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  1. 放射線の投影ビームを条件付ける照明システムと、
    その断面においてパターンを前記投影ビームに付与するように働く個別制御可能要素アレイと、
    基板を支持する基板テーブルと、
    前記基板の標的部分上に前記パターン形成されたビームを投影する投影システムと
    を備え、
    前記各個別制御可能要素が３層の誘電体層のスタックを備え、前記３層のうちの少なくとも中間の１層が固体電子光学材料から形成され、それによって、制御信号の付与時、前記要素が第１の状態と第２の状態との間を選択的に変更され、前記第１の状態では、前記３層の誘電体層のうちの中間の１層と他の２層の間における１つの偏光状態についての屈折率の違いがより大きく、前記第２の状態では、前記１つの偏光状態についての前記屈折率の違いがより小さく、前記電子光学材料層の少なくとも１つの隣接層との境界においてそれぞれ透過され反射される放射線の比率が前記２つの状態で異なる、リソグラフィ装置。
  2. 前記スタックが、複数の追加の誘電体材料層を含み、前記追加層のうちの少なくとも１層が電子光学材料から形成され、それによって、前記第２の電子光学材料層に制御信号を付与することによって、１つの偏光状態についての前記追加層のうちの少なくとも１層の屈折率が変更されうる、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
  3. 前記スタックの交互の層が固定屈折率を有する材料から形成され、その残りが電子光学材料から形成され、それによって、前記層にそれぞれの制御信号を付与することにより、所与の各偏光状態についての各電子光学材料層の前記屈折率が変更されうる、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
  4. 前記電子光学材料層が、これらの層の各異常軸が相互にほぼ平行となるように配置されている、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
  5. 少なくとも２層の電子光学材料層が、これらの層の異常軸が相互にほぼ垂直となるように配置されている、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
  6. 前記スタック内の各電子光学材料層に独立して制御可能な制御電圧を印加するように構成されている電極をさらに備えている、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
  7. 前記スタック内の２層以上の電子光学材料層に共通の制御電圧を印加するように構成されている電極をさらに備えている、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
  8. 相互にほぼ平行な異常軸を有する電子光学材料層に共通の制御電圧を印加するように構成されている電極をさらに備えている、請求項４に記載のリソグラフィ投影装置。
  9. 各要素が、第１の方向に面偏光された放射線の伝播と、前記第１の方向にほぼ直交する第２の方向に面偏光された放射線の伝播とを独立して制御するように構成されている、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
  10. 前記照明システムが、２次線源プレーンを有し、前記２次線源プレーン内で４つのポールを有する投影ビームを生成するようになっている、請求項９に記載のリソグラフィ投影装置。
  11. 前記４つのポールが対になって配置され、第１のポール対の中心を結合する直線が第２のポール対の中心を結合する直線に直交しており、前記直線が、実質上前記照明システムの光学軸において交差している、請求項１０に記載のリソグラフィ投影装置。
  12. 前記第１のポール対の前記放射線が前記第１の方向に面偏光され、前記第２のポール対の前記放射線が前記第２の方向に面偏光されている、請求項１１に記載のリソグラフィ投影装置。
  13. その断面においてパターンを放射線ビームに付与するように構成された個別制御可能要素アレイにおいて、個別制御可能要素の各々が３層の誘電体層のスタックを備え、前記３層のうちの少なくとも中間の１層が固体電子光学材料から形成され、それによって、制御信号の付与時、前記要素が第１の状態と第２の状態との間を選択的に変更され、前記第１の状態では、前記３層の誘電体層のうちの中間の１層と他の２層の間における１つの偏光状態についての屈折率の違いがより大きく、前記第２の状態では、前記１つの偏光状態についての前記屈折率の違いがより小さく、前記電子光学材料層の少なくとも１つの隣接層との境界においてそれぞれ透過され反射される放射線の比率が前記２つの状態で異なる、個別制御可能要素アレイ。
  14. 基板を提供する工程と、
    照明システムを使用して放射線の投影ビームを条件付ける工程と、
    その断面においてパターンを前記投影ビームに付与する個別制御可能要素アレイを使用する工程と、
    この基板の標的部分上にパターン形成された放射線ビームを投影する工程と
    を含み、
    前記個別制御可能要素の各々が３層の誘電体層のスタックを備え、前記３層のうちの少なくとも中間の１層が固体電子光学材料から形成され、それによって、制御信号の付与時、前記要素が第１の状態と第２の状態との間を選択的に変更され、前記第１の状態では、前記３層の誘電体層のうちの中間の１層と他の２層の間における１つの偏光状態についての屈折率の違いがより大きく、前記第２の状態では、前記１つの偏光状態についての前記屈折率の違いがより小さく、前記電子光学材料層の少なくとも１つの隣接層との境界においてそれぞれ透過され反射される放射線の比率が前記２つの状態で異なる、デバイス製造方法。
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