JP2005086041A - 半導体ウェーハのイオン注入方法 - Google Patents
半導体ウェーハのイオン注入方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005086041A JP2005086041A JP2003317458A JP2003317458A JP2005086041A JP 2005086041 A JP2005086041 A JP 2005086041A JP 2003317458 A JP2003317458 A JP 2003317458A JP 2003317458 A JP2003317458 A JP 2003317458A JP 2005086041 A JP2005086041 A JP 2005086041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- ion implantation
- ion
- ions
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
半導体ウェーハの表面から元素イオンを注入する際に、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルなどをイオン注入装置を用いて除去する。
【解決手段】
半導体ウェーハの表面から所定の元素イオンを注入して、この表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成する。このイオン注入工程は、複数の分割注入過程を有する。そして、少なくとも最初の分割注入過程の後にイオン照射工程が実行される。または、最後の分割注入過程の後にイオン照射工程が実行される。この結果、半導体ウェーハの表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成されるとともに、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルが除去される。付着したごみによるイオン注入不良を防止できる。
【選択図】図1
Description
SOIウェーハの作製方法は、主として2つの作製方法が存在する。すなわち、酸化膜が形成された一枚の半導体ウェーハに、もう一枚の半導体ウェーハを貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成し、この貼り合わせウェーハを研削・研磨して、SOI層を形成する貼り合わせ法と、半導体ウェーハ表面に酸素イオンを注入して、酸化膜を形成するとともに、薄膜のSOI層を形成するSIMOX法とが挙げられる。上記貼り合わせ法には、半導体ウェーハの表面に水素イオンを注入し、SOI層を切り出すスマートカット法が含まれている。また、半導体ウェーハをイオン注入装置の外へ一旦取り出して洗浄し、再度、そのウェーハをイオン注入装置へ戻す技術も開示されている(特許文献1参照)。
例えば、スマートカット法によるSOIウェーハの作製時に、半導体ウェーハの表面にパーティクルが付着してしまう。そして、パーティクルが付着した状態で、半導体ウェーハの表面から水素イオンを注入する。すると、このパーティクルがマスクとなり、水素イオンの注入を妨げてしまう。これにより、半導体ウェーハ表面のパーティクルの直下部はイオンの未注入領域となる。この後、イオンの未注入領域が存在した状態で、半導体ウェーハを熱処理する。この結果、上記水素イオンの未注入領域のために、半導体ウェーハの一部が全面において完全に剥離することができないという問題が生じていた。
そのため、半導体ウェーハをイオン注入装置の外へ一旦取り出して洗浄し、再度、そのウェーハをイオン注入装置へ戻す手間が生じ、この手間がSOIウェーハ作製工程のスループットを低下させていた。
また、この発明は、半導体ウェーハをイオン注入装置の外へ一旦取り出して洗浄し、また、そのウェーハをイオン注入装置へ戻す手間を省くことにより、SOIウェーハ作製工程のスループットの向上を図る半導体ウェーハのイオン注入方法を提供することを目的とする。
また、イオン照射工程は、イオン注入工程で使用したイオン注入装置を用いて行うことができる。このため、パーティクルが表面に付着した半導体ウェーハをイオン注入装置から洗浄装置に移して洗浄し、再度、このウェーハをイオン注入装置に戻すという手間が省ける。
スマートカット法のイオン注入工程においては、半導体ウェーハの所定深さ位置にイオン注入層を形成するために、水素イオンが半導体ウェーハの表面から注入される。また、SIMOX法のイオン注入工程においては、所定厚さの酸化膜を形成するために、酸素イオンが半導体ウェーハの表面から注入される。
半導体ウェーハに元素イオンを注入するイオン注入装置は限定されない。半導体ウェーハに元素イオンを注入する注入加速度および注入量も限定されない。
また、半導体ウェーハに照射する元素イオンは限定されない。水素イオンでもよいし、酸素イオンでもよい。または、ヘリウムイオンでもよいし、アルゴンイオンでもよい。原子量の小さい元素イオンを照射すると、半導体ウェーハ内の結晶に転位が発生しない。
半導体ウェーハに注入する元素イオンと、半導体ウェーハに照射する元素イオンとは、同種の元素イオンでもよいし、または、異種の元素イオンでもよい。
上記イオン注入工程は複数回に分割した注入過程を有している。すなわち、目標とするドーズ量を複数回に分割する。そして、1回のイオン注入では、この分割したドーズ量の元素イオンを半導体ウェーハの表面から注入する。複数回に分割されたドーズ量は全て同じ量に分割しても良いし、異なっていても良い。イオン注入過程の回数も限定されない。
イオン照射の工程は、少なくとも最初の分割注入過程の後、または、最後の分割注入過程の後に実行してもよく、この照射の回数は限定されない。
また、イオン照射工程は、イオン注入工程と同じイオン注入装置によって行うことができる。このため、パーティクルが表面に付着した半導体ウェーハをイオン注入装置から洗浄装置に移して洗浄し、この後、このウェーハを再度イオン注入装置に戻すという手間が省ける。
