JP2005085973A - 切削装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表面に切削予定ラインが現れない被加工物を高精度でアライメントおよびカーフチェックすることが可能な切削装置を提供すること。
を提供すること。
【解決手段】 対向配置された第１の切削手段２０ａおよび第２の切削手段２０ｂと，被加工物１２を保持するチャックテーブル３０とを具備する切削装置が提供される。この切削装置において，上記第１の切削手段２０ａには，ミクロ可視光カメラ４０およびマクロ可視光カメラ４２が装着され，上記第２の切削手段２０ｂには，ミクロ赤外線カメラ５０およびマクロ赤外線カメラが装着されていることを特徴とする。かかる構成により，赤外線カメラ５０，５２によって被加工物１２の切削予定ラインのアライメントを行い，可視光カメラ４０，４２によって被加工物１２のカーフチェックを行うことができる。
【選択図】 図３

Description

本発明は，切削装置に係り，特に，被加工物を撮像する撮像手段を備えた切削装置に関する。

半導体ウェハ等の被加工物を精密にダイシング加工する切削装置としては，１つの切断手段を備えているものだけではなく，対向配置された２つの切削手段を備えたタイプの切削装置も知られている（例えば，特許文献１参照）。かかる切削装置においては，軸心が略同一の直線上に位置する２つのスピンドルにそれぞれ切削ブレードが装着されており，双方の切削ブレードを被加工物に対して同時に作用させることができる。これにより，被加工物の２つの切削予定ライン（ストリート）を同時に切削加工できるため，切削効率を向上させることができる。

このような切削装置によって半導体ウェハをダイシングする場合，一般的には，まず，半導体ウェハをその表面（回路パターンが形成されている面）を上向きにしてチャックテーブル上に載置し，次いで，例えば可視光カメラ等の撮像手段を備えたアライメント手段によって半導体ウェハの切削予定ライン（ストリート）をアライメントし，その後，切削ブレードによって上記切削予定ラインに沿って正確に切削加工している。

しかしながら，表面に切削予定ラインが現れない被加工物，例えば，半導体ウェハの回路側の面をプラスチック等の樹脂によって被覆した基板（具体的には，ＷＬ−ＣＳＰ［Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ］基板等）などでは，可視光カメラ等によって被加工物の内部にある切削予定ラインを撮像することはできない。

従って，かかる基板をアライメントする場合には，特許文献２に記載のように，基板の裏面を上向きにして載置した後，赤外線カメラを使用して，基板の裏面側から内部にある切削予定ラインを赤外線撮像して，アライメントすることが行われている。このとき，当該被加工物を裏面側から赤外線撮像するのは，赤外線は，ＷＬ−ＣＳＰ基板等の表面側に被覆された樹脂部分を透過できないが，裏面側の半導体（シリコン等）部分を透過できるからである。

ところで，ダイシング加工では，一般的に，被加工物を切削加工した後に，カーフ（切削溝）のチッピング状態を見るために，カーフチェックが行われる。このカーフチェックでは，切削予定ラインのアライメント時と同じカメラを使用することが一般的であるので，上記のようにアライメントを赤外線カメラで行った場合には，カーフチェックも赤外線カメラで行うことになる。しかしながら，ＷＬ−ＣＳＰ基板等の被加工物の裏面側から赤外線カメラでカーフチェックする場合，当該被加工物の表面側のカーフについては好適に撮像できるが，当該被加工物の裏面側のカーフについては，赤外線が当該被加工物を透過してしまうので，画像処理等して補正したとしても，精度の良い画像を得ることは難しかった。

かかる問題を解決するには，アライメント用の赤外線カメラ以外にも，ＷＬ−ＣＳＰ基板等の被加工物の裏面側のカーフチェックを行うために，可視光カメラを別途設置することが望ましい。また，同一の切削装置で，通常の半導体ウェハ等の被加工物を，その表面を上向きにして載置して，アライメントしたりカーフチェックしたりする場合にも，可視光カメラが必要なる。

しかしながら，上記従来の２つの切削手段を対向配置したタイプの切削装置では，いずれか一方の切削手段にのみ撮像手段が取り付けられているか，或いは，アライメント等の迅速化を図るべく双方の切削手段に同じ種類の撮像手段が取り付けられているか，のいずれかであった。このため，異なる種類の撮像手段（赤外線カメラと可視光カメラ等）を使用するには，撮像手段を交換して取り付け直さなければならないという問題があった。従って，かかる交換作業に手間や時間がかかり，半導体チップの生産性を低下させていた。

また，特許文献３に記載のように，１つの切削手段に１つの撮像手段を設置し，フィルタを切り替えることによって，当該撮像手段を赤外線カメラおよび可視光カメラとして機能せしめる構成も考えられる。しかしながら，かかる構成では，フィルタ切り替え機構が故障の原因になり易いという問題があった。

また，赤外線カメラおよび可視光カメラの双方をいずれか一方の切削手段に取り付ける構成も考えられる。しかしながら，かかる構成では，赤外線カメラおよび可視光カメラのそれぞれについてマクロ倍率とミクロ倍率のカメラが必要となることを考えると，４つものカメラを１つの切削手段に取り付けなければならない。このため，切削手段が大きく重くなるため，その移動負荷が過大になるとともに，移動範囲が制限されてしまうという問題があった。

特開平１１−２６４０２号公報 特開平６−２３２２５５号公報 特開平１０−３１２９７９号公報

そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，表面に切削予定ラインが現れない被加工物の切削加工時に，撮像手段を交換したり，切削装置に不都合を生じさせたりすることなく，当該被加工物を高精度でアライメントおよびカーフチェックすることが可能な，新規かつ改良された切削装置を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，第１のスピンドルと第１のスピンドルの一端部に装着された第１の切削ブレードとを有する第１の切削手段と，第２のスピンドルと第２のスピンドルの一端部に装着された第２の切削ブレードとを有する第２の切削手段と，被加工物を保持するチャックテーブルとを具備し，第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとが対向するように第１の切削手段および第２の切削手段が配設された切削装置が提供される。この切削装置において，上記第１の切削手段には可視光撮像手段が装着され，上記第２の切削手段には赤外線撮像手段が装着されていることを特徴とする。

かかる構成により，ＷＬ−ＣＳＰ基板などのように切削予定ライン（ストリート）が表面に現れない被加工物を切削加工する場合に，切削加工前には，第２の切削手段に設けられた赤外線撮像手段によって，当該被加工物内部にある１又は２以上の切削予定ラインを撮像することができる。これにより，第１及び第２の切削ブレードと各切削予定ラインとの位置合わせであるアライメントを高精度で実行できる。このため，切削加工時には，第１及び第２の切削ブレードによって，上記アライメントされた２つの切削予定ラインに沿って当該被加工物を高精度で切削加工してカーフを形成できる。また，切削加工後には，第１の切削手段に設けられた可視光撮像手段によって，当該被加工物の上面側（撮像手段側）のカーフを好適に撮像できるので，カーフチェックを高精度で行うことができる。また，赤外線撮像手段によって，当該被加工物の下面側（撮像手段と反対側）のカーフを好適に撮像することもできる。

一方，一般的な半導体ウェハなどのように切削予定ラインが表面に現れている被加工物を切削加工する場合には，第１の切削手段に設けられた可視光撮像手段によって，切削加工前の当該被加工物表面の切削予定ラインを撮像してアライメントできるとともに，切削加工後の当該被加工物表面側のカーフを撮像してチェックすることができる。

また，可視光撮像手段と赤外線撮像手段を設けることにより，撮像手段の交換作業をしなくて済むので，生産性を向上させることができる。加えて，故障しやすいフィルタ切り替え機構を設ける必要がない。

さらに，可視光撮像手段を第１の切削手段に設置し，赤外線撮像手段を第２の切削手段にそれぞれ設置することにより，双方の切削手段に設置される撮像手段の重さ，大きさを略均等にできる。このため，いずれか一方の切削手段が過度に大きく重くなることを回避できるので，切削手段の移動負荷が過大になったり，移動範囲が制限されたりする切削装置の不具合を防止できる。

また，上記可視光撮像手段は，ミクロ倍率に設定された可視光カメラと，マクロ倍率に設定された可視光カメラとからなるように構成してもよい。さらに，上記赤外線撮像手段は，ミクロ倍率に設定された赤外線カメラと，マクロ倍率に設定された赤外線カメラとからなるように構成してもよい。このように，可視光撮像手段と赤外線撮像手段とを，それぞれ，ミクロ倍率に設定されたカメラと，マクロ倍率に設定されたカメラとから構成することにより，１つのカメラで倍率を切り替えるように構成した場合と比して，各カメラの倍率の精度を保つことができる。従って，アライメント時におけるアライメント精度を向上させることができる。また，ミクロ倍率に設定されたカメラによって，詳細なカーフチェックが可能になる。さらに，ミクロ倍率およびマクロ倍率に設定された２つの可視光カメラを第１の切削手段に設置し，ミクロ倍率およびマクロ倍率に設定された２つの赤外線カメラを第２の切削手段に設置することができるので，双方の切削手段に設置されるカメラの設置数，重さ，大きさを略均等にして，上記のような切削装置の不具合を防止できる。

また，上記ミクロ倍率に設定された可視光カメラは，マクロ倍率に設定された可視光カメラよりも第１の切削ブレードの近傍に設けることが好ましい。また，上記ミクロ倍率に設定された赤外線カメラは，マクロ倍率に設定された赤外線カメラよりも第２の切削ブレードの近傍に設けることが好ましい。かかる構成により，ミクロ倍率に設定されたカメラを切削ブレードにより近い位置に配設できるため，ミクロ倍率に設定されたカメラによって切削ブレードと略同一の視点からアライメントできるので，アライメント精度を向上させることができる。

また，上記可視光撮像手段は，前記第１の切削手段の切削方向前方側に装着され，上記赤外線撮像手段は，前記第２の切削手段の切削方向前方側に装着されているように構成してもよい。かかる構成により，切削加工時に切削方向後方に向かって飛散する切削水や切削屑によって，可視光撮像手段および赤外線撮像手段が汚染することを防止できる。

また，上記被加工物は，切削予定ラインが表面に現れていない基板，例えばＷＬ−ＣＳＰ基板であるように構成してもよい。かかる構成により，上記可視光撮像手段および赤外線撮像手段を使い分けて，かかるＷＬ−ＣＳＰ基板のアライメントおよびカーフチェックを高精度で実行できる。

以上説明したように本発明によれば，表面に切削予定ラインが現れない被加工物を切削加工する場合であっても，撮像手段を交換したり，切削装置に不都合を生じさせたりすることなく，可視光撮像手段と赤外線撮像手段とを使い分けて，当該被加工物を高精度でアライメントおよびカーフチェックすることができる。このため，当該被加工物の切削予定ラインを正確に切削するとともに，切削加工状態を的確に確認することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１の実施形態）
まず，図１に基づいて，本発明の第１の実施形態にかかる切削装置として構成されたダイシング装置の全体構成について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるダイシング装置を示す斜視図である。

図１に示すように，ダイシング装置１０は，例えば，対向配置された第１の切削ユニット２０ａおよび第２の切削ユニット２０ｂと，ＷＬ−ＣＳＰ基板１２などの被加工物を保持するチャックテーブル３０と，制御装置３２と，表示装置３４と，操作部３６と，切削ユニット移動機構（図示せず。）と，チャックテーブル移動機構（図示せず。）と，を備える。このように，ダイシング装置１０は，例えば，２つの切削ユニット２０ａ，２０ｂを具備するいわゆる対面型のデュアルダイサーとして構成されている。

本実施形態では，このダイシング装置１０が切削加工する被加工物として，例えばＷＬ−ＣＳＰ基板１２の例を挙げて説明する。このＷＬ−ＣＳＰ基板１２は，例えば，半導体ウェハの表面に半導体デバイスであるＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）を縦横に等間隔に形成した後，このＣＳＰが形成された側の面をプラスチック等の樹脂によって被覆した例えば略矩形状を有する基板である。なお，ＣＳＰは，ボール状の端子が裏面から突出した配線基板の表面に，１または２以上の半導体チップを積層してボンディングし，さらにこれらのチップ全体を樹脂でモールドした半導体デバイスである。このようなＷＬ−ＣＳＰ基板１２（以下では，単に「基板１２」という。）は，ＣＳＰの形成された面上に樹脂が被覆されているため，ＣＳＰ間の切削予定ラインが基板１２の表面に現れていない。このため，可視光カメラ等によっては，基板１２の切削予定ラインを検出することはできない。

