JP2005252194A - 多層シリコン構造の形成方法及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に第1のシリコン層を堆積する。第1のシリコン層をパターニングして、複数の第1の電極を形成する。第1の電極の表面をHCl/O2が1%〜3%の範囲となる条件で塩酸酸化して、第1の電極の表面上に絶縁膜を形成する。絶縁膜を覆って基板上に第2のシリコン層を堆積する。第2のシリコン層をパターニングして第2の電極を形成する。
【選択図】 図1
Description
52 駆動信号発生装置
53 出力信号処理装置
54 記憶装置
55 表示装置
56 伝送装置
57 テレビジョン
61 画素配列部
62 感光部
64 垂直CCD部
66 水平CCD部
67 増幅回路部
71 光電変換素子
72 読み出しゲート
73 垂直転送チャネル
74 ゲート絶縁膜
74a シリコン酸化膜
74b 窒化シリコン膜
74c シリコン酸化膜
75 垂直転送電極
75a 第1層垂直転送電極
75b 第2層垂直転送電極
75c 層間絶縁膜
76 チャネルストップ領域
77 酸化シリコン膜
78 窒化シリコン膜
79 遮光膜
79a 開口部
81 半導体基板
82 ウエル層
83a,b 平坦化層
84 カラーフィルタ層
85 マイクロレンズ
Claims (4)
- 基板上に第1のシリコン層を堆積する工程と、
前記第1のシリコン層をパターニングして、複数の第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極の表面をHCl/O2が1%〜3%の範囲となる条件で塩酸酸化して、前記第1の電極の表面上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を覆って前記基板上に第2のシリコン層を堆積する工程と、
前記第2のシリコン層をパターニングして第2の電極を形成する工程と
を有する多層シリコン構造の形成方法。 - (a)第1導電型のシリコン基板に前記第1導電型とは逆の第2導電型の領域を形成する工程と、
(b)前記第2導電型の領域内に、前記第1導電型の複数の垂直CCDチャネルを形成する工程と、
(c)前記シリコン基板表面に、順に第1のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及び第2のシリコン酸化膜を含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
(d)前記ゲート絶縁膜上に第1のシリコン層を堆積する工程と、
(e)前記第1のシリコン層をパターニングして、複数の前記垂直CCDチャネルの上方を覆うように、前記ゲート絶縁膜上に、複数の第1層垂直転送電極を形成する工程と、
(f)複数の前記第1層垂直転送電極表面に、HCl/O2が1%〜3%の範囲となる条件の塩酸酸化によって層間絶縁膜を形成する工程と、
(g)前記層間絶縁膜を覆って前記シリコン基板上に第2のシリコン層を堆積する工程と、
(h)前記第2のシリコン層をパターニングして第2層垂直転送電極を形成する工程と、
(i)前記第2導電型の領域内に前記第1導電型の不純物を注入し、複数の光電変換素子を形成する工程と
を有する固体撮像素子の製造方法。 - 前記工程(c)における第1のシリコン酸化膜の形成が、前記工程(f)における層間絶縁膜の形成時と等しい1%〜3%の範囲のHCl/O2の塩酸酸化によって行われる請求項2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記第1導電型がn型であり、前記第2導電型がp型である請求項2または3に記載の固体撮像素子の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2007055141A1 (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 反射防止膜を有する固体撮像装置および表示装置並びにその製造方法 |
US8946843B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device |
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2004
- 2004-03-08 JP JP2004064497A patent/JP2005252194A/ja active Pending
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US7829908B2 (en) | 2005-11-11 | 2010-11-09 | Nikon Corporation | Solid-state image sensors and display devices having anti-reflection film |
JP5082855B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2012-11-28 | 株式会社ニコン | 反射防止膜を有する固体撮像装置および表示装置並びにその製造方法 |
US8946843B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device |
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