JP2005114977A - 光パワー合成用光学系および光源モジュール - Google Patents
光パワー合成用光学系および光源モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005114977A JP2005114977A JP2003348287A JP2003348287A JP2005114977A JP 2005114977 A JP2005114977 A JP 2005114977A JP 2003348287 A JP2003348287 A JP 2003348287A JP 2003348287 A JP2003348287 A JP 2003348287A JP 2005114977 A JP2005114977 A JP 2005114977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- optical system
- optical element
- light
- optical power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
【解決手段】M×N(M>N)に配置された複数の光源(LD)1からの光を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光パワー合成用光学系において、結合手段を、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、集光用光学素子4で構成し、M個の配列方向の倍率がN個の配列方向の倍率よりも大きくなるようにアナモフィック光学素子3を配置する。そしてアナモフィック光学素子3により水平方向の光束を垂直方向と同等に小さくするようにすることにより、集光レンズL2の口径を小さくでき、焦点距離も短くできるので、垂直方向の倍率が小さくなり、光束の集光径も小さくなり、受光器への結合効率が向上し、高出力の出射光が得られる。
【選択図】図1
Description
また、合成光を光ファイバのように開口数(NA)の制限がある受光器に効率良く取り込むためには、集光レンズで集光される合成光のNAを受光器のNAよりも小さくする必要があるが、配置数の多い水平方向の光束に対してNAを最適化しなければならないため、集光レンズの口径が大きくなり、また焦点距離も長くなってしまうため、光学系の光路長が長くなるので、光学系が大型になってしまう。さらに、集光レンズの焦点距離が長くなると光学系の倍率が大きくなり、光束の集光径も大きくなってしまうため、受光器の受光エリア(例えば光ファイバのコア径等)が小さい場合には受光エリアに入りきらないこともあり、結合効率が低下するという問題がある。
また、本発明は、その光パワー合成用光学系を備え、高出力で小型、コンパクトな光源モジュールを提供することを目的とする。
本発明の第1の構成は、M×N(M>N)(M,Nは1以上の整数)に配置された複数の光源からの光を、結合手段を用いて1個の受光器に結合させる光パワー合成用光学系において、前記結合手段は、コリメータ光学素子、アナモフィック光学素子、集光用光学素子で構成され、M個の配列方向の倍率がN個の配列方向の倍率よりも大きくなるように前記アナモフィック光学素子が配置されていることを特徴とする。
また、第2の構成は、第1の構成の光パワー合成用光学系において、前記アナモフィック光学素子と前記集光用光学素子の間に、折り返し用の反射光学素子を配置したことを特徴とする。
また、第4の構成は、第3の構成の光パワー合成用光学系において、前記集光用光学素子として、研磨によるガラスレンズ、またはガラスモールドレンズ、または樹脂成形レンズ、またはエッチングによって加工されたレンズを使用したことを特徴とする。
また、第6の構成は、第5の構成の光パワー合成用光学系において、前記反射集光光学素子として、凹面ミラーまたはホログラム素子を使用したことを特徴とする。
また、第8の構成は、第7の構成の光パワー合成用光学系において、前記半導体レーザ(LD)のエミッションエリアの幅の大きい方向を光学系の倍率の小さい方向に、エミッションエリアの幅の小さい方向を光学系の倍率の大きい方向になるように、半導体レーザ(LD)の向きを配置したことを特徴とする。
さらに、第9の構成は、第7または8の構成の光パワー合成用光学系において、前記光ファイバとして、コア径が100μm以下、開口数(NA)が0.35以下である光ファイバを使用したことを特徴とする。
また、第11の構成は、第1〜6,10のいずれか一つの構成の光パワー合成用光学系において、前記光源として、発光ダイオード(LED)またはエレクトロルミネッセンス(EL)または面発光レーザ(VCSEL)またはランプを使用したことを特徴とする。
また、第13の構成は、第1〜6,10〜12のいずれか一つの構成の光パワー合成用光学系において、前記受光器として、光ファイバまたは光導波路またはライトトンネルまたはピンホール等の開口部を使用したことを特徴とする。
また、第15の構成は、第14の構成の光パワー合成用光学系において、前記プリズムとして、一体型の大型プリズムを使用したことを特徴とする。
さらに、第16の構成は、第14の構成の光パワー合成用光学系において、前記プリズムとして、個々の小型プリズムを整列したもの、または、小型プリズム整列品の形状を一体型として加工したものを使用したことを特徴とする。
また、第18の構成は、第1〜17のいずれか一つの構成の光パワー合成用光学系において、前記コリメータ光学素子として、コリメータレンズ(屈折率差と連続的な曲面形状によってレンズ効果を持つ一般的なレンズ)、屈折率分布レンズ、フレネルレンズ、回折光学素子、ホログラム素子のうちのいずれかを使用したことを特徴とする。
さらに、第19の構成は、第18の構成の光パワー合成用光学系において、前記コリメータレンズとして、研磨によるガラスレンズ、またはガラスモールドレンズ、または樹脂成形レンズ、またはエッチングによって加工されたレンズを使用したことを特徴とする。
さらにまた、第20の構成は、第18または19の構成の光パワー合成用光学系において、前記コリメータレンズは、単体レンズの集合体、または一体化されたレンズアレイであることを特徴とする。
また、第22の構成は、第21の構成の光源モジュールにおいて、合成光の出射部に出射部用光学素子を取り付けたことを特徴とする。
また、第24の構成は、第22の構成の光源モジュールにおいて、前記出射部用光学素子としてコリメート用共軸光学素子またはコリメート用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が平行光にされることを特徴とする。
さらに、第25の構成は、第22の構成の光源モジュールにおいて、前記出射部用光学素子として発散用共軸光学素子または発散用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が発散されることを特徴とする。
さらにまた、第26の構成は、第21〜25のいずれか一つの構成の光源モジュールにおいて、合成光の出射部または出射部用光学素子の出射部に照度(光量)分布均一化光学素子を取り付け、該照度(光量)分布均一化光学素子により照度(光量)分布が均一な出射光が出射されることを特徴とする。