以下に，上記ダイシング装置１０の各部について詳細に説明する。

第１の切削ユニット２０ａは，本実施形態にかかる第１の切削手段として構成されている。この第１の切削ユニット２０ａは，図２に示すように，例えば，切削ブレード２２ａと，フランジ２３ａと，スピンドル２４ａと，スピンドルハウジング２６ａと，切削水供給ノズル２７ａと，ホイルカバー２８ａと，ミクロ倍率に設定された可視光カメラ４０と，マクロ倍率に設定された可視光カメラ４２とを備える。

切削ブレード２２ａは，本実施形態にかかる第１の切削ブレードとして構成されており，略リング形状を有する極薄の切削砥石である。この切削ブレード２２ａは，フランジ２３ａによって両側から挟持されてスピンドル２４ａの一端部に装着される。スピンドル２４ａは，本実施形態にかかる第１のスピンドルとして構成されており，一端部に切削ブレード２２が装着され，他端部でスピンドルモータＭ１と連結されている。このスピンドル２４ａは，例えば，Ｙ軸方向に延びるように配設されており，スピンドルモータＭ１が発生した回転駆動力によって切削ブレード２４を高速回転させることができる。スピンドルハウジング２６ａは，スピンドル２４ａを回転可能に支持する。切削水供給ノズル２７ａは，加工点に切削水を供給して冷却する。ホイルカバー２８ａは，切削ブレード２２ａの外周を覆って切削水や切り屑などの飛散を防止する。

かかる構成の第１の切削ユニット２０ａは，切削ブレード２２ａを高速回転させながら基板１２に切り込ませることにより，基板１２を切削予定ラインに沿って切削（切断を含む。）して，極薄のカーフ（切溝）を形成することができる。なお，この切削予定ラインは，例えば，隣接するＣＳＰの間において，基板１２の縦方向（Ｘ軸方向）および横方向（Ｙ軸方向）にそれぞれ略平行に複数配されており，切削予定ライン全体としては，基板１２に略格子状の切削領域を形成している。

また，この第１の切削ユニット２０ａには，本実施形態にかかる可視光撮像手段として，ミクロ倍率に設定された可視光カメラ４０と，マクロ倍率に設定された可視光カメラ４２とが設けられているが，詳細については後述する。

一方，第２の切削ユニット２０ｂは，本実施形態にかかる第２の切削手段として構成されている。この第２の切削ユニット２０ａは，上記第１の切削ユニット２０ａと略同一の機能構成を有するので，その詳細説明は省略する。また，かかる第２の切削ユニット２０ｂには，本実施形態にかかる赤外線撮像手段として，ミクロ倍率に設定された赤外線カメラと，マクロ倍率に設定された赤外線カメラとが設けられているが，詳細については後述する。

切削ユニット移動機構は，例えば，電動モータなどから構成され，第１の切削ユニット２０ａおよび第２の切削ユニット２０ｂを例えばＹ軸およびＺ軸方向に同時若しくは個別に移動させることができる。この切削ユニット移動機構が切削ユニット２０ａ，２０ｂをＺ軸方向に移動させることにより，基板１２に対する切削ブレード２２ａ，２２ｂの切り込み深さを調整することができる。また，この切削ユニット移動機構３０が切削ユニット２０ａ，２０ｂをＹ軸方向に移動させることにより，例えば，基板１２の切削予定ラインに切削ブレード２２ａ，２２ｂの刃先位置を合わせたり，切削予定ライン若しくはカーフ上に可視光カメラや赤外線カメラを配置したりすることができる。

チャックテーブル３０は，例えば，真空チャック等を備えた略円盤状のテーブルであり，その上部に載置された被加工物を保持する。このチャックテーブル３０は，例えば，ウェハテープ１４を介してフレーム１６に支持された状態の基板１２を，真空吸着して保持することができる。

チャックテーブル移動機構は，例えば，電動モータなどから構成され，チャックテーブル３０をＸ軸およびＹ軸方向に移動させたり，回転させたりすることができる。これにより，切削加工前のアライメント時や切削加工後のカーフチェック時には，チャックテーブル３０上に保持された基板１２を，可視光カメラや赤外線カメラの下方に移動させることができる。また，切削加工中には，基板１２の表面に例えば２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂを切り込ませた状態で，当該基板１２を切削ユニット２０ａ，２０ｂに対して切削方向（Ｘ軸方向）に平行移動させることができる。

制御装置３２は，例えばダイシング装置１０の内部に配設されており，例えば，ＣＰＵ等で構成された演算処理装置と，ＲＯＭ，ＲＡＭ，ハードディスク等で構成され，各種のデータやプログラムを記憶する記憶部と，を備える。この制御装置３２は，オペレータの入力や予め設定されたプログラム等に基づいて，上記各部の動作を制御する機能を有する。また，この制御装置３２は，赤外線カメラ等による撮像画像をアライメント用にパターンマッチング処理したり，可視光カメラ等による撮像画像をカーフチェック用に画像処理して表示装置３４に表示させたりする画像処理手段（図示せず。）として機能する。さらに，制御装置３２は，後述するアライメント情報の作成・記録処理や，ターゲットの基準パターンの登録処理などを実行するデータ処理手段（図示せず。）としても機能する。

表示装置３４は，例えば，ＣＲＴやＬＣＤ等で構成されたモニタであり，上記制御装置３２によって画像処理された画像を表示することができる。また，操作部３６は，各種のスイッチ，ボタン，タッチパネル，キーボード等の入力装置などで構成され，オペレータによるダイシング装置１０の各部に対する指示が入力される部分である。例えば，オペレータは，この操作部３６を操作することにより，基板１２の撮像動作を行う撮像手段を可視光カメラまたは赤外線カメラのいずれかに切り替えることができる。

以上のような構成のダイシング装置１０は，高速回転させた切削ブレード２２ａ，２２ｂを基板１２に所定の切り込み深さで切り込ませながら，第１および第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂとチャックテーブル３０とを例えばＸ軸方向に相対移動させることができる。これにより，基板１２上の２つの切削予定ラインを同一ストロークで同時に切削加工することができる。かかる切削加工を同一方向の全ての切削予定ラインについて繰り返した後に，基板１２を例えば９０°回転させ，新たにＸ軸方向に配された全ての切削予定ラインについて同様の切削加工を繰り返すことにより，基板１２をダイシング加工して，複数のＣＳＰチップに分割することができる。

次に，図３に基づいて，本実施形態にかかる第１および第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂに設けられた撮像手段について説明する。なお，図３は，本実施形態にかかる第１および第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂと，チャックテーブル３０上のＷＬ−ＣＳＰ基板１２とを示す正面図である。

図３に示すように，第１の切削ユニット２０ａと第２の切削ユニット２０ｂは，切削ブレード２２ａの側面と切削ブレード２２ｂの側面とが対面するように，対向して配設されている。このとき，両切削ユニット２０ａ，２０ｂのスピンドル２４ａ，２４ｂの軸心が，例えば略同一直線上に位置するように，配置調整されている。

一方，基板１２は，例えば，裏面１２ｂを上向きにした状態で，ウェハテープ１４を介してチャックテーブル３０に保持されている。上述したように，基板１２は，ＣＳＰが形成された表面１２ａ側に樹脂が被覆されているため，切削予定ラインが樹脂の内側に隠れてしまっており，外部からは確認できない。よって，後述する赤外線カメラ５０，５２によって基板１２内部の切削予定ラインを上方から撮像可能とするべく，赤外線を透過しない表面１２ａ側の樹脂部分ではなく，赤外線を透過する裏面１２ｂ側の半導体（シリコン等）部分が上側（カメラ側）になるように，基板１２は裏面１２ｂを上向きにしてチャックテーブル３０上に載置されている。

また，上記第１の切削ユニット２０ａの例えばスピンドルハウジング２６ａには，可視光撮像装置として，ミクロ倍率に設定された可視光カメラ４０（以下では「ミクロ可視光カメラ４０」という。）と，マクロ倍率に設定された可視光カメラ４２（以下では「マクロ可視光カメラ４２」という。）とが，例えば，スピンドル２４ａの軸方向（Ｙ軸方向）に並ぶように設置されている。このミクロ可視光カメラ４０およびマクロ可視光カメラ４２は，それぞれ，例えば，顕微鏡とＣＣＤカメラなどで構成されており，基板１２を可視光によって撮像することができる。

具体的には，ミクロ可視光カメラ４０は，撮像倍率がミクロ倍率（例えば１．５〜７．５倍）に設定されており，例えば，切削加工後の基板１２における裏面１２ｂ側（上面側）のカーフを拡大して撮像することができる。これにより，ミクロ可視光カメラ４０は，例えば，撮像した裏面１２ｂ側の各カーフについてのカーフチェック用の画像を，制御装置３２に出力することができる。なお，被加工物が通常の半導体ウェハ等のように切削予定ラインが表面に現れている基板（図示せず。）である場合には，ミクロ可視光カメラ４０は，切削加工前の当該基板の表面のミクロターゲット（詳細は後述する。）を撮像して，切削予定ラインごとの詳細なアライメント用の画像を出力することもできる。

また，マクロ可視光カメラ４２は，撮像倍率がマクロ倍率（例えば０．７５倍）に設定されており，例えば，基板１２の裏面１２ａ全体を撮像することができる。また，被加工物が上記切削予定ラインが表面に現れている基板である場合には，マクロ可視光カメラ４２は，切削加工前の当該基板の表面全体におけるマクロターゲット（詳細は後述する。）を撮像して，ラフアライメント用の画像を制御装置３２に出力することができる。

一方，上記第２の切削ユニット２０ｂの例えばスピンドルハウジング２６ｂには，赤外線撮像装置として，ミクロ倍率に設定された赤外線カメラ５０（以下では「ミクロ赤外線カメラ５０」という。）と，マクロ倍率に設定された赤外線カメラ５２（以下では「マクロ赤外線カメラ５２」という。）とが，例えば，スピンドル２４ｂの軸方向に並ぶように設置されている。このミクロ赤外線カメラ５０およびマクロ赤外線カメラ５２は，それぞれ，例えば，顕微鏡とＣＣＤカメラなどで構成されており，基板１２を赤外線（赤外光）によって撮像することができる。このミクロ赤外線カメラ５０およびマクロ赤外線カメラ５２は，例えば，基板１２のターゲットを撮像する機能を有する。

このターゲットとは，基板１２の表面１２ａ（回路面）における特徴的なパターン形状のことであり，アライメントの対象となる部分である。このターゲットは，マクロターゲットと，ミクロターゲットがある。マクロターゲットは，例えば，基板１２の表面１２ａ全体におけるパターン形状である。一方，ミクロターゲットは，基板１２の表面１２ａ上の部分的なパターン形状であり，例えば，基板１２の表面１２ａ上の半導体デバイスおよびその周辺のパターン形状のみならず，基板１２の縁部や角部等の形状なども含む。このミクロターゲットは，各切削予定ラインの位置および傾きを検出するために，各切削予定ラインの例えば両端部付近にそれぞれ定められる。なお，ミクロターゲットは，対応する切削予定ラインから所定距離だけ離れたパターン形状であることが一般的であるが，例えば，切削予定ライン上に位置するパターン形状であってもよい。

ミクロ赤外線カメラ５０は，撮像倍率がミクロ倍率（例えば１．５〜７．５倍）に設定されており，例えば，基板１２の裏面１２ｂ側の半導体部分を透過可能な赤外線を利用して，切削加工前の基板１２の表面１２ａ上のミクロターゲットを拡大して撮像することができる。これにより，ミクロ赤外線カメラ５０は，例えば，撮像したミクロターゲットの画像を，切削予定ラインごとの詳細なアライメント用の画像として，制御装置３２に出力することができる。また，このミクロ赤外線カメラ５０は，上記半導体部分を透過する赤外線を利用して，切削加工後の基板１２における表面１２ａ側（下面側）のカーフを拡大して撮像して，この表面１２ａ側の各カーフについてのカーフチェック用の画像を制御装置３２に出力することもできる。

また，マクロ赤外線カメラ５２は，撮像倍率がマクロ倍率（例えば０．７５倍）に設定されており，例えば，上記半導体部分を透過する赤外光を利用して，切削加工前の基板１２全体におけるマクロターゲットを撮像し，かかる撮像画像をラフアライメント用の画像として制御装置３２に出力することができる。

以上のように，本実施形態にかかるダイシング装置１０の第１の切削ユニット２０ａには，被加工物の上面側（カメラ側）の面を可視光撮像可能な可視光カメラ４０，５０が設置されており，一方，第２の切削ユニット２０ｂには，被加工物の内部および下面側（カメラと反対側）を赤外線撮像可能な赤外線カメラ５０，５２が設置されている。このため，切削予定ラインが表面に現れていない基板（ＷＬ−ＣＳＰ基板１２等）などが被加工物であっても，切削加工前には，赤外線カメラ５０，５２などによって基板１２内部に隠れている切削予定ラインを好適に撮像してアライメントできるとともに，切削加工後には，マクロ可視光カメラ４０などによって基板１２の上面側にあるカーフを好適に撮像して，高精度でカーフチェックできる。

また，切削予定ラインが表面に現れている基板（通常の半導体ウェハなど）が被加工物である場合には，当該基板を回路面（表面）が上向きになるようにチャックテーブル３０上に載置して，マクロ可視光カメラ４２によって当該基板全体のラフアライメントしたり，ミクロ可視光カメラ４０によって切削予定ラインごとに詳細にアライメントしたりすることができる。従って，ダイシング装置１０は，アライメント用カメラを，被加工物の種類に応じて可視光カメラ４０，４２または赤外線カメラ５０，５２のいずれかに切り替えることができるので，多様な種類の被加工物に対応することができる。

また，可視光カメラ４０，４２および赤外線カメラ５０，５２の双方が設置されており，オペレータによる上記操作部３６の操作に基づいて若しくは自動で，可視光撮像と赤外線撮像とを切り替えることができる。このため，アライメントとカーフチェックなどで異なる種類のカメラを使用する場合であっても，従来のようにカメラの交換作業を行う必要がなく，交換作業の手間や時間を省略できる。また，上記特許文献３に記載のように，同一のカメラ内において，スライドするフィルタによって赤外線撮像と可視光撮像とを切り替える機構を設けなくてもよいので，かかるフィルタ切り替え機構等の故障が原因で，ダイシング装置１０に不都合が生じることがない。

また，撮像倍率が異なる２つのカメラ（ミクロ可視光カメラ４０とマクロ可視光カメラ４２，並びにミクロ赤外線カメラ５０とマクロ赤外線カメラ５２）を設置することにより，ラフアライメント後に，詳細なアライメントを実行できる。このため，例えば，赤外線カメラ４０，４２によって上記切削予定ラインが表面に現れていない基板をアライメントする時や，可視光カメラ５０，５２によって上記切削予定ラインが表面に現れている基板をアライメントする際の，アライメント精度を向上させることができる。

また，第１の切削ユニット２０ａに可視光カメラ４０，４２を設け，第２の切削ユニット２０ａに赤外線カメラ５０，５２を設置することにより，例えば４つのカメラを２つの切削ユニット２０ａ，２０ｂに例えば２つずつ分散して配設できる。これにより，双方の切削ユニット２０ａ，２０ｂの大きさおよび重量をある程度小さくできるので，いずれか一方の切削ユニットの移動負荷が過大になったり，移動範囲が制限されたりすることを回避して，ダイシング装置１０の不都合を防止できる。

さらに，上記のように４つのカメラを分散して配設することにより，４つのカメラをいずれか一方の切削ユニットに集中して配置する場合と比して，全てのカメラ４０，４２，５０，５２を切削ブレード２２ａ，２２ｂに近い位置に配置できる。従って，切削ブレード２２ａ，２２ｂの有効範囲（基板１２を切削可能な範囲）と，全てのカメラ４０，４２，５０，５２の有効範囲（基板１２を撮像可能な範囲）とを，大部分で重畳させることができる。よって，基板１２上において，切削加工できるが撮像できない領域や，撮像できるが切削加工できない領域を，極力小さくすることができる。また，カメラと切削ブレードとが離隔して配置されている場合と比して，チャックテーブル３０及び／又は切削ユニット２０ａ，２０ｂのＹ軸方向の最大ストロークを小さくしても，基板１２上の全ての領域が撮像可能となる。

なお，全てのカメラを切削ブレードの極力近傍に配設するという観点からすれば，第１及び第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂの両側に１つずつカメラを配設する構成も考えられるが，かかる構成では，切削加工中に，切削方向後方に位置するカメラが切削水や切り屑によって汚染してしまうため好ましくない。

これに対し，本実施形態では，可視光カメラ４０，４２および赤外線カメラ５０，５２は，例えば，第１および第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂの一側にのみ配設されている。即ち，これらのカメラ４０，４２，５０，５２は，スピンドルハウジング２６ａ，２６ｂの切削方向前方（Ｘ軸正方向）側の側面に，それぞれ装着されている。このため，切削加工時に，切削方向後方（Ｘ軸負方向）側に主に飛散する切削水や切り屑によって，可視光カメラ４０，４２および赤外線カメラ５０，５２が汚染することを防止できる。

また，ミクロ可視光カメラ４０は，マクロ可視光カメラ４２よりも切削ブレード２２ａに近い位置に装着されているとともに，ミクロ赤外線カメラ５０は，マクロ赤外線カメラ５２よりも切削ブレード２２ｂに近い位置に装着されている。このように，ミクロ可視光カメラ４０およびミクロ赤外線カメラ５０を切削ブレード２２ａ，２２ｂの近傍に配置することにより，ミクロ赤外線カメラ４０による基板１２のアライメント時や，ミクロ可視光カメラ５０による通常の半導体ウェハのアライメント時における，アライメント精度を向上させることができる。

次に，図４および図５に基づいて，上記のような本実施形態にかかるダイシング装置１０を用いたダイシング方法について詳細に説明する。なお，図４は，本実施形態にかかるダイシング装置１０におけるダイシング方法を示すフローチャートである。また，図５Ａ〜Ｃは，本実施形態にかかるダイシング装置１０におけるダイシング方法の各工程を説明するための工程図である。

図４に示すように，まず，ステップＳ１００およびＳ１０２のティーチ工程において，マスター基板の撮像画像に基づいて，ターゲットの基準パターン形状が登録され，切削予定ラインの位置が決定される。

より詳細には，まず，ステップＳ１００では，マクロ赤外線カメラ５２を用いてマクロターゲットが登録される。（ステップＳ１００）。具体的には，まず，例えば，加工対象である基板１２の基本データ（基板の種類，大きさ，厚さ，切削予定ライン間隔等）がオペレータによって入力される。次いで，例えば，基板１２のマスター基板の全体のパターン形状をマクロ赤外線カメラ５２によって撮像し，このマスター基板のマクロターゲットの基準パターン形状を，制御装置３２の記憶部に記憶して登録する。

次いで，ステップＳ１０２では，ミクロ赤外線カメラ５０を用いて各切削予定ラインのミクロターゲットが登録され，各切削予定ラインのストリートアジャストがなされる。（ステップＳ１０２）。具体的には，まず，例えば，基板１２のマスター基板上にある１つの切削予定ラインの例えば両端部付近にあるミクロターゲットを，赤外線カメラ５２によってそれぞれ撮像し，このミクロターゲットの基準パターン形状を，制御装置３２の記憶部に記憶して登録する。

さらに，撮像されたミクロターゲットに対応する切削予定ラインについて，ストリートアジャスト（位置決め）がなされる。即ち，実際に切削加工するのは，例えば，このミクロターゲット上ではなく，このミクロターゲットから所定距離離れた切削予定ラインである。このため，制御装置３２は，上記基本データおよび上記撮像したミクロターゲットの位置情報に基づいて所定の演算を行い，対応する切削予定ラインの位置を決定する。

このような，ミクロターゲットの登録およびストリートアジャストは，例えば，チャンネル内の全ての切削予定ラインについて繰り返される。このチャンネルとは，所定方向の全ての切削予定ラインのことであり，例えば，Ｘ軸方向（例えば基板１２の短手方向）のチャンネルであればＸ軸方向の全ての切削予定ラインを表し，一方，Ｙ軸方向（例えば基板１２の長手方向）のチャンネルであればＹ軸方向の全ての切削予定ラインを表す。なお，基板１２を縦横に切断して略矩形状のチップに分割するためには，２チャンネルが必要となる。

次に，ステップＳ１０４およびＳ１０６のアライメント工程において，赤外線カメラ５０，５２を用いて，切削ブレード２２ａ，２２ｂと，実際に切削加工される基板１２の各切削予定ラインとの位置合わせ（即ち，アライメント）を行う。

より詳細には，まず，ステップＳ１０４では，マクロ赤外線カメラ５２によって基板１２全体がラフアライメントされる（ステップＳ１０４）。本ステップでは，次のステップＳ１０６における切削予定ラインごとの詳細なアライメントに先立ち，基板１２全体の大まかなアライメント（ラフアライメント）がなされる。このラフアライメントでは，まず，例えば第２の切削ユニット２０ｂに装着されているマクロ赤外線カメラ５２によって，基板１２全体のパターン形状をマクロターゲットとして撮像する。次いで，制御装置３２の画像処理手段によって，撮像されたマクロターゲットと，上記ステップＳ１００で登録されているマクロターゲットの基準パターンとを比較して，パターンマッチング処理等を行う。これにより，チャックテーブル３０上に載置されている基板１２の概略的な傾斜角度と位置とをアライメントして，かかる情報を記憶部に記憶することができる。

次いで，ステップＳ１０６では，図５Ａに示すように，ミクロ赤外線カメラ５０によって各切削予定ラインが詳細にアライメントされる（ステップＳ１０６）。具体的には，まず，上記第２の切削ユニット２０ｂ及び／又はチャックテーブル３０を，Ｘ軸及び／又はＹ軸方向に移動させることにより，図５Ａの二点鎖線で示すように，ミクロ赤外線カメラ５０を切削予定ラインＬの一端部付近のミクロターゲットＴ上に配置する。次いで，ミクロ赤外線カメラ５０によってミクロターゲットＴを撮像する。さらに，制御装置３２の画像処理手段によって，撮像されたミクロターゲットＴの画像と，上記ステップＳ１０２で登録されているミクロターゲットＴの基準パターンとを比較して，パターンマッチング処理を行う。これにより，実際に切削加工される基板１２上でのミクロターゲットＴの座標位置を検出できる。

その後，例えばチャックテーブル３０をＸ軸正方向に移動させることにより，ミクロ赤外線カメラ５０を，切削予定ラインＬに沿って基板１２をＸ軸方向に横切るように相対移動させる。これにより，図５Ａの実線で示すように，ミクロ赤外線カメラ５０を切削予定ラインＬの他端部付近にあるミクロターゲットＴ’の直上に配置する。次いで，ミクロ赤外線カメラ５０によってミクロターゲットＴ’を撮像し，上記と同様にしてミクロターゲットＴ’の座標位置を検出する。

さらに，制御装置３２のデータ処理手段は，このように検出した切削予定ラインＬの両端部付近のミクロターゲットＴ，Ｔ’の座標位置を比較して，当該切削予定ラインＬの，調整角度θおよび調整Ｙ座標値などを算出する。この調整角度θは，切削予定ラインＬと切削方向（Ｘ軸方向）とのなす角度であり，この角度が大きいほど切削予定ラインＬの平行精度が悪いことを意味する。また，調整Ｙ座標値は，上記調整角度θだけチャックテーブル３０を回転させたときの当該切削予定ラインＬのＹ座標値である。その後，制御装置３２のデータ処理手段は，算出した調整角度θおよび調整Ｙ座標値を切削予定ラインＬについてのアライメント情報として，例えば制御装置３２の記憶部に記憶する。このように記憶されたアライメント情報は，当該切削予定ラインＬの切削時に随時読み出され，切削ブレード２２ａ，２２ｂと当該切削予定ラインＬとの位置合わせの基準となる。

以上のようにして１つの切削予定ラインＬのアライメントが完了する。その後は，上記と同様にして，同一チャネル内の例えば全ての切削予定ラインＬについてアライメントを繰り返す。なお，かかる切削予定ラインＬごとのアライメントは，例えば，基板１２の加工精度が良い場合には，１つの切削予定ラインＬについてのみ行えば良いが，基板１２加工精度が悪いため同一チャンネルの切削予定ラインＬの平行精度が低い場合には，全ての切削予定ラインＬ若しくは何本かおき複数の切削予定ラインＬについて行う必要がある。

その後，チャックテーブル３０を例えば９０°回転させて，上記アライメントしたチャネル（例えばＸ軸方向）と直交するチャンネル（例えばＹ軸方向）内の例えば全ての切削予定ラインＬについても，同様にアライメントされる。

次に，ステップＳ１０８のカット工程において，図５Ｂに示すように，基板１２が２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂによって切削加工される（ステップＳ１０８）。

より詳細には，まず，制御装置３２が，記憶部に記憶されている上記基本データ等に基づいて，第１の切削ユニット２０ａの切削ブレード２２ａと，第２の切削ユニット２０ｂの切削ブレード２２ｂとが切削する切削予定ラインＬを振り分ける。次いで，例えば，切削ブレード２２ａと切削ブレード２２ｂとを，両者が接触しない範囲内でできる限り接近させて，基板１２の中央部に位置する２つの切削予定ラインＬを切削可能なＹ軸方向の位置にそれぞれ配置する。次いで，第１の切削ユニット２０ａ及び第２の切削ユニット２０ｂを下降させて，高速回転する切削ブレード２２ａ，２２ｂを基板１２に対して所定の切り込み深さで切り込ませながら，チャックテーブル３０をＸ軸方向に移動させる。これにより，上記基板１２の中央部に位置する２つの切削予定ラインＬをＸ軸方向に同時に切削加工して，カーフ（切削溝）６０を形成することができる。即ち，この２つの切削予定ラインＬは，同一のストロークで同時に切削される。

さらに，第１の切削ユニット２０ａと第２の切削ユニット２０ｂとを，両者が中央部から離隔するようにＹ軸方向に切削予定ラインＬ間隔だけ割り出し送りして，切削ブレード２２ａ，２２ｂを次の２つの切削予定ラインＬを切削可能なＹ軸方向の位置に配置した後，チャックテーブル３０をＸ軸方向に移動させて，当該２つの切削予定ラインＬをＸ軸方向に同一のストロークで切削する。かかる切削加工を，同一チャンネル内の切削予定ラインＬについて繰り返すことにより，２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂによって，同時に２つの切削予定ラインＬが順次切削され，カーフ６０が形成されていく。なお，順次割り出し送りされる間隔よりも，切削ブレード２２ａと切削ブレード２２ｂとが最も接近できる間隔が広い場合には，切削されない領域の切削予定ラインＬについては，いずれか一方の切削ブレード２２ａまたは２２ｂによって切削するようにすればよい。

このようにして，同一方向のチャンネル内の全ての切削予定ラインＬについての切削加工が終了した後には，チャックテーブル３０を例えば９０°回転させて，異なるチャンネル内の全ての切削予定ラインＬについて上記と同様に切削加工を行う。この結果，基板１２が例えば格子状にダイシングされ，複数のＣＳＰチップに分割される。

上記のような，切削予定ラインＬに沿った切削加工では，制御装置３２は，各切削予定ラインＬに対応するストリートアジャスト情報およびアライメント情報などを順次読み出して，これらの情報を切削ブレード２２ａ，２２ｂと切削予定ラインＬとの位置合わせに利用する。即ち，制御装置３２は，切削加工の対象となっている２つの切削予定ラインＬに対応する上記調整角度θに応じて，チャックテーブル３０を好適な角度だけ回転させるとともに，各切削予定ラインＬに対応する上記調整Ｙ座標値が表す位置に切削ブレード２２ａ，２２ｂをそれぞれ配置して切削するように各部を制御する。これにより，ＣＳＰのチップ領域を損傷することなく，当該２つの切削予定ラインＬに沿って基板１２を好適に切削できる。

次に，ステップＳ１１０のカーフチェック工程において，図５Ｃに示すように，ミクロ可視光カメラ４０を用いて，上記カット工程で基板１２に形成されたカーフ６０がチェックされる（ステップＳ１１０）。より詳細には，制御装置３２は，例えば，記憶部に記憶されている基本情報，ストリートアジャスト情報およびアライメント情報などに基づいてカーフ６０の位置を特定し，図５Ｃの二点鎖線で示すように，マクロ可視光カメラ４０をかかるカーフ６０の一端部の上方に配置する。次いで，このマクロ可視光カメラ４０によって裏面１２ｂ側のカーフ６０を撮像しながら，チャックテーブル３０をＸ軸正方向に移動させ，図５Ｃの実線で示すように，マクロ可視光カメラ４０を当該カーフ６０の他端部の上方に移動させる。これにより，マクロ可視光カメラ４０は，基板１２の裏面１２ｂ側（上面側）のカーフ６０を，例えば，一端部から他端部にかけて連続的に撮像することができる。かかる裏面１２ｂ側のカーフ６０の撮像画像は，制御装置３２の画像処理手段によって画像処理された上で，表示装置３４に表示されるので，オペレータはかかる画像をチェックして，当該カーフ６０のチッピングの有無および大きさ等を確認することができる。カーフ６０に異常があった場合には，切削ブレード２２ａ，２２ｂの交換や，切削条件の変更などといった対処が成される。

なお，かかるカーフチェックは，１つのチャンネル内の全てのカーフ６０について行っても良いし，或いは，何本かおきに行ってもよい。また，任意に選択された１または２以上のカーフ６０の一部若しくは全部についてのみ行ってもよい。

また，カーフチェックを行うタイミングは，例えば，１つのチャンネル内の全ての切削予定ラインＬの切削加工が終了した時点で行ってしてもよいし，或いは，例えば直交する２方向のチャンネルの全ての切削予定ラインＬの切削加工が終了した時点（即ち，ダイシングが終了した時点）で行ってもよい。また，１または２以上の切削予定ラインＬの切削加工が終了する度に，必要に応じて行うこともできる。

また，基板１２の裏面１２ａ側（上面側）のカーフのみならず，基板１２の表面１２ａ側（下面側）のカーフをチェックする場合には，上記ミクロ赤外線カメラ５０が用いられる。このミクロ赤外線カメラ５０は，基板１２を透過する赤外線によって，下側にある基板１２表面１２ａを撮像できるので，ミクロ可視光カメラ４０によっては撮像できない基板１２表面１２ａ側のカーフ６０を撮像することができる。

以上までで，本実施形態にかかるダイシング装置１０を用いたダイシング方法の全ての動作フローが終了する。

以上説明したように，本実施形態にかかるダイシング装置１０は，例えば，ＷＬ−ＣＳＰ基板１２などのように切削予定ラインが表面に現れない被加工物を切削加工する場合に，撮像手段を交換したり，ダイシング装置１０に不都合を生じさせたりすることなく，可視光カメラ４０，４２と赤外線カメラ５０，５２とを使い分けて，当該被加工物を正確にアライメントし，高精度でカーフチェックすることができる。このため，切削予定ラインを的確に切削加工することができるので，ダイシング装置１０による半導体チップの生産性および品質を向上させることができる。

また，被加工物の種類（ＷＬ−ＣＳＰ基板１２または半導体ウェハ等）に応じて，使用する撮像手段を容易かつ迅速に切り替えることができるので，常に最適な条件で，アライメントおよびカーフチェックを行うことができるようになる。さらに，ミクロ倍率に設定された可視光カメラ４０および赤外線カメラ５０と，マクロ倍率に設定された可視光カメラ４２および赤外線カメラ５２を使用して，アライメント精度を高めることができる。加えて，ミクロ倍率に設定されたカメラを切削ブレード２２ａ，２２ｂの近傍に配設することによって，ミクロ倍率のアライメント精度を向上させることができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば，上記実施形態では，切削予定ラインが表面に現れない被加工物として，ＷＬ−ＣＳＰ基板１２の例を挙げて説明したが，本発明はかかる例に限定されず，例えば，回路面が樹脂等で被覆されたその他の基板など如何なる基板であっても良い。また，ダイシング装置１０が切削加工する被加工物は，上記ＷＬ−ＣＳＰ基板１２の例に限定されず，複数の切削予定ラインＬ（ストリート）を有する基板であれば，例えば，半導体ウェハ（シリコンウェハ等），ＧＰＳ基板，ＢＧＡ基板，ガラス基板，石英板，サファイア基板，セラミックス材，金属材などであってもよい。

また，上記実施形態では，可視光撮像手段として，異なる倍率で撮像可能なミクロ可視光カメラ４０とマクロ可視光カメラ４２とがそれぞれ設けられるとともに，赤外線撮像手段として，ミクロ赤外線カメラ５０とマクロ赤外線カメラ５２とがそれぞれ設けられていたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，１つ可視光撮像手段若しくは赤外線撮像手段の倍率をミクロとマクロに切り替え可能に構成することもできる。かかる構成により，カメラの設置数を低減できるが，実際には，撮像手段の倍率の調整には精度が要求されるため，上記実施形態のように倍率を固定した撮像手段を別途設ける方が好ましい。

また，上記実施形態では，可視光撮像手段として，ミクロ可視光カメラ４０とマクロ可視光カメラ４２とが設けられていたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，被加工物がＷＬ−ＣＳＰ基板１２等のみである場合などには，マクロ可視光カメラ４２は必ずしも具備されなくてもよい。

また，上記実施形態では，ＷＬ−ＣＳＰ基板１２上の全ての切削予定ラインＬについてアライメントする例について説明したが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，基板１２の複数の切削予定ラインＬを，１，２，…，ｎ本おきに順次アライメントする，或いは任意に抽出した特定の複数の切削予定ラインＬを順次アライメントするなどしてもよい。これにより，全ての切削予定ラインＬをアライメントする場合よりも，迅速にアライメントを実行することができる。

また，上記実施形態では，切削予定ラインＬの両端付近のターゲットＴ，Ｔ’の座標値に基づいて算出した調整角度θおよび調整Ｙ座標値を，当該切削予定ラインＬについてのアライメント情報として記憶したが，本発明は，かかる例に限定されない。アライメント情報は，アライメントされた切削予定ラインＬの位置を特定できる情報であれば，如何なる情報であってもよい。例えば，切削予定ラインＬの両端付近のターゲットＴ，Ｔ’の座標値自体を，アライメント情報として記録しておき，切削加工時に当該座標値を読み出して，上記調整角度θおよび調整Ｙ座標値などを演算するようにしてもよい。

本発明は，切削装置に適用可能であり，特に，対向配置された２つの切削手段を備えた切削装置に適用可能である。

本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置を示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態にかかる第１の切削ユニットを示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態にかかる第１および第２の切削ユニットと，チャックテーブル上のＷＬ−ＣＳＰ基板とを示す正面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるダイシング方法を示すフローチャートである。 本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるダイシング方法のアライメント工程を説明するための工程図である。 本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるダイシング方法のカット工程を説明するための工程図である。 本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるダイシング方法のカーフチェック工程を説明するための工程図である。

符号の説明

１０ ： ダイシング装置
１２ ： ＷＬ−ＣＳＰ基板
２０ａ ： 第１の切削ユニット
２０ｂ ： 第２の切削ユニット
２２ａ，２２ｂ ： 切削ブレード
２４ａ，２４ｂ ： スピンドル
３０ ： チャックテーブル
３２ ： 制御装置
３４ ： 表示装置
３６ ： 操作部
４０ ： ミクロ倍率に設定された可視光カメラ
４２ ： マクロ倍率に設定された可視光カメラ
５０ ： ミクロ倍率に設定された赤外線カメラ
５２ ： マクロ倍率に設定された赤外線カメラ
６０ ： カーフ
Ｌ ： 切削予定ライン
Ｔ ： ミクロターゲット

Claims (7)

1. 第１のスピンドルと前記第１のスピンドルの一端部に装着された第１の切削ブレードとを有する第１の切削手段と，第２のスピンドルと前記第２のスピンドルの一端部に装着された第２の切削ブレードとを有する第２の切削手段と，被加工物を保持するチャックテーブルとを具備し，前記第１の切削ブレードと前記第２の切削ブレードとが対向するように前記第１の切削手段および前記第２の切削手段が配設された切削装置において；
   前記第１の切削手段には可視光撮像手段が装着され，
   前記第２の切削手段には赤外線撮像手段が装着されていることを特徴とする，切削装置。
2. 前記可視光撮像手段は，ミクロ倍率に設定された可視光カメラと，マクロ倍率に設定された可視光カメラとからなることを特徴とする，請求項１に記載の切削装置。
3. 前記赤外線撮像手段は，ミクロ倍率に設定された赤外線カメラと，マクロ倍率に設定された赤外線カメラとからなることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載の切削装置。
4. 前記ミクロ倍率に設定された可視光カメラは，前記マクロ倍率に設定された可視光カメラよりも前記第１の切削ブレードの近傍に設けられることを特徴とする，請求項２に記載の切削装置。
5. 前記ミクロ倍率に設定された赤外線カメラは，前記マクロ倍率に設定された赤外線カメラよりも前記第２の切削ブレードの近傍に設けられることを特徴とする，請求項３に記載の切削装置。
6. 前記可視光撮像手段は，前記第１の切削手段の切削方向前方側に装着され，前記赤外線撮像手段は，前記第２の切削手段の切削方向前方側に装着されていることを特徴とする，請求項１，２，３，４または５のいずれかに記載の切削装置。
7. 前記被加工物は，ＷＬ−ＣＳＰ基板であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５または６のいずれかに記載の切削装置。
   
   

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