さらに、最初のイオン注入過程後イオン照射を実行し、その後、次のイオン注入を行うことにより、次のイオン注入では未注入領域の発生を阻止することができる。つまり、2回目のイオン注入の前にイオン照射による表面クリーニングを行うことで、2回目のイオン注入での未注入領域の発生を完全に防止することができる。
まず、CZ法により育成され、ボロンがドーパントとされたシリコンインゴットからスライスした鏡面シリコンウェーハを2枚準備する。これらのシリコンウェーハを、一方を活性層用ウェーハとして、他方を支持用ウェーハとする。そして、活性層用ウェーハとなるシリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する。酸化膜の形成は、酸化炉内にシリコンウェーハを装入し、これを所定時間、所定温度に加熱することにより行われる。このとき、形成される酸化膜の厚さは150nmである。ここまでの工程は、一般的なスマートカット法のSOIウェーハの作製工程と同じである。
まず、図1(a)に示すように、酸化膜が形成された活性層用ウェーハを、例えば、SC−1洗浄液を用いてウェット洗浄する。次いで、この活性層用ウェーハをイオン注入装置の真空チャンバの中にセットする。
そして、図1(b)に示すように、活性層用ウェーハの表面から酸化膜を介して、まず目標ドーズ量の半分のドーズ量の水素イオンを注入する(第1の水素イオン注入過程)。この水素イオン注入時、その加速電圧は、50keV、ドーズ量は2.5E16atoms/cm2である。この結果、水素イオンは、活性層用ウェーハの表面から所定深さの位置まで注入され、この結果、活性層用ウェーハの所定深さ位置(シリコン基板中の所定深さ範囲)にイオン注入層が形成される。
次いで、図1(c)に示すように、同一のイオン注入装置を用いて、活性層用ウェーハ表面からアルゴンイオンを照射する。このとき、活性層用ウェーハ内に注入されるアルゴンイオンの最大の深さの位置が、上記酸化膜内になるように、アルゴンイオンを照射する。このとき、照射するイオンの加速電圧は5keVで、ドーズ量は5.0E15atoms/cm2である。この結果、アルゴンイオンが活性層用ウェーハ表面に付着したパーティクル(上記第1の注入過程で付着した異物)に衝突して、このパーティクルを活性層用ウェーハ表面から除去する。
この後、図1(d)に示すように、活性層用ウェーハの表面より酸化膜を介して残り半分のドーズ量の水素イオンを注入する(第2の水素イオン注入過程)。注入条件は上記第1の水素イオン注入過程と同じである。
上記実施例では、水素イオン注入工程を、第1のイオン注入過程と第2のイオン注入過程との2過程に分割して行ったが、これに限られず、3回以上の分割注入過程にて構成することもできる。
また、活性層用ウェーハに第1の過程で水素イオンを注入した後、アルゴンイオン照射を行い(表面のクリーニング)、この後、イオン注入装置のウェーハ設置角度を変えて、再び活性層用ウェーハに第2の水素イオン注入過程を実行することもできる。この場合、ウェーハ全面に均一にイオン注入層を形成することが容易となる。
最後に、図1(e)に示すように、SC−1洗浄液を用いて、この活性層用ウェーハをウェット洗浄する。そして、そのウェーハ表面から異物を除去する。
上述の工程を経て水素イオンが注入された活性層用ウェーハを、その表面(酸化膜表面)を貼り合わせ面として、支持用ウェーハの鏡面に貼り合わせる。この結果、貼り合わせ界面に所定厚さの酸化膜が介在された貼り合わせウェーハが形成される。このとき、イオン照射工程およびウェット洗浄工程により、貼り合わせ面からはパーティクルが除去されている。このため、パーティクルによるボイドと呼ばれる未結合部分が発生することはない。
そして、この貼り合わせウェーハを略500℃で熱処理する。すると、貼り合わせウェーハのイオン注入層においては水素ガスのバブルが形成される。そして、このバブルが形成されたイオン注入層を境界として、貼り合わせウェーハの一部(活性層用ウェーハの一部)が剥離する。この剥離される位置は、上記水素イオン注入層の深さ、すなわちイオン注入エネルギにより決定される。
この後、剥離されずに残った活性層用ウェーハ部分と支持用ウェーハとを強固に結合するための熱処理を行う。熱処理の条件は、酸化性ガス雰囲気中で1100℃以上、略2時間の条件で行う。
最後に、SOI層表面を研削し、この研削面を鏡面研磨してSOI層の薄膜化処理を行い、スマートカット法によるSOIウェーハを完成させる。
(1)水素イオン注入前に水素イオンの照射工程を行う(比較例)
(2)最初の水素イオンの注入過程後に水素イオンを照射する(本発明の実験例)
(3)イオン照射によるクリーニングを行わない場合(従来法)
について、パーティクル欠陥のクリーニング効果を確認した。この結果を以下の表に示す。
なお、表に示す欠陥率は、イオン照射工程を行った場合の半導体ウェーハ全面に存在するパーティクルの数を、イオン照射工程を行わない場合(従来法)の半導体ウェーハ全面に存在するパーティクルの数で徐した値である。
まず、CZ法により育成されたシリコンインゴットからスライスされたシリコンウェーハを準備する。このシリコンウェーハには公知のプロセスを経てその表面が鏡面化されている。
そして、図2(a)に示すように、このシリコンウェーハを、例えば、SC−1洗浄液を用いてウェット洗浄する。
次いで、シリコンウェーハをイオン注入装置の真空チャンバの中にセットする。そして、図2(b)に示すように、シリコンウェーハの表面から目標ドーズ量の半分の量の酸素イオンを注入する(第1の酸素イオン注入過程)。この酸素イオン注入での加速電圧は、200keV、ドーズ量は2.0E17atoms/cm2である。この結果、酸素イオンは、シリコンウェーハの所定深さ位置にまで注入される。
次いで、図2(c)に示すように、同じイオン注入装置を用いて、このシリコンウェーハにアルゴンイオンを照射する。このとき照射されるイオンの加速電圧は5keV、ドーズ量は5.0E15atoms/cm2である。これにより、上記酸素イオン注入過程でシリコンウェーハ表面に付着したパーティクルは、アルゴンイオンのイオン照射により、シリコンウェーハ表面から除去される。
この後、図2(d)に示すように、同じイオン注入装置内で、このシリコンウェーハに上記と同条件で、残り半分のドーズ量の酸素イオンの注入を行う(第2の酸素イオン注入過程)。
さらに、図2(e)に示すように、SC−1洗浄液を用いて、このシリコンウェーハをウェット洗浄する。
さらに、図2(f)に示すように、SIMOXアニールを行い、この後、一般のSIMOX法の工程に則りSOIウェーハの作製を完了させる。
Claims (4)
- 半導体ウェーハの表面から所定の元素イオンを注入して、この表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、
所定の元素イオンを半導体ウェーハの表面に照射して、この表面に付着した付着異物を除去するイオン照射工程とを含む半導体ウェーハのイオン注入方法。 - 上記イオン注入工程は複数の分割注入過程を有し、上記イオン照射工程は、少なくとも最初の分割注入過程の後、または、最後の分割注入過程の後に実行される請求項1に記載の半導体ウェーハのイオン注入方法。
- 上記半導体ウェーハの表面に酸化膜が形成され、上記イオン照射工程で半導体ウェーハに注入される元素イオンの最大の深さ位置が、半導体ウェーハ表面に形成された酸化膜内になるよう、元素イオンを半導体ウェーハの表面に照射する請求項1または請求項2に記載の半導体ウェーハのイオン注入方法。
- 上記イオン照射工程でイオン照射する元素イオンは、水素イオン、ヘリウムイオン、酸素イオンまたはアルゴンイオンのうちの少なくとも1つである請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体ウェーハのイオン注入方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003317458A JP2005086041A (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 半導体ウェーハのイオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003317458A JP2005086041A (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 半導体ウェーハのイオン注入方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005086041A true JP2005086041A (ja) | 2005-03-31 |
Family
ID=34417035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003317458A Pending JP2005086041A (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 半導体ウェーハのイオン注入方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005086041A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303089A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Sumco Corp | シリコン基板の洗浄方法 |
JP2010021299A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Sumco Corp | Simoxウェーハの製造方法 |
JP2013062499A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6127621A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-07 | Fujitsu Ltd | 結晶成長方法 |
JPS6246993A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜結晶成長装置 |
JPS6472522A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Apparatus for manufacturing semiconductor substrate |
JPH0661198A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | 薄膜素子の製造方法 |
JPH07320670A (ja) * | 1993-03-10 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置 |
JPH0878647A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Nippon Steel Corp | 埋め込み絶縁膜を有する半導体の製造方法 |
WO2001093334A1 (fr) * | 2000-05-30 | 2001-12-06 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de fabrication d'une plaquette collee et cette derniere |
JP2002012971A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Hitachi Ltd | イオン注入装置および成膜並びに洗浄方法 |
-
2003
- 2003-09-09 JP JP2003317458A patent/JP2005086041A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6127621A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-07 | Fujitsu Ltd | 結晶成長方法 |
JPS6246993A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜結晶成長装置 |
JPS6472522A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Apparatus for manufacturing semiconductor substrate |
JPH0661198A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | 薄膜素子の製造方法 |
JPH07320670A (ja) * | 1993-03-10 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置 |
JPH0878647A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Nippon Steel Corp | 埋め込み絶縁膜を有する半導体の製造方法 |
WO2001093334A1 (fr) * | 2000-05-30 | 2001-12-06 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de fabrication d'une plaquette collee et cette derniere |
JP2002012971A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Hitachi Ltd | イオン注入装置および成膜並びに洗浄方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303089A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Sumco Corp | シリコン基板の洗浄方法 |
JP2010021299A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Sumco Corp | Simoxウェーハの製造方法 |
JP2013062499A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6150239A (en) | Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate | |
US5877070A (en) | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate | |
US7148124B1 (en) | Method for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate preferably for making silicon-on-insulator wafers | |
JP3762144B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
JP4828230B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JPWO2005022610A1 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JPH07142567A (ja) | Soi膜厚制御法 | |
JP2005109447A (ja) | 応力を低減して層転位を介して緩和シリコン−ゲルマニウムを絶縁体上に作製する方法 | |
JP2007059704A (ja) | 貼合せ基板の製造方法及び貼合せ基板 | |
JP4419147B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP5261960B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP2008066500A (ja) | 貼り合わせウェーハおよびその製造方法 | |
JP4285244B2 (ja) | Soiウェーハの作製方法 | |
JP5194508B2 (ja) | Soiウエーハの製造方法 | |
JP2006303089A (ja) | シリコン基板の洗浄方法 | |
CN107146758B (zh) | 带有载流子俘获中心的衬底的制备方法 | |
JP2006202989A (ja) | Soiウエーハの製造方法及びsoiウェーハ | |
JP2006165061A (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JP2005086041A (ja) | 半導体ウェーハのイオン注入方法 | |
JP2008235495A (ja) | Soiウェーハ及びその製造方法 | |
JP2006165062A (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JP5703920B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP2010199338A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
KR20160013037A (ko) | 접합 웨이퍼의 제조방법 | |
JP3484961B2 (ja) | Soi基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060106 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20090716 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090724 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090908 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |