JP2005136073A - プラズマ処理装置およびそれに用いる真空容器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部にプラズマ処理領域19を形成する真空容器25と、真空容器25に対してガスを給排気する手段26a、26bと、真空容器25の外側に配置され、真空容器25内のガスに高周波電力を印加してプラズマを生成する電極手段27、29とを具備してなり、真空容器25内に配置された被処理基板WにCVD処理を行うプラズマ処理装置であって、上記真空容器25が実質的に平坦な天井部20と、外周面に上記天井部20に連続したテーパ部21とを有する。
【選択図】図1
Description
種々の形状の真空容器を作製し、プラズマ処理装置に組み込んだ際の評価を行った。
次いで、表1に示す試料No.7の真空容器の側壁部22に凹部32を設けた真空容器、表1における試料No.7の真空容器、従来の真空容器を、天井部に7kw、側壁部に4kw、テーパ部に3kwの熱負荷がかかる状態でテストを行った。実施例1と同様な条件下で各試料の真空容器内の温度を熱電対を用いて測定し各部の温度分布を求めた。得られた温度分布をFEMモデルに適用してモデル上で実際の温度分布状態を再現した。この温度状態でFEM解析による発生熱応力を算出して発生応力最大値を求めた。
2:上容器
3:下容器
4:開口部
5:プラズマ処理空間
6:シャワー孔
7:ガス給気口
8:カバー
9:ガス分散室
10:サセプタ
11:放電用電極
12:天井部
13:側壁部
14:フランジ部
15:RF電極
16:均熱板
17:RF電極真空容器
18:R部
19:プラズマ処理領域
20:天井部
21:テーパ部
22:側壁部
23:フランジ部
24:サセプタ
25:真空容器
26a:ガス給気口
26b:ガス排気口
27:RF電極
28:均熱板
29:RF電極
30:境界
31:境界
32:凹部
W:被処理基板
Claims (6)
- 内部にプラズマ処理領域を形成する真空容器と、真空容器に対してガスを給排気する手段と、真空容器の外側に配置され、真空容器内のガスに高周波電力を印加してプラズマを生成する電極手段とを具備してなり、真空容器内に配置された被処理基板にCVD処理を行うプラズマ処理装置であって、上記真空容器が実質的に平坦な天井部と、外周面に上記天井部に連続したテーパ部とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 上記テーパ部に連続し、上記被処理基板に対して垂直な側壁部を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 上記天井部とテーパ部および/またはテーパ部と側壁部との内部側の境界が曲面状であることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 上記テーパ部が、天井部からの高さ方向における30〜70%、且つ真空容器の中心から最外周までの径方向の20〜50%の範囲に形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 上記側壁部の外周側に凹部を設けることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理装置に用いられ、内部にプラズマ処理領域を形成するための真空容器であって、該真空容器が実質的に平坦な天井部と、該天井部に連続し、天井部からの高さ方向における30〜70%、且つ真空容器の中心から最外周までの径方向の20〜50%の範囲に形成されたテーパ部とからなることを特徴とする真空容器。
Priority Applications (1)
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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