JP4383143B2 - 真空容器およびこれを用いたプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
2:上容器
3:下容器
4:開口部
5:プラズマ処理領域
6:シャワー孔
7:ガス給気口
8:カバー
9:ガス分散室
10:サセプタ
11:放電用電極
12:天井部
13:側壁部
14:フランジ部
15:RF電極
16:均熱板
17:RF電極
18:R部
19:プラズマ処理領域
20:天井部
21:テーパ部
22:側壁部
23:フランジ部
24:サセプタ
25:真空容器
25a:上容器
25b:下容器
26a:ガス給気口
26b:ガス排気口
27:天井RF電極
28:均熱板
29:側壁RF電極
30:境界
31:境界
32:凹部
W:被処理基板
Claims (4)
- プラズマ処理装置に用いられ、内部にプラズマ処理領域を形成するための上容器と下容器とからなる真空容器であって、上記上容器が実質的に平坦な天井部と、外周面に上記天井部に連続したテーパ部と、該テーパ部に連続した被処理基板に対して垂直な側壁部とを有しており、該側壁部の外周側に側壁RF電極が装着される凹部を設けたことを特徴とする真空容器。
- 上記天井部と上記テーパ部との内部側の境界および上記テーパ部と上記側壁部との内部側の境界の少なくとも一方が曲面状であることを特徴とする請求項1に記載の真空容器。
- 上記テーパ部が、上記天井部からの高さ方向における30〜70%、且つ上記上容器の中心から最外周までの径方向の20〜50%の範囲に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の真空容器。
- 内部にプラズマ処理領域を形成する請求項1〜3のいずれかに記載の真空容器と、該真空容器に対してガスを給排気する手段と、上記真空容器の外側に配置され、上記真空容器内のガスに高周波電力を印加してプラズマを生成する電極手段とを具備してなり、上記真空容器内に配置された被処理基板にCVD処理を行なうプラズマ処理装置。
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