JP2005123325A - 半導体装置、回路基板、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置1は、厚みが50μm程度に薄板化された基板10と、基板10の電子回路が形成された能動面とその裏面とを接続する接続電極28とを備える。接続電極28の能動面側に突出した部分の先端部には凹部30が形成されており、この凹部30を埋めるようにハンダ32が形成されている。
【選択図】 図1
Description
この発明によれば、半導体基板を貫通する貫通電極の能動面側における突出部分の先端に凹部が形成されているため、半導体装置を積層する際に半導体装置の反り及び貫通電極の半導体基板からの突出量のばらつきが吸収され、製造歩留まりの低下を防止することができるとともに、その接続性や接続強度を向上させることができる。
また、本発明の半導体装置は、前記貫通電極の前記凹部には、ろう材が設けられていることを特徴としている。
この発明によれば、貫通電極の先端に形成された凹部にろう材が設けられているため、平坦形状の貫通電極上にろう材を設けた場合に比べて、積層時におけるろう材の垂れを少なくすることができる。
ここで、前記ろう材の量は、前記凹部の容積と同程度に設定されていることが好適である。
ろう材の量を凹部の容積と同程度に設定すると、ろう材が貫通電極以外の部分(例えば、半導体基板そのもの)に接触することがなく、従って積層された半導体装置間の短絡(ショート)が防止されるとともに、貫通電極をほぼ確実に接続することができる。
また、本発明の半導体装置は、前記裏面側における前記貫通電極の突出部分の突出量は、前記能動面側における突出部分に形成された凹部の深さよりも大であることを特徴としている。
この発明によれば、裏面側における貫通電極の突出部分の突出量を凹部の深さよりも大にしているため、裏面側における貫通電極の突出部分の先端が凹部の最底部に接触している状態であっても、積層された半導体装置の間では短絡が生じない。
また、本発明の半導体装置は、前記貫通孔の内壁には絶縁膜が形成されており、前記貫通電極は、前記絶縁膜を介して前記貫通孔の内側に形成されていることを特徴としている。
この発明によれば、貫通電極は絶縁膜を介して貫通孔の内側に形成されているため、一つの半導体装置内において貫通電極と半導体基板との絶縁が必要な場合に絶縁をとることができる。
また、本発明の半導体装置は、前記能動面側における前記貫通電極の突出部分が、前記貫通孔内の前記絶縁膜の外径より大きい外径に形成されていることを特徴としている。
この発明によれば、能動面側における突出部分が貫通孔内の絶縁膜の外径より大きい外径に形成されているため、半導体装置を積層する際に他の半導体装置の裏面側における貫通電極の突出部分を容易に凹部内に配置させることができ、位置合わせに要する時間を短縮することもできる。
また、本発明の半導体装置は、前記裏面側における前記貫通電極の突出量と前記絶縁膜の突出量とは同程度であるか、又は、前記裏面側における前記貫通電極の突出部分が前記絶縁膜より更に突出してその側面が露出した状態に形成されていることを特徴としている。
この発明によれば、裏面側における貫通電極の突出量と絶縁膜の突出量とが同程度である場合には、貫通電極の露出面積がさほど大きくはないが、少ない工程数で半導体装置を製造することができる。一方、裏面側における前記貫通電極の突出部分が前記絶縁膜より更に突出してその側面が露出した状態に形成されている場合には、工程数が増加するが貫通電極の露出面積が増大するため、貫通電極の接合強度を向上させることができる。
また、本発明の半導体装置は、上記の何れかの半導体装置を複数備え、これら半導体装置を、一の半導体基板の能動面側と他の半導体基板の裏面側とを対向させて上下に積層した半導体装置であって、前記上下に積層された半導体装置のうちの一の半導体装置の電極の突出部と他の半導体装置の電極の突出部との間が前記ろう材によって電気的に接続されてなることを特徴としている。
この発明によれば、個々の半導体装置の反り、及び個々の半導体装置に形成された貫通電極の半導体基板からの突出量のばらつきが吸収された状態で半導体装置が積層され、しかも半導体装置の間で短絡が生ずることなく、各貫通電極が確実に接続されているため、小型・堅牢・高信頼性を有する半導体装置を得ることができる。
本発明の回路基板は、上記の何れかに記載の半導体装置を備えたことを特徴としている。
この回路基板によれば、実装密度が高く、高い信頼性を有する半導体装置を備えていることから、回路基板の小型化及び軽量化を図ることもでき、更に信頼性の向上を図ることもできる。
本発明の電子機器は、上記の何れかに記載の半導体装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、実装密度が高く、高い信頼性を有する半導体装置を備えていることから、電子機器の小型化及び軽量化を図ることもでき、更に信頼性の向上を図ることもできる。
図1は、本発明の一実施形態による半導体装置の要部を示す断面図である。図1に示す通り、本発明の一実施形態による半導体装置(半導体チップ)1は、シリコンからなり、厚みが50μm程度の基板10と、この基板10に形成された貫通孔H4内に絶縁膜22を介して設けられた貫通電極としての接続電極28とを備える。ここで、貫通孔H4は、基板10の能動面側から裏面側にかけて貫通して形成されたものである。基板10は、その能動面側にトランジスタやメモリ素子、その他の電子素子からなる集積回路(図示せず)を形成したものであり、この能動面側の表面に絶縁膜12を形成し、さらにその上に硼酸珪酸ガラス(以下、BPSGという)等からなる層間絶縁膜14を形成したものである。
次に、以上説明した構成の半導体装置1の製造方法について説明する。図2〜図7は、本発明の一実施形態による半導体装置の製造手順の一例を示す工程図である。以下、これらの図を順に参照して製造手順の一例について説明する。尚、以下の説明においては、シリコンウェハ等の半導体基板(多数個取りの大型半導体基板)に対して各種処理を行う場合を例に挙げて説明するが、多数の半導体チップが形成された状態の半導体基板に対して処理を行うのではなく、個々の半導体チップを形成するための小型の半導体基板に対して以下に示す処理を行っても良い。尚、半導体チップの場合には、一般的には直方体(立方体を含む)であるが、その形状は限定されず、球状であってもよい。
以上、接続電極28を有する半導体装置1及びその製造方法について説明したが、次に以上のようにして得られた半導体装置1を積層した積層構造を有する半導体装置について説明する。図9は、半導体装置1を積層して3次元実装した半導体装置2を示す断面図である。この半導体装置2は、インターポーザ基板40上に複数(図6では3層)の上記半導体装置1が積層され、さらにその上に異種の半導体装置3が積層されて構成されている。
次に、上記の半導体装置2を備えた回路基板及び電子機器の例について説明する。図10は、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す斜視図である。図10に示す通り、この実施形態の回路基板100には、上記の半導体装置2が搭載されている。回路基板100は、例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板からなるもので、例えば銅等からなる配線パターン(図示せず)が所望の回路となるように形成され、更にこれら配線パターンに電極パッド(図示せず)が接続されている。
本発明の実施形態による半導体装置を有する電子機器として、図11にはノート型パーソナルコンピュータ200、図12には携帯電話300が示されている。上記の半導体装置2又は回路基板100は、パーソナルコンピュータ200又は携帯電話300の内部に設けられる。かかる構成のパーソナルコンピュータ200及び携帯電話300にあっても、実装密度が高い半導体装置2を備えていることから、小型化、軽量化が図られたものとなり、また配線接続の信頼性も高いものとなる。
10……基板(半導体基板)
22……絶縁膜
28……接続電極(貫通電極)
30……凹部
32……ハンダ(ろう材)
H4……貫通孔
Claims (11)
- 貫通孔が形成された半導体基板と当該貫通孔の内側に形成された貫通電極とを備える半導体装置であって、
前記貫通電極は、前記半導体基板の能動面側及びその裏面側の両方に突出してなるとともに、前記能動面側における突出部分の先端に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記貫通電極の前記凹部には、ろう材が設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ろう材の量は、前記凹部の容積と同程度に設定されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記裏面側における前記貫通電極の突出部分の突出量は、前記能動面側における突出部分に形成された凹部の深さよりも大であることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記貫通孔の内壁には絶縁膜が形成されており、
前記貫通電極は、前記絶縁膜を介して前記貫通孔の内側に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記能動面側における前記貫通電極の突出部分は、前記貫通孔内の前記絶縁膜の外径より大きい外径に形成されていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記裏面側における前記貫通電極の突出量と前記絶縁膜の突出量とは同程度であることを特徴する請求項5又は請求項6記載の半導体装置。
- 前記裏面側における前記貫通電極の突出部分は前記絶縁膜より更に突出してその側面が露出した状態に形成されていることを特徴とする請求項5又は請求項6記載の半導体装置。
- 請求項1から請求項8の何れか一項に記載の半導体装置を複数備え、これら半導体装置を、一の半導体基板の能動面側と他の半導体基板の裏面側とを対向させて上下に積層した半導体装置であって、
前記上下に積層された半導体装置のうちの一の半導体装置の電極の突出部と他の半導体装置の電極の突出部との間が前記ろう材によって電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項9の何れか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする回路基板。
- 請求項1から請求項9の何れか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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