JP2005157523A - オーバーシュート低減回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】携帯電話の電源投入後のレギュレータON時の出力の変動(オーバーシュート)を低減する。
【解決手段】電源端子1とGM3とMOSトランジスタM1のソースとバンドギャップリファレンス(BG)4、このBG4と接地端子2、GM3のマイナス入力とBG4、GM3のプラス入力と可変抵抗R1と可変抵抗R2、GM3と制御端子7、GM3の出力とトランジスタM1のゲート、トランジスタM1のドレインと可変抵抗R1と出力端子5、出力端子5と容量C1の一端、容量C1の他端と接地端子2、および可変抵抗R2の他端と接地端子2とを接続し、可変抵抗R1,R2を制御するロジック制御端子8とを含んだ回路構成に、GM3のマイナス入力とコンパレータ6のマイナス入力、コンパレータ6の出力と出力端子7、コンパレータ6のプラス入力と抵抗R3,R4の一端、抵抗R3の他端と電源端子1、および抵抗R4の他端と接地端子2を接続する。
【選択図】図1

Description

本発明は、通信分野の電源投入後のレギュレータON時の出力のオーバーシュートを低減する回路に関するものである。
通信分野における携帯電話の電源投入後の各種電源に使用されるレギュレータの出力の変動(オーバーシュート)について図面を用いて説明する。
図4は従来のレギュレータを示す回路図であり、1は電源端子、2は接地端子、3はGM、4はバンドギャップリファレンス(BG)、5は出力端子、7は制御端子、8はロジック制御端子、M1は第1のMOSトランジスタ、C1は第1の容量、R1は第1の可変抵抗、R2は第2の可変抵抗を示す。
図4における従来の回路構成では、電源投入後、バンドギャップリファレンス4が立ち上がった後に制御端子7によってレギュレータをONさせると、GM3のマイナス側が、例えば、約1.24VでGM3のプラス入力側(出力側)がGND状態になっているので出力を急激に持ち上げようとする動作が働き、大きなオーバーシュートが発生する。さらに電源投入後、第1のMOSトランジスタM1のサイズが大きければ大きいほど第1の容量C1に流れるラッシュ電流が大きくなり、大きなオーバーシュートが発生する。さらにレギュレータのクローズド・ループゲインが低いと回路の安定するスピードが遅くなり、大きなオーバーシュートが発生するという問題が生じる。
特開平11―212659号公報 特開2002―14733号公報 特開2003−15749号公報
前述したように、従来の回路構成では電源投入後のレギュレータON時の出力に大きなオーバーシュートが発生するという課題を有していた。
本発明は上記の従来の課題を解決するものであり、電源投入後のレギュレータON時の出力のオーバーシュートを低減するオーバーシュート低減回路を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明は、電源端子と差動増幅回路とMOSトランジスタのソースとバンドギャップリファレンス回路とを接続し、前記バンドギャップリファレンスと接地端子とを接続し、前記差動増幅回路のマイナス入力と前記バンドギャップリファレンスとを接続し、前記差動増幅回路のプラス入力と第1の可変抵抗と第2の可変抵抗とを接続し、前記差動増幅回路と制御端子とを接続し、前記差動増幅回路の出力と前記MOSトランジスタのゲートとを接続し、前記MOSトランジスタのドレインと前記第1の可変抵抗と出力端子とを接続し、前記出力端子と容量の一端とを接続し、前記容量の他端と前記接地端子とを接続し、前記第2の可変抵抗の他端と前記接地端子とを接続し、前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御するロジック制御端子を含んだレギュレータ回路に設けられるオーバーシュート低減回路であって、前記差動増幅回路のマイナス入力とコンパレータのマイナス入力とを接続し、前記のコンパレータの出力と前記制御端子とを接続し、前記コンパレータのプラス入力と第3の抵抗の一端と第4の抵抗の一端とを接続し、前記第3の抵抗の他端と前記電源端子とを接続し、前記第4の抵抗の他端と前記接地端子とを接続した回路を備えたことを特徴とする。
また本発明は、電源端子と差動増幅回路と第1のMOSトランジスタのソースとバンドギャップリファレンス回路とを接続し、前記バンドギャップリファレンスと接地端子とを接続し、前記差動増幅回路のマイナス入力と前記バンドギャップリファレンスとを接続し、前記差動増幅回路のプラス入力と第1の可変抵抗と第2の可変抵抗とを接続し、前記差動増幅回路とレギュレータ回路をオンにする信号を出力する制御端子とを接続し、前記差動増幅回路の出力と前記第1のMOSトランジスタのゲートとを接続し、前記第1のMOSトランジスタのドレインと前記第1の可変抵抗と出力端子とを接続し、前記出力端子と容量の一端とを接続し、前記容量の他端と前記接地端子とを接続し、前記第2の可変抵抗の他端と前記接地端子とを接続し、前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御するロジック制御端子を含んだレギュレータ回路に設けられるオーバーシュート低減回路であって、前記第1のMOSトランジスタのゲートとスイッチの一端とを接続し、前記スイッチの他端と前記電源端子とを接続し、前記第1のMOSトランジスタのサイズの1/Nサイズの第2のMOSトランジスタのソースと前記電源端子とを接続し、前記第2のMOSトランジスタのゲートと前記第1のMOSトランジスタのゲートとを接続し、前記第2のMOSトランジスタのドレインと前記第1のMOSトランジスタのドレインとを接続し、前記差動増幅回路からの制御端子と前記スイッチとを接続した回路を備えたことを特徴とする。
また本発明は、電源端子と差動増幅回路とMOSトランジスタのソースとバンドギャップリファレンス回路とを接続し、前記バンドギャップリファレンスと接地端子とを接続し、前記差動増幅回路のマイナス入力と前記バンドギャップリファレンスとを接続し、前記差動増幅回路のプラス入力と第1の可変抵抗と第2の可変抵抗とを接続し、前記差動増幅回路とレギュレータ回路をオンにする信号を出力する制御端子とを接続し、前記差動増幅回路の出力と前記MOSトランジスタのゲートとを接続し、前記MOSトランジスタのドレインと前記第1の可変抵抗と出力端子とを接続し、前記出力端子と容量の一端とを接続し、前記容量の他端と前記接地端子とを接続し、前記第2の可変抵抗の他端と前記接地端子とを接続し、前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御するロジック制御端子を含んだレギュレータ回路に設けられるオーバーシュート低減回路であって、前記ロジック制御端子とロジック回路とを接続し、このロジック回路によってレギュレータ回路のクローズド・ループゲインが最大になるように前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御することを特徴とする。
本発明によれば、電源投入後のレギュレータON時の出力のオーバーシュートを低減することが可能になる。
以下、本発明の最良の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の第1の実施形態におけるオーバーシュート低減回路を示す回路図であり、1は電源端子、2は接地端子、3は差動増幅回路であるGM、4はバンドギャップリファレンス、5は出力端子、6はコンパレータ、7は制御端子、8はロジック制御端子M1は第1のMOSトランジスタ、C1は第1の容量、R1は第1の可変抵抗、R2は第2の可変抵抗、R3は第3の抵抗、R4は第4の抵抗を示す。
第1の実施形態のオーバーシュート低減回路は、電源端子1とGM3と第1のMOSトランジスタM1のソースとバンドギャップリファレンス4とを接続し、このバンドギャップリファレンス4と接地端子2とを接続し、GM3のマイナス入力とバンドギャップリファレンス4とを接続し、GM3のプラス入力と第1の可変抵抗R1と第2の可変抵抗R2とを接続し、GM3と制御端子7とを接続し、GM3の出力と第1のMOSトランジスタM1のゲートとを接続し、第1のMOSトランジスタM1のドレインと第1の可変抵抗R1と出力端子5とを接続し、出力端子5と第1の容量C1の一端とを接続し、第1の容量C1の他端と接地端子2とを接続し、第2の可変抵抗R2の他端と接地端子2とを接続し、第1の可変抵抗R1と第2の可変抵抗R2を制御するロジック制御端子8とを含んだ回路構成に、GM3のマイナス入力とコンパレータ6のマイナス入力とを接続し、コンパレータ6の出力と出力端子7とを接続し、コンパレータ6のプラス入力と第3の抵抗R3の一端と第4の抵抗R4の一端とを接続し、第3の抵抗R3の他端と電源端子1とを接続し、第4の抵抗R4の他端と接地端子2とを接続した回路構成である。
以上のように構成された、第1の実施形態のオーバーシュート低減回路によれば、電源投入後、電源電圧をモニターするコンパレータ6でレギュレータを立ち上げることによって、レギュレータの出力を外付け容量と内部のインピーダンスで決まる時定数でゆっくりと立ち上げて出力のオーバーシュートを低減させることが可能になる。
図2は本発明の第2の実施形態におけるオーバーシュート低減回路を示す回路図であり、1は電源端子、2は接地端子、3は差動増幅回路であるGM、4はバンドギャップリファレンス、5は出力端子、7はレギュレータ回路をオンにする信号を出力する制御端子、8はロジック制御端子、M1は第1のMOSトランジスタ、M2は第2のMOSトランジスタ、C1は第1の容量、R1は第1の可変抵抗、R2は第2の可変抵抗、SW1は第1のスイッチである。
第2の実施形態のオーバーシュート低減回路は、電源端子1とGM3と第1のMOSトランジスタM1のソースとバンドギャップリファレンス4とを接続し、バンドギャップリファレンス4と接地端子2とを接続し、GM3のマイナス入力とバンドギャップリファレンス4とを接続し、GM3のプラス入力と第1の可変抵抗R1と第2の可変抵抗R2とを接続し、GM3と制御端子7とを接続し、GM3の出力と第1のMOSトランジスタM1のゲートとを接続し、第1のMOSトランジスタM1のドレインと第1の可変抵抗R1と出力端子5とを接続し、出力端子5と第1の容量C1の一端とを接続し、第1の容量C1の他端と接地端子2とを接続し、第2の可変抵抗R2の他端と接地端子2とを接続し、第1の可変抵抗R1と第2の可変抵抗R2を制御するロジック制御端子8を含んだ回路構成に、第1のMOSトランジスタM1のゲートとスイッチSW1の一端とを接続し、このスイッチSW1の他端と電源端子1とを接続し、第1のMOSトランジスタM1のサイズの1/Nサイズの第2のMOSトランジスタM2のソースと電源端子1とを接続し、第2のMOSトランジスタM2のゲートと第1のMOSトランジスタM1のゲートとを接続し、第2のMOSトランジスタM2のドレインと第1のMOSトランジスタM1のドレインとを接続し、GM3からの制御端子とスイッチSW1とを接続した回路構成である。
以上のように構成された、第2の実施形態のオーバーシュート低減回路によれば、電源投入時に出力段の第1のMOSトランジスタM1の1/Nのサイズの第2のMOSトランジスタM2で回路を立ち上げることで、外付け容量に流れるラッシュ電流を緩和させ、オーバーシュートを低減させることが可能になる。
図3は本発明の第3の実施形態におけるオーバーシュート低減回路を示す回路図であり、1は電源端子、2は接地端子、3は差動増幅回路であるGM、4はバンドギャップリファレンス、5は出力端子、7はレギュレータ回路をオンにする信号を出力する制御端子、8はロジック制御端子、9はロジック回路、M1は第1のMOSトランジスタ、C1は第1の容量、R1は第1の可変抵抗、R2は第2の可変抵抗を示す。
第3の実施形態のオーバーシュート低減回路は、電源端子1とGM3と第1のMOSトランジスタM1のソースとバンドギャップリファレンス4とを接続し、このバンドギャップリファレンス4と接地端子2とを接続し、GM3のマイナス入力とバンドギャップリファレンス4とを接続し、GM3のプラス入力と第1の可変抵抗R1と第2の可変抵抗R2とを接続し、GM3と制御端子7とを接続し、GM3の出力と第1のMOSトランジスタM1のゲートとを接続し、第1のMOSトランジスタM1のドレインと第1の可変抵抗R1と出力端子5とを接続し、出力端子5と第1の容量C1の一端とを接続し、第1の容量C1の他端と接地端子2とを接続し、第2の可変抵抗R2の他端と接地端子2とを接続し、第1の可変抵抗R1と第2の可変抵抗R2を制御するロジック制御端子8を含んだ回路構成に、ロジック制御端子8とロジック回路9とを接続した備えたものである。
以上のように構成された、第3の実施形態のオーバーシュート低減回路によれば、電源投入後、レギュレータの出力が可変可能な場合、回路の立ち上がり時にロジック回路9の制御で第1の可変抵抗R1と第2の可変抵抗R2の2つの抵抗からなるMAXのクローズド・ループゲインに設定し、出力DC電圧を早く安定させることでオーバーシュートを低減させることが可能になる。
本発明のオーバーシュート低減回路によれば、通信分野の機器において電源投入後のレギュレータON時の出力のオーバーシュートを低減することが可能になり、特に、携帯型の電話機器の分野において利用可能性が高いものである。
本発明の第1の実施形態におけるオーバーシュート低減回路を示す回路図 本発明の第2の実施形態におけるオーバーシュート低減回路を示す回路図 本発明の第3の実施形態におけるオーバーシュート低減回路を示す回路図 従来におけるオーバーシュート低減回路を示す回路図
符号の説明
1 電源端子
2 接地端子
3 GM
4 バンドギャップリファレンス
5 出力端子
6 コンパレータ
7 制御端子
8 ロジック制御端子
9 ロジック回路
M1 第1のMOSトランジスタ
M2 第2のMOSトランジスタ
C1 第1の容量
R1 第1の可変抵抗
R2 第2の可変抵抗
R3 第3の抵抗
R4 第4の抵抗
SW1 第1のスイッチ

Claims (3)

  1. 電源端子と差動増幅回路とMOSトランジスタのソースとバンドギャップリファレンス回路とを接続し、前記バンドギャップリファレンスと接地端子とを接続し、前記差動増幅回路のマイナス入力と前記バンドギャップリファレンスとを接続し、前記差動増幅回路のプラス入力と第1の可変抵抗と第2の可変抵抗とを接続し、前記差動増幅回路と制御端子とを接続し、前記差動増幅回路の出力と前記MOSトランジスタのゲートとを接続し、前記MOSトランジスタのドレインと前記第1の可変抵抗と出力端子とを接続し、前記出力端子と容量の一端とを接続し、前記容量の他端と前記接地端子とを接続し、前記第2の可変抵抗の他端と前記接地端子とを接続し、前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御するロジック制御端子を含んだレギュレータ回路に設けられるオーバーシュート低減回路であって、前記差動増幅回路のマイナス入力とコンパレータのマイナス入力とを接続し、前記のコンパレータの出力と前記制御端子とを接続し、前記コンパレータのプラス入力と第3の抵抗の一端と第4の抵抗の一端とを接続し、前記第3の抵抗の他端と前記電源端子とを接続し、前記第4の抵抗の他端と前記接地端子とを接続した回路を備えたことを特徴とするオーバーシュート低減回路。
  2. 電源端子と差動増幅回路と第1のMOSトランジスタのソースとバンドギャップリファレンス回路とを接続し、前記バンドギャップリファレンスと接地端子とを接続し、前記差動増幅回路のマイナス入力と前記バンドギャップリファレンスとを接続し、前記差動増幅回路のプラス入力と第1の可変抵抗と第2の可変抵抗とを接続し、前記差動増幅回路とレギュレータ回路をオンにする信号を出力する制御端子とを接続し、前記差動増幅回路の出力と前記第1のMOSトランジスタのゲートとを接続し、前記第1のMOSトランジスタのドレインと前記第1の可変抵抗と出力端子とを接続し、前記出力端子と容量の一端とを接続し、前記容量の他端と前記接地端子とを接続し、前記第2の可変抵抗の他端と前記接地端子とを接続し、前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御するロジック制御端子を含んだレギュレータ回路に設けられるオーバーシュート低減回路であって、前記第1のMOSトランジスタのゲートとスイッチの一端とを接続し、前記スイッチの他端と前記電源端子とを接続し、前記第1のMOSトランジスタのサイズの1/Nサイズの第2のMOSトランジスタのソースと前記電源端子とを接続し、前記第2のMOSトランジスタのゲートと前記第1のMOSトランジスタのゲートとを接続し、前記第2のMOSトランジスタのドレインと前記第1のMOSトランジスタのドレインとを接続し、前記差動増幅回路からの制御端子と前記スイッチとを接続した回路を備えたことを特徴とするオーバーシュート低減回路。
  3. 電源端子と差動増幅回路とMOSトランジスタのソースとバンドギャップリファレンス回路とを接続し、前記バンドギャップリファレンスと接地端子とを接続し、前記差動増幅回路のマイナス入力と前記バンドギャップリファレンスとを接続し、前記差動増幅回路のプラス入力と第1の可変抵抗と第2の可変抵抗とを接続し、前記差動増幅回路とレギュレータ回路をオンにする信号を出力する制御端子とを接続し、前記差動増幅回路の出力と前記MOSトランジスタのゲートとを接続し、前記MOSトランジスタのドレインと前記第1の可変抵抗と出力端子とを接続し、前記出力端子と容量の一端とを接続し、前記容量の他端と前記接地端子とを接続し、前記第2の可変抵抗の他端と前記接地端子とを接続し、前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御するロジック制御端子を含んだレギュレータ回路に設けられるオーバーシュート低減回路であって、前記ロジック制御端子とロジック回路とを接続し、このロジック回路によってレギュレータ回路のクローズド・ループゲインが最大になるように前記第1の可変抵抗と前記第2の可変抵抗を制御することを特徴とするオーバーシュート低減回路。
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