JP2005109465A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. コンタクトホール内で露出された第１の導電層上に選択的に金属元素を含む領域を形成し、
   前記金属元素を含む領域上に極細炭素繊維を形成し、
   前記コンタクトホール内に第２の導電層を形成し、加熱することによって前記極細炭素繊維の間に前記第２の導電層を充填して導電性部材を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. コンタクトホール内で露出された第１の導電層上に選択的に金属元素を含む領域を形成し、
   前記金属元素を含む領域上に極細炭素繊維を形成し、
   前記露出された第１の導電層上に第２の導電層を形成し、加熱することによって前記第２の導電層を流動化して前記極細炭素繊維の間に前記第２の導電層を充填して導電性部材を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の導電層は、珪素を含む半導体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記金属元素は、ニッケル、鉄、コバルト、白金、ゲルマニウム、チタン、又はパラジウムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記金属元素を含む領域は、ニッケル、鉄、コバルト、白金、ゲルマニウム、チタン、パラジウム、又はこれらのシリサイドを含む領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記極細炭素繊維を、炭化水素、又はアルコールを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記極細炭素繊維は、グラファイトナノファイバ、カーボンナノファイバ、カーボンナノチューブ、チューブ状グラファイト、カーボンナノコーン、又はコーン状グラファイトであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 第１の導電層と、
   前記第１の導電層上に設けられたコンタクトホールを有する絶縁層と、
   極細炭素繊維と、前記極細炭素繊維の間を充填する第２の導電層とを有し、前記コンタクトホールを充填する導電性部材と、
   前記導電性部材上に設けられた第３の導電層と、を有し、
   前記極細炭素繊維は、前記第１の導電層上に選択的に形成された金属元素を含む領域上に形成されることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記金属元素は、ニッケル、鉄、コバルト、白金、ゲルマニウム、チタン、又はパラジウムであることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項８において、
    前記金属元素を含む領域は、ニッケル、鉄、コバルト、白金、ゲルマニウム、チタン、パラジウム、又はこれらのシリサイドを含む領域であることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項８乃至１０のいずれか一項において、
    前記第１の導電層は、珪素を含む半導体であることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項８乃至１１のいずれか一項において、
    前記極細炭素繊維は、グラファイトナノファイバ、カーボンナノファイバ、カーボンナノチューブ、チューブ状グラファイト、カーボンナノコーン、又はコーン状グラファイトであることを特徴とする半導体装置。