JP2005116788A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 半導体基板上に誘電率が３より小さい低誘電体膜からなる層間絶縁膜が積層され、上記層間絶縁膜の上部にボンディングパッドが形成された半導体装置において、
   上記ボンディングパッドの下の領域と、その外側とで上記ボンディングパッドと上記層間絶縁膜との接合面を分断するように上記層間絶縁膜を貫通するビアを設け、上記ビアで上記ボンディングパッドを支持したことを特徴とする半導体装置。
2. 上記ビアが、上記ボンディングパッドの下の領域内における上記接合面を複数に分割していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 上記ビアが、格子状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
4. 上記ビアが、上記層間絶縁膜の接合面に底面を有する升形状であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
5. 上記ビアが、上下に隣り合う層間絶縁膜に設けられ、上下に積み重ねられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
6. 半導体基板上に誘電率が３より小さい低誘電体膜からなる層間絶縁膜が積層され、上部最上層の層間絶縁膜上にボンディングパッドが形成された半導体装置において、
   上記ボンディングパッドの下の領域に、上記層間絶縁膜を貫通するビアを設け、上記ビアが、スリット状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
7. 上記スリット状のビアが、上下に隣り合う層間絶縁膜に設けられ、上下の上記ビアのスリット形状が互いに交差していることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
8. 互いに交差している上記スリット状のビアが、さらに上下に積み重ねられていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。