JP2005109189A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部ベース領域間の基板表面に溝を形成し、溝底部に真性ベース領域を形成する。最も高い不純物濃度の外部ベース領域表面は溝により横方向拡散が進まず、高濃度で深い外部ベース領域にできる。真性ベース領域およびエミッタ領域の形成は従来と同条件で実施できるので、所定のプロファイルを保持した真性ベース領域と、高濃度で深い外部ベース領域が実現できる。
【選択図】 図1
Description
2 コレクタ領域
3 マスク
4 LOCOS酸化膜
5 ポリシリコン層
6 TEOS膜
7 ベース引き出し電極
8 溝
9 外部ベース領域
10 絶縁膜
11 真性ベース領域
12 ポリシリコン層
13 サイドウォール
14 ポリシリコン層
15 エミッタ引き出し電極
16 エミッタ領域
17 絶縁膜
18 ベース電極
19 エミッタ電極
20 ベース領域
21 動作領域
22 ベースパッド電極
23 エミッタパッド電極
25 SIC層
31 n+型シリコン基板
32 コレクタ領域
34 LOCOS酸化膜
35 ポリシリコン層
36 TEOS膜
37 ベース引き出し電極
38 開口部
39 外部ベース領域
40 絶縁膜
41 真性ベース領域
42 ポリシリコン層
43 サイドウォール
45 エミッタ引き出し電極
46 エミッタ領域
47 絶縁膜
48 ベース電極
49 エミッタ電極
TH スルーホール
EC エミッタコンタクト部
PR レジスト膜
OP 開口部
Wb ベース幅
Claims (11)
- 半導体基板表面に設けた一導電型のコレクタ領域と、
前記コレクタ領域表面に設けられた逆導電型の外部ベース領域と、
前記外部ベース領域間の前記コレクタ領域に設けられ、その側壁が前記外部ベース領域と当接する溝と、
前記溝底部の前記コレクタ領域表面に設けられた逆導電型の真性ベース領域と、
前記溝底部の前記真性ベース領域表面に設けられた一導電型のエミッタ領域と、
前記外部ベース領域および真性ベース領域に接続するベース電極と、
前記エミッタ領域に接続するエミッタ電極とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記溝は、その側壁が前記外部ベース領域表面付近と当接することで該外部ベース領域表面付近における逆導電型不純物の基板水平方向の拡散の進行を抑制することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記真性ベース領域表面は、前記外部ベース領域表面より下方に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記外部ベース領域および前記ベース電極とを接続するベース引き出し電極と、前記エミッタ領域および前記エミッタ電極とを接続するエミッタ引き出し電極とを具備し、前記エミッタ引き出し電極下端は前記ベース引き出し電極より下方に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝は、前記外部ベース領域表面より0.1μm〜0.2μm程度の深さに設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記外部ベース領域は表面から0.4μm〜0.5μm程度の深さを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に一導電型のコレクタ領域を形成する工程と、
外部ベース領域となる予定の領域間のコレクタ領域表面に溝を形成する工程と、
前記コレクタ領域表面に逆導電型不純物を拡散し表面付近が前記溝の側壁に当接する外部ベース領域を形成する工程と、
前記外部ベース領域間の前記溝底部に該外部ベース領域と接する真性ベース領域を形成する工程と、
前記真性ベース領域に一導電型のエミッタ領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に一導電型のコレクタ領域を形成する工程と、
前記コレクタ領域表面にベース拡散源を形成する工程と、
前記ベース拡散源間の前記コレクタ領域表面に溝を形成する工程と、
前記ベース拡散源の不純物を前記溝周囲の前記コレクタ領域表面に拡散し、表面付近が前記溝の側壁に当接する逆導電型の外部ベース領域を形成する工程と、
前記外部ベース領域間の前記溝底部に逆導電型不純物を拡散して該外部ベース領域と接する真性ベース領域を形成する工程と、
前記溝内を覆うエミッタ拡散源を形成する工程と、
前記エミッタ拡散源から前記真性ベース領域に不純物を拡散して一導電型のエミッタ領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記真性ベース領域表面は、前記外部ベース領域表面より下方に形成されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース拡散源にはイオン注入法により1×1016cm−2程度のドーズ量の不純物が導入されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝は前記外部ベース領域表面より0.1μm〜0.2μm程度の深さに形成することを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2003341390A JP2005109189A (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114122188A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-03-01 | 西安电子科技大学 | 一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法 |
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2003
- 2003-09-30 JP JP2003341390A patent/JP2005109189A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114122188A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-03-01 | 西安电子科技大学 | 一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法 |
CN114122188B (zh) * | 2021-11-08 | 2023-09-01 | 西安电子科技大学 | 一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法 |
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