JP2005159071A - 半導体デバイスおよびその製造方法および光伝送システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Si、又は、SiGe、又は、GeからなるSi系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第1の基体上に、GaAs単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたGaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体が直接接合されていることを特徴としている。
【選択図】 図4
Description
梅野,神保,江川,応用物理,72巻,pp.273−283(2003) Appl.Phys.Lett.56, 2419(1990) Appl.Phys.Lett.58, 1961(1991) Appl.Phys.Lett.62,1038(1993)
本発明の第1の形態は、Si、又は、SiGe、又は、GeからなるSi系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第1の基体上に、GaAs単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたGaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体が直接接合されていることを特徴としている。
1)Si系単結晶−化合物半導体へテロ界面は、直接へテロエピタキシャル成長により形成されているため、密着強度が高い。
本発明の第2の形態は、第1の形態の半導体デバイスにおいて、前記第1の基体の接合面と前記GaAs系面発光レーザ構造体の接合面とが、同一材料の化合物半導体層からなっていることを特徴としている。
第2の形態では、接合面の材料が同じなので、熱膨張係数差による熱歪が無い。また、接合時に接合面で構成原子の相互拡散しやすくなり、接合プロセス温度を低くできる。
本発明の第3の形態は、Si、又は、SiGe、又は、GeからなるSi系単結晶基板の上にエピタキシャル成長により化合物半導体層を設けて第1の基体を形成する工程と、
GaAs単結晶基板上にエピタキシャル成長した犠牲層とエピタキシャル成長したGaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体積層膜とを順次積層して第2の基体を形成する工程と、前記第1の基体と第2の基体とを直接接合する工程と、前記犠牲層自体をエッチングしてGaAs単結晶基板をリフトオフにより除去する工程とを有していることを特徴としている。
上述のように第1の基板と第2の基板とを直接接合した試料のGaAs単結晶基板を研磨,エッチングして除去する方法でデバイスを作製するので、簡便で、且つ試料に機械的ストレスをかけずに、低コストで、素子の劣化が小さいデバイスの製造が可能になる。
本発明の第4の形態は、Si、又は、SiGe、又は、GeからなるSi系単結晶基板の上にエピタキシャル成長により化合物半導体層を設けて第1の基体を形成する工程と、GaAs単結晶基板上にエピタキシャル成長した犠牲層とエピタキシャル成長したGaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体積層膜とを順次積層した後、前記犠牲層自体をエッチングしてGaAs単結晶基板をリフトオフにより除去し第2の基体を形成する工程と、前記第1の基体と第2の基体とを直接接合する工程とを有していることを特徴としている。
上述のように第1の基板と第2の基板とを直接接合した試料のGaAs単結晶基板を研磨,エッチングして除去する方法でデバイスを作製するので、簡便で、且つ試料に機械的ストレスをかけずに、低いコストで、素子の劣化が小さいデバイスの製造が可能になる。
本発明の第5の形態は、第1または第2の形態の半導体デバイスにおいて、前記GaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体中には、GaInNAs系材料を含む活性層が設けられていることを特徴としている。
発振波長が1.1〜1.6μm程度の長波長帯面発光レーザは、発振光が石英系ファイバ中を損失少なく伝播し、Si基板中を吸収少なく透過し、さらに、前述の面発光レーザの特長を備えているので、チップ間、ボード間、LAN内の光配線用光源、光電子融合回路用光源として適用性が特に高い。
本発明の第6の形態は、第1,第2,第5のいずれかの形態の半導体デバイスにおいて、Si系単結晶基板の表面、裏面、又は内部において、前記GaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体が出力する光の光路上に、光学素子が設けられていることを特徴としている。
Si系基板に上記のような光学素子を設けることにより、Si−LSIのチップ間、チップ内、ボード間、ボード内の光接続がさらに容易になり、それらのデバイスをさらに高集積化、高性能化、高機能化、多機能化することができる。
本発明の第7の形態は、第1,第2,第5,第6のいずれかの形態の半導体デバイスにおいて、前記Si系単結晶基板中、又は該Si系単結晶基板上に、電子回路が設けられていることを特徴としている。
第7の形態では、Si系単結晶基板に電子回路を設けているので、光電子融合集積回路が作製でき、高速,大容量のデータ処理・データ通信能力をもつデバイスが実現できるようになる。
本発明の第8の形態は、第1,第2,第5,第6,第8のいずれかの形態の半導体デバイスを備えていることを特徴とする光伝送システムである。
第8の形態では、本発明(本願)のGaAs系VCSEL、又は光電子融合デバイスを搭載して光伝送システムを構成しているので、より低コストで、高機能,高性能なデータ伝送システムを得ることができる。
Claims (8)
- Si、又は、SiGe、又は、GeからなるSi系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第1の基体上に、GaAs単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたGaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体が直接接合されていることを特徴とする半導体デバイス。
- 請求項1記載の半導体デバイスにおいて、前記第1の基体の接合面と前記GaAs系面発光レーザ構造体の接合面とが、同一材料の化合物半導体層からなっていることを特徴とする半導体デバイス。
- Si、又は、SiGe、又は、GeからなるSi系単結晶基板の上にエピタキシャル成長により化合物半導体層を設けて第1の基体を形成する工程と、GaAs単結晶基板上にエピタキシャル成長した犠牲層とエピタキシャル成長したGaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体積層膜とを順次積層して第2の基体を形成する工程と、前記第1の基体と第2の基体とを直接接合する工程と、前記犠牲層自体をエッチングしてGaAs単結晶基板をリフトオフにより除去する工程とを有していることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- Si、又は、SiGe、又は、GeからなるSi系単結晶基板の上にエピタキシャル成長により化合物半導体層を設けて第1の基体を形成する工程と、GaAs単結晶基板上にエピタキシャル成長した犠牲層とエピタキシャル成長したGaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体積層膜とを順次積層した後、前記犠牲層自体をエッチングしてGaAs単結晶基板をリフトオフにより除去し第2の基体を形成する工程と、前記第1の基体と第2の基体とを直接接合する工程とを有していることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- 請求項1または請求項2記載の半導体デバイスにおいて、前記GaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体中には、GaInNAs系材料を含む活性層が設けられていることを特徴とする半導体デバイス。
- 請求項1,請求項2,請求項5のいずれか一項に記載の半導体デバイスにおいて、Si系単結晶基板の表面、裏面、又は内部において、前記GaAs系面発光レーザ(VCSEL)構造体が出力する光の光路上に、光学素子が設けられていることを特徴とする半導体デバイス。
- 請求項1,請求項2,請求項5,請求項6のいずれか一項に記載の半導体デバイスにおいて、前記Si系単結晶基板中、又は該Si系単結晶基板上に、電子回路が設けられていることを特徴とする半導体デバイス。
- 請求項1,請求項2,請求項5,請求項6,請求項7のいずれか一項に記載の半導体デバイスを備えていることを特徴とする光伝送システム。
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