JP2005113191A - 高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット、同バナジウム薄膜、同バナジウムの製造方法及び同バナジウムスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット、同バナジウム薄膜、同バナジウムの製造方法及び同バナジウムスパッタリングターゲットの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 半導体装置における微小回路に悪影響を与えるアルファ粒子を放射するU、Th等の同位体元素を厳格に低減させた高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜並びにU、Th等の同位体元素を厳しく低減できる高純度バナジウムの製造方法及び同バナジウムスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 α放射を生ずるUの同位体元素とThの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ1wtppb未満であることを特徴とする高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット及び同バナジウム薄膜。
【選択図】 図1
Description
これまでのように、回路素子の寸法が大きい場合には、特に問題となることはなかったのであるが、上記のように、微小回路ではこのアルファ粒子による僅かな量でも電子電荷に悪影響を与えるようになってきた。
しかし、この場合は、99.98%の純度でアルファ放射が10−2カウント/cm2・時間以下の原料ニッケルと99.5%の純度でアルファ放射が10−2カウント/cm2・時間以下の原料バナジウムとを混合して真空溶融装置で溶解し、これを圧延・焼鈍してスパッタリングターゲットとすることが開示されている程度に過ぎない。
したがって、従来は微小回路においてはアルファ放射が影響を与えるということは分かっているが、個々の放射性同位体元素をより低減させる具体的手法及び個々の放射性同位体元素を、より厳格に低減させた材料がないという問題がある。
α放射を生ずるUの同位体元素の中で特に問題となるのは、U、Thの同位体元素であり、1wtppb以上ではアルファ粒子の放射が、特に半導体装置における微小回路に影響を与えるので、1wtppb未満に制限するのが望ましい。
また、α放射を生ずるPbの同位体元素の不純物含有量を1ppm未満、Biの同位体元素の不純物含有量を0.1ppm未満とするのが望ましい。 これらの不純物の低減化も、U、Thと同様の理由による。
次に、これを酸洗浄し乾燥させた後、電子ビーム溶解して製造する。酸は、硝酸、塩酸等の鉱酸を使用することができる。
これによって、99.99wt%以上の純度を持つ高純度バナジウムを得ることができ、さらに該高純度バナジウム中の、α放射を生ずるUの同位体元素とThの同位体元素の不純物含有量を、それぞれ1wtppb未満に、また、α放射を生ずるPbの同位体元素の不純物含有量を1ppm未満、Biの同位体元素の不純物含有量を0.1ppm未満とすることが可能となる。
また、この高純度バナジウムスパッタリングターゲットを使用してスパッタリングすることにより、電子回路におけるα放射を著しく低減させた高純度バナジウム薄膜を形成することができる。
上記本発明の、高純度バナジウムの製造フローを図1に示す。
(実施例1)
なお、U、Th、Pb、Bi等の、問題となる放射性同位体元素を列挙すると、表2に示す通りである。
次に、これを10%硝酸により酸洗浄し乾燥させた後、電子ビーム溶解して、純度4Nレベルのバナジウム16Kgを製造した。
溶融塩電解後及び電子ビーム溶解後の高純度バナジウムの分析値を、同様に表1に示す。
この表1に示すように、電子ビーム溶解後のU、Thは、それぞれ0.1wtppb未満に、Pbは0.8wtppmに、Biは0.1wtppmとなった。
また、このターゲットを用い、DCマグネトロン型スパッタ装置で、Arガス、500V、350mAの下でスパッタリングし、薄膜を形成した。この時の0.2μm以上のパーティクル数は10個であり、薄膜上のパーティクル数が大幅に減少した。
さらに、薄膜形成後、半導体装置における微小回路に悪影響を与えるアルファ粒子放射の影響を調べた。その結果、アルファ粒子放射の影響が著しく減少した。
このように、本発明による高純度バナジウムは、半導体装置を製造する場合において極めて有効であることが分かる。
実施例1と同量の純度99.5%の粗バナジウム原料をKCl−LiCl−VCl2浴中、620°Cで溶融塩電解して、カソード側に電析バナジウムを得た。この結果、純度99.99%のバナジウムメタルを得た。電流効率は83%であった。
これを、実施例1と同様に電子ビーム溶解後、100°Cで鍛造・圧延してφ320サイズのターゲットとした。
また、このターゲットを用い、DCマグネトロン型スパッタ装置で、実施例1と同様の条件でスパッタリングし、薄膜を形成した。この時の0.2μm以上のパーティクル数は5個であり、薄膜上のパーティクル数が大幅に減少した。
また、アルファ粒子放射の影響も、実施例1と同様に減少した。
実施例1と同量の純度90%の粗バナジウム原料をNaCl−VCl2浴中、820°Cで溶融塩電解して、カソード側に電析バナジウムを得た。この結果、純度99.9%のバナジウムメタルを得た。電流効率は90%であった。
これを、実施例1と同様に電子ビーム溶解後、100°Cで鍛造・圧延してφ320サイズのターゲットとした。
また、このターゲットを用い、DCマグネトロン型スパッタ装置で、実施例1と同様の条件でスパッタリングし、薄膜を形成した。この時の0.2μm以上のパーティクル数は15個であり、薄膜上のパーティクル数が減少した。また、アルファ粒子放射の影響も、実施例1と同様に減少した。
実施例1と同様の純度99%の粗バナジウム原料を、実施例1と同様に電子ビーム溶解後、100°Cで鍛造・圧延してφ320サイズのターゲットとした。
また、このターゲットを用い、DCマグネトロン型スパッタ装置で、実施例1と同様の条件でスパッタリングし、薄膜を形成した。この時の0.2μm以上のパーティクル数は150個であり、薄膜上のパーティクル数は多かった。
さらに、アルファ粒子放射の影響を回路素子に与えるU、Thはそれぞれ100ppb、15ppbであり、粗バナジウムと変らず多量に含有されていた。また、Pb、Biも、それぞれ1.5ppm含有されていた。
純度90%の粗バナジウム原料をAr雰囲気の減圧下で、W−Th電極を用いてプラズマアーク溶解により精製した。その結果、92%のバナジウムを得た。これを、実施例1と同様に100°Cで鍛造・圧延してφ320サイズのターゲットとした。
また、このターゲットを用い、DCマグネトロン型スパッタ装置で、実施例1と同様の条件でスパッタリングし、薄膜を形成した。この時の0.2μm以上のパーティクル数は約2000個であり、薄膜上のパーティクル数は著しく多かった。
さらに、アルファ粒子放射の影響を回路素子に与えるUは1100ppb、Thは20000ppbと多量に含有され、またPb、Biも、それぞれ150ppm、50ppm含有されていた。このような材料は、半導体装置における微小回路に悪影響を与え、不適切であることが分かる。
Claims (8)
- α放射を生ずるUの同位体元素とThの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ1wtppb未満であることを特徴とする高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット及び同バナジウム薄膜。
- α放射を生ずるPbの同位体元素の不純物含有量が1ppm未満、Biの同位体元素の不純物含有量が0.1ppm未満であることを特徴とする高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット及び同バナジウム薄膜。
- α放射を生ずるPbの同位体元素の不純物含有量が1ppm未満、Biの同位体元素の不純物含有量が0.1ppm未満であることを特徴とする請求項1記載の高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット及び同バナジウム薄膜。
- バナジウムの純度が99.99wt%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット及び同バナジウム薄膜。
- 粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解することを特徴とする高純度バナジウムの製造方法。
- 粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高純度バナジウムの製造方法。
- 99.99wt%以上の純度を持つ請求項5又は6記載の高純度バナジウムの製造方法。
- 請求項5〜7のいずれかに記載の電子ビーム溶解によって得られた高純度バナジウムインゴットを鍛造・圧延してスパッタリング用ターゲットとすることを特徴とする高純度バナジウムスパッタリングターゲットの製造方法。
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