JP2005101452A - マイクロレンズとその製造方法及び固体撮像素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (a)面上に、エキシマレーザ用もしくは紫外線露光用のレジストまたは電子ビーム用レジストを塗布し、紫外領域の光または電子ビームによる露光及び現像を行って、パターニングされた単位レジストを形成する。(b)工程(a)においてパターニングされた単位レジストに熱処理を施し、マイクロレンズの形状を与える。(c)工程(b)においてマイクロレンズの形状を与えられた単位レジストの少なくとも表面部分にイオン注入を行い、耐熱化されたマイクロレンズを得る。
【選択図】 図1
Description
一方、撮像デバイスの画素の微細化に伴い、マイクロレンズ85の無効スペース85aの縮小が求められている。しかし、現在市販されているマイクロレンズ用フォトレジストはi線専用であり、解像度が低く、無効スペース85aを十分に小さくするのは困難である。
52 駆動信号発生装置
53 出力信号処理装置
54 記憶装置
55 表示装置
56 伝送装置
57 テレビジョン
61 画素配列部
62 感光部
64 垂直CCD部
66 水平CCD部
67 増幅回路部
71 光電変換素子
72 読み出しゲート
73 垂直転送チャネル
74 絶縁膜
75 垂直転送電極
76 チャネルストップ領域
77 酸化シリコン膜
78 窒化シリコン膜
79 遮光膜
79a 開口部
81 半導体基板
82 ウエル層
83a,b 平坦化層
84 カラーフィルタ層
85 マイクロレンズ
85a 無効スペース
88 単位レジスト
89 固体撮像素子
90 インナレンズ
91 MOSトランジスタ
94 プリント配線基板
95 はんだ
96 リード
97 パッケージ
Claims (25)
- (a)面上に、エキシマレーザ用もしくは紫外線露光用のレジストまたは電子ビーム用レジストを塗布し、紫外領域の光または電子ビームによる露光及び現像を行って、パターニングされた単位レジストを形成する工程と、
(b)前記工程(a)においてパターニングされた単位レジストに熱処理を施し、マイクロレンズの形状を与える工程と、
(c)前記工程(b)においてマイクロレンズの形状を与えられた単位レジストの少なくとも表面部分にイオン注入を行い、耐熱化されたマイクロレンズを得る工程と
を有するマイクロレンズの製造方法。 - 更に、
(d)前記工程(c)の後に、前記マイクロレンズに熱処理または紫外領域の光の照射を行う工程と
を含む請求項1に記載のマイクロレンズの製造方法。 - 前記エキシマレーザ用もしくは紫外線露光用のレジストまたは電子ビーム用レジストが、アセタール系、エスキャップ(SCAP)系、PMMA、PGMAからなる群より選ばれた材料で形成されている請求項1または2に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記工程(a)において、複数の単位レジストを、隣り合う単位レジスト間の間隔が0.2μm以下であるようにパターニングして形成する請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記工程(c)において、B、P、ArまたはAsの1価イオンまたは多価イオンをイオン注入する請求項1〜4のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記工程(c)において、40〜200keVの加速エネルギでイオン注入を行う請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記工程(c)において、1×1012〜1×1014cm−2のドーズ量でイオン注入を行う請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記工程(c)において、単位レジストの表面から0.1μm以上の深さまでイオンを注入する請求項1〜7のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- アセタール系、エスキャップ(SCAP)系、PMMA、PGMAからなる群より選ばれた材料で形成されるマイクロレンズであって、表面から一定値以上の深さまで添加原子が注入され硬化されたマイクロレンズ。
- 前記一定値が0.1μmである請求項9に記載のマイクロレンズ。
- 前記添加原子が、B、P、ArまたはAsである請求項9または10に記載のマイクロレンズ。
- 複数の単位マイクロレンズを含み、隣り合う単位マイクロレンズ間の間隔が0.2μm以下である請求項9〜11のいずれか1項に記載のマイクロレンズ。
- (e)半導体基板に不純物を添加して、光電変換素子を形成する工程と、
(f)前記光電変換素子上方を含む領域に遮光膜を形成する工程と、
(g)前記遮光膜上にレジストを塗布し、露光、現像を行って、所定の位置にのみ前記レジストを残し、前記レジストをマスクとしたエッチングにより、前記遮光膜のうち前記光電変換素子上方の領域に開口部を形成する工程と、
(h)前記開口部の上方を含む領域に平坦面を形成する工程と、
(i)前記開口部上方の前記平坦面上にマイクロレンズを形成する工程と
を有し、
前記工程(i)は、
(i−1)前記平坦面上に、エキシマレーザ用もしくは紫外線露光用のレジストまたは電子ビーム用レジストを塗布し、紫外領域の光または電子ビームによる露光及び現像を行って、パターニングされた単位レジストを形成する工程と、
(i−2)前記工程(i−1)においてパターニングされた単位レジストに熱処理を施し、マイクロレンズの形状を与える工程と、
(i−3)前記工程(i−2)においてマイクロレンズの形状を与えられた単位レジストの少なくとも表面部分にイオン注入を行い、耐熱化されたマイクロレンズを得る工程と
を含む固体撮像素子の製造方法。 - 前記工程(g)で行う露光と前記工程(i−1)で行う露光が、同一種の光源を用いる露光装置を用いて行われる請求項13に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 更に、
(i−4)前記工程(i−3)の後に、前記マイクロレンズに熱処理または紫外領域の光の照射を行う工程と
を含む請求項13または14に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記エキシマレーザ用もしくは紫外線露光用のレジストまたは電子ビーム用レジストが、アセタール系、エスキャップ(SCAP)系、PMMA、PGMAからなる群より選ばれた材料で形成されている請求項13〜15のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(i−1)において、複数の単位レジストを、隣り合う単位レジスト間の間隔が0.2μm以下であるようにパターニングして形成する請求項13〜16のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(i−3)において、B、P、ArまたはAsの1価イオンまたは多価イオンをイオン注入する請求項13〜17のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(i−3)において、40〜200keVの加速エネルギでイオン注入を行う請求項13〜18のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(i−3)において、1×1012〜1×1014cm−2のドーズ量でイオン注入を行う請求項13〜19のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(i−3)において、単位レジストの表面から0.1μm以上の深さまでイオンを注入する請求項13〜20のいずれか1項に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 行列状に配置され、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子で生成された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルから転送される信号電荷を水平方向に転送する水平転送チャネルとを備えた半導体基板と、
前記垂直転送チャネル上方に形成された垂直転送電極と、
前記垂直転送電極の上方に形成され、前記光電変換素子上方の領域に開口部を有する遮光膜と、
前記遮光膜の前記開口部上方に形成されたマイクロレンズと
を有し、
前記マイクロレンズは、アセタール系、エスキャップ(SCAP)系、PMMA、PGMAからなる群より選ばれた材料で形成され、表面から一定値以上の深さまで添加原子が注入され硬化されている固体撮像素子。 - 前記マイクロレンズは、表面から0.1μm以上の深さまで添加原子が注入され硬化されている請求項22に記載の固体撮像素子。
- 前記添加原子が、B、P、ArまたはAsである請求項22または23に記載の固体撮像素子。
- 前記マイクロレンズは、複数の単位マイクロレンズを含み、隣り合う単位マイクロレンズ間の間隔が0.2μm以下である請求項22〜24のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
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