また、開口数(NA)、倍率に対して、光源のM×Nの配列数とアナモフィック光学素子のアナモフィック性をバランス良く構成すると良く、具体的には、アナモフィック光学系は水平方向と垂直方向の倍率が異なるので、例えば半導体レーザ(LD)のような非対称な発光エリアを持つ光源を使用する場合には、発光エリア径の小さい方向をアナモフィック光学系の倍率の大きい方向に、発光エリア径の大きい方向をアナモフィック光学系の倍率の小さい方向になるように設置することで、光束の集光径をバランス良く小さくすることができ、光ファイバや光導波路等の受光器に効率良く結合することができる。
図1は本発明の一実施形態を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、同図(a)は光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図、同図(b)は光パワー合成用光学系の垂直方向の光学系配置を示す図である。
図1に示すように、この光パワー合成用光学系は、光源部1において水平方向にM個、垂直方向にN個のM×N(M>N)(M,Nは1以上の整数)に配置された複数の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、集光用光学素子4で構成され、M個の配列方向の倍率がN個の配列方向の倍率よりも大きくなるように前記アナモフィック光学素子4が配置されている構成となっている。
コリメータ光学素子2は、図示の例では光源部1の各光源と1対1に対応してM×Nに配置された複数のコリメータレンズL1で構成されている。このコリメータレンズL1としては、屈折率差と連続的な曲面形状によってレンズ効果を持つ一般的なレンズが使用されるが、この他、コリメータ光学素子2としては、屈折率分布レンズ、フレネルレンズ、回折光学素子、ホログラム素子のうちのいずれかを使用することができる。さらに、コリメータレンズL1としては、研磨によるガラスレンズ、またはガラスモールドレンズ、または樹脂成形レンズ、またはエッチングによって加工されたレンズを使用することができる。さらにまた、コリメータレンズ部は、単体レンズの集合体か、または一体化されたレンズアレイで構成される。
アナモフィック光学素子3としては、プリズムを使用することができ、より具体的には、プリズムとして、一体型の大型プリズムを使用するか、あるいは、個々の小型プリズムを整列したもの、または、小型プリズム整列品の形状を一体型として加工したものを使用することができる。また、この他、アナモフィック光学素子3としては、シリンドリカルレンズ、シリンドリカルミラー、ホログラム素子、回折光学素子等を使用することができる。
集光用光学素子4としては、図示の例では集光レンズ(屈折率差と連続的な曲面形状によってレンズ効果を持つ一般的なレンズ)が用いられるが、この他、屈折率分布レンズ、フレネルレンズ、回折光学素子、ホログラム素子のうちのいずれかを使用することができる。また、集光用光学素子4として、研磨によるガラスレンズ、またはガラスモールドレンズ、または樹脂成形レンズ、またはエッチングによって加工されたレンズ等を使用することができる。
受光器5としては、光ファイバ、光導波路、ライトトンネル、ピンホール等を使用することができる。
(効率良く結合)
・複数のLDからのビームトータルの開口数(NA)を光ファイバのNAよりも小さくする。
・倍率を小さくして、集光レンズ(L2)による集光スポット径を、光ファイバのコア径よりも小さくする。
(薄型(小型)の光学系)
・LDの配置をM×N(M>N)とする(M:水平方向の個数、N:垂直方向の個数)
・アナモフィック光学素子を使用し、水平、垂直方向の光束幅を同じにする(もしくは近づける)→集光レンズ(L2)の口径が小さくなり、焦点距離f2も短くなるので光学系が小型になる。
・LDのエミッションエリアの幅の大きい方向をアナモフィック光学系の倍率の小さい方向に、エミッションエリアの幅の小さい方向をアナモフィック光学系の倍率の大きい方向になるように設置することで、ビームの集光径をバランス良く小さくする。
[設計で決定する特性]
光学系の構成部材の特性を下記の表1に示す記号で表すことにする。また、光学系の設計条件として設定されている特性および設計で決定する特性は表1の通りである。
図1に示す光学系の基本的な設計方法は以下の通りである。
[1]半導体レーザ(LD)をM×N(M>N)に配置する。
LDの向きは、光学系の水平方向にLDのV方向、垂直方向にLDのH方向を合せ、LDのエミッションエリアの幅の小さい方向(EAV)をM個配列方向に、エミッションエリアの幅の大きい方向(EAH)をN個配列方向になるように設置する。
[2]コリメータレンズ(L1)の焦点距離:f1を求める。
光学系の厚み(N個の配列方向の光学的な有効エリア幅)の目標値をY0として設定し、下記の (1)式より、DYを求める。
Y0=(N−1)×PY+DY ・・・(1)
一般的な式NA=D/2fにDYとNAHを代入することでf1が求められる。
f1=DY/(2×NAH) ・・・(2)
[3]アナモフィック光学素子入射前のビーム光束幅:X0を求める。
一般的な式NA=D/2fにf1とNAVを代入することでDXが求められる。
DX=2f1×NAV ・・・(3)
下記の (4)式より、X0が求められる。
X0=(M−1)×PX+DX ・・・(4)
[4]アナモフィック光学素子のビーム縮小倍率:MXを決める。
X1=Y0となるようなMXを求める。
MX=X1/X0=Y0/X0 ・・・(5)
[5]集光レンズ(L2)の焦点距離:f2を決める。
一般的な式NA=D/2fに√2×X1とNAFを代入することでf2が求められる。
√2×X1はビーム配列の対角方向の幅である(X1=Y0より)。
f2=(√2×X1)/(2×NAF) ・・・(6)
[6]集光ビーム径を求める。
光学系の倍率βX、βYを求める。
βX=(f2/f1)×1/MX ・・・(7)
βY=f2/f1 ・・・(8)
エミッションエリアと倍率より集光ビーム径を求める。
WX=βX×EAV ・・・(9)
WY=βY×EAH ・・・(10)
[7]集光ビーム径が光ファイバのコア径よりも小さいことを確認する。
WX<FD ・・・(11)
WY<FD ・・・(12)
尚、光源部1には複数の異なる波長域の光源を用いることもできるが、光源部1に複数の同一波長域の光源(例えば複数の同一波長域のLD等)を用い、その光束を合成することにより、単一の波長域で高出力の光束を光ファイバ等の受光器5に結合でき、受光器5からは単一波長域で高出力の出射光が得られる。
図2は本発明の第1の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、(a)は光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図、(b)は(a)の矢印A方向から見たときの垂直方向の光学系配置を示す図である。
図2に示すように、この光パワー合成用光学系は、光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、集光用光学素子4で構成されている。より具体的には、光源部1は8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)、アナモフィック光学素子3は8個の小型プリズム3Aがアレイ状に一体に配置されたプリズムアレイ、集光用光学素子4は1個の集光レンズ(L2)、受光器5は光ファイバである。尚、光学系の具体的な条件は以下の通りである。
(1)光源はLD(半導体レーザ)、発光パワー30mW。
(2)LDの波長λ:408±10nm。
(3)LDの発散角(FWHM):H方向8°、V方向24°。
(4)LDのNA(1/e2):H方向0.12、V方向0.35。
(5)LDのエミッションエリア:H方向2.2μm、V方向0.7μm。
(6)LDの配列数:8(水平方向)×2(垂直方向)に配列された径16個。
(7)LDの配列ピッチ:PX(水平方向)、PY(垂直方向)とも7.5mm。
(8)LDの設置向き:光学系の水平方向にLDのV方向、垂直方向にLDのH方向とする。
(9)コリメータレンズL1:非球面レンズ、焦点距離5.5mm、有効径5.5mm。
(10)アナモフィック光学素子:石英からなるプリズムアレイ。ビーム径縮小率:水平方向0.18、垂直方向1.0。
(11)集光レンズL2:非球面レンズ、焦点距離35mm、有効径15mm。
(12)受光器:マルチモード光ファイバ、コア径50μm、NA0.2。
(13)各光学素子の入出射面に反射防止(AR)コート(反射率0.5%以下)。
(14)光学系全体の倍率:水平方向35.4、垂直方向6.4。
図2の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が8%あるものとした場合、428mW(効率89%)である。また、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスが全くないものとした場合、465mW(効率97%)である。
[1]LDを8×2に配列する。LDの向きは8個配列方向にEAV=0.7μm、2個配列方向にEAH=2.2μmとなるように設置する。
[2]光学系の厚みの目標値をY0=10mmとすると前記(1)式よりDY=2.5mmとなる。LDのH方向のNAは1/e2で0.12だが、ここでは効率を上げるために、NAH=0.23と大きくする。前記(2)式より、f1=5.43≒5.5mmとなる。
[3]LDのV方向のNAは1/e2で0.35だが、ここでは効率を上げるために、NAV=0.5と大きくする。前記(3)式より、DX=5.5mmとなる。よって前記(4)式より、X0=58mmとなる。
[4]MX=10/58=0.172≒0.18
[5]f2=(√2×10)/(2×0.2)=35.4≒35mm
[6]βX=(35/5.5)×1/0.18=35.4
βY=35/5.5=6.4
WX=35.4×0.7=24.8μm
WY=6.4×2.2=14.1μm
[7]WX、WYとも光ファイバのコア径FD=50μmよりも十分小さい。
従って、光ファイバのNA、コア径に対して効率良く結合できる薄型の光パワー合成用光学系が得られる。
図3は本発明の第2の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図である。
図3に示す光パワー合成用光学系は、実施例1と同様に光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、集光用光学素子4で構成されている。より具体的には、光源部1は実施例1と同様に8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)である。アナモフィック光学素子3は1個の大型プリズム3Bであり、集光用光学素子4は実施例1と同様に1個の集光レンズ(L2)、受光器5は光ファイバである。
図3の構成の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が9.5%あるものとした場合、421mW(効率88%)である。
図4は本発明の第3の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図である。
図4に示す光パワー合成用光学系は、実施例1と同様に光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、反射光学素子6、集光用光学素子4で構成されている。より具体的には、光源部1は実施例1と同様に8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)、アナモフィック光学素子3は8個の小型プリズム3Aがアレイ状に一体に配置されたプリズムアレイ、反射光学素子6は反射ミラー、集光用光学素子4は1個の集光レンズ(L2)、受光器5は光ファイバである。
図4の構成の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、反射ミラーの反射率を99%と想定し、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が9%あるものとした場合、423mW(効率88%)である。
図5は本発明の第4の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図である。
図5に示す光パワー合成用光学系は、実施例1と同様に光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、反射集光光学素子7で構成されている。より具体的には、光源部1は実施例1と同様に8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)、アナモフィック光学素子3は8個の小型プリズム3Aがアレイ状に一体に配置されたプリズムアレイである。また、反射集光光学素子7は凹面ミラー、受光器5は光ファイバである。
図5の構成の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、凹面ミラーの反射率を99%と想定し、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が4%あるものとした場合、446mW(効率93%)である。すなわち、集光レンズを用いない分だけ光量のロスを減らすことができ、より高出力となる。
図6は本発明の第5の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図である。
図6に示す光パワー合成用光学系は、実施例1と同様に光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、反射集光光学素子8で構成されている。より具体的には、光源部1は実施例1と同様に8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)、アナモフィック光学素子3は8個の小型プリズム3Aがアレイ状に一体に配置されたプリズムアレイである。また、反射集光光学素子8はホログラム素子、受光器5は光ファイバである。
図6の構成の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、ホログラム素子8でのロスがほとんど無いものと想定し、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が8%あるものとした場合、446mW(効率93%)である。すなわち、集光レンズを用いない分だけ光量のロスを減らすことができ、より高出力となる。
図7は本発明の第6の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図である。
図7に示す光パワー合成用光学系は、実施例1と同様に光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子9、集光用光学素子4で構成されている。より具体的には、光源部1は実施例1と同様に8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)である。アナモフィック光学素子9は2個のシリンドリカルレンズ9a,9bで構成され、集光用光学素子4は実施例1と同様に1個の集光レンズ(L2)、受光器5は光ファイバである。
図7の構成の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が19%あるものとした場合、377mW(効率79%)である。このように、アナモフィック光学素子9として、複数のシリンドリカルレンズ9a,9bを組み合せた場合は、レンズの内部吸収等によるロスが大きくなり、光の利用効率が若干低下する。
図8は本発明の第7の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図である。
図8に示す光パワー合成用光学系は、実施例1と同様に光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子10、集光用光学素子4で構成されている。より具体的には、光源部1は実施例1と同様に8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)である。アナモフィック光学素子10は1個の回折光学素子で構成され、集光用光学素子4は実施例1と同様に1個の集光レンズ(L2)、受光器5は光ファイバである。
図8の構成の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、回折光学素子10でのロスがほとんど無いものと想定し、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が8%あるものとした場合、428mW(効率89%)である。このように、アナモフィック光学素子として、回折光学素子10を使用した場合、プリズムやシリンドリカルレンズを使用した場合に比べて光学系の小型化、軽量化が可能となる。
図9は本発明の第8の実施例を示す光パワー合成用光学系の構成説明図であり、(a)は光パワー合成用光学系の水平方向の光学系配置を示す図、(b)は垂直方向の光学系配置を示す図である。
図9に示す光パワー合成用光学系は、実施例1と同様に光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子11、集光用光学素子4で構成されている。より具体的には、光源部1は実施例1と同様に8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)である。アナモフィック光学素子11は2個のシリンドリカルミラー11a,11bで構成され、集光用光学素子4は実施例1と同様に1個の集光レンズ(L2)、受光器5は光ファイバである。
図9の構成の光パワー合成用光学系の受光器(光ファイバ)5からの出射光量は、光学素子のARコートロスおよび内部吸収によるロスの合計が9%あるものとした場合、423mW(効率88%)である。
図10は本発明の第9の実施例を示す光源モジュールの構成説明図であり、(a)は光源モジュールを上方から見たときの平面図、(b)は側方からみた断面図である。
この光源モジュールの実施例は、光パワー合成用光学系として実施例3(図4)と同様の構成の光パワー合成用光学系を筐体18内に組み込んだ例であり、光パワー合成用光学系は、光源部1において水平方向に8個、垂直方向に2個の8×2に配置された複数の同一波長域の光源からの複数の光束を、結合手段を用いて1個の受光器5に結合させる光学系であり、結合手段は、コリメータ光学素子2、アナモフィック光学素子3、反射光学素子6、集光用光学素子4で構成されている。より具体的には、光源部1は8×2に配置された16個の同一波長域の半導体レーザ(LD)、コリメータ光学素子2は同じく8×2に配置された16個のコリメータレンズ(L1)、アナモフィック光学素子3は8個の小型プリズム3Aがアレイ状に一体に配置されたプリズムアレイ、反射光学素子6は反射ミラー、集光用光学素子4は1個の集光レンズ(L2)、受光器5は光ファイバである。また、光源部1の16個のLDは、LD駆動および放熱ブロック15に固定され、16個のコリメータレンズ(L1)はL1固定部材12に固定されている。また、アナモフィック光学素子3を構成するプリズムアレイはプリズム固定部材13に固定され、反射ミラー6は反射ミラー固定部材16に固定され、集光レンズ(L2)はL2固定部材14に固定され、光ファイバ5は筐体18の側壁に固定されている。また、各固定部材は筐体18のベース部材18aに固定されている。さらに、LD駆動および放熱ブロック15の近傍には放熱用ファン17が設けられており、LD駆動および放熱ブロック15を冷却するように構成されている。また、LD駆動および放熱ブロック15や放熱用ファン17からは制御用ケーブル19が引出され、筐体18に固定したコネクタ20に接続されている。尚、このコネクタ20には、図示しない電源や制御部からのケーブルが接続される。
尚、本実施例では、実施例3と同様の構成の光パワー合成用光学系を筐体18内に組み込んだ例を示したが、光パワー合成用光学系としてはこの他、実施例1,2,4〜8に示した構成の光パワー合成用光学系を使用することができる。
図11は本発明の第10の実施例を示す光源モジュールの斜視図である。この光源モジュール21は例えば実施例9の光源モジュールと同様の構成であるが、合成光の出射部である光ファイバ5の先端に出射部用光学素子22を取り付けたものである。
ここで、出射部用光学素子22として、集光用共軸光学素子または集光用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が集光される場合の照度分布とビーム形状の例を図12に示す。また、出射部用光学素子22として、コリメート用共軸光学素子またはコリメート用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が平行光にされる場合の照度分布とビーム形状の例を図13に示す。さらに、出射部用光学素子22として、発散用共軸光学素子または発散用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が発散される場合の照度分布とビーム形状の例を図14に示す。尚、図12〜14には、出射部用光学素子22の出射部に、さらに照度(光量)分布均一化光学素子(拡散板、レンズ、ホログラム等)を取り付け、該照度(光量)分布均一化光学素子により照度(光量)分布が均一な出射光を出射する場合の照度分布とビーム形状例も合せて示してある。
これらの出射部用光学素子22や照度(光量)分布均一化光学素子は、光源モジュールの使用用途により適宜選択されて取り付けられるものである。
2:コリメータ光学素子
3:アナモフィック光学素子
3A:小型プリズム
3B:大型プリズム
4:集光用光学素子
5:受光器(光ファイバ等)
6:反射光学素子(反射ミラー)
7:反射集光光学素子(凹面ミラー)
8:反射集光光学素子(ホログラム素子)
9:アナモフィック光学素子
9a,9b:シリンドリカルレンズ
10:アナモフィック光学素子(回折光学素子)
11:アナモフィック光学素子
11a,11b:シリンドリカルミラー
12:L1固定部材
13:プリズム固定部材
14:L2固定部材
15:LD駆動および放熱ブロック
16:反射ミラー固定部材
17:放熱用ファン
18:筐体
19:制御用ケーブル
20:コネクタ
21:光源モジュール
22:出射部用光学素子
L1:コリメータレンズ
L2:集光レンズ
LD:半導体レーザ
Claims (26)
- M×N(M>N)に配置された複数の光源からの光を、結合手段を用いて1個の受光器に結合させる光パワー合成用光学系において、
前記結合手段は、コリメータ光学素子、アナモフィック光学素子、集光用光学素子で構成され、M個の配列方向の倍率がN個の配列方向の倍率よりも大きくなるように前記アナモフィック光学素子が配置されていることを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1記載の光パワー合成用光学系において、
前記アナモフィック光学素子と前記集光用光学素子の間に、折り返し用の反射光学素子を配置したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1または2記載の光パワー合成用光学系において、
前記集光用光学素子として、集光レンズ、屈折率分布レンズ、フレネルレンズ、回折光学素子、ホログラム素子のうちのいずれかを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項3記載の光パワー合成用光学系において、
前記集光用光学素子として、研磨によるガラスレンズ、またはガラスモールドレンズ、または樹脂成形レンズ、またはエッチングによって加工されたレンズを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項2記載の光パワー合成用光学系において、
前記集光用光学素子と反射光学素子の機能が一体化された反射集光光学素子を使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項5記載の光パワー合成用光学系において、
前記反射集光光学素子として、凹面ミラーまたはホログラム素子を使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜6のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
前記光源として半導体レーザ、前記受光器として光ファイバを使用することを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項7記載の光パワー合成用光学系において、
前記半導体レーザのエミッションエリアの幅の大きい方向を光学系の倍率の小さい方向に、エミッションエリアの幅の小さい方向を光学系の倍率の大きい方向になるように、半導体レーザの向きを配置したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項7または8記載の光パワー合成用光学系において、
前記光ファイバとして、コア径が100μm以下、開口数(NA)が0.35以下である光ファイバを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜6のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
前記光源として、発光エリアに幅の大きい方向と幅の小さい方向を持つ光源を使用し、発光エリアの幅の大きい方向を光学系の倍率の小さい方向に、発光エリアの幅の小さい方向を光学系の倍率の大きい方向になるように、光源の向きを配置したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜6,10のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
前記光源として、発光ダイオードまたはエレクトロルミネッセンスまたは面発光レーザまたはランプを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜6のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
半導体レーザまたは発光ダイオードまたはエレクトロルミネッセンスまたは面発光レーザまたはランプからの光を一度光ファイバまたは光導波路に取り込み、その光ファイバまたは光導波路からの出射光を光源としたことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜6,10〜12のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
前記受光器として、光ファイバまたは光導波路またはライトトンネルまたはピンホール等の開口部を使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜13のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
前記アナモフィック光学素子として、プリズムを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項14記載の光パワー合成用光学系において、
前記プリズムとして、一体型の大型プリズムを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項14記載の光パワー合成用光学系において、
前記プリズムとして、個々の小型プリズムを整列したもの、または、小型プリズム整列品の形状を一体型として加工したものを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜13のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
前記アナモフィック光学素子として、シリンドリカルレンズまたはシリンドリカルミラーまたは回折光学素子を使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜17のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系において、
前記コリメータ光学素子として、コリメータレンズ、屈折率分布レンズ、フレネルレンズ、回折光学素子、ホログラム素子のうちのいずれかを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項18記載の光パワー合成用光学系において、
前記コリメータレンズとして、研磨によるガラスレンズ、またはガラスモールドレンズ、または樹脂成形レンズ、またはエッチングによって加工されたレンズを使用したことを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項18または19記載の光パワー合成用光学系において、
前記コリメータレンズは、単体レンズの集合体、または一体化されたレンズアレイであることを特徴とする光パワー合成用光学系。 - 請求項1〜20のいずれか一つに記載の光パワー合成用光学系を備えたことを特徴とする光源モジュール。
- 請求項21記載の光源モジュールにおいて、
合成光の出射部に出射部用光学素子を取り付けたことを特徴とする光源モジュール。 - 請求項22記載の光源モジュールにおいて、
前記出射部用光学素子として集光用共軸光学素子または集光用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が集光されることを特徴とする光源モジュール。 - 請求項22記載の光源モジュールにおいて、
前記出射部用光学素子としてコリメート用共軸光学素子またはコリメート用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が平行光にされることを特徴とする光源モジュール。 - 請求項22記載の光源モジュールにおいて、
前記出射部用光学素子として発散用共軸光学素子または発散用アナモフィック光学素子を用い、該光学素子により出射光が発散されることを特徴とする光源モジュール。 - 請求項21〜25のいずれか一つに記載の光源モジュールにおいて、
合成光の出射部または出射部用光学素子の出射部に照度(光量)分布均一化光学素子を取り付け、該照度(光量)分布均一化光学素子により照度(光量)分布が均一な出射光が出射されることを特徴とする光源モジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003348287A JP4188795B2 (ja) | 2003-10-07 | 2003-10-07 | 光パワー合成用光学系および光源モジュール |
US10/951,584 US7050238B2 (en) | 2003-10-07 | 2004-09-29 | Power combination optical system and light source module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003348287A JP4188795B2 (ja) | 2003-10-07 | 2003-10-07 | 光パワー合成用光学系および光源モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005114977A true JP2005114977A (ja) | 2005-04-28 |
JP4188795B2 JP4188795B2 (ja) | 2008-11-26 |
Family
ID=34386429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003348287A Expired - Fee Related JP4188795B2 (ja) | 2003-10-07 | 2003-10-07 | 光パワー合成用光学系および光源モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7050238B2 (ja) |
JP (1) | JP4188795B2 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008064994A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光源装置および光学装置 |
JP2009122493A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アナモルフィックプリズム |
US7568806B2 (en) | 2004-12-14 | 2009-08-04 | Casio Computer Co., Ltd. | Light source unit having a light source in a mirror tunnel |
CN101859027A (zh) * | 2009-04-10 | 2010-10-13 | 住友电气工业株式会社 | 光组合器和使用该光组合器的图像投影装置 |
JP2010243987A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光合波器及びそれを用いた画像投影装置 |
US7830609B2 (en) | 2007-09-04 | 2010-11-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light beam coupling apparatus |
DE202011001808U1 (de) * | 2011-01-22 | 2012-04-27 | Sick Ag | Optoelektronischer Sensor |
EP2503377A1 (en) | 2011-03-22 | 2012-09-26 | Nichia Corporation | Light source device |
JP2014228797A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 光学系 |
JP2015072956A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社島津製作所 | 発光装置 |
WO2016125301A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置 |
US9746615B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-08-29 | Shimadzu Corporation | Light-synthesizing laser device |
JP2017187719A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | シャープ株式会社 | 光源モジュール |
JP2019184729A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | 株式会社島津製作所 | 光源モジュール |
WO2020039556A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社島津製作所 | 光結合装置 |
WO2020059664A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 三菱電機株式会社 | 合波光学系 |
JP2020514839A (ja) * | 2017-01-10 | 2020-05-21 | エヌライト,インコーポレーテッド | 最適化されたビーム寸法を有するダイオードを使用したファイバ結合式ダイオードレーザにおけるパワーおよび輝度スケーリング |
KR20200108597A (ko) * | 2019-03-11 | 2020-09-21 | 주식회사 라이드로 | 레이저 모듈 |
US11187912B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-11-30 | Shimadzu Corporation | Light source module |
JP2023045924A (ja) * | 2021-09-22 | 2023-04-03 | カシオ計算機株式会社 | 光源装置及び投影装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102891436A (zh) * | 2011-07-21 | 2013-01-23 | 奥兰若技术有限公司 | 光学系统及改进光学系统的方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2848279B2 (ja) | 1995-06-30 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 光接続素子及び光接続装置 |
JP3228098B2 (ja) | 1995-11-01 | 2001-11-12 | 横河電機株式会社 | 光 源 |
JP2002202442A (ja) | 2000-11-06 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 合波レーザー光源および露光装置 |
JP2002223019A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Rion Co Ltd | レーザ発振器とそれを用いた光散乱式粒子検出器 |
JP2002329935A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | レーザ光源装置、レーザ装置、レーザ出射方法およびレーザ光源装置の製造方法 |
JP4289914B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 結像光学系及びそれを用いた画像読取装置 |
-
2003
- 2003-10-07 JP JP2003348287A patent/JP4188795B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-29 US US10/951,584 patent/US7050238B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7568806B2 (en) | 2004-12-14 | 2009-08-04 | Casio Computer Co., Ltd. | Light source unit having a light source in a mirror tunnel |
JP2008064994A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光源装置および光学装置 |
US7830609B2 (en) | 2007-09-04 | 2010-11-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light beam coupling apparatus |
JP2009122493A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アナモルフィックプリズム |
CN101859027A (zh) * | 2009-04-10 | 2010-10-13 | 住友电气工业株式会社 | 光组合器和使用该光组合器的图像投影装置 |
JP2010243987A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光合波器及びそれを用いた画像投影装置 |
JP2010243986A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光合波器及びそれを用いた画像投影装置 |
US8403491B2 (en) | 2009-04-10 | 2013-03-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical combiner and image projector using the optical combiner |
DE202011001808U1 (de) * | 2011-01-22 | 2012-04-27 | Sick Ag | Optoelektronischer Sensor |
EP2503377A1 (en) | 2011-03-22 | 2012-09-26 | Nichia Corporation | Light source device |
US8736966B2 (en) | 2011-03-22 | 2014-05-27 | Nichia Corporation | Light source device having laser devices with stem and cap |
JP2014228797A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 光学系 |
JP2015072956A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社島津製作所 | 発光装置 |
US9746615B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-08-29 | Shimadzu Corporation | Light-synthesizing laser device |
JPWO2016125301A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置 |
WO2016125301A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置 |
US10727644B2 (en) | 2015-02-06 | 2020-07-28 | Shimadzu Corporation | Laser device |
JP2017187719A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | シャープ株式会社 | 光源モジュール |
JP7272959B2 (ja) | 2017-01-10 | 2023-05-12 | エヌライト,インコーポレーテッド | 最適化されたビーム寸法を有するダイオードを使用したファイバ結合式ダイオードレーザにおけるパワーおよび輝度スケーリング |
JP2020514839A (ja) * | 2017-01-10 | 2020-05-21 | エヌライト,インコーポレーテッド | 最適化されたビーム寸法を有するダイオードを使用したファイバ結合式ダイオードレーザにおけるパワーおよび輝度スケーリング |
JP2019184729A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | 株式会社島津製作所 | 光源モジュール |
US11187912B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-11-30 | Shimadzu Corporation | Light source module |
JPWO2020039556A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2021-08-10 | 株式会社島津製作所 | 光結合装置 |
JP7165337B2 (ja) | 2018-08-23 | 2022-11-04 | 株式会社島津製作所 | 光結合装置 |
US11567272B2 (en) | 2018-08-23 | 2023-01-31 | Shimadzu Corporation | Optical coupling device |
WO2020039556A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社島津製作所 | 光結合装置 |
JPWO2020059664A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2021-01-07 | 三菱電機株式会社 | 合波光学系 |
JP2021064794A (ja) * | 2018-09-18 | 2021-04-22 | 三菱電機株式会社 | 合波光学系 |
WO2020059664A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 三菱電機株式会社 | 合波光学系 |
JP7086501B2 (ja) | 2018-09-18 | 2022-06-20 | 三菱電機株式会社 | 合波光学系 |
US11822125B2 (en) | 2018-09-18 | 2023-11-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Multiplexing optical system |
KR20200108597A (ko) * | 2019-03-11 | 2020-09-21 | 주식회사 라이드로 | 레이저 모듈 |
KR102524031B1 (ko) * | 2019-03-11 | 2023-04-21 | 주식회사 라이드로 | 레이저 모듈 |
JP2023045924A (ja) * | 2021-09-22 | 2023-04-03 | カシオ計算機株式会社 | 光源装置及び投影装置 |
JP7331902B2 (ja) | 2021-09-22 | 2023-08-23 | カシオ計算機株式会社 | 光源装置及び投影装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4188795B2 (ja) | 2008-11-26 |
US20050073750A1 (en) | 2005-04-07 |
US7050238B2 (en) | 2006-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4188795B2 (ja) | 光パワー合成用光学系および光源モジュール | |
US7668214B2 (en) | Light source | |
US6700709B1 (en) | Configuration of and method for optical beam shaping of diode laser bars | |
WO1999047959A1 (en) | Apparatus for coupling radiation beams into an optical waveguide | |
US20070019912A1 (en) | Illuminateur laser | |
WO2018168166A1 (ja) | 光モジュール | |
US9739450B2 (en) | Light-source optical system, fiber light source, microscope, and automotive headlight | |
KR101033759B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
KR102389883B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP6189638B2 (ja) | 光学系 | |
CN111801856B (zh) | 激光模块 | |
CN214542912U (zh) | 一种小体积半导体激光器 | |
JP4024270B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US10527256B2 (en) | Compact high-spectral-radiance light source including a parabolic mirror and plano-convex fluorescent body | |
JP6517285B2 (ja) | 光学系 | |
US20090116215A1 (en) | Optical manifold | |
CN112103768B (zh) | 一种半导体激光器 | |
CN113270790A (zh) | 百瓦级绿色激光系统及应用其的激光装置 | |
EP3916289B1 (en) | Illuminating device | |
CN112310800A (zh) | 一种紧凑式光纤耦合输出半导体激光器 | |
CN213341081U (zh) | 一种半导体激光器 | |
US20230121969A1 (en) | Light source device | |
CN218863999U (zh) | 一种照明装置及照明灯具 | |
CN115173219B (zh) | 一种高亮度半导体激光模块 | |
CN219105334U (zh) | 一种光源装置以及照明系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080909 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4188795 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140919 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |