JPWO2016125301A1 - レーザ装置 - Google Patents

レーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016125301A1
JPWO2016125301A1 JP2016573156A JP2016573156A JPWO2016125301A1 JP WO2016125301 A1 JPWO2016125301 A1 JP WO2016125301A1 JP 2016573156 A JP2016573156 A JP 2016573156A JP 2016573156 A JP2016573156 A JP 2016573156A JP WO2016125301 A1 JPWO2016125301 A1 JP WO2016125301A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
laser
thermal resistance
units
heat radiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016573156A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6536842B2 (ja
Inventor
隼規 坂本
隼規 坂本
一郎 福士
一郎 福士
章之 門谷
章之 門谷
一馬 渡辺
一馬 渡辺
直也 石垣
直也 石垣
次郎 齊川
次郎 齊川
進吾 宇野
進吾 宇野
廣木 知之
知之 廣木
東條 公資
公資 東條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Publication of JPWO2016125301A1 publication Critical patent/JPWO2016125301A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6536842B2 publication Critical patent/JP6536842B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34Laser welding for purposes other than joining
    • B23K26/342Build-up welding
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206Optical features
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4268Cooling
    • G02B6/4272Cooling with mounting substrates of high thermal conductivity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

レーザ装置は、複数のレーザダイオード、複数のレーザダイオードと対応して設けられた複数の光学素子、複数のレーザダイオードに対応して設けられ、各レーザダイオード毎にレーザダイオードと光学素子とを固定して作製される複数のユニット12a,12b、複数のレーザダイオードから出射されるビームをファイバに集光させる集光部と、複数のユニットと集光部とを収納する収納部20、複数のユニットの放熱を行うための放熱部21を備える。放熱部と各ユニットとの間に、熱抵抗値が所定値以下の熱抵抗低下素子13a,13bを設けるか、又は熱抵抗低下処理を施した。

Description

本発明は、レーザ加工装置、レーザ照明装置等に用いられるレーザ装置に関する。
複数のレーザダイオード(LD)から得られるビームをバンドルし、高出力を得るレーザ装置が知られている。特許文献1に記載されたレーザ装置は、プロジェクタ向けであり、ビームをレンズから出力し空間に投影している。レーザダイオードやレンズ等の光学部品を機械精度によって配置していた。
微小スポットにビームを集中させる場合は、より高輝度なビームが必要となる。複数のレーザダイオードから出射されたビームをファイバに入力し、ビームを整形し、出力を得る方法が知られている。例えばコア径Φ400μmのファイバにビームを入力して高出力を得る場合、光学系の調整には高い精度が要求されなかった。
より微小なスポットに照射可能な高輝度レーザビームを得る場合には、光量一定の条件においては、光源面積を小さくしなければならない。つまり、ファイバから出射されるレーザにおいては、コア径の小さなファイバを利用すれば、高輝度レーザビームが得られる。このとき、コア径の小さなファイバにビームを入力するためには、レーザダイオードやレンズ等の光学部品の調整技術が必要となる。
ここで、コア径の小さな、例えばΦ50、100μmのファイバに複数のビームを入力し、高輝度でかつ高出力ビームを得る場合を考える。このとき、ある程度の精度で位置決めを行った場合には、ファイバのコアにビームを入力することは難しい。コアに入力されずクラッドに入力されたビームは、クラッド中を伝搬し出射されることにより、ビームの品質が悪化し、伝送損失が増大する。また、クラッドにも入力されなかったビームは、ファイバを伝搬しない。これらの影響により、ビームの品質、結合効率が悪化し、ロスが大きくなる。
また、高出力ビームを得る場合に、複数のビームを一つのファイバに入力するためには、レーザダイオードから出射されたビームをコリメートし、コアに集光する方法が用いられる。この方法としては、レーザダイオード及びコリメートレンズを1つのユニットとして組み立て、そのユニットの位置、向きを微調整し、ビームをコアに導光する。このとき、コアへのガイド用光学素子の位置を機械加工精度で決めて固定した後、ユニットの位置を調整し、ビームをコアに入力することができる。
また、高出力レーザビームを得る場合には、レーザダイオードの放熱が重要である。レーザダイオードの温度が上昇すると、光出力が低下し、寿命も低下する。このため、レーザダイオードの放熱を促進するためにレーザダイオードの背面に熱伝導率の大きな放熱板を取り付けている。
特開2013−196946号公報 特開2007−17925号公報
しかしながら、ユニット毎の位置、向きを調整する場合、各材料の寸法公差、幾何公差、ファイバやレンズの位置、角度のズレ、溶接時の収縮によるズレ等が積み重なったため、各ユニットの背面(光出射面の反対側)は、ホルダ(ユニットや集光レンズ、ファイバの保持部材)と放熱板の面に対して、完全に平行とはならず、若干傾く傾向にあった。
このため、各ユニット背面の傾きによって、ユニット背面と放熱板間に隙間が発生する。従って、各ユニットと放熱板との接触面積が小さくなり、熱抵抗が増加する。
なお、放熱板とヒートシンクの冷却能力が十分に条件において、熱抵抗を減らすために絶縁伝熱材料を挿入する等の対処策が取られても、一般的な絶縁伝熱材料は金属よりも熱抵抗が大きいため、レーザダイオードを十分に放熱することができない。このため、レーザダイオード電流を上昇させると、熱抵抗が小さい時と比較して温度が上昇し、所定の光出力を得るために必要なレーザダイオード電流が増加してしまう。熱抵抗が小さい時よりもレーザダイオード電流の増加による効率の低下が大きく、想定の出力が得られない。
さらに、高出力ビームを得るために、レーザダイオードの個数を増加し、さらに多くのレーザダイオードビームをバンドルする時においては、レーザダイオードの数だけズレ発生率、ズレの度合いが大きくなり、熱抵抗が大きくなってしまう。
本発明は、各ユニットと放熱板との接触面積を増大させることにより、レーザダイオード電流を上昇させた時のレーザダイオードの温度上昇及び効率低下を防止することができるレーザ装置を提供する。
上記の課題を解決するために、本発明に係るレーザ装置は、複数のレーザダイオードと、前記複数のレーザダイオードと対応して設けられた複数の光学素子と、前記複数のレーザダイオードに対応して設けられ、各レーザダイオード毎に、レーザダイオードと光学素子とを固定して作製される複数のユニットと、前記複数のレーザダイオードから出射されるビームをファイバに集光させる集光部と、前記複数のユニットと前記集光部とを収納する収納部と、前記複数のユニットの放熱を行うための放熱部とを備え、前記放熱部と各ユニットとの間に、熱抵抗値が所定値以下の熱抵抗低下素子を設けるか、又は熱抵抗低下処理を施した。
本発明によれば、放熱部と各ユニットとの間に、熱抵抗値が所定値以下の熱抵抗低下素子を設け又は熱抵抗低下処理を施したので、各ユニットと放熱板との接触面積を増大させることができる。これによって、レーザダイオード電流を上昇させた時のレーザダイオードの温度上昇及び効率低下を防止することができるレーザ装置を提供することができる。
図1は本発明の実施形態に係るレーザ装置においてコリメートレンズホルダとLDホルダからなるユニットの構成を示す図である。 図2は本発明の実施形態に係る複数のレーザダイオードを使用したレーザ装置の光学系を示す図である。 図3は本発明の実施形態に係るレーザ装置の全体構成図である。 図4は本発明の実施形態に係るレーザ装置の実施例1の構成図である。 図5は本発明に係るレーザ装置の実施例2の構成図である。 図6は本発明に係るレーザ装置の実施例3の構成図である。 図7は本発明に係るレーザ装置の実施例4の構成図である。 図8は本発明に係るレーザ装置の実施例5の構成図である。
以下、本発明の実施形態に係るレーザ装置を図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の実施形態に係るレーザ装置においてコリメートレンズホルダ11−1とLDホルダ10−1からなるユニット12の構成を示す図である。図2は本発明の実施形態に係る複数のレーザダイオード10を使用したレーザ装置の光学系を示す図である。図3は本発明の実施形態に係るレーザ装置の全体構成図である。
レーザ装置は、複数のレーザダイオード10と、複数のレーザダイオード10と対応して設けられた複数のコリメートレンズ11(本発明の光学素子に対応)と、複数のレーザダイオード10に対応して設けられ、各レーザダイオード10毎に、レーザダイオード10とコリメートレンズ11とを固定して作製される複数のユニット12と、レーザダイオード10から出射されるビームをファイバ16に集光させる集光レンズ15(本発明の集光部に対応)と、複数のユニット12と集光レンズ15とを収納するホルダ20(本発明の収納部に対応)と、複数のユニット12の放熱を行うための放熱板21(本発明の放熱部に対応)を備えている。
レーザダイオード10は、図1に示すように、LDホルダ10−1に固定され、コリメートレンズ11は、コリメートレンズホルダ11−1に固定される。LDホルダ10−1とコリメートレンズホルダ11−1とからコリメートビームが予め決めた許容範囲に出射されるように確認しながら、LDホルダ10−1とコリメートレンズホルダ11−1とを溶接して固定することにより、ユニット12を作製することができる。以上の処理を繰り返すことにより、複数のユニット12を作製する。
図2では、ユニット12が2つの例である。ユニット12の数は、2つに限定されることなく、3つ以上でも良い。図2に示すように、ユニット12a,12bは、互いに所定距離離間して配置され、ホルダ20に収納固定されている。ホルダ20は、さらに、2つのミラー14、集光レンズ15を収納している。また、ホルダ20の外部には、集光レンズ15に対向してコア17とクラッド18とからなるファイバ16が配置されている。
図2に示すように、ユニット12aから出射されたビーム13aは、ミラー14により進行方向を制御され、ファイバ16のコア17に結合するように集光レンズ15に進行する。ユニット12aからのビームとユニット12bからのビームとが集光レンズ15により集光されて、コア17に結合するようにユニット12aとユニット12bとの位置を調整し、各ユニット12a,12b及びホルダ20間をレーザ溶接して固定する。
図3において、放熱板21の一方の面には、ユニット12が接触して配置され、放熱板21の他方の面には、襞状に形成されたヒートシンク22が接触して配置されている。
まず、ユニット12とホルダ20との位置関係が理想的である場合について説明する。図3に示すように、ユニット12と放熱板21との接触面積が大きい場合には、熱抵抗が小さくなる。放熱板21には、レーザダイオード10のケーブルが配線されており、ユニット12と放熱板21との接触面積が減少しないように配置される。ユニット12a,12bで発生した熱は、放熱板21を介してヒートシンク22に伝達され、ヒートシンク22により放熱される。
従って、レーザ装置の系全体の温度上昇が抑制される。ユニット12a,12bと放熱板21との間でわずかに隙間が発生する場合もある。しかし、インジウム等の熱伝導シート、シリコングリス等を挿入することで、熱抵抗を低下させることができる。
次に、ユニット12とホルダ20との位置関係にずれが生じた場合には、ユニット12aとホルダ20間の最短距離と、ユニット12bとホルダ20間の最短距離とは、等しくなくなるため、空隙が発生する。このとき、ユニット12と放熱板21との接触面積が小さくなり、熱抵抗が大きくなる。
そこで、ユニット12と放熱板21との間に、熱抵抗値が所定値以下の熱抵抗低下素子を設け又は熱抵抗低下処理を施すことにより、接触面積を大きくして熱抵抗を小さくする幾つかの実施例を以下に例示して説明する。
(実施例1)
図4は本発明に係る実施形態に係るレーザ装置の実施例1の構成図である。図4(a)は、熱抵抗低下素子を設ける前の構成図、図4(b)は、熱抵抗低下素子からなる球冠を設けた後の構成図である。
図4(a)において、放熱板21には、凹部21aと孔部22a,22bが形成され、放熱板21は、ホルダ20に接触して固定されている。ホルダ20には、レーザダイオードホルダ10−1,10−2とコリメートレンズホルダ11−1,11−2とを溶接固定したユニット12a,12bが取り付けられている。各レーザダイオード10のピン10a,10bは、孔部22a,22bに挿通されている。ユニット12a,12bは、放熱板21に対して傾いており、ユニット12a,12bと放熱板21との間に隙間が形成されている。また、ユニット12a,12bの先端部には、曲率半径r1の球面部12Ra,12Rbが形成されている。
次に、図4(b)において、ユニット12a,12bの光出射方向の反対側には、熱抵抗値が所定値以下の素子(熱抵抗の小さな素材)からなる球冠13a,13bが形成されている。この球冠13a,13bは、曲率半径r2の球体からなる。また、球面部12Ra,12Rbの曲率中心位置Oと球冠13a,13bの曲率中心位置とは一致している。放熱板21にも、曲率中心位置が曲率中心位置Oと一致する球状の窪み部23a,23bが形成されている。
ユニット12a,12bの先端から球冠13a,13bの頂部までの長さは、r1+r2に等しくなるように、放熱板21のスペース高さを決めておく。
以上の構成によれば、球面部12Ra,12Rbと球冠13a,13bと窪み部23a,23bとの曲率半径の和がr1+r2で、ユニット12a,12bの先端から球冠13a,13bまでの長さがr1+r2となることから、球の中心が一致する。このため、ユニット12a,12bが放熱板21に対して傾いても、ユニット12a,12bの傾きに依存せずに、ユニット12a,12bと球冠13a,13bと放熱板21とが常に最大の接触面積で接触する。従って、伝熱部材を挿入した場合に比べて、熱抵抗が低下する。これによって、レーザダイオード電流を上昇させた時のレーザダイオードの温度上昇及び効率低下を防止することができる。
また、ユニット12a,12bの先端部をある曲率の凸部とし、ホルダ20の受け側もある曲率の凹部とすることで、ユニット12a,12bの位置合わせが簡単になる。
(実施例2)
図5は本発明に係るレーザ装置の実施例2の構成図である。図5(a)は、熱抵抗低下処理を施す前の構成図、図5(b)は、熱抵抗低下処理を施した後の構成図である。
図5(a)に示すように、ユニット12a,12bは、放熱板21に対して傾き、ユニット12a,12bと放熱板21との間に隙間が形成されている。
図5(b)に示すように、ユニット12a,12bをホルダ20に溶接固定した後に、これらの背面(光出射方向の逆)の高さ情報を、三次元高さ測定装置等を利用して、三次元位置情報(x,y,z)を得る。
次に、高さzの位置情報に基づき、放熱板21を切削加工して切削部24a,24bを形成する。この切削部24a,24bにユニット12a,12bの下端が接触する。このため、各ユニット12a,12bと放熱板21との接触面積を増大させることができる。各ユニット12a,12bの下面(背面)は、平らになるように作製されているため、切削工具の挿入角度を各ユニット12a,12bの背面の垂線方向になるように加工すると、効率が良くなる。
また、切削加工時には、NC(Numerical control)加工を用いると、作業性が向上する。なお、NC加工では、三次元位置情報を必要とするので、本実施例との親和性が高い。
また、実施例2では、放熱板21をNC加工したが、これに代えて、各ユニット12a,12bをNC加工しても良い。
(実施例3)
図6は本発明に係るレーザ装置の実施例3の構成図である。実施例3のレーザ装置では、ユニット12a,12bをホルダ20に溶接固定した後に、これらの背面(光出射方向の逆)の高さ情報を、三次元高さ測定装置等を利用して、三次元位置情報(x,y,z)を得る。
次に、高さzの位置情報に基づき、三次元プリンタにより放熱板21上に金属14a,14bを積層造形する。このため、各ユニット12a,12bと放熱板21との接触面積を増大させることができる。積層造形に使用される金属は、放熱板21と同等の熱抵抗を有し、強固に接続される金属材料を用いる。放熱板21は、熱伝導率の高い金属素材、例えば、銅、アルミニウム等である。
また、実施例3では、放熱板21を積層造形加工したが、これに代えて、各12a,12bを積層造形加工しても良い。
(実施例4)
図7は本発明に係るレーザ装置の実施例4の構成図である。図7(a)は、熱抵抗低下処理を施す前の構成図、図7(b)は、熱抵抗低下処理を施した後の構成図である。
ユニット12a,12bをホルダ20に溶接固定した後に、これらの背面(光出射方向の逆)の高さ情報を、三次元高さ測定装置等を利用して、三次元位置情報(x,y,z)を得る。
次に、高さzの位置情報に基づき、レーザ加工装置を用いて、放熱板21に対してアブレーション加工を行う。アブレーション加工とは、パルスレーザを放熱板21に照射して、固体構成物質を放出させることで、レーザ加工することをいう。
アブレーション加工により、放熱板21にはアブレーション加工部25a,25bが形成される。このアブレーション加工部25a,25bにユニット12a,12bの背面が接触するので、各ユニット12a,12bと放熱板21との接触面積を増大させることができる。
また、実施例4では、放熱板21をアブレーション加工したが、これに代えて、各ユニット12a,12bをアブレーション加工しても同様な効果が得られる。
(実施例5)
図8は本発明に係るレーザ装置の実施例5の構成図である。図8に示すように、ユニット12a,12bをホルダ20に溶接固定する。放熱板21の接触する表面には、予め微細な溝部を設けておく。溝部は、V字状の溝等の毛細管現象を利用し半田の流れを良くするための構造であり、半田15a,15bの放熱板21への濡れ性、接着性を高めることができる。
放熱板21の表面全体又は各ユニット12a,12bと接触する範囲にある表面に半田15a,15bを塗布する。溝部を形成することにより、半田15a,15bが放熱板21と各ユニット12a,12bとの間に流れやすくさせることができる。
半田15a,15bにより放熱板21と各ユニット12a,12bとを接触させて加熱して、放熱板21と各ユニット12a,12bとを半田接合する。これにより、各ユニット12a,12bと放熱板21との接触面積を増大させることができる。
このとき、各ユニット12a,12b内のレーザダイオード10の温度が絶対最大定格温度(例えば80℃)を超えないようにレーザダイオード10を選択冷却することが望ましい。また、半田15a,15bとしては、低融点半田等を用いると、プロセスが簡単になる。
本発明は、レーザ加工装置、レーザ照明装置等の高出力レーザ装置に適用可能である。

Claims (7)

  1. 複数のレーザダイオードと、
    前記複数のレーザダイオードと対応して設けられた複数の光学素子と、
    前記複数のレーザダイオードに対応して設けられ、各レーザダイオード毎に、レーザダイオードと光学素子とを固定して作製される複数のユニットと、
    前記複数のレーザダイオードから出射されるビームをファイバに集光させる集光部と、
    前記複数のユニットと前記集光部とを収納する収納部と、
    前記複数のユニットの放熱を行うための放熱部とを備え、
    前記放熱部と各ユニットとの間に、熱抵抗値が所定値以下の熱抵抗低下素子を設けるか、又は熱抵抗低下処理を施したレーザ装置。
  2. 前記熱抵抗低下素子は、各ユニットの光出射方向の反対側に形成され曲率中心位置が各ユニットの曲率中心位置と一致する球冠からなり、前記放熱部には、曲率中心位置が各ユニットの曲率中心位置と一致する球状の窪み部が形成されている請求項1記載のレーザ装置。
  3. 前記熱抵抗低下処理は、前記放熱部又は各ユニットに対して切削加工処理を施す請求項1記載のレーザ装置。
  4. 前記熱抵抗低下処理は、前記放熱部又は各ユニット上に積層造形技術を用いて付加加工処理を施す請求項1記載のレーザ装置。
  5. 前記熱抵抗低下処理は、前記放熱部又は各ユニットに対してアブレーション加工処理を施す請求項1記載のレーザ装置。
  6. 前記熱抵抗低下素子は、前記放熱部と各ユニットとの間を半田接合する半田からなる請求項1記載のレーザ装置。
  7. 各ユニットを自然冷却又は強制冷却する冷却部を備える請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載のレーザ装置。
JP2016573156A 2015-02-06 2015-02-06 レーザ装置 Expired - Fee Related JP6536842B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/053381 WO2016125301A1 (ja) 2015-02-06 2015-02-06 レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016125301A1 true JPWO2016125301A1 (ja) 2017-10-12
JP6536842B2 JP6536842B2 (ja) 2019-07-03

Family

ID=56563665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016573156A Expired - Fee Related JP6536842B2 (ja) 2015-02-06 2015-02-06 レーザ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10727644B2 (ja)
JP (1) JP6536842B2 (ja)
CN (1) CN107112716A (ja)
WO (1) WO2016125301A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11121526B2 (en) * 2018-05-24 2021-09-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Exchangeable laser resonator modules with angular adjustment
JP7416246B2 (ja) * 2020-07-01 2024-01-17 株式会社ニコン 加工システム及び光学装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005114977A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Ricoh Opt Ind Co Ltd 光パワー合成用光学系および光源モジュール
JP2005311203A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Sony Corp 発光素子の固定ホルダ、光ピックアップおよび情報処理装置
JP2006301597A (ja) * 2005-03-22 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー装置およびその組立方法
JP2011018800A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2013522893A (ja) * 2010-03-16 2013-06-13 エップシュタインフォイルス・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディトゲゼルシャフト Ledで使用するためのフィルムシステム
JP2013138086A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置
JP2014017096A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Sharp Corp 発光装置、車両用前照灯および照明装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4429913C1 (de) * 1994-08-23 1996-03-21 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zum Plattieren
US5790576A (en) * 1996-06-26 1998-08-04 Sdl, Inc. High brightness laser diode source
US6780010B2 (en) * 1999-09-24 2004-08-24 Cao Group, Inc. Curing light
US6975659B2 (en) * 2001-09-10 2005-12-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode array, laser device, wave-coupling laser source, and exposure device
JP2004096088A (ja) * 2002-07-10 2004-03-25 Fuji Photo Film Co Ltd 合波レーザー光源および露光装置
CN1564404A (zh) 2004-04-13 2005-01-12 西南科技大学 硅单片微通道冷却的大功率激光二极管列阵
JP2007017925A (ja) 2005-06-07 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 合波レーザ光源
JP2013196946A (ja) 2012-03-21 2013-09-30 Casio Computer Co Ltd 光源装置、プロジェクタ、及び、光源装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005114977A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Ricoh Opt Ind Co Ltd 光パワー合成用光学系および光源モジュール
JP2005311203A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Sony Corp 発光素子の固定ホルダ、光ピックアップおよび情報処理装置
JP2006301597A (ja) * 2005-03-22 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー装置およびその組立方法
JP2011018800A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2013522893A (ja) * 2010-03-16 2013-06-13 エップシュタインフォイルス・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディトゲゼルシャフト Ledで使用するためのフィルムシステム
JP2013138086A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Nichia Chem Ind Ltd 光源装置
JP2014017096A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Sharp Corp 発光装置、車両用前照灯および照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107112716A (zh) 2017-08-29
US10727644B2 (en) 2020-07-28
JP6536842B2 (ja) 2019-07-03
US20180013263A1 (en) 2018-01-11
WO2016125301A1 (ja) 2016-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100615898B1 (ko) 합파 레이저광원 및 노광장치
JP6459296B2 (ja) 発光モジュール及び多チャネル発光モジュール
EP3071362A1 (en) Laser cutting head for machine tool
US20090071947A1 (en) Laser beam machine
JP2013231937A (ja) 光学装置およびその製造方法
JP6655287B2 (ja) 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール
JP4742330B2 (ja) レーザ・アセンブリ
JP2015153840A (ja) レーザ光源モジュールおよびレーザ光源装置
JPWO2011122540A1 (ja) レーザ装置
JP6037974B2 (ja) 光送信機の製造方法
JP6536842B2 (ja) レーザ装置
CN102822710B (zh) 激光装置及其制造方法
JP2002267891A (ja) 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールの調心方法
JPWO2015145608A1 (ja) レーザ装置
JPH06196816A (ja) レンズ付きレーザダイオードおよびその製造方法
JP2006267237A (ja) レーザー装置およびその組立方法並びにその取付構造
JP7488445B2 (ja) 光源ユニット
US20160204572A1 (en) Energy integrating device for split semiconductor laser diodes
JP2007189030A (ja) 半導体レーザ装置
JP2007013002A (ja) 半導体レーザー装置
JP3207939U (ja) 光線整形光学系、およびそれを用いたレーザはんだ溶着装置
JP5111644B2 (ja) 光ファイバ固定方法、及びレーザモジュールの製造方法
JP2014007232A (ja) 半導体レーザ装置
KR100396360B1 (ko) 고출력 반도체 레이저 모듈
JP6130427B2 (ja) レーザモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190521

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6536842

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees