JP2005136452A - スイッチング回路及びそれを用いたオーディオ信号再生装置及びスイッチング素子保護方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 定電圧電源VBBとグランドGND間に直列に接続されたMOSFETM1、M2の接続点をスピーカに接続し、MOSFETM1とM2とをオーディオ信号が変換された1ビット信号に応じて交互にオン/オフするディジタルアンプ1を備えたオーディオ信号再生装置において、MOSFETM1、M2のドレイン−ソース間電圧が共に所定電圧より小さいときに、MOSFETM1、M2を共にオフにして貫通電流を遮断するためのプロテクト信号を出力する保持回路X6を設ける。
【選択図】 図1
Description
2、3 ローパスフィルタ
4 スピーカ
5 ΔΣ変調部(1ビット信号変換手段)
6 ドライバ
C1、C2、C7 コンデンサ
D1〜D6 ダイオード
L1、L2 コイル
M1〜M4 MOSFET(スイッチング素子)
Q1、Q2、Q11〜Q14 スイッチング素子
R1〜R8、R13 抵抗
U1 AND回路(検知回路)
X1、X2 オペアンプ
X5 インバータ
X6 保持回路
VBB 定電圧電源(高位電源端子)
GND グランド(低位電源端子)
Claims (11)
- 高位電源端子と低位電源端子間に直列に接続された第1、第2スイッチング素子を備え、入力信号に応じて第1スイッチング素子をオン、第2スイッチング素子をオフとする第1の期間と第1スイッチング素子をオフ、第2スイッチング素子をオンとする第2の期間とを切り換えて、第1、第2スイッチング素子の接続点から出力を取り出すスイッチング回路において、
第1スイッチング素子に流れる電流を検出する第1電流検出手段と、
第2スイッチング素子に流れる電流を検出する第2電流検出手段と、
第1、第2電流検出手段が共に所定電流値を超える電流を検出したときに第1、第2スイッチング素子をオフにして貫通電流を遮断し第1、第2スイッチング素子を保護する保護手段と、
を設けたことを特徴とするスイッチング回路。 - 第1電流検出手段は、第1スイッチング素子両端の電圧を検出する第1電圧検出回路であり、第2電流検出手段は、第2スイッチング素子両端の電圧を検出する第2電圧検出回路であることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング回路。
- 前記保護手段は、
第1電圧検出回路で検出された電圧が第1所定電圧より小さく、且つ、第2電圧検出回路で検出された電圧が第2所定電圧より小さいことを検知して検知信号を出力する検知回路と、
前記検知信号を所定時間だけ遅延させる遅延回路と、
該遅延回路からの検知信号を保持するとともに保持している間は第1、第2スイッチング素子をオフにして貫通電流を遮断するためのプロテクト信号を出力する保持回路と、
を備えていることを特徴とする請求項2に記載のスイッチング回路。 - 高位電源端子と低位電源端子間に順次直列に接続された第1、第2スイッチング素子と、前記高位電源端子と低位電源端子間に順次直列に接続された第3、第4スイッチング素子とを備え、入力信号に応じて第1、第4スイッチング素子をオン、第2、第3スイッチング素子をオフとする第1の期間と第1、第4スイッチング素子をオフ、第2、第3スイッチング素子をオンとする第2の期間とを切り換えて、第1、第2スイッチング素子の接続点と第3、第4スイッチング素子の接続点との間から出力を取り出すスイッチング回路において、
第1スイッチング素子に流れる電流を検出する第1電流検出手段と、
第2スイッチング素子に流れる電流を検出する第2電流検出手段と、
第3スイッチング素子に流れる電流を検出する第3電流検出手段と、
第4スイッチング素子に流れる電流を検出する第4電流検出手段と、
第1、第2電流検出手段が共に第1の所定電流値を超える電流を検出したときに第1、 第2スイッチング素子をオフにして第1、第2スイッチング素子の貫通電流を遮断し第1、第2スイッチング素子を保護するとともに、第3、第4電流検出手段が共に第2の所定電流値を超える電流を検出したときに第3、第4スイッチング素子をオフにして第3、第4スイッチング素子の貫通電流を遮断し第3、第4スイッチング素子を保護する保護手段と、
を設けたことを特徴とするスイッチング回路。 - 第1電流検出手段は、第1スイッチング素子両端の電圧を検出する第1電圧検出回路であり、第2電流検出手段は、第2スイッチング素子両端の電圧を検出する第2電圧検出回路であり、第3電流検出手段は、第3スイッチング素子両端の電圧を検出する第3電圧検出回路であり、第4電流検出手段は、第4スイッチング素子両端の電圧を検出する第4電圧検出回路であることを特徴とする請求項4に記載のスイッチング回路。
- 前記保護手段は、
第1電圧検出回路で検出された電圧が第1所定電圧より小さく、且つ、第2電圧検出回路で検出された電圧が第2所定電圧より小さいことを検知して第1検知信号を出力する第1検知回路と、
第1検知信号を第1の所定時間だけ遅延させる第1遅延回路と、
第1遅延回路からの第1検知信号を保持するとともに保持している間は第1、第2スイッチング素子をオフにして第1、第2スイッチング素子の貫通電流を遮断するための第1プロテクト信号を出力する第1保持回路と、
第3電圧検出回路で検出された電圧が第3所定電圧より小さく、且つ、第4電圧検出回路で検出された電圧が第4所定電圧より小さいことを検知して第2検知信号を出力する第2検知回路と、
第2検知信号を第2の所定時間だけ遅延させる第2遅延回路と、
第2遅延回路からの第2検知信号を保持するとともに保持している間は第3、第4スイッチング素子をオフにして第3、第4スイッチング素子の貫通電流を遮断するための第2プロテクト信号を出力する第2保持回路と、
を備えていることを特徴とする請求項5に記載のスイッチング回路。 - 前記スイッチング素子が、MOSFETであることを特徴とする請求項1〜請求項6に記載のスイッチング回路。
- 前記電圧検出回路が、MOSFETのドレイン、ソース間の電圧を検出して増幅する差動増幅回路であることを特徴とする請求項7に記載のスイッチング回路。
- アナログ信号または多ビットで割り当てられて表現されたディジタル信号から成るオーディオ信号を1ビットで割り当てられる1ビット信号に変換する1ビット信号変換手段と、
高位電源端子と低位電源端子間に直列に接続された第1、第2スイッチング素子から成るスイッチング回路と、
前記1ビット信号に応じて第1スイッチング素子をオン、第2スイッチング素子をオフとする第1の期間と第1スイッチング素子をオフ、第2スイッチング素子をオンとする第2の期間とを切り換えるドライバと、
を備え、第1、第2スイッチング素子の接続点に接続されたスピーカから前記オーディオ信号を再生するオーディオ信号再生装置において、
前記スイッチング回路に、
第1スイッチング素子に流れる電流を検出する第1電流検出手段と、
第2スイッチング素子に流れる電流を検出する第2電流検出手段と、
第1、第2電流検出手段が共に所定電流値を超える電流を検出したときに第1、第2スイッチング素子をオフにして貫通電流を遮断し第1、第2スイッチング素子を保護する保護手段と、
を設けたことを特徴とするオーディオ信号再生装置。 - アナログ信号または多ビットで割り当てられて表現されたディジタル信号から成るオーディオ信号を1ビットで割り当てられる1ビット信号に変換する1ビット信号変換手段と、
高位電源端子と低位電源端子間に順次直列に接続された第1、第2スイッチング素子と、前記高位電源端子と低位電源端子間に順次直列に接続された第3、第4スイッチング素子とから成るスイッチング回路と、
前記1ビット信号に応じて第1、第4スイッチング素子をオン、第2、第3スイッチング素子をオフとする第1の期間と第1、第4スイッチング素子をオフ、第2、第3スイッチング素子をオンとする第2の期間とを切り換えるドライバと、
を備え、第1、第2スイッチング素子の接続点と第3、第4スイッチング素子の接続点との間に接続されたスピーカから前記オーディオ信号を再生するオーディオ信号再生装置において、
前記スイッチング回路に、
第1スイッチング素子に流れる電流を検出する第1電流検出手段と、
第2スイッチング素子に流れる電流を検出する第2電流検出手段と、
第3スイッチング素子に流れる電流を検出する第3電流検出手段と、
第4スイッチング素子に流れる電流を検出する第4電流検出手段と、
第1、第2電流検出手段が共に第1の所定電流値を超える電流を検出したときに第1、第2スイッチング素子をオフにして第1、第2スイッチング素子の貫通電流を遮断し第1、第2スイッチング素子を保護するとともに、第3、第4電流検出手段が共に第2の所定電流値を超える電流を検出したときに第3、第4スイッチング素子をオフにして第3、第4スイッチング素子の貫通電流を遮断し第3、第4スイッチング素子を保護する保護手段と、
を設けたことを特徴とするオーディオ信号再生装置。 - 高位電源端子と低位電源端子間に直列に接続された第1、第2スイッチング素子を備え、入力信号に応じて第1スイッチング素子をオン、第2スイッチング素子をオフとする第1の期間と第1スイッチング素子をオフ、第2スイッチング素子をオンとする第2の期間とを切り換えて、第1、第2スイッチング素子の接続点から出力を取り出すスイッチング回路において、
第1スイッチング素子に流れる電流と第2スイッチング素子に流れる電流とを検出し、該検出した電流値が所定電流値を超えるときに第1、第2スイッチング素子をオフにすることを特徴とするスイッチング素子保護方法。
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