JP2005110224A - スイッチの制御を簡略化するための方法と装置 - Google Patents

スイッチの制御を簡略化するための方法と装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005110224A
JP2005110224A JP2004249923A JP2004249923A JP2005110224A JP 2005110224 A JP2005110224 A JP 2005110224A JP 2004249923 A JP2004249923 A JP 2004249923A JP 2004249923 A JP2004249923 A JP 2004249923A JP 2005110224 A JP2005110224 A JP 2005110224A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potential side
circuit
side switch
voltage
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004249923A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4723833B2 (ja
JP2005110224A5 (ja
Inventor
Balu Balakrishnan
バル・バラクリッシュナン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Power Integrations Inc
Original Assignee
Power Integrations Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Power Integrations Inc filed Critical Power Integrations Inc
Publication of JP2005110224A publication Critical patent/JP2005110224A/ja
Publication of JP2005110224A5 publication Critical patent/JP2005110224A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4723833B2 publication Critical patent/JP4723833B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33569Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
    • H02M3/33576Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer
    • H02M3/33592Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer having a synchronous rectifier circuit or a synchronous freewheeling circuit at the secondary side of an isolation transformer
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33569Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
    • H02M3/33571Half-bridge at primary side of an isolation transformer
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

【課題】スイッチの制御を簡略化するための技法を提供すること。
【解決手段】実施の一形態では、スイッチの両端の電圧の関数としてスイッチを制御する方法を提供する。実施の一形態では、スイッチの両端の電圧の傾斜の関数としてスイッチを制御する方法を提供する。実施の一形態では、スイッチがオフになっている間のスイッチの両端の電圧に応答して実質的に固定されたオン時間中スイッチをオンに切り替えている。実施の一形態では、スイッチがオフになっている間のスイッチの両端の電圧の傾斜に応答して実質的に固定されたオン時間中スイッチをオンに切り替えている。
【選択図】図1

Description

本発明は、全般的にはスイッチに関し、また本発明は、より具体的には、制御回路と結合されている半導体スイッチに関する。
制御回路と結合されたスイッチを使用する電子回路は、典型的には、設計の開始時点で決められたコスト目標を満足させるように設計しなければならない。スイッチの切り替えを制御するために使用する制御回路は電子回路コストのうちのかなりの部分に相当することがあり、またしたがって、この回路のコストを低減させるいかなる方法も利点がある。
制御回路に結合されたスイッチを用いた回路構成の1つは、ハーフブリッジ変換器と呼ばれる電力変換回路である。この回路は、典型的には、ハーフブリッジの形に構成させた2個のスイッチを有しており、その一方のスイッチを高電位側スイッチと呼んでおり、またもう一方を低電位側スイッチと呼んでいることは当業者には周知であろう。
このタイプの回路内の負荷への電力の伝達に対する制御は、典型的には、切り替えサイクル内で各スイッチをオンにする時間区間を制御している制御回路によって達成されている。このオン時間は、典型的には、負荷と結合された検知回路から受け取ったフィードバック信号に応答して制御されている。そのスイッチに関する1つのオン時間の開始と、その次のオン時間の開始との間の時間の逆数である切り替え周波数は、その制御回路の一部を形成する発振器によるか、低電位側スイッチと高電位側スイッチとに結合された負荷回路の共振周波数によるかのいずれかによって決定している。
当業者には周知のように、発振器が制御回路の一部を成しているような回路では、オン切り替え信号および/またはオフ切り替え信号は、典型的には、レベルシフト回路によってハーフブリッジ内の高電位側スイッチと結合されており、これによってハーフブリッジ回路全体に対してかなりのコストの増大となっていた。低電位側スイッチと高電位側スイッチと結合された負荷回路の共振周波数によって切り替え周波数を決定しているような回路では、低電位側スイッチと高電位側スイッチをオンにする時点を決定するために負荷の位置で電流または電圧を検知するのが典型的であるレベルシフト回路によるか、誘導結合式のドライブ信号を用いることによって、そのオン切り替えおよび/またはオフ切り替え信号を再度高電位側スイッチと結合させている。
この誘導結合式ドライブ信号は別々の巻き線に結合させることができる、したがって低電位側および高電位側のスイッチ制御回路を個々に参照できるため、別のレベルシフト回路に対する必要性が排除される。しかし、低電位側スイッチと高電位側スイッチの両方に対して負荷と制御回路に結合されているような誘導結合式素子が必要であり、これによりやはり、ハーフブリッジ回路全体に対するコストが増大する。
別の構成では、誘導結合式ドライブ信号を使用して、高電位側と低電位側スイッチのいずれかのオン時間の開始を決定するか、あるいは、低電位側スイッチと高電位側スイッチの両方に結合させた個々の発振器を用いて、低電位側と高電位側スイッチをオフにさせる時点を決定している。これらの構成でもやはり、高電位側と低電位側スイッチの両方に関して誘導結合式のドライブ回路および発振器またはタイミング回路が必要となり、これによりコストが増大する。この同じ制約が高電位側スイッチを必要とするようなフルブリッジ回路や別の構成にも当てはまる。
スイッチの制御を簡略化するための方法および装置を開示する。実施の一態様では、本発明の教示に従った回路は入力と負荷の間に結合させた第1のスイッチを含んでいる。この回路はさらに、この第1のスイッチに結合させた制御回路を含んでいる。この制御回路は、第1のスイッチをこの第1のスイッチの両端の電圧の関数として制御するようになっている。別の実施態様では、本発明の教示に従ったハーフブリッジ回路は、低電位側スイッチと、この低電位側スイッチに結合された高電位側スイッチと、低電位側スイッチと結合された低電位側コンデンサと、低電位側コンデンサと高電位側スイッチに結合された高電位側コンデンサと、低電位側スイッチと高電位側スイッチの間の接続点および低電位側コンデンサと高電位側コンデンサの間の接続点との間に接続した負荷とを含んでいる。高電位側スイッチは、低電位側スイッチのオフ切り替えに応答して、高電位側スイッチの両端の電圧があるしきい値を割り込んで該しきい値未満となった時点で高電位側オン時間中オンされているようになっている。一方、低電位側スイッチは、高電位側スイッチのオフ状態に応答して低電位側スイッチの両端の電圧がこのしきい値を割り込んで該しきい値未満となった後のある遅延時間後の低電位側オン時間中オンとなっているようにされている。さらに別の実施態様では、本発明の教示に従った回路は、第1のオン時間中に負荷の両端に第1の極性をもつ電圧を印加し、かつ第2のオン時間中にこれと反対の極性をもつ電圧を印加するように負荷と結合させた切り替え回路を含む。この回路はさらに、第1のオン期間中の第1の検知期間の間と第2のオン期間中の第2の検知期間の間とにおいて負荷の両端の電圧を検知するために負荷と結合させた検知用回路を含んでいる。この切り替え回路は、第1のオン期間中の負荷の両端の電圧の大きさを第2のオン期間中の負荷の両端の電圧と実質的に等しく維持させるように制御を受けている。本発明に関する追加的な特徴と利点は、以下に示す詳細な説明、図面および特許請求の範囲から明らかとなろう。
本発明を、限定ではなく単に一例として、添付の図面に詳細に図示している。
スイッチを制御するための簡略式制御回路を実現させるための新規の技法を開示している。以下の説明では、本発明に対する十分な理解が得られるように多くの具体的な詳細を列挙している。しかし、本発明を実施するためには必ずしもこの具体的な詳細を利用する必要がないことは当業者には明らかであろう。別の場合で、本発明を不明瞭にさせるのを避けるためよく知られている材料や方法については詳細に記載していない。
全体として、本発明の実施形態によるスイッチの切り替えを制御するための簡単かつ新規の技法を提供する。実施の一形態では、そのスイッチは、スイッチがオフになっている間のスイッチの両端の電圧に応答してまたはスイッチがオフになっている間のスイッチの両端の電圧の傾斜に応答して、オン時間中オンにされている。実施の一形態では、そのスイッチのオン時間の期間は実質的に固定させている。スイッチが高電位側スイッチであるような実施の一形態では、そのスイッチは、スイッチがオフになっている間のスイッチの両端の電圧に応答して、またはスイッチがオフになっている間のスイッチの両端の電圧の傾斜に応答して、オンにされている。スイッチの切り替えをこの方式で制御する際には、この制御のために通常では必要となるような複雑な回路が不要であり、この機能を実行するために必要となる回路のコストが軽減される。
図1では、例証のために、ハーフブリッジ構成を用いた電力変換回路の回路図100を表している。図1の回路では双方とも金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)である高電位側スイッチ102と低電位側スイッチ103の両方に制御回路113が結合されている。スイッチ102は高電位側すなわち正の入力レール101と負荷109に結合されているため、スイッチ102は高電位側スイッチと呼ばれる。スイッチ102は、低電位側スイッチ103を介してまたは負荷109と低電位側ハーフブリッジ・コンデンサ126を介して低電位側の帰還すなわち接地レール125に結合されている。MOSFET103をオンやオフにさせるためには、MOSFET103のゲート117を、電流検知抵抗器104を通じて接地114に結合されたソース端子118を基準として駆動させる。しかし、MOSFET102のゲート116は、スイッチ102がオンでありかつスイッチ103がオフであるときに、接地114を基準として実質的にVin電圧119にあるハーフブリッジ出力端子115を基準として駆動させられる。したがって、ドライバ及びレベルシフト回路105は、スイッチ102、103のそれぞれのゲート116、117を駆動させるためのドライバ回路と、さらにMOSFET102のゲート116に加えられる、ハーフブリッジ出力端子115を基準としたドライブ信号を発生させるためのレベルシフト回路とを含んでいる。ある1つのオン時間の開始からスイッチ102または103のいずれかの次のオン時間の開始までの時間の逆数であるような動作周波数が発振器121によって固定されている。発振器121の周波数は抵抗器122によって設定されている。スイッチ102、103のオン時間は固定されておらず、パルス幅変調器(PWM)回路123を制御するように結合させたフィードバック電圧信号106と電流検知信号120に基づいて決定している。このオン時間を変更することによって、負荷109に伝達される電力を調節している。
負荷回路109の内部には、1次側巻き線すなわち入力巻き線107と、2次側巻き線すなわち出力巻き線110、111とを含んでいる変圧器108がある。電力変換回路100の出力端子Voutの位置にある回路112はその出力をフィルタ処理しており、この処理は、制御回路113のPWM制御スキームを用いる場合にスイッチ102、103のオン時間(したがって同様に、オフ時間)が抵抗器124によって代表される出力負荷に従って変化するために必要となる。フィルタ回路112が存在しないと、スイッチ102、103のオフ時間の変化によって出力リップル電圧が高くなる。正常な動作にとっては必要であるが本発明の開示にとっては重要でないような変換器回路100の動作に関する別の態様については検討しないものとする。
図2はハーフブリッジ構成を用いた電力変換回路の別の回路図200を表している。この例では、負荷205はインダクタンスLpと直列に結合されたランプである。この例では、高電位側と低電位側の制御回路201、202と、スイッチ203、204とは、別の高電位側と低電位側の集積回路206、207のそれぞれの内部に組み込んでいる。図示した構成では、スイッチ203、204のそれぞれのオン切り替えを制御するためにLpと磁気的に結合された巻き線L1、L2が発生させるドライブ信号を用いるため、レベルシフト回路が不要となる。
集積回路206、207は、外部のコンデンサC5、C6を用いてスイッチのオン時間の長さを決定している。一例として集積回路206を取り上げると、高電位側スイッチ203のオン時間中に、コンデンサC5は一定の電流によって充電される。C5の両端の電圧があるしきい値レベルに達すると、スイッチ203がオフになる。
当業者であれば熟知しているように、スイッチ203がオフに切り替わると、誘導器Lpの黒丸印のない側の端部210の電圧は、誘導器Lpの黒丸印の側の端部211の電圧と比べて減少し、またスイッチ204の両端の電圧は、ハーフブリッジ210の出力の位置の電圧が接地レール214を基準として低下するのに連れて低下する。巻き線L2は誘導器Lpと磁気的に結合されているため、L2の黒丸印の側の端部213の位置の電圧はL2の黒丸印のない側の端部212の位置の電圧を基準として正となる。L2の両端のこの電圧は、低電位側制御回路202によって検知され、低電位側スイッチ204がオンになる。一方、低電位側スイッチのオン時間は、C6の値によって決定されており、このC6は、C6の両端の電圧が低電位側スイッチ204がオフになる点であるしきい値レベルに達するまで一定の電流によって充電される。
この開示の恩恵を受ける当業者には周知のように、したがって誘導器Lpの両端の電圧によって極性が変化し、また高電位側集積回路206に結合された巻き線L1によって、L2と低電位側制御回路202に関して上述した方式によって高電位側制御回路201に対してオン切り替えドライブ信号が提供され、さらにこのシーケンスが反復される。図2に示す回路では、巻き線L1、L2はさらに、集積回路206、207のそれぞれに電流を提供している。正常な動作にとっては必要であるが本発明の開示にとっては重要でないような変換器回路200の動作に関するその他の態様については検討しないものとする。
可能な別の回路構成には、誘導結合されたドライブ信号巻線L1、L2の両端の電圧の極性が誘導器LpとコンデンサC2、C3からなるLC共振回路の共振周波数のために変化した時点でのみ高電位側と低電位側のスイッチをオフとさせる、その動作が完全に共振性であるような図2の回路に関する変形形態が含まれる。しかし、L1、L2などの誘導結合式巻き線を用いてドライブ信号を発生させることが必要であることには依然として変わりがなく、またしたがって、この構成については本発明の教示を不明瞭にさせないようにするため詳細には検討していない。
図3は、本発明の教示の恩恵を受けている回路の実施の一形態を表している。図示した回路は、ハーフブリッジ式電力変換回路300である。高電位側と低電位側の制御回路とスイッチとを高電位側と低電位側の集積回路304、305のそれぞれとして表している。スイッチ315、324は、図3の回路内でMOSFETとして表している、ただし本発明の教示の恩恵を依然として受けていながら別のタイプのスイッチを用いることも可能である。
高電位側と低電位側集積回路304、305に関してその内部回路は同一であるため、以下の説明では、高電位側集積回路305に焦点を当てる。以下の説明の目的のために、低電位側コンデンサ322の両端の電圧は、高電位側コンデンサ323の両端の電圧と等しいものと仮定しており、Vin327を入力端子328と301の両端の電圧であるとしてVin/2の値に実質的に固定されると仮定している。この条件の下で、かつ高電位側と低電位側スイッチ315、324がオンの状態のときに高電位側と低電位側スイッチ315、324の両端の電圧が実質的にゼロである仮定すると、変圧器1次側巻き線318の両端に加える最大電圧の大きさは、高電位側スイッチ315と低電位側スイッチ324のいずれかがオン状態にあるときにVin/2である。
図示した実施形態では、変圧器1次側巻き線318は出力巻き線325、326と磁気的に結合されている。スイッチ315は、入力301と負荷の間に結合されており、この負荷は、図3の回路では、変圧器319と、変圧器出力巻き線325、326と出力端子330、331の間に結合されるすべての回路と、出力端子330、331の間に結合されるあらゆる回路とになる。本明細書では検討しないが、別の実施形態では、その負荷はたとえば、図2の負荷205と同様のランプ回路、モータ、モータ巻き線、または他の誘導性負荷とすることが可能である。
スイッチ315は、第1のスイッチ端子308、第2のスイッチ端子307、制御端子337という3つの端子を有している。この説明では、スイッチ315は高電位側スイッチとしているため、端子308、307、337も高電位側スイッチ端子と呼ぶことが可能である。スイッチ315の制御端子337に結合された制御回路321は、スイッチドライブ回路313と、ワンショット回路309と、電圧検知回路311とを含んでいる。この回路の動作について以下に記載する。
この説明の目的のためには、スイッチ315がオフ、324がオン、電流が巻き線318を通ってノード332からノード314まで流れているとした初期条件で開始することが有用である。ワンショット回路333によってその継続時間が決定されるスイッチ324のオン時間の終了時点で、スイッチ324はオフになる。スイッチ324がオフになる前では、スイッチ315の両端の電圧は上の説明によるVinと実質的に等しい。
スイッチ324がオフになると、巻き線318の漏れインダクタンスと磁化インダクタンス内に蓄えられた漏れおよび磁化エネルギーの合成エネルギーによって、ノード314の位置の電圧が端子328を基準として上昇する(このことは、この開示の恩恵を受ける当業者には周知であろう)。ノード314の位置の電圧が端子328を基準として上昇するのに連れて、スイッチ315の両端の電圧は低下する。この電圧は電圧検知回路311によって検知している。電圧検知回路311によってスイッチの両端(端子307と308の間)の電圧315があるしきい値未満まで低下したことを検知すると、制御回路321によってスイッチ315はある時間オンにされる。実施の一形態では、そのオン時間は実質的に固定されている。このしきい値は集積回路304の製造の間に決めることが可能であり、あるいは図3では図示していない回路を用いて集積回路304のユーザによって調節可能とすることもできる。
実施の一形態では、スイッチ315は、必ずしもスイッチ315の両端の電圧がしきい値未満まで低下した時点で即座にオンにさせる必要はない。たとえば、スイッチ315がある遅延時間オンになるのを遅らせるように、制御回路321の内部(たとえば、電圧検知回路311の内部)に遅延時間を設定することができる。この遅延時間によって、スイッチ324がオフになる時点とスイッチ315がオンになる時点との間の最小時間が設けられる。このタイプの遅延は、典型的には、スイッチ315、324を同時に通って大きな電流が流れるリスクを回避するために図3に示すタイプのハーフブリッジ構成で使用される。この遅延時間は、当業者は熟知しているようにデッドタイムと呼ばれることが多く、またしたがって、図3の回路では別々の回路ブロックとして提示していない。
実施の一形態では、スイッチ315のオン時間はワンショット回路309によって固定されている。このオンの継続時間は、集積回路304の製造の間に固定させることが可能であり、あるいは図3では図示していない回路を用いて集積回路304のユーザによって調節可能とさせることもできる。スイッチ315のオン時間の終了時点において、変圧器巻き線318内の電流はノード314からノード332に流れている。
スイッチ315がオンであるときには、スイッチ324の両端の電圧は上述の説明によるVinと実質的に等しい。スイッチ315がオフになると、端子328を基準としたノード314の位置の電圧は低下する。この電圧を、電圧検知回路334によって検知している。端子328を基準としたノード314の位置の電圧が低下するのに連れて、スイッチ324の両端の電圧は降下する。電圧検知回路311によってスイッチの両端の電圧324がしきい値未満に低下したことが検知されると、制御回路335によってスイッチ324はオン時間中オンになる。実施の一形態では、スイッチ324のオン時間は実質的に固定されている。この場合もこのしきい値は、集積回路305の製造の間に決めることが可能であり、あるいは図3では図示していない回路を用いて集積回路304のユーザによって調節可能とすることも可能である。この動作は上述の説明に従って継続する。高電位側制御回路321に関して説明したように、スイッチ324のオン切り替えは、スイッチ315のオフ切り替えとスイッチ324のオン切り替えの間にデッドタイムを提供するように電圧検知回路334の内部の遅延回路によって遅延させることができる。
実施の一形態では、電圧検知回路311は、スイッチ315がオン状態にある間にはスイッチ315の両端の電圧の検知を継続するように設計されている。この方式では、スイッチ315のオン抵抗を通って流れる極めて大きな電流を生じさせる異常状態が、そのような状態下ではスイッチの両端の電圧315が上昇するために検出可能となる。したがって、電圧検知回路311の第2のしきい電圧は、このタイプの異常状態を検知するように設定し、かつワンショット回路309によって決められたオン時間の終了前で、スイッチの両端の電圧降下が第2のしきい値と交差した時点でスイッチ315をオン状態からオフ状態に切り替えるように設定する。こうしたことは1つの異常状態であるため、多くの場合さらに、スイッチを再度オンにできるようにする前に、制御回路321の内部に設定することができる最小オフ時間を決めることも必要となる。実施の一形態では、低電位側スイッチ324の制御に関する低電位側電圧検知回路334の動作も同一とすることができる。
図示した実施形態では、電圧検知回路311、334によって、図2のL1、L2などの誘導結合式巻き線は不要となる。さらに、図1の回路ブロック105の内部に含まれるレベルシフト回路も同様に不要となる。図示した実施形態では、高電位側制御回路321の一部分であるレギュレータ回路312が、スイッチ315がオフ状態にある間にコンデンサ302を充電している。コンデンサ302内に蓄えられたエネルギーを用いて、集積回路304が動作のために要求するエネルギーが提供される。低電位側制御回路335の一部を形成するレギュレータ回路336は、低電位側集積回路305に関して同様の機能を実行している。しかし、本発明の教示の恩恵を受ける制御回路は、312や336などの内部のレギュレータ回路を必要とせず、またコンデンサ302、303に蓄えられている高電位側と低電位側のスイッチ動作で必要となるエネルギーは、外部のエネルギー源から供給を受ける。たとえば、低電位側集積回路305に電力を供給するようにコンデンサ303の両端に外部のエネルギー源を直接接続することができ、また同じ供給を使用することによって、高電位側集積回路304に電力を供給するようにエネルギー源と端子306の間に接続したダイオードを通じて、スイッチ304がオンのときにコンデンサ302を充電することができる。ブートストラップ回路として知られるこのタイプの回路は、当業者にはよく知られており、図3には図示していない。
図4は、本発明の教示の恩恵を受ける回路の別の実施形態を表している。電圧検知回路311、334は、dv/dt検知回路411、434に置き換えられている。明瞭にさせるため、以下の説明では高電位側dv/dt検知回路411に焦点を当てる。低電位側dv/dt検知回路434の動作は同一であると見ることができる。
図示した実施形態で表すように、スイッチ415の両端の電圧を検知するのではなく、dv/dt検知回路411では、スイッチ415がオフの間に時間の経過に伴うスイッチ415の両端の電圧の傾斜を検知している。オフ状態にあるスイッチ415の両端の電圧の傾斜を検知することによって、スイッチ415の両端の電圧の傾斜が変化したときに、制御回路421によってスイッチ415をオフ状態からオン状態にすることができる。実施の一形態では、dv/dt検知回路411は、スイッチ415がオフ状態にある間にスイッチ415の両端の電圧の傾斜が極性を変化させる時点を検知するように設計されている。
スイッチ415がオフの間におけるスイッチ415の両端の電圧の傾斜の極性変化によって、スイッチ415の両端の電圧が最小値に到達し上昇し始めようとする点を特定している。スイッチの両端の電圧が最小値にあるときにはオフ状態からオン状態にスイッチを切り替えることに起因する切り替え損失が最小であるため、この点を検知することは有益である。スイッチの両端の電圧の傾斜の検知とスイッチのオン切り替えとの間に遅延時間を導入すること、さらには異常状態を検出するためにスイッチオン時間中の電圧しきい値を検知することなどのその他の詳細はすべて、図3を参照して上述したのと同じ方法で適用することができ、したがってここでは繰り返さない。
図3または図4の回路のいずれにおいても、低電位側スイッチと高電位側スイッチの両方をスイッチの両端の電圧の関数として制御している。図3の場合では、スイッチがオフ状態にある間に検出されかつスイッチをオンにさせる時点を制御するために使用される第1のしきい電圧と、スイッチのオン時間中に異常状態を検出するために使用される第2の電圧しきい値とが存在した。図4の実施形態では、スイッチがオフ状態にある間にスイッチの両端の電圧の傾斜を検出し、これを用いてスイッチをオンにさせる時点を制御しており、また電圧しきい値を用いてスイッチのオン時間中に異常状態を検出している。
図3、4の回路では、図3の出力端子330、331、並びに図4の430、431から高電位側または低電位側の制御回路までのフィードバック制御ループの提供については図示していない。図3、4に表したハーフブリッジ回路の切り替えはスイッチの両端の電圧の関数としてのみ制御されているため、負荷に伝達される電力は、入力電圧327、427だけを調整することによって調節することができる。しかし図5には、フィードバック制御ループをその内部に含ませているような、本発明の教示の恩恵を受ける回路別の実施形態を表している。
図5の実施形態に表しているように、フィードバック制御回路538は、低電位側集積回路505に対する電源の出力(典型的には、出力電圧529または出力端子530または531に流入する電流)に関する情報を提供するようなフィードバック信号539を提供している。図5の実施形態では、このフィードバック信号539は、フィードバック端子540を介して低電位側集積回路505に結合され、フィードバック端子540は制御回路535の内部にある可変遅延回路541に結合されている。別の実施形態ではさらに、フィードバック制御信号を高電位側集積回路に結合させてもよい。その場合、高電位側集積回路は可変遅延回路を含むことになる。
図3の回路動作の説明に使用したのと同じ初期条件を取り上げると、低電位側スイッチ524がオフに切り替わると、端子528を基準としてノード514の位置の電圧が上昇する。図5に図示した実施形態では、高電位側制御回路521によって、スイッチ515がオフ状態にある間でスイッチ515の両端の電圧の傾斜の変化を検知しているが、図3に示すような電圧検知回路311を使用することも可能である。
検知回路511によって導入される遅延時間またはデッドタイムの後で、ワンショット回路509によって実質的に固定されたオン時間中高電位側スイッチ515をオンにさせている。高電位側スイッチ515がオフに切り替わると、低電位側のdv/dt検知回路534は低電位側スイッチ524の両端の電圧の傾斜を検知する。図3、4のそれぞれのワンショット回路333、433に直接結合させていた信号が検知回路534によって提供されると、代わりに可変遅延回路541への結合となる。ワンショット回路533によってスイッチ524をオンに切り替えできるようになる前に、可変遅延回路541によってフィードバック信号539に応答するような長さの追加的な遅延が導入される。
実施の一形態では、可変遅延回路541によって導入される追加的な遅延時間は、負荷に伝達される電力を調節するために使用される。たとえば、負荷によって要求される電力がより少ないとするフィードバックをフィードバック回路538が提供した場合には、可変遅延回路541によって導入される遅延時間を増大させる。この追加的な可変遅延時間では、出力電圧が出力フィルタ誘導器537によるフィルタ処理を要することが要求される。高電位側と低電位側のスイッチの切り替えの間の遅延期間は出力電圧329、429のリップルを減少させるように最小限にさせるのが一般的である一定の遅延またはデッドタイムであるため、図3、4の回路ではこのタイプの出力フィルタ誘導器を図示していない。図3、4の回路の別の実施形態では、具体的な回路に関する出力電圧リップル仕様に応じて、さらに出力フィルタ誘導器を含めることがある。
図6は、本発明の教示の恩恵を受ける回路の別の実施形態を表している。電力変換回路600に関する最適な動作のためには、高電位側スイッチ615がオン状態にあるときの変圧器出力巻き線625の両端電圧の大きさを、低電位側スイッチ624がオン状態にあるときの変圧器出力巻き線626の両端電圧の大きさと実質的に等しくしている。これによって、高電位側オン時間と低電位側オン時間における出力電圧リップルが最小となる。
この条件を満足させるためには、高電位側スイッチ615がオン状態にあるときの高電位側スイッチ615の両端の電圧降下が、低電位側スイッチ624がオン状態にあるときの低電位側スイッチ624の両端の電圧降下と実質的に等しいと仮定して、高電位側コンデンサ623の両端の電圧を低電位側コンデンサ622の両端の電圧と実質的に等しくする。この条件を満たすために、高電位側集積回路604には、2つの入力を受け入れるように結合された負荷電圧検知回路637を含めている。第1の入力はノード639からである。このノード639は高電位側スイッチ端子607に結合されており、さらにこの高電位側スイッチ端子607は低電位側と高電位側のスイッチの接続点614に結合されている。第2の入力641は、高電位側と低電位側のコンデンサの接続点632に抵抗器640を介して結合されている。
図示した実施形態では、抵抗器640内を流れる電流は、変圧器巻き線618(本説明の目的では、負荷と見なすことができる)の両端の電圧と実質的に比例している。したがってこの構成では、負荷電圧検知回路637によって、高電位側スイッチ615を介してノード639が入力端子601に結合されている高電位側オン時間中に入力変圧器巻き線618の両端の電圧を検知することができる。実施の一形態では、電圧検知回路637はさらに、低電位側スイッチ624を介してノード639が入力端子628に結合されている低電位側オン時間中に負荷618の両端の電圧を検知することができる。
高電位側オン時間中の負荷の両端の電圧が低電位側オン時間中の負荷の両端の電圧と実質的に等しいという条件を維持するためには、実施の一形態では、高電位側オン時間を、高電位側ワンショット回路609に結合された負荷電圧検知回路637からの出力信号638に応答して変更している。高電位側スイッチ615のオン時間をこの方式で変更することによって、コンデンサ622に伝達されるエネルギーにしたがってコンデンサ622の両端の電圧を制御して、高電位側スイッチ615がオン状態にあるときの変圧器出力巻き線625の両端の電圧を低電位側スイッチ624がオン状態にあるときの変圧器出力巻き線626の両端の電圧と実質的に等しくさせるという要件を満足させることができることは、この開示の恩恵を受ける当業者であれば理解されよう。
図7は、第1のオン時間中に負荷の両端に加えられる第1の極性をもった電圧の大きさと、第2のオン時間中に負荷の両端に加えられる反対極性の電圧の大きさとの比に応答して変化する出力信号を提供するような負荷電圧検知回路の実施の一形態のブロック図を表している。実施の一形態では、入力端子701、703は負荷にまたがるように結合されている。実施の一形態では、抵抗器702は図6の抵抗器640と等価である。別の実施形態では、抵抗器702によって図6の負荷電圧検知回路637の一部を形成させ、外部の抵抗器640を不要にすることができる。
図示した実施形態では、第1のオン時間(たとえば、高電位側スイッチ615のオン時間)の間で、スイッチ704がオンに切り替わった時点で第1の検知期間が開始される。検知信号にあたる抵抗器702内を流れる電流I1の大きさは、端子701と703の間に入力電圧VLOADとして印加されるような負荷の両端の電圧の大きさと実質的に比例している。電流I1は実施の一形態では端子607と等価とすることが可能であるような電圧基準端子705を基準としてコンデンサ708を充電している。第1の検知期間の終了時点で、スイッチ704はオフに切り替わる。
第2のオン時間(たとえば、低電位側スイッチ624のオン時間)の間で、スイッチ704が再びオンに切り替わった時点で第2の検知期間が開始される。検知信号にあたる電流I2の大きさは、第2の検知期間中の負荷の両端の電圧の大きさの関数である。電流I2は、基準電圧端子705を基準としてコンデンサ708を放電させている。
第1と第2の検知期間の継続時間が実質的に等しい場合は、出力端子706、707の両端の電圧Voutは、第1のオン期間の間の入力端子701、703の両端の電圧と、第2のオン期間の間の入力端子701、703の両端の電圧との大きさの差と実質的に比例する。実施の一形態では、端子707を基準とした端子706の位置の電圧は、図6における端子607を基準とした出力信号638と等価である。
図示した実施形態では、第1と第2の検知期間は通常、スイッチが初めにオン状態に切り替わる時点で発生するようなリンギング電圧やその他の過渡的状態を実質的にゼロまで減衰させるため、並びに第1と第2の検知期間の間において正確な検知を可能とするために、第1と第2のオン時間のそれぞれの開始後のある時点で始められる。オン状態への切り替えに続くこうした過渡的状態については当業者は熟知していよう。実施の一形態では、第2の検知期間は、低電位側スイッチがオンに切り替わり、かつ過渡状態が実質的にゼロの状態まで減衰できるような十分な時間を設けるために、高電位側スイッチ615のオフ切り替え後のある時点で開始される。負荷の両端の電圧の2つの極性間の差に応答した信号を提供するために必要に応じて回路700から出る出力信号VDIFFをフィルタ処理することができる。
以上の詳細な説明において、本発明の具体的な例示的実施形態を参照しながら本発明について記載してきた。しかし、本発明に対しては、本発明のより広範な精神および趣旨を逸脱することなくさまざまな修正および変更を実施することができることは明らかであろう。したがって、この明細書および図面は例示と見なすべきであって限定と見なすべきではない。
高電位側スイッチに関するドライブ信号をレベルシフト回路によって高電位側スイッチに結合されているようなハーフブリッジ回路を表している回路図である。 高電位側と低電位側のスイッチに関するドライブ信号を誘導結合式ドライブ回路によって高電位側と低電位側のスイッチに結合されているようなハーフブリッジ回路を表している回路図である。 本発明の教示に従ったスイッチを制御するための簡略式制御回路の実施の一形態の図である。 本発明の教示に従ったスイッチを制御するための簡略式制御回路の別の実施形態の図である。 本発明の教示に従ったスイッチを制御するための簡略式制御回路のさらに別の実施形態の図である。 本発明の教示に従ったスイッチを制御するための簡略式制御回路のまた別の実施形態の図である。 本発明の教示に従ったスイッチを制御するための簡略式制御回路によって利用することが可能な電圧検知回路の実施の一形態の回路図である。
符号の説明
100 電力変換回路、101 正の入力レール、102 高電位側スイッチ、103 低電位側スイッチ、104 電流検知抵抗器、105 ドライバ及びレベルシフト回路、106 フィードバック電圧信号、107 1次側巻き線、入力巻き線、108 変圧器、109 負荷、110 2次側巻き線、出力巻き線、111 2次側巻き線、出力巻き線、112 フィルタ回路、113 制御回路、114 接地、115 ハーフブリッジ出力端子、116 ゲート、117 ゲート、118 ソース端子、119 Vin電圧、120 電流検知信号、121 発振器、122 抵抗器、123 パルス幅変調器(PWM)回路、125 接地レール、126 低電位側ハーフブリッジ・コンデンサ

Claims (73)

  1. 入力と負荷の間に結合した高電位側スイッチと、
    前記高電位側スイッチと結合され、前記高電位側スイッチを前記高電位側スイッチの両端の電圧の関数として制御する制御回路と、
    を備える回路。
  2. 前記制御回路は、前記高電位側スイッチがオフ状態の間に前記高電位側スイッチの両端の電圧が第1のしきい値を割り込んで該値未満となっていることを前記制御回路によって検知したときに、オン時間中前記高電位側スイッチをオンにする請求項1に記載の回路。
  3. 前記オン時間は実質的に固定されている請求項2に記載の回路。
  4. 前記制御回路は、前記制御回路によって前記高電位側スイッチの両端の電圧降下が第2のしきい値と交差して該値を超えていることが検知された場合にオン時間の終了以前に前記高電位側スイッチをオフさせる請求項1に記載の回路。
  5. 前記制御回路が前記高電位側スイッチを再度オンにする前に、前記制御回路は、最小のオフ時間、前記高電位側スイッチをオフにする請求項4に記載の回路。
  6. 前記制御回路は、前記高電位側スイッチのオフの間に前記高電位側スイッチの両端の電圧が前記第1のしきい値を割り込んで該値未満になった後、ある遅延時間、前記高電位側スイッチがオンになるのを遅延させる請求項2に記載の回路。
  7. 前記負荷は変圧器を備える請求項1に記載の回路。
  8. 前記変圧器は巻き線を含んでおり、前記制御回路は前記変圧器の巻き線と結合されている請求項7に記載の回路。
  9. 前記高電位側スイッチが集積回路内に含まれている請求項1に記載の回路。
  10. 前記集積回路は制御回路を備えている請求項9に記載の回路。
  11. 電力変換回路内に含まれている請求項1に記載の回路。
  12. 前記高電位側スイッチは金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)である請求項1に記載の回路。
  13. 前記制御回路は、前記高電位側スイッチがオフ状態の間に前記高電位側スイッチの両端の電圧の傾斜の時間の経過に伴う変化を前記制御回路によって検知したときにあるオン時間前記高電位側スイッチをオンにする請求項1に記載の回路。
  14. 前記オン時間は実質的に固定されている請求項13に記載の回路。
  15. 前記高電位側スイッチの両端の電圧の傾斜の時間の経過に伴う変化は、前記高電位側スイッチの両端の電圧の時間の経過に伴う傾斜の極性の変化を意味している請求項14に記載の回路。
  16. 前記制御回路は、前記制御回路によって前記高電位側スイッチの両端の電圧降下が第2のしきい値と交差して該値を超えていることが検知された場合にオン時間の終了以前に前記高電位側スイッチをオフにする請求項13に記載の回路。
  17. 前記制御回路が前記高電位側スイッチのオフに続くある最小のオフ時間中高電位側スイッチをオフに保つ請求項1に記載の回路。
  18. 前記制御回路は、前記高電位側スイッチがオフ状態の間に前記高電位側スイッチの両端の電圧の傾斜が時間の経過に伴って変化した後のある遅延時間にわたって、前記高電位側スイッチがオンになるのを遅延させる請求項13に記載の回路。
  19. 前記入力は正の入力端子と負の入力端子を備えており、前記高電位側スイッチは前記正の入力端子と前記負荷の間に結合されており、さらに前記負の入力端子と前記負荷の間に結合した低電位側スイッチをさらに備えている請求項1に記載の回路。
  20. 前記低電位側スイッチは、前記低電位側スイッチの両端の電圧の関数として前記低電位側スイッチを制御する第2の制御回路に結合されている請求項19に記載の回路。
  21. 前記低電位側スイッチは、低電位側スイッチがオフ状態にある間に前記低電位側スイッチの両端の電圧が低電位側しきい値を割り込んで該しきい値未満となったときに、低電位側オン時間中ある遅延時間の後にオンにされる請求項20に記載の回路。
  22. 前記遅延時間は実質的にゼロである請求項21に記載の回路。
  23. フィードバック制御ループを提供するように前記負荷と前記第2の制御回路の間に結合されたフィードバック回路をさらに備えており、前記第2の制御回路は前記負荷に伝達される電力を調節するように前記遅延時間を変更する請求項21に記載の回路。
  24. 前記高電位側スイッチは、前記高電位側スイッチの両端の電圧が高電位側しきい値を割り込んで該しきい値未満となったときに高電位側オン時間の間オンにされている請求項19に記載の回路。
  25. 前記低電位側スイッチは、前記低電位側スイッチの両端の電圧が低電位側しきい値を割り込んで該しきい値未満となったときに低電位側オン時間中ある遅延時間の後にオンにされている請求項24に記載の回路。
  26. 前記高電位側オン時間と前記低電位側オン時間は実質的に固定されている請求項25に記載の回路。
  27. 前記高電位側オン時間と前記低電位側オン時間は実質的に等しい請求項25に記載の回路。
  28. 前記高電位側オン時間は、前記高電位側オン時間中の負荷の両端の電圧を前記低電位側オン時間中の負荷の両端の電圧と実質的に等しく維持させるように調整されている請求項25に記載の回路。
  29. 前記遅延時間は実質的にゼロである請求項25に記載の回路。
  30. 前記高電位側スイッチは、前記高電位側スイッチのオフの間に前記高電位側スイッチの両端の電圧の傾斜が変化したときに高電位側オンの間オンにされている請求項19に記載の回路。
  31. 前記低電位側スイッチは、低電位側スイッチがオフの間に前記低電位側スイッチの両端の電圧の傾斜が変化したときにある遅延時間の後に低電位側オンの間オンにされている請求項30に記載の回路。
  32. 前記高電位側オン時間と前記低電位側オン時間は実質的に固定されている請求項31に記載の回路。
  33. 前記高電位側と前記低電位側のスイッチの両端の電圧の傾斜の変化が、前記高電位側と前記低電位側のスイッチの両端の傾斜の極性の変化である請求項31に記載の回路。
  34. 前記高電位側オン時間と前記低電位側オン時間は実質的に等しい請求項31に記載の回路。
  35. 前記高電位側オン時間は、前記高電位側オン時間中における負荷の両端の電圧を前記低電位側オン時間中における負荷の両端の電圧と実質的に等しく維持するように調整されている請求項31に記載の回路。
  36. 前記高電位側オン時間中における負荷の両端の電圧は前記高電位側オン時間の開始からある遅延の後に検知される請求項35に記載の回路。
  37. 前記低電位側オン時間中における負荷の両端の電圧は前記低電位側オン時間の開始からある遅延の後に検知される請求項35に記載の回路。
  38. 前記遅延時間は実質的にゼロである請求項31に記載の回路。
  39. フィードバック制御ループを提供するように前記負荷と前記第2の制御回路の間に結合されたフィードバック回路をさらに備えており、前記第2の制御回路は前記負荷に伝達される電力を調節するように前記遅延時間を変更する請求項31に記載の回路。
  40. 前記低電位側スイッチは低電位側集積回路内に含まれている請求項31に記載の回路。
  41. 前記低電位側集積回路はさらに前記低電位側オン時間を生成させる前記第2の制御回路を備えている請求項40に記載の回路。
  42. 前記低電位側集積回路はさらに前記高電位側スイッチのオフ切り替えを検知するための検知回路を備えている請求項40に記載の回路。
  43. 前記検知回路は前記低電位側スイッチの両端の電圧を監視することによって前記高電位側スイッチの前記オフ切り替えを検知している請求項42に記載の回路。
  44. 前記高電位側スイッチは高電位側集積回路内に含まれている請求項30に記載の回路。
  45. 前記高電位側集積回路はさらに前記高電位側オン時間を生成させる前記制御回路を備えている請求項44に記載の回路。
  46. 前記高電位側集積回路はさらに前記高電位側スイッチのオフ切り替えを検知するための検知回路を備えている請求項45に記載の回路。
  47. 前記検知回路は前記高電位側スイッチの両端の電圧を監視することによって前記低電位側スイッチの前記オフ切り替えを検知している請求項46に記載の回路。
  48. 低電位側スイッチと、
    前記低電位側スイッチと結合された高電位側スイッチと、
    前記低電位側スイッチと結合された低電位側コンデンサと、
    前記低電位側コンデンサと前記高電位側スイッチと結合させた高電位側コンデンサと、
    前記低電位側スイッチと高電位側スイッチの間の接続点と、前記低電位側コンデンサと前記高電位側コンデンサとの間の接続点との間に接続した負荷であって、前記高電位側スイッチは前記低電位側スイッチのオフ切り替えに応答して前記高電位側スイッチの両端の電圧の関数として高電位側オンの間オンになっている負荷と、
    を備えるハーフブリッジ回路。
  49. 前記低電位側スイッチは、前記高電位側スイッチのオフ切り替えに応答して前記低電位側スイッチの両端の電圧の関数としてある遅延時間後の低電位側オンの間オンにさせる請求項48に記載のハーフブリッジ回路。
  50. 前記高電位側オン時間と前記低電位側オン時間は実質的に固定されている請求項49に記載の回路。
  51. 前記高電位側スイッチは、前記高電位側スイッチの両端の電圧の傾斜の時間の経過に伴う関数として前記高電位側オンの間オンになる請求項48に記載の回路。
  52. 前記高電位側スイッチは、前記高電位側スイッチのオフの間に前記高電位側スイッチの両端の電圧が第1のしきい値を割り込んで該値未満になったときに前記高電位側オンの間オンになる請求項48に記載の回路。
  53. 前記高電位側オン時間と前記低電位側オン時間のうちの一方は、前記高電位側オン時間中における負荷の両端の電圧を、前記低電位側オン時間中における負荷の両端の電圧と実質的に等しく維持するように調整される請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  54. 前記負荷の両端の電圧は前記高電位側オン時間中のある一定の期間にわたって検知される請求項48に記載のハーフブリッジ回路。
  55. 前記負荷の両端の電圧が前記低電位側オン時間中のある一定の期間にわたって検知される請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  56. 前記遅延時間は実質的にゼロである請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  57. 前記負荷に伝達される電力を調節させるように前記遅延時間を変更するために前記負荷と前記低電位側スイッチの間に結合したフィードバック回路をさらに備える請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  58. 前記低電位側スイッチはハーフブリッジ回路の低電位側集積回路内に含まれている請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  59. 前記低電位側集積回路はさらに、前記低電位側オン時間を生成させるように前記低電位側スイッチと結合された低電位側制御回路を備えている請求項58に記載のハーフブリッジ回路。
  60. 前記低電位側制御回路は前記高電位側スイッチのオフ切り替えを検知するように結合されている請求項59に記載のハーフブリッジ回路。
  61. 前記低電位側制御回路は、前記低電位側スイッチの両端の電圧を監視することによって、前記高電位側スイッチのオフ切り替えを検知する請求項60に記載のハーフブリッジ回路。
  62. 前記高電位側スイッチはハーフブリッジ回路の高電位側集積回路内に含まれている請求項48に記載のハーフブリッジ回路。
  63. 前記高電位側集積回路はさらに、前記高電位側オン時間を生成させるように前記高電位側スイッチと結合された高電位側制御回路を備えている請求項62に記載のハーフブリッジ回路。
  64. 前記高電位側制御回路は前記低電位側スイッチのオフ切り替えを検知するように結合されている請求項63に記載のハーフブリッジ回路。
  65. 前記高電位側制御回路は、前記高電位側スイッチの両端の電圧を監視することによって、前記低電位側スイッチのオフ切り替えを検知する請求項64に記載のハーフブリッジ回路。
  66. スイッチングモードの電源内に含まれている請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  67. 電力変換回路内に含まれている請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  68. 前記低電位側スイッチと前記高電位側スイッチの各々は金属酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)を備えている請求項49に記載のハーフブリッジ回路。
  69. 負荷と結合されたスイッチング手段であって、前記負荷の両端に第1のオン時間中では第1の極性をもつ電圧を印加し、かつ第2のオン時間中ではこれと反対の極性をもつ電圧を印加するためのスイッチング手段と、
    第1のオン期間中の第1の検知期間の間並びに第2のオン期間中の第2の検知期間の間に前記負荷の両端の電圧を検知するために前記負荷と結合された検知手段であって、前記スイッチング手段は前記第1のオン期間の間における前記負荷の両端の電圧の大きさを前記第2のオン期間の間における前記負荷の両端の電圧と実質的に等しく維持するように制御を受けている検知手段と、
    を備える回路。
  70. 前記検知手段は第1と第2の検知期間の継続時間にわたって検知信号を発生させる請求項69に記載の回路。
  71. 前記検知信号の大きさは、前記第1と第2の検知期間の間における前記負荷の両端の電圧の大きさに従って調整される請求項70に記載の回路。
  72. 前記検知手段は、コンデンサと前記コンデンサの充電と放電のために該コンデンサと結合された電流充電手段とを備えている請求項71に記載の回路。
  73. 前記電流充電手段は、前記第1と第2の検知期間の間における前記負荷の両端の電圧の大きさに応答して前記コンデンサを充放電させるように電流を調整する請求項72に記載の回路。
JP2004249923A 2003-09-30 2004-08-30 スイッチの制御を簡略化するための方法と装置 Expired - Fee Related JP4723833B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/675,824 2003-09-30
US10/675,824 US7091752B2 (en) 2003-09-30 2003-09-30 Method and apparatus for simplifying the control of a switch

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011034884A Division JP2011109912A (ja) 2003-09-30 2011-02-21 スイッチの制御を簡略化するための方法と装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005110224A true JP2005110224A (ja) 2005-04-21
JP2005110224A5 JP2005110224A5 (ja) 2007-09-06
JP4723833B2 JP4723833B2 (ja) 2011-07-13

Family

ID=34314012

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004249923A Expired - Fee Related JP4723833B2 (ja) 2003-09-30 2004-08-30 スイッチの制御を簡略化するための方法と装置
JP2011034884A Pending JP2011109912A (ja) 2003-09-30 2011-02-21 スイッチの制御を簡略化するための方法と装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011034884A Pending JP2011109912A (ja) 2003-09-30 2011-02-21 スイッチの制御を簡略化するための方法と装置

Country Status (3)

Country Link
US (5) US7091752B2 (ja)
EP (1) EP1521366A3 (ja)
JP (2) JP4723833B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008283834A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Sanken Electric Co Ltd Dc−dcコンバータ

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7763974B2 (en) 2003-02-14 2010-07-27 Hitachi, Ltd. Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter
US7091752B2 (en) 2003-09-30 2006-08-15 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for simplifying the control of a switch
DE102004035604B3 (de) * 2004-07-22 2005-08-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements in einer Halbbrücke und Schaltungsanordnung mit einer Halbbrücke
US7551007B2 (en) * 2005-02-11 2009-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation Partial switch gate driver
WO2007009482A1 (en) * 2005-07-18 2007-01-25 Freescale Semiconductor, Inc. Switch arrangement, integrated circuit, activation system
US7463071B2 (en) * 2006-07-24 2008-12-09 International Rectifier Corporation Level-shift circuit utilizing a single level-shift switch
JP4864622B2 (ja) * 2006-09-27 2012-02-01 株式会社ケーヒン 誘導性負荷の駆動装置
US7518885B2 (en) 2006-10-04 2009-04-14 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for a control circuit with multiple operation modes
US7576528B2 (en) 2006-10-04 2009-08-18 Power Integrations, Inc. Control circuit responsive to an impedance
US7502236B2 (en) 2006-10-04 2009-03-10 Power Integrations, Inc. Power supply controller responsive to a feedforward signal
US8796884B2 (en) * 2008-12-20 2014-08-05 Solarbridge Technologies, Inc. Energy conversion systems with power control
US9263895B2 (en) * 2007-12-21 2016-02-16 Sunpower Corporation Distributed energy conversion systems
DE102007061978B4 (de) * 2007-12-21 2013-04-11 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Bereitstellen einer Spannungsversorgung für eine Transistor-Treiberschaltung
CA2655013A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-22 Queen's University At Kingston Current-source gate driver
CN102067428B (zh) * 2008-06-23 2014-04-02 爱立信电话股份有限公司 同步整流器的驱动电路及其控制方法
US7928774B2 (en) * 2008-09-29 2011-04-19 Infineon Technologies Ag Adaptive drive signal adjustment for bridge EMI control
US20100157632A1 (en) * 2008-12-20 2010-06-24 Azuray Technologies, Inc. Energy Conversion Systems With Power Control
US8492925B2 (en) 2010-08-24 2013-07-23 Texas Instruments Incorporated Apparatus for charging an external capacitor
JP5715363B2 (ja) * 2010-09-24 2015-05-07 株式会社ケーヒン 誘導性負荷駆動装置
JP5786890B2 (ja) * 2013-04-26 2015-09-30 トヨタ自動車株式会社 駆動装置及びスイッチング回路の制御方法
DE112015000270T5 (de) * 2014-07-14 2016-09-29 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
JP6132887B2 (ja) * 2015-09-09 2017-05-24 三菱電機株式会社 電力変換装置
ES2751062T3 (es) * 2016-04-14 2020-03-30 Signify Holding Bv Convertidores resonantes de medio puente, circuitos que los utilizan y procedimientos de control correspondientes
US10656188B2 (en) * 2016-07-14 2020-05-19 Vidatronic Inc. Circuit and method for load detection using switched capacitors
US10622994B2 (en) * 2018-06-07 2020-04-14 Vishay-Siliconix, LLC Devices and methods for driving a semiconductor switching device
US10608630B1 (en) * 2018-06-26 2020-03-31 Xilinx, Inc. Method of increased supply rejection on single-ended complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) switches
US11824438B2 (en) 2018-12-13 2023-11-21 Power Integrations, Inc. Deadtime adjustment for a power converter
CN113904554A (zh) * 2020-07-06 2022-01-07 台达电子工业股份有限公司 直流/直流电源转换器
CN117155137B (zh) * 2023-11-01 2024-02-06 艾科微电子(深圳)有限公司 电源控制器、非对称半桥电源供应器及控制方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02196519A (ja) * 1989-01-25 1990-08-03 Mitsubishi Electric Corp ドライバ回路
JPH10149888A (ja) * 1996-09-17 1998-06-02 Hitachi Ltd 照明用点灯装置及びその制御方法
EP1176707A1 (en) * 2000-07-17 2002-01-30 STMicroelectronics S.r.l. Voltage converter circuit with self oscillating half bridge configuration and with protection against hard switching
JP2002209387A (ja) * 2000-11-09 2002-07-26 Nissan Motor Co Ltd 電流制御型素子用駆動装置
JP2003164152A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Tdk Corp スイッチング電源装置
JP2003229751A (ja) * 2002-02-06 2003-08-15 Nissan Motor Co Ltd 電流制御型半導体素子用駆動回路、および電流制御型半導体素子用駆動装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4208710A (en) * 1977-06-17 1980-06-17 Sawafuji Electric Co. Ltd. Voltage regulating device for power generating system
US4521725A (en) * 1983-12-02 1985-06-04 United Technologies Corporation Series switching regulator
US4553082A (en) * 1984-05-25 1985-11-12 Hughes Aircraft Company Transformerless drive circuit for field-effect transistors
US4727308A (en) * 1986-08-28 1988-02-23 International Business Machines Corporation FET power converter with reduced switching loss
US4959606A (en) * 1989-01-06 1990-09-25 Uniphase Corporation Current mode switching regulator with programmed offtime
US5283477A (en) * 1989-08-31 1994-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Common driver circuit
JP3045215B2 (ja) * 1993-12-30 2000-05-29 サンケン電気株式会社 共振型スイッチング電源装置
US5422562A (en) * 1994-01-19 1995-06-06 Unitrode Corporation Switching regulator with improved Dynamic response
KR0138306B1 (ko) * 1994-12-14 1998-06-15 김광호 영전압 스위칭 제어회로
US5528125A (en) * 1995-04-05 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Buck-boost switch mode power supply with burst topology
JPH09140126A (ja) * 1995-05-30 1997-05-27 Linear Technol Corp 適応スイッチ回路、適応出力回路、制御回路およびスイッチング電圧レギュレータを動作させる方法
US6002213A (en) * 1995-10-05 1999-12-14 International Rectifier Corporation MOS gate driver circuit with analog input and variable dead time band
US5717582A (en) * 1996-02-22 1998-02-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Selectively controlled electrical power switching system
US5892673A (en) * 1996-03-25 1999-04-06 General Electric Company Robust, high-density, high-efficiency state sequence controller for an auxiliary resonant commutation pole power converter
US5909135A (en) * 1996-12-19 1999-06-01 Texas Instruments Incorporated High-side MOSFET gate protection shunt circuit
US5808879A (en) * 1996-12-26 1998-09-15 Philips Electronics North America Corporatin Half-bridge zero-voltage-switched PWM flyback DC/DC converter
US5864225A (en) * 1997-06-04 1999-01-26 Fairchild Semiconductor Corporation Dual adjustable voltage regulators
US6064174A (en) * 1997-11-26 2000-05-16 Stmicroelectronics, Inc. Motor control circuit and method with digital level shifting
US6107844A (en) * 1998-09-28 2000-08-22 Tripath Technology, Inc. Methods and apparatus for reducing MOSFET body diode conduction in a half-bridge configuration
US6222744B1 (en) * 1999-03-19 2001-04-24 General Electronics Applications, Inc. Isolated power supply circuit for a floating gate driver
DE19917364A1 (de) * 1999-04-16 2000-10-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung mit Halbbrücke
JP4200257B2 (ja) * 2000-09-26 2008-12-24 パナソニック電工株式会社 非接触電力伝達装置
US6421260B1 (en) * 2000-12-20 2002-07-16 General Electric Company Shutdown circuit for a half-bridge converter
US6580627B2 (en) * 2001-01-29 2003-06-17 International Rectifier Corporation Voltage sensing with high and low side signals for deadtime compensation and shutdown for short circuit protection
DE60229260D1 (de) * 2001-07-05 2008-11-20 Power One Inc Induktivitätsstrommessung in isolierten schaltreglern und damit zusammenhängende verfahren
JP2003189602A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd Dc−dcコンバータおよびそれを用いた電子装置
US6670796B2 (en) * 2002-05-24 2003-12-30 Anritsu Company Ultra fast and high efficiency inductive coil driver
EP1367703A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-03 STMicroelectronics S.r.l. Method of regulation of the supply voltage of a load and relative voltage regulator
US6873191B2 (en) * 2002-12-31 2005-03-29 Intersil Americas Inc. Mechanism for providing over-voltage protection during power up of DC-DC converter
TWI300650B (en) * 2003-04-24 2008-09-01 Int Rectifier Corp Fault protected self-oscillating driver
US6809560B1 (en) * 2003-07-11 2004-10-26 Micrel, Inc. Load sensing circuit for a power MOSFET switch
US7091752B2 (en) * 2003-09-30 2006-08-15 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for simplifying the control of a switch
US7030596B1 (en) * 2003-12-03 2006-04-18 Linear Technology Corporation Methods and circuits for programmable automatic burst mode control using average output current
US7616462B2 (en) * 2004-03-12 2009-11-10 Mks Instruments, Inc. Power supply controller to actively drive a load current when the load current exceeds a set point
US7064588B2 (en) * 2004-10-07 2006-06-20 Lien Chang Eletronic Enterprise Co., Ltd. Half-bridge inverter of dual N-MOS with a push/pull control chip
US7221134B1 (en) * 2004-11-10 2007-05-22 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for flywheel current injection for a regulator
US8022746B1 (en) * 2008-02-07 2011-09-20 National Semiconductor Corporation Bootstrap circuit for H-bridge structure utilizing N-channel high-side fets

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02196519A (ja) * 1989-01-25 1990-08-03 Mitsubishi Electric Corp ドライバ回路
JPH10149888A (ja) * 1996-09-17 1998-06-02 Hitachi Ltd 照明用点灯装置及びその制御方法
EP1176707A1 (en) * 2000-07-17 2002-01-30 STMicroelectronics S.r.l. Voltage converter circuit with self oscillating half bridge configuration and with protection against hard switching
JP2002209387A (ja) * 2000-11-09 2002-07-26 Nissan Motor Co Ltd 電流制御型素子用駆動装置
JP2003164152A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Tdk Corp スイッチング電源装置
JP2003229751A (ja) * 2002-02-06 2003-08-15 Nissan Motor Co Ltd 電流制御型半導体素子用駆動回路、および電流制御型半導体素子用駆動装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008283834A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Sanken Electric Co Ltd Dc−dcコンバータ

Also Published As

Publication number Publication date
US20090085615A1 (en) 2009-04-02
US20120081098A1 (en) 2012-04-05
US8063672B2 (en) 2011-11-22
EP1521366A3 (en) 2008-08-06
JP2011109912A (ja) 2011-06-02
EP1521366A2 (en) 2005-04-06
US8441290B2 (en) 2013-05-14
US8278972B2 (en) 2012-10-02
JP4723833B2 (ja) 2011-07-13
US20050068089A1 (en) 2005-03-31
US20120319744A1 (en) 2012-12-20
US7091752B2 (en) 2006-08-15
US7466170B2 (en) 2008-12-16
US20060238224A1 (en) 2006-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4723833B2 (ja) スイッチの制御を簡略化するための方法と装置
EP0712546B1 (en) Pulse width modulated dc-to-dc boost converter
US7952892B2 (en) DC converters with constant and variable duty ratio switching
JP4053425B2 (ja) 同期式dc−dcコンバータ
US7522429B2 (en) DC-DC converter
CN110165872B (zh) 一种开关控制电路及其控制方法
US10840817B1 (en) Systems and methods of synchronous rectification in active clamp flyback power converters
US20230318469A1 (en) Drive Circuit
US5067066A (en) Voltage-mode quasi-resonant dc/dc converter
US7719859B2 (en) Switching power supply device and drive circuit thereof
KR100595752B1 (ko) 비최적 리셋 2차 전압을 위한 자체 구동 동기 정류기회로
JP4085613B2 (ja) 電源装置
US6038144A (en) DC-DC converter
US8513903B2 (en) Discharge lamp lighting device
CN111224551A (zh) 功率转换器
JP3664012B2 (ja) スイッチング電源装置
CA2220747A1 (en) Dc-dc converters
JP2003189637A (ja) 圧電トランス駆動回路および冷陰極管点灯装置
JPH07222461A (ja) インバータ回路
JPH07312865A (ja) 部分共振型スイッチング電源回路

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070723

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070723

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090304

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090501

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090501

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101026

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110121

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110405

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110408

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees