JP2005163924A - 小型電磁弁とその弁部構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】 Cv値のばらつきを小さくできる安価でコンパクトな小型電磁弁を提供すること。
【解決手段】 第1ポート5a、第2ポート5b、第3ポート5cが設けられた流路ブロック2と、ダイアフラム11Aが固設されたダイアフラム組立9Aを揺動自在に軸支する弁ブロック3とがダイアフラムの11A外縁部を狭持し、電磁コイル18への通電を制御して可動鉄心20を摺動させ、ダイアフラム組立を揺動させることにより、ダイアフラム11Aを第1ポート5aと第3ポート5cの開口部に設けられた第1弁座6a又は第2弁座6bに当接又は離間させて第1ポート5a、第2ポート5b、第3ポート5cの連通状態を切り替える小型電磁弁1において、流路ブロック2と弁ブロック3との間にスペーサ30を着脱可能に設置する。
【選択図】 図3

Description

本発明は、流体の流れ方向を制御することが可能な小型電磁弁とその弁部構造に関する。
従来より、流体の流れ方向を制御することが可能な小型電磁弁は、例えば図15に示す液体分析装置50の分注制御に使用される。分注とは、血液や体液、希釈水用の純水や生理食塩水、反応させる試薬などを反応セルに移すことをいう。液体分析装置50では、数μLの分注精度で流量制御を行うためにシリンジポンプ52を使用している。シリンジポンプ52は、シリンジ(注射器)で純水などを設定された流量で持続的に注入するものであり、注入速度を容易に調節することができる利点があるからである。
シリンジポンプ52は、小型電磁弁100を介して純水ポンプ51と、反応セル53とにそれぞれ接続している。小型電磁弁100と反応セル53との間にはノズル54が配設され、反応セル53に純水を正確な流量で供給できるようにしている。こうした小型電磁弁100は、数μLから数十μL程度で純水の流量を制御することが要求されている(非特許文献1参照。)。
図16は、従来の小型電磁弁100の断面図である。
小型電磁弁100は、第1ポート103aが純水ポンプ51に接続し、第2ポート103aがシリンジポンプ52に接続し、第3ポート103cが反応セル53に接続する。小型電磁弁100は、ソレノイド部111への通電を制御することにより、第1ポート103a、第2ポート103b、第3ポート103cとの連通状態を切り替えるようになっている。
小型電磁弁100の流路ブロック102には、第1ポート103aと第3ポート103cに連通するように第1弁座106aと第2弁座106bが形成されている。流路ブロック102に連結する弁ブロック101には、支軸108が架設され、ダイアフラム組立104を揺動可能に軸支している。ダイアフラム組立104は、揺動部材109にダイアフラム107を固着したものである。ダイアフラム107は、外縁部が流路ブロック102と弁ブロック103との間で狭持されて弁室105を形成し、揺動部材109の揺動に従って第1弁座106aと第2弁座106bに相対的に当接又は離間するよう構成されている。
一方、ソレノイド部111には、可動鉄心114が摺動可能に挿通されている。可動鉄心114は、第1バネ115の弾圧力でソレノイド部111からボディ101側へ突き出し、ボディ101に摺動可能に装填された変位部材116に突き当てられている。変位部材116には、第1押圧部材117aが固設されるとともに、第2押圧部材117bが摺動可能に保持されている。第2押圧部材117bは、第1バネ115より弾圧力の小さい第2バネ118によって図中D方向の力が常時作用している。そのため、ソレノイド部111への通電を制御して可動鉄心114を摺動させれば、第1バネ115と第2バネ118との圧力バランスが変動し、ダイアフラム組立104が揺動する。
こうした小型電磁弁100は、ソレノイド部111に通電すると、可動鉄心114が第1バネ115に抗して図中C方向に移動する。第1バネ115は、次第に弾圧力が小さくなり、やがて第2バネ118の弾圧力が第1バネ115の弾圧力に打ち勝つ。すると、ダイアフラム組立104は、第2押圧バネ117bにより図中D方向に押し下げられて揺動する。そして、ダイアフラム107が、第1弁座106aから離間して第1ポート103aと第2ポート103bを連通させる一方、第2弁座106bに当接して第2ポート103bと第3ポート103cとを遮断する。これにより、第1〜第3ポート103a〜103cの連通状態が切り替えられ、純水ポンプ51からシリンジポンプ52に流体が充填される。
その後、ソレノイド部111への通電を停止すると、第1バネ115の弾圧力で変位部材116を図中D方向に押圧する。第1バネ115は第2バネ118より弾圧力が大きいため、可動鉄心114が変位部材116を図中D方向に押し下げる。ダイアフラム組立104は、第1押圧部材117aにより図中D方向に押し下げられ、第2バネ118を圧縮しながら揺動する。そして、ダイアフラム107が、第1弁座106aに当接して第1ポート103aと第2ポート103bを遮断する一方、第2弁座106bから離間して第2ポート103bと第3ポート103cとを連通させる。これにより、第1〜第3ポート103a〜103cの連通状態が切り替えられ、シリンジポンプ52から反応セル53に流体が供給される(例えば、特許文献1参照。)。
「医療・分析装置攻略 アプリケーション&テクニカルブック」、シーケーディ株式会社、1998年10月16日、p.2〜3 特開2000−297876号公報(第3〜5頁、第1図。)
しかしながら、従来の小型電磁弁100は、ストローク調整機能がなく、Cv値がばらついていた。小型電磁弁100は、ダイアフラム107が第1弁座106a及び第2弁座106bから離間する距離、すなわち、ストロークを制御することにより、流体流量を数μL〜数十μL程度の極微小流量に制御する。小型電磁弁100は、流体を微流量調整するために構成部品の寸法が小さく、歩留まり等との関係上、寸法公差なく部品を製造することが難しかった。一方、小型電磁弁100は、ダイアフラム100を弁ブロック101と流路ブロック102で直接狭持し、ストローク調整を行っていなかった。そのため、部品の寸法公差が生じると、ダイアフラム107のストロークに直接影響し、Cv値のばらつきを生じさせていた。特に、小型電磁弁100は、上述したように数μL〜数十μL程度の極微小な流量を制御するため、ダイアフラム107のストロークが0.2〜0.3mm異なるだけでも問題になる。
これに対し、Cv値のばらつきを解消するために、ソレノイド部111の駆動力を大きくして、ダイアフラム組立104の揺動量を大きくすることが考えられる。この場合、ダイアフラム107のストロークを大きく確保してコンダクタンスを小さくできるので、Cv値のばらつきを小さくすることが可能である。ところが、ソレノイド部111の駆動力を大きくするためには、ソレノイド部111が大型になり、装置サイズが大きくなる問題がある。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、Cv値のばらつきを小さくできる安価でコンパクトな小型電磁弁を提供することを目的とする。
本発明に係る小型電磁弁は、次のような構成を有している。
(1)複数のポートが設けられた流路ブロックと、ダイアフラムが固設されたダイアフラム組立を揺動自在に軸支する弁ブロックとがダイアフラムの外縁部を狭持し、駆動手段がダイアフラム組立を揺動させることにより、ダイアフラムをポートの開口部に設けられた弁座に当接又は離間させてポートの連通状態を切り替える小型電磁弁において、流路ブロックと弁ブロックとの間にストローク調整部材を着脱可能に設置されたものであることを特徴とする。
(2)(1)に記載の発明において、ストローク調整部材は、薄い板状のものであって、1枚又は数枚を重ねて流路ブロックと弁ブロックとの間に配設されるものであることを特徴とする。
(3)(2)に記載の発明において、ストローク調整部材は、厚さが数十μmであることを特徴とする。
(4)(1)乃至(3)の何れか一つに記載の発明において、ダイアフラムは、外縁部にリブが垂設されていることを特徴とする。
(5)(4)に記載の発明において、リブは、リブ幅とリブ高さとの比率が2:1であることを特徴とする。
(6)(4)又は(5)に記載の発明において、リブは、先端部に向かって断面積が小さくなるように設けられていることを特徴とする。
(7)複数のポートが設けられた流路ブロックと、ダイアフラムが固設されたダイアフラム組立を揺動自在に軸支する弁ブロックとがダイアフラムの外縁部を狭持し、駆動手段がダイアフラム組立を揺動させることにより、ダイアフラムをポートの開口部に設けられた弁座に当接又は離間させてポートの連通状態を切り替える小型電磁弁の弁部構造において、流路ブロックと弁ブロックとの間に厚さAの板状のストローク調整部材を設置したものであり、弁ブロックの流路ブロックに当接する側面からダイアフラムの受圧面までの距離M1の公差がプラスマイナスm1であり、流路ブロックの弁ブロックに当接する側面から弁座の開口端部までの距離M2の公差がプラスマイナスm2であって、距離M2から距離M1を減算した距離M3を算出したときに、距離M3の最小値である(M2−m2)−(M1+m1)が零より大きく、距離M3に応じてストローク調整部材の枚数が決定されていることを特徴とする。
上記構成を有する小型電磁弁は、駆動手段がダイアフラム組立を揺動させると、ダイアフラム組立に固設されたダイアフラムが弁座に当接又は離間してポートの連通状態を切り替えて流体の流れ方向を制御する。このとき、流体は、ダイアフラムのストロークに応じて流量調整される。ここで、ダイアフラムは、流路ブロックと弁ブロックとの間で狭持するため、流路ブロック、弁ブロック、揺動部材、ダイアフラム組立、弁体部などに寸法公差が生じると、製品毎にダイアフラムのストロークがばらつく。この点、小型電磁弁は、ストローク調整部材を流路ブロックと弁ブロックとの間に設置することにより、部品の寸法公差を小さくして、製品毎にダイアフラムのストロークをほぼ一定にするので、駆動手段を大型にして駆動力を大きくするまでもなく、Cv値のばらつきを小さくすることが可能である。また、部品の寸法精度が緩和されるので、製造コストが抑えられる。よって、本発明の小型電磁弁によれば、Cv値のばらつきを小さくできるとともに、コストダウン及び装置サイズのコンパクト化を図ることができる。
また、ストローク調整部材は、数十μmの薄い板状をなし、1枚又は数枚を重ねて流路ブロックと弁ブロックとの間に配設されるので、装置サイズを大型化することなく、ダイアフラムのストロークを調整することができる。
ところが、ストローク調整部材を流路ブロックと弁ブロックとの間に設置すると、流路ブロックと弁ブロックとの間隔が広くなり、ダイアフラムの外縁部を狭持するシール力が低下するおそれがある。そのため、本発明の小型電磁弁は、ダイアフラムの外縁部にリブを垂設し、そのリブを流路ブロックと弁ブロックとの間で押し潰すことにより、所定のシール力を確保している。これにより、本発明の小型電磁弁は、流路ブロックと弁ブロックとの間にストローク調整部材を設置しても所定のシール力が確保され、流体漏れを防止することができる。
特に、ダイアフラムのリブは、リブ幅とリブ高さとの比率が2:1であり、リブ幅がリブ高さより大きく設定されているため、先端部が弁ブロックと流路ブロックとの間で押し潰されても倒れ込みにくく、所定のシール力を確保することができる。
しかも、ダイアフラムのリブは、先端部に向かって断面積が小さくなるように設けられているので、所定のシール力を確保するために必要なシール面積を確保しつつ、流路ブロックと弁ブロックとの間でリブを押し潰す力を小さくすることができる。
このような小型電磁弁は、弁部が次のような構造をなす。
流路ブロックにダイアフラム組立を揺動可能に取り付けたときに、弁ブロックの流路ブロックに当接する側面からダイアフラムの受圧面までの距離M1を測定すると、距離M1の公差はプラスマイナスm1である。流路ブロックの弁ブロックに当接する側面から弁座の開口端部までの距離M2を測定すると、距離M2の公差はプラスマイナスm2である。弁ブロックと流路ブロックとを連結したときに、ダイアフラムの受圧面から弁座の開口端面までの距離M3は、距離M2から距離M1を減算することにより求められ、距離M3の公差は(M2±m2)−(M1±m1)となる。距離M3の最小値である(M2−m2)−(M1+m1)は、零より大きいため、ダイアフラムのストローク調整は、常にストローク調整部材を弁ブロックと流路ブロックとの間に設置して行われる。ストローク調整部材は、距離M3に応じて決定され、決定された枚数のストローク調整部材を流路ブロックと弁ブロックとの間に設置すれば、ダイアフラムが弁座から離間する方向に位置調節され、目標ストロークに調整される。ここで、ストローク調整部材は板状であるため、ストローク調整するために装置サイズが大型化することがない。また、流路ブロック等の寸法精度が緩和されるので、製造コストが抑えられる。よって、本発明の小型電磁弁によれば、Cv値のばらつきを小さくできるとともに、コストダウン及び装置サイズのコンパクト化を図ることができる。
次に、本発明に係る小型電磁弁及びその弁部構造の一実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、小型電磁弁1の断面図であって、非通電状態を示す。図2は、小型電磁弁1の断面図であって、通電状態を示す。図3は、図1のX部拡大図である。図4は、弁部の分解斜視図である。図5は、ダイアフラム組立9Aの斜視図である。
図1及び図2に示す小型電磁弁1は、従来技術と同様に、液体分析装置50(図15参照)に使用される。小型電磁弁1は、流路ブロック2、弁ブロック3、ケーシング4を連結して外観が形成されている。小型電磁弁1は、ダイアフラム組立9Aが駆動手段の駆動力で揺動し、ダイアフラム11Aを流路ブロック2の第1弁座6a又は第2弁座6bに当接又は離間させることにより、第1ポート5aと第2ポート5bと第3ポート5cとの連通状態を切り替えるようになっている。かかる小型電磁弁1は、図3に示すように、スペーサ(「ストローク調整部材」に相当するもの。)30によりダイアフラム11Aのストロークを調整するようになっている。
図1及び図2に示すように、流路ブロック2には、第1ポート5a、第2ポート5b、第3ポート5cとが等間隔に形成され、第1ポート5aと第3ポート5cの開口部に第1弁座6aと第2弁座6bが円筒状に突設されている。
流路ブロック2と弁ブロック3は、図3及び図4に示すようにネジ29で固定され、弁部を構成している。流路ブロック2と弁ブロック3との間には、スペーサ30が後述するように決定された枚数で介在している。
弁ブロック3は、図1及び図2に示すように、流路ブロック2が当接する側面(図中下端面)から、ダイアフラム組立9Aを収納するための凹部7が第2ポート5bと同軸上に形成されている。弁ブロック3は、平行ピン8が架設され、ダイアフラム組立9Aを凹部7内で揺動可能に軸支している。ダイアフラム組立9Aは、揺動部材10の端面にダイアフラム11Aをインサート成形などにより固着したものである。ダイアフラム11Aは、図5に示すように略楕円形状に成形され、外縁部に沿ってリブ12Aが揺動部材10側に立設されている。ダイアフラム組立9Aは、ダイアフラム11Aのリブ12Aが流路ブロック2と弁ブロック3との間で押し潰されて狭持され、凹部7を気密に区画して弁室13を形成している。従って、第2ポート5bは、弁室13と第1弁座6aを介して第1ポート5aと連通し、弁室13と第2弁座6bを介して第3ポート5cと連通する。そして、第1〜第3ポート5a,5b,5cは、揺動部材10が揺動してダイアフラム11Aを第1弁座6a又は第2弁座6bに相対的に当接又は離間させることにより、連通状態が切り替えられる。
かかる弁ブロック3には、流路ブロック2が当接する側面(図中下端面)と反対の側面(図中上端面)から、第1中空孔14と第2中空孔15が第1ポート5aと第3ポート5bと同軸上に形成され、駆動手段16が取り付けられている。
駆動手段16は、ダイアフラム組立9Aに作用する第1バネ23と第2バネ26の圧力バランスをソレノイドで変動させることにより、ダイアフラム組立9Aを揺動させるよう構成されている。
駆動手段16は、ソレノイドを駆動源とし、中空円筒形状のコイルボビン17に電磁コイル18が巻回されている。コイルボビン17は、一端開口部に固定鉄心19が固設され、他端開口部から可動鉄心20が摺動可能に装填されている。従って、電磁コイル18にリード線21を介して電流を供給すると、固定鉄心19が吸引力を発生し、可動鉄心20を図中A方向に移動させる。尚、リード線21と電磁コイル18との間に電圧を制御する回路基板を配設してもよい。
かかるソレノイドは、磁気回路を形成するための非磁性部材22を介して弁ブロック3に取り付けられている。可動鉄心20は、先端部が非磁性部材22を貫いて弁ブロック3の第1中空孔14に突き出し、弁ブロック3の中空孔14に摺動可能に装填された変位部材24に当接している。可動鉄心20の先端部と非磁性部材22との間には、第1バネ23が縮設され、可動鉄心20に図中B方向の力を常時作用させるため、変位部材24は第1バネ23の弾圧力によって図中B方向に押し下げられ、先端部がダイアフラム組立9Aの揺動部材10に突き当てられている。また、弁ブロック3の第2中空孔15には、押圧部材25が摺動可能に装填され、押圧部材25との間で第2バネ26を押し縮めるように保持板27が固定されている。そのため、押圧部材25は、第2バネ26の弾圧力で図中B方向に押し下げられ、先端部がダイアフラム組立9Aの揺動部材10に突き当てられている。従って、ダイアフラム組立9Aには、平行ピン8を挟んだ対称位置に第1バネ23と第2バネ26の弾圧力が常時作用している。
ここで、第2バネ26は、第1バネ23より弾圧力が小さく設定されている。そのため、小型電磁弁1は、非通電時には、第1バネ23の弾圧力が第2バネ26に打ち勝ち、可動鉄心20が変位部材24を図中B方向に押し下げて揺動部材10を傾かせる。これにより、ダイアフラム組立9Aは、ダイアフラム11Aが第1弁座6aに当接して第1ポート5aと第2ポート5bとを遮断する一方、第2弁座6bから離間して第2ポート5bと第3ポート5cとを連通させる。
こうした小型電磁弁1は、流体漏れを防止するためのゴムパッキン28が流路ブロック2に取り付けられ、第1ポート5aに図15の純水ポンプ51が接続され、第2ポート5bに図15のシリンジポンプ52が接続され、第3ポート5cに図15の反応セル53が接続される。これにより、小型電磁弁1が液体分析装置50に組み付けられる。
そして、小型電磁弁1の電磁コイル18に通電すると、可動鉄心20が第1バネ23に抗して図中A方向に上昇する。第1バネ23は、可動鉄心20に押し縮められて弾圧力が低下する。第1バネ23の弾圧力が第2バネ26より小さくなると、ダイアフラム組立9Aが押圧部材25により図中B方向に押し下げられて揺動する。これに伴って、ダイアフラム11Aは、第1弁座6aから離間して第1ポート5aと第2ポート5bとを連通させる一方、第2弁座6bに当接して第2ポート5bと第3ポート5cとを遮断し、第1〜第3ポート5a,5b,5cの連通状態を切り替える。これにより、液体分析装置50では、純水ポンプ51からシリンジポンプ52に流体が数μL〜数十μLずつ充填される(図15参照)。
その後、電磁コイル18への通電を停止すると、可動鉄心20が第1バネ23に押し下げられて図中B方向に下降する。可動鉄心20が下降するに従って第1バネ23の弾圧力が増加し、第2バネ26の弾圧力より大きくなる。そのため、ダイアフラム組立9Aは変位部材24によって図中B方向に押し下げられ、第2バネ26に抗して押圧部材25を図中A方向に押し上げながら揺動する。これに伴って、ダイアフラム11Aは、第1弁座6aに当接して、第1ポート5aと第2ポート5bとを遮断する一方、第2弁座6bから離間して、第2ポート5bと第3ポート5cとを連通させ、第1〜第3ポート5a,5b,5cの連通状態を切り替える。これにより、液体分析装置50では、シリンジポンプ52から反応セル53に流体が数μL〜数十μLずつ注入される(図15参照)。
このように、小型電磁弁1は、ダイアフラム組立9Aを揺動させることにより流体の流れ方向を制御する。このとき、流体は、ダイアフラム11Aのストロークに応じて数μL〜数十μLの極微小流量に制御される。ところが、小型電磁弁1は、弁部を構成する流路ブロック2、弁ブロック3、揺動部材10、ダイアフラム11A、第1弁座6a、第2弁座6bなどの寸法が小さいため、寸法公差が生じやすい。ダイアフラム11Aのストロークは、ダイアフラム11Aのリブ12Aを流路ブロック2と弁ブロック3との間で狭持したときに決定され、部品の寸法公差によって製品毎にバラツキを生じる。そこで、小型電磁弁1は、流路ブロック2と弁ブロック3との間にスペーサ30を配設して、ダイアフラム11Aのストロークを調整している。
図3及び図4に示すように、スペーサ30は、数十μm程度の薄い長方形状のものであって、弁室13(図1、図2参照)の周りを囲むように孔30aが形成されている。スペーサ30は、ポリエステルフィルムを材質とし、強靭性、耐熱耐冷性、軽量化を図っている。スペーサ30は、一対の貫通孔30b、30bが孔30aを挟んで対称位置に形成され、弁ブロック3の凸部3a,3aをスペーサ30の貫通孔30b,30bから流路ブロック2の貫通孔2a,2aへと貫き通すことにより、スペーサ30を流路ブロック2及び弁ブロック3に対して位置決めするよう構成されている。本実施の形態では、スペーサ30は、0.050mmの厚さで形成され、部品の寸法公差によって流路ブロック2と弁ブロック3との間に配設される枚数が決定される。
図6〜図10は、ストローク調整方法を示すための図である。
先ず、図6に示すように、弁ブロック3の凹部7にダイアフラム組立9Aを位置合わせし、平行ピン8を弁ブロック3とダイアフラム組立9Aの揺動部材10に貫き通して仮組立てする。そして、図7に示すように、弁ブロック3の流路ブロック2に当接する側面からダイアフラム7の受圧面までの距離M1を測定する。本実施の形態では、距離M1は、弁ブロック3、平行ピン8、ダイアフラム組立9Aの寸法公差により、製品毎に0.075mm±0.053mmの範囲で変化するものとする。すなわち、距離M1は、最小で0.022mm(0.053mm−0.75mm)、最大で0.128mm(0.075mm+0.053mm)の範囲内でばらつく。
それから、図8に示すように、流路ブロック2の弁ブロック3に当接する側面から第2弁座6b(第1弁座6a)の開口端面までの距離M2を測定する。本実施の形態では、距離M2は、流路ブロック2の寸法公差により、製品毎に0.23mm±0.01mmの範囲で変化するものとする。すなわち、距離M2は、最小で0.22mm(0.23mm−0.01mm)、最大で0.24mm(0.23+0.01mm)の範囲内でばらつく。
従って、流路ブロック2側の公差は、弁ブロック3側の公差より大きくなるように設定されている。そのため、図9に示すように、流路ブロック2に仮組立した弁ブロック3をセットした場合には、ダイアフラム11Aの受圧面から第2弁座6b(第1弁座6a)の開口端面までの距離M3は、距離M2から距離M1を減算して求めた値の範囲内で変化し、零より大きくなる。本実施の形態では、距離M3は、距離M2(0.23mm±0.01mm)から距離M1(0.075mm±0.053mm)を減算して((0.23mm±0.01mm)−(0.075mm±0.053mm))、0.155mm±0.063mmと求められる。すなわち、距離M3は、最小で0.092mm(0.155mm−0.063mm)、最大で0.218mm(0.092mm+0.218mm)の範囲内でばらつく。
ダイアフラム11Aは、リブ12Aを流路ブロック2と弁ブロック3との間で狭持されるため、距離M3とダイアフラム11AのストロークStとは比例関係にある。そのため、ダイアフラム11AのストロークStは、
ストロークSt=1.881×距離M3+0.095
という関係式から求めることができる。なお、係数「1.881」、「0.095」は、実験より求めた実験計数値である。
具体的には、図10に示すように、距離M3が最小値0.092mmである場合には、
ストロークStmin =1.881×0.092+0.095=0.268mm
と求められる。
一方、図11に示すように、距離M3が最大値0.218mmである場合には、
ストロークStmax =1.881×0.218+0.095=0.505mm
と求められる。
従って、ストロークStは、0.268mm〜0.505mmの範囲でバラツキを生じる。
そこで、距離M3から流路ブロック2と弁ブロック3との間に挿入するスペーサ30の枚数を決定し、ストロークStを調整する。例えば、ストロークStを0.4mm以上に設定する場合には、距離M3は、
ストローク=1.881×距離M3+0.095=0.4より、
距離M3=(0.4−0.095)/1.881=0.162
となる。
よって、距離M3が0.162mm〜0.218mmである場合には、スペーサ30を挿入しなくても、ストロークStは0.4mm以上0.505mm以下確保され、目標ストローク0.4mm以上を確保している。そこで、距離M3が0.062mm〜0.218mmである場合には、流路ブロック2と弁ブロック3との間にスペーサ30を設置しないことを決定する。
また、距離M3が0.112mm〜0.161mmである場合には、距離M3は、スペーサ30を挿入しなくてよい限界値(0.162mm)に0.010mm〜0.050mm足りない。本実施の形態では、スペーサ30は厚さが0.050mmであるため、スペーサ30を流路ブロック2と弁ブロック3との間に1枚挿入すれば、ダイアフラム11Aを第1,第2弁座6a,6bと反対側に0.050mm持ち上げて、距離M3を0.162mm以上にすることが可能である。そこで、距離M3が0.112mm〜0.161mmである場合には、流路ブロック2と弁ブロック3との間にスペーサ30を1枚設置することを決定する。
さらに、距離M3が0.092mm〜0.111mmである場合には、距離M3は、スペーサ30を挿入しなくてよい限界値(0.162mm)に0.051mm〜0.070mm足りない。本実施の形態では、スペーサ30は厚さが0.050mmであるため、スペーサ30を流路ブロック2と弁ブロック3との間に2枚挿入すれば、ダイアフラム11Aを第1,第2弁座6a,6bと反対側に0.100mm持ち上げて、距離M3を0.192mm以上にすることが可能である。そこで、距離M3が0.092mm〜0.111mmである場合には、流路ブロック2と弁ブロック3との間にスペーサ30を2枚設置することを決定する。
このようにしてスペーサ30の枚数を決定したら、小型電磁弁1を本組立てする。すなわち、平行ピン8を弁ブロック3からダイアフラム組立9Aへと貫き通して平行ピン3の両端部を弁ブロック3に固定する。これにより、ダイアフラム組立9Aが弁ブロック3に揺動可能に軸支される。そして、弁ブロック3の凸部3aをスペーサ30の貫通孔30bから流路ブロック2の貫通孔2aに貫き通し、流路ブロック2側からスペーサ30、弁ブロック3へとネジ29を締結し、流路ブロック2と弁ブロック3とを連結する。
そして、弁ブロック3に駆動手段16を取り付ける。すなわち、弁ブロック3の中空孔15に押圧部材25を挿入して、第2バネ16を介して保持部材27を弁ブロック3にネジ固定する。また、コイルボビン17に非磁性部材22を取り付けて、非磁性部材22との間で第1バネ23を保持するように可動鉄心20をコイルボビン17に挿入することによりソレノイドを組み立て、弁ブロック3の中空孔14に変位部材24を挿入してソレノイドを弁ブロック3に固定する。そして、ケーシング4を弁ブロック3に被せて固定するとともに、ゴムパッキン28を流路ブロック2に取り付ける。
本組立てされた小型電磁弁1は、図3に示すように、ダイアフラム11Aが、スペーサ30の設置枚数に応じて位置調節され、ダイアフラム11AのストロークStが目標ストローク(本実施の形態では0.4mm以上)に調整される。ストローク調整は、数十μm(本実施の形態では、0.050mm)の薄い板状のスペーサ30を流路ブロック2と弁ブロック3との間に設置するだけなので、装置サイズが大型化しない。さらに、スペーサ30によりダイアフラム11Aと第2弁座6b(第1弁座6a)の開口端部との距離M3(図9参照)を調整し、ダイアフラム11AのストロークStを目標ストロークに調整するので、流路ブロック2、弁ブロック3、揺動部材10、ダイアフラム11A、平行ピン8などの部品の寸法精度が緩和され、製造コストが削減される。
ところで、スペーサ30を流路ブロック2と弁ブロック3との間に配設すると、流路ブロック2と弁ブロック3との間隔が広くなり、ダイアフラム11Aを狭持する力が弱くなる。しかし、ダイアフラム11Aは、図5に示すように、リブ12Aを設けて潰ししろを確保し、所定のシール力を確保している。
ダイアフラム11Aは、耐腐食性及びシール性能の観点からフッ素ゴム、シリコンゴム、EPDM(ethylene-propylene-diene terpolymer)等を材質して成形されるため、外縁部に沿って背圧面側に垂設されたリブ12Aは、スペーサ30を挿入して流路ブロック2と弁ブロック3とを連結したときに弾性変形する。リブ12Aは、図3に示すように、最小限の潰し面積で弁ブロック3に圧接してシール力を確保しうる十分なリブ幅W1とリブ高さH1で形成されている。そのため、スペーサ30を挿入して流路ブロック2などを本組立てしても、ダイアフラム11Aは、リブ12Aが流路ブロック2と弁ブロック3との間で押し潰されて弾性変形し、少なくとも最小限の潰し面積で弁ブロック3に圧接する。これにより、小型電磁弁1は、所定のシール力が確保され、流体漏れが防止される。
ここで、スペーサ30を挿入しない場合には、流路ブロック2と弁ブロック3との間が狭くなり、リブ12Aを押し潰す力が強くなる。リブ12Aは、リブ幅W1とリブ高さH1が1:1の比率で形成されているため、スペーサ30を挿入せずに流路ブロック2と弁ブロック3とでダイアフラム11Aのリブ12Aを狭持したときに、図12に示すように、リブ12Aが倒れ込むおそれがある。リブ12Aが倒れ込むと、リブ12Aの付け根部分などに片寄った力が作用し、ダイアフラム11Aを劣化させる要因となる。また、シール力が不安定になる問題もある。
そこで、図13に示すダイアフラム11Bのように、リブ12Bのリブ幅W1とリブ高さH1が2:1の比率になるようにするとよい。また、リブ12Bが先端部に向かって断面積が小さくなるように、リブ12Bの縦断面形状を略台形に形成するとよい。
かかるダイアフラム11Bのリブ12Bは、図14に示すように、リブ幅W2がリブ高さH2より大きく設定され、ダイアフラム11Aのリブ12A(図3参照)よりしっかり支えられて強度が強くなるので、流路ブロック2と弁ブロック3との間で狭持されるときに倒れ込みにくい。
しかも、ダイアフラム11Bは、流路ブロック2と弁ブロック3との間でリブ12Bを押し潰すときにリブ12Bの潰し面積が徐々に増加し、最終的に少なくとも最小限の潰し面積で弁ブロック3に圧接するので、リブ幅W2をダイアフラム11Aのリブ幅W1(図3参照)より大きくしても、流路ブロック2と弁ブロック3との間でリブ12Bを押し潰す力が小さくて済む。
従って、本実施の形態の小型電磁弁1によれば、流路ブロック2と弁ブロック3との間にスペーサ30を着脱可能に設置されているので(図3及び図4参照)、Cv値のばらつきを小さくできるとともに、コストダウン及び装置サイズのコンパクト化を図ることができる。
特に、スペーサ30は、数十μmと薄い板状のものであって、1枚又は数枚を重ねて流路ブロックと弁ブロックとの間に配設されるので、装置サイズを大型化することなく、ダイアフラム11Aのストロークを調整することができる。
また、ダイアフラム11A,11Bは、外縁部にリブ12A,12Bが垂設されているので(図3及び図13参照)、弁ブロック2と流路ブロック3との間にスペーサ30を設置しても流体漏れを防止することができる。
この場合に、ダイアフラム11Bのリブ12Bは、リブ幅W2とリブ高さH2との比率を2:1にすれば(図13参照)、先端部が弁ブロック3と流路ブロック2との間で押し潰されても倒れ込みにくく、所定のシール力を確保することができる
これに加えて、リブ12Bを先端部に向かって断面積が小さくなるように設ければ(図13参照)、所定のシール力を確保するために必要な最低限のシール面積を確保しつつ、流路ブロック2と弁ブロック3との間でリブ12Bを押し潰す力を小さくすることができる。
さらに、本実施の形態の小型電磁弁1の弁部構造によれば、流路ブロック2と弁ブロック3との間に厚さ0.05mmの板状のスペーサ30を設置したものであり、弁ブロック3の流路ブロック2に当接する側面からダイアフラム11Aの受圧面までの距離M1の公差が0.075±0.053mmであり、弁ブロック3の流路ブロック2に当接する側面から第1,第2弁座6a,6bの開口端部までの距離M2の公差が0.23±0.01mmであって、距離M2から距離M1を減算した距離M3を算出したときに、距離M3の最小値である((0.23mm−0.01mm)−(0.075mm+0.053mm)=0.092mm)が零より大きく、距離M3に応じてスペーサ30の枚数が決定されているので、Cv値のばらつきを小さくできるとともに、コストダウン及び装置サイズのコンパクト化を図ることができる。
尚、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、色々な応用が可能である。
(1)例えば、上記実施の形態では、小型電磁弁1を液体分析装置50に使用したが、使用用途はこれに限定されるものではない。
(2)
(2)例えば、上記実施の形態では、ダイアフラム11A,11Bは、リブ12A,11dが弁ブロック3側に向かって垂設されているが、流路ブロック2側に向かってリブを垂設してもよい。
(3)例えば、上記実施の形態では、縦断面が台形形状になるようにダイアフラム11Bのリブ12Bを形成した。それに対して、先端形状が三角又はR状になるようにダイアフラム11Bのリブ12Bを形成してもよい。
(4)例えば、上記実施の形態では、ストローク調整方法を具体的数値を示して説明した。この具体的数値は、小型電磁弁1がいかにストロークを微小調整しているかを示すための一例であり、これに限定されるものではない。
本発明の第1実施の形態に係り、小型電磁弁の断面図であって、非通電状態を示す。 同じく、小型電磁弁の断面図であって、通電状態を示す。 同じく、図1のX部拡大図である。 同じく、弁部の分解斜視図である。 同じく、ダイアフラム組立の斜視図である。 同じく、ストローク調整方法を示すための図である。 同じく、図6の要部拡大断面図である。 同じく、ストローク調整方法を示すための図である。 同じく、ストローク調整方法を示すための図である。 同じく、最小ストロークを示す図である。 同じく、最大ストロークを示す図である。 同じく、ダイアフラムのリブが押し潰された状態を示す図である。 同じく、ダイアフラムの変形例である。 同じく、図13に示すダイアフラムのリブが押し潰された状態を示す図である。 液体分析装置の概念図である。 従来の小型電磁弁の断面図である。
符号の説明
1 小型電磁弁
2 流路ブロック
3 弁ブロック
5a 第1ポート
5b 第2ポート
5c 第3ポート
6a 第1弁座
6b 第2弁座
9A ダイアフラム組立
9B ダイアフラム組立
10 揺動部材
11A ダイアフラム
11B ダイアフラム
12A リブ
12B リブ
30 スペーサ
W2 リブ幅
H2 リブ高さ

Claims (7)

  1. 複数のポートが設けられた流路ブロックと、ダイアフラムが固設されたダイアフラム組立を揺動自在に軸支する弁ブロックとが前記ダイアフラムの外縁部を狭持し、駆動手段がダイアフラム組立を揺動させることにより、前記ダイアフラムを前記ポートの開口部に設けられた弁座に当接又は離間させてポートの連通状態を切り替える小型電磁弁において、
    前記流路ブロックと前記弁ブロックとの間にストローク調整部材を着脱可能に設置されたものであることを特徴とする小型電磁弁。
  2. 請求項1に記載する小型電磁弁において、
    前記ストローク調整部材は、薄い板状のものであって、1枚又は数枚を重ねて前記流路ブロックと前記弁ブロックとの間に配設されるものであることを特徴とする小型電磁弁。
  3. 請求項2に記載する小型電磁弁において、
    前記ストローク調整部材は、厚さが数十μmであることを特徴とする小型電磁弁。
  4. 請求項1乃至請求項3の何れか一つに記載する小型電磁弁において、
    前記ダイアフラムは、外縁部にリブが垂設されていることを特徴とする小型電磁弁。
  5. 請求項4に記載する小型電磁弁において、
    前記リブは、リブ幅とリブ高さとの比率が2:1であることを特徴とする小型電磁弁。
  6. 請求項4又は請求項5に記載する小型電磁弁において、
    前記リブは、先端部に向かって断面積が小さくなるように設けられていることを特徴とする小型電磁弁。
  7. 複数のポートが設けられた流路ブロックと、ダイアフラムが固設されたダイアフラム組立を揺動自在に軸支する弁ブロックとが前記ダイアフラムの外縁部を狭持し、駆動手段がダイアフラム組立を揺動させることにより、前記ダイアフラムを前記ポートの開口部に設けられた弁座に当接又は離間させてポートの連通状態を切り替える小型電磁弁の弁部構造において、
    前記流路ブロックと前記弁ブロックとの間に厚さAの板状のストローク調整部材を設置したものであり、
    前記弁ブロックの前記流路ブロックに当接する側面から前記ダイアフラムの受圧面までの距離M1の公差がプラスマイナスm1であり、前記流路ブロックの前記弁ブロックに当接する側面から前記弁座の開口端部までの距離M2の公差がプラスマイナスm2であって、距離M2から距離M1を減算した距離M3を算出したときに、距離M3の最小値である(M2−m2)−(M1+m1)が零より大きく、
    距離M3に応じて前記ストローク調整部材の枚数が決定されていること
    を特徴とする小型電磁弁の弁部構造。
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