該些低氧區的氧使該些低氧區的氧濃度低於該通道區的氧濃度之後，進行一圖案化步驟以移除部分的該氧吸收層而形成該些第一開口。
- 如申請專利範圍第14項所述的薄膜電晶體的製作方法， 其中該圖案化步驟更包括移除未接觸該些低氧區的部分的該氧吸收層。
- 如申請專利範圍第13項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中該氧吸收材料包括鎂、鋁、矽、鈦、釩、鉻、鎳、釔、鋯、鈮、鉬、鈰、釹、鉿、鉭、鎢或上述之組合。
- 如申請專利範圍第12項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中採用相同一個光罩形成該些第一開口與形成該些第二開口。
- 如申請專利範圍第17項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中採用不同的圖案化步驟形成該些第一開口與形成該些第二開口。
- 如申請專利範圍第12項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中採用不同光罩分別形成該些第一開口與該些第二開口。
- 如申請專利範圍第12項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中形成該閘絕緣層與該閘極的方法包括依序將一絕緣材料層與一導電層形成於該氧化物半導體層上，再將該絕緣材料層與該導電層圖案化以形成該閘極以及該閘絕緣層。
- 如申請專利範圍第20項所述的薄膜電晶體的製作方法，其中該閘極與該閘絕緣層共同構成一島狀結構，且該島狀結構位於該氧化物半導體層的該通道區上。